JPH04127868A - 高圧ゲート駆動装置 - Google Patents
高圧ゲート駆動装置Info
- Publication number
- JPH04127868A JPH04127868A JP24748190A JP24748190A JPH04127868A JP H04127868 A JPH04127868 A JP H04127868A JP 24748190 A JP24748190 A JP 24748190A JP 24748190 A JP24748190 A JP 24748190A JP H04127868 A JPH04127868 A JP H04127868A
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- pulse
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高圧ゲート駆動装置に係り、特に、オンパルス
およびオフパルスを発生するパルスアンプの電源を二重
系にして強化し、電源の瞬断に起因するゲートパルスの
乱れをなくして、安定性の向上を図った高圧ゲート駆動
装置に関する。
およびオフパルスを発生するパルスアンプの電源を二重
系にして強化し、電源の瞬断に起因するゲートパルスの
乱れをなくして、安定性の向上を図った高圧ゲート駆動
装置に関する。
従来のゲート駆動装置は、特開昭59−72977号公
報に記載のように、中途半端なゲートパルスを防止し、
主回路素子(ゲートターンオフサイリスタ)の破壊を防
ぐ方式ではない。
報に記載のように、中途半端なゲートパルスを防止し、
主回路素子(ゲートターンオフサイリスタ)の破壊を防
ぐ方式ではない。
従来の高圧ゲート駆動装置は、光インターフェースの出
力パルスを増幅してオンパルスとオフパルスを発生する
パルスアンプの電源が、フィルタコンデンサの瞬時短絡
故障によって短絡されたとき、不完全なゲートパルスを
発生し、その結果、主回路素子が破壊する原因となるな
ど安全性が不足していた。
力パルスを増幅してオンパルスとオフパルスを発生する
パルスアンプの電源が、フィルタコンデンサの瞬時短絡
故障によって短絡されたとき、不完全なゲートパルスを
発生し、その結果、主回路素子が破壊する原因となるな
ど安全性が不足していた。
本発明の目的は、従来技術の不安定要因である電源を強
化し、安定性の向上を図り、主回路素子の破壊という致
命的な故障に発展することを防いだ高圧ゲート駆動装置
を提供することにある。
化し、安定性の向上を図り、主回路素子の破壊という致
命的な故障に発展することを防いだ高圧ゲート駆動装置
を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明はオンパルスとオフ
パルスを発生するパルスアンプの電源を二重系とし、い
ずれかの電源のコンデンサがゲートパルス発生中に短絡
故障をおこしてもゲートパルスへの影響がないようにし
たものである。
パルスを発生するパルスアンプの電源を二重系とし、い
ずれかの電源のコンデンサがゲートパルス発生中に短絡
故障をおこしてもゲートパルスへの影響がないようにし
たものである。
パルスアンプの電源として、同一定格の整流回路出力を
高速ダイオードで突き合わせ、この出力を定電圧素子に
供給する回路方式とすれば、いずれか片方の整流回路が
瞬時、または、連続的に電圧低下現象をおこしても定電
圧素子への供給は正常のままであるため、ゲートパルス
が乱れることはなく、安定性が一段と向上する。この場
合、二重系の各整流出力を動作状態でチエツクする検出
回路を設け、いずれか片方が連続的に出力低下のままと
なったときは、これを検出して表示すれば、システムダ
ウンを防ぐことができる。
高速ダイオードで突き合わせ、この出力を定電圧素子に
供給する回路方式とすれば、いずれか片方の整流回路が
瞬時、または、連続的に電圧低下現象をおこしても定電
圧素子への供給は正常のままであるため、ゲートパルス
が乱れることはなく、安定性が一段と向上する。この場
合、二重系の各整流出力を動作状態でチエツクする検出
回路を設け、いずれか片方が連続的に出力低下のままと
なったときは、これを検出して表示すれば、システムダ
ウンを防ぐことができる。
以下1本発明の一実施例を第1図、第2図により説明す
る。本発明の高圧ゲート駆動装置は第1図に示すように
、LEDとPiNホトダイオードによる高圧絶縁タイプ
の光インターフェース1゜運転指令Pを受けて始動し、
ゲート信号AとBを発生するインバータゲート回路2、
ゲート信号Aと位相が180度異4るゲート信号Bによ
って動作するNチャンネルMO8−FET3と4 、
MOS−FET3と4により交互に電源+Vから低圧側
巻線5aと5bに励磁電流が流れ、高圧側巻線5cm5
d、5e−5f、5g、5hに各々電圧を発生する高圧
絶縁トランス5.高圧側巻線5C−5d、5e 5f
、5g、5hの各交流出力電圧を整流する整流回路6〜
9.整流された直流電圧のリップルを吸収して平滑化す
るためのコンデンサ10〜15.二重系の電源を突き合
わせてOR出出力上Hを発生するためのダイオード18
〜21、整流電圧を安定化し、+ V 1を発生する定
電圧素子22と−V1を発生する定電圧素子23゜+V
1と−V1の電源インピーダンスを低くするためのコン
デンサ16と17.+VzとNo間に接続され、PWM
信号信号対応してオフパルスJを発生するオフパルスア
ンプ24. VlとNo間に接続され、PWM信号信
号対応してオンパルスKを発生するオンパルスアンプ2
5.二重系の整流回路出力CとEの電圧をチエツクし、
信号Xを出力する抵抗器26と27.整流回路出力りと
Fの電圧をチエツクし、信号Yを出力する抵抗器28と
29、信号又と基準電圧+VSを比較し、異常発生時に
は信号LEDIを出力する比較器31.信号Yと基準電
圧−Vsを比較し、異常発生時には信号LEDzを出力
する比較器32.信号LEDz。
る。本発明の高圧ゲート駆動装置は第1図に示すように
、LEDとPiNホトダイオードによる高圧絶縁タイプ
の光インターフェース1゜運転指令Pを受けて始動し、
ゲート信号AとBを発生するインバータゲート回路2、
ゲート信号Aと位相が180度異4るゲート信号Bによ
って動作するNチャンネルMO8−FET3と4 、
MOS−FET3と4により交互に電源+Vから低圧側
巻線5aと5bに励磁電流が流れ、高圧側巻線5cm5
d、5e−5f、5g、5hに各々電圧を発生する高圧
絶縁トランス5.高圧側巻線5C−5d、5e 5f
、5g、5hの各交流出力電圧を整流する整流回路6〜
9.整流された直流電圧のリップルを吸収して平滑化す
るためのコンデンサ10〜15.二重系の電源を突き合
わせてOR出出力上Hを発生するためのダイオード18
〜21、整流電圧を安定化し、+ V 1を発生する定
電圧素子22と−V1を発生する定電圧素子23゜+V
1と−V1の電源インピーダンスを低くするためのコン
デンサ16と17.+VzとNo間に接続され、PWM
信号信号対応してオフパルスJを発生するオフパルスア
ンプ24. VlとNo間に接続され、PWM信号信
号対応してオンパルスKを発生するオンパルスアンプ2
5.二重系の整流回路出力CとEの電圧をチエツクし、
信号Xを出力する抵抗器26と27.整流回路出力りと
Fの電圧をチエツクし、信号Yを出力する抵抗器28と
29、信号又と基準電圧+VSを比較し、異常発生時に
は信号LEDIを出力する比較器31.信号Yと基準電
圧−Vsを比較し、異常発生時には信号LEDzを出力
する比較器32.信号LEDz。
LEDz受けて、LEDを点灯させるLED表示器33
.オンパルスKが“L”レベルのときオンし、抵抗器3
0をとおしてゲート電流ixを流して、ゲートターンオ
フサイリスタ36をオンさせるPチャンネルMO5−F
ET35およびオフパルスJが“H”レベルのときオン
し、ゲート電流12を流して、ゲートターンオフサイリ
スタ36をオフさせるNチャンネルMO8−FET34
によって構成されている。
.オンパルスKが“L”レベルのときオンし、抵抗器3
0をとおしてゲート電流ixを流して、ゲートターンオ
フサイリスタ36をオンさせるPチャンネルMO5−F
ET35およびオフパルスJが“H”レベルのときオン
し、ゲート電流12を流して、ゲートターンオフサイリ
スタ36をオフさせるNチャンネルMO8−FET34
によって構成されている。
本装置の動作について、第2図を引用して説明する。第
2図のtoにおいて、運転指令Pがn L ttレベル
から“H”レベルに立上ると一定時間後のtlにおいて
、インバータゲート回路2が動作開始して、ゲート信号
Aとゲート信号Bが発生し、このゲート信号A、Bによ
ってNチャンネルMO5−FET3と4が交互にオン−
オフし、+Vから高圧絶縁トランス5の一次巻線5aお
よび5bに励磁電流が流れるため、巻線5cm5d、5
e−5f、5g、5hにそれぞれ矩形波交流電圧が発生
する。この各巻線の矩形波交流電圧は整流回路6〜9に
よって整流され、直流電圧CとEおよびDとFにより、
tzにおいて規定値に到達する。
2図のtoにおいて、運転指令Pがn L ttレベル
から“H”レベルに立上ると一定時間後のtlにおいて
、インバータゲート回路2が動作開始して、ゲート信号
Aとゲート信号Bが発生し、このゲート信号A、Bによ
ってNチャンネルMO5−FET3と4が交互にオン−
オフし、+Vから高圧絶縁トランス5の一次巻線5aお
よび5bに励磁電流が流れるため、巻線5cm5d、5
e−5f、5g、5hにそれぞれ矩形波交流電圧が発生
する。この各巻線の矩形波交流電圧は整流回路6〜9に
よって整流され、直流電圧CとEおよびDとFにより、
tzにおいて規定値に到達する。
同様に、OR出出力上Hも規定値に到達し、定電圧素子
22と23に電源を供給するため、tzにおいて+■1
と−V五が規定値となる。運転指令Pが入力されてか+
Vzと−v1が規定値となるまでの時間Tは約80m5
である。t3において。
22と23に電源を供給するため、tzにおいて+■1
と−V五が規定値となる。運転指令Pが入力されてか+
Vzと−v1が規定値となるまでの時間Tは約80m5
である。t3において。
PWM信号が光インターフェースlを介してPWM信号
信号対り、オフパルスアンプ24とオンパルスアンプ2
5に入力され、′L”レベルからrtH”レベルに変化
するとオフパルスJがgtH”から“L”となり、Nチ
ャンネルMO8−FET34をオフさせてゲート電流i
sをしゃ断し、同時にオンパルスKが“H”から“L”
となって、PチャンネルMO5−FET35をオンさせ
、ゲート電流主1を流してゲートターンオフサイリスタ
36をオンさせるので、主回路電流Mが流れる。
信号対り、オフパルスアンプ24とオンパルスアンプ2
5に入力され、′L”レベルからrtH”レベルに変化
するとオフパルスJがgtH”から“L”となり、Nチ
ャンネルMO8−FET34をオフさせてゲート電流i
sをしゃ断し、同時にオンパルスKが“H”から“L”
となって、PチャンネルMO5−FET35をオンさせ
、ゲート電流主1を流してゲートターンオフサイリスタ
36をオンさせるので、主回路電流Mが流れる。
t4において、PWM信号信号対H”から“L”に変化
すると、ゲート電流11がしゃ断され、ゲート電流12
が流れることによって、ゲートターンオフサイリスタ3
6がオフし、主回路電流Mがしゃ断される、以後、同様
にしてPWM信号信号対応した主回路電流Mが流れ、負
荷に電力を供給する。主回路電流Mが流れ始めたt6に
おいて、コンデンサ11、または、コンデンサ13のい
ずれか片方に瞬時短絡の故障が発生し、整流回路出力D
、または、Fが瞬時低下してもOR出力Hには異常がな
いため、ゲート電流j1は正常な状態を継続できる。t
6〜t8において、信号Yと−Vsの電位関係が逆転す
るため、比較器32が信号LEDzを出力し、LED表
示器33が点灯する。コンデンサの短絡故障は、コンデ
ンサが接続された回路インピーダンスが低い場合、セル
フヒーリングによって機能を回復し、正常な状態に復帰
するので、LED表示器33も消灯する。t7において
、整流回路6、または、7のいずれかが故障し、整流回
路出力C1または、Eのいずれかが無電圧となっても、
OR出力Gには異常がないため、オフパルスJは正常で
あり、ゲート電流12も全く影響を受けない、t7以後
、整流回路出力の異常が継続すれば、信号Xと+Vsの
電位関係は正常時に対して逆転するため、比較器31が
信号LEDIを出力し、LED表示器33が点灯したま
まとなるので、故障の発見は容易である。
すると、ゲート電流11がしゃ断され、ゲート電流12
が流れることによって、ゲートターンオフサイリスタ3
6がオフし、主回路電流Mがしゃ断される、以後、同様
にしてPWM信号信号対応した主回路電流Mが流れ、負
荷に電力を供給する。主回路電流Mが流れ始めたt6に
おいて、コンデンサ11、または、コンデンサ13のい
ずれか片方に瞬時短絡の故障が発生し、整流回路出力D
、または、Fが瞬時低下してもOR出力Hには異常がな
いため、ゲート電流j1は正常な状態を継続できる。t
6〜t8において、信号Yと−Vsの電位関係が逆転す
るため、比較器32が信号LEDzを出力し、LED表
示器33が点灯する。コンデンサの短絡故障は、コンデ
ンサが接続された回路インピーダンスが低い場合、セル
フヒーリングによって機能を回復し、正常な状態に復帰
するので、LED表示器33も消灯する。t7において
、整流回路6、または、7のいずれかが故障し、整流回
路出力C1または、Eのいずれかが無電圧となっても、
OR出力Gには異常がないため、オフパルスJは正常で
あり、ゲート電流12も全く影響を受けない、t7以後
、整流回路出力の異常が継続すれば、信号Xと+Vsの
電位関係は正常時に対して逆転するため、比較器31が
信号LEDIを出力し、LED表示器33が点灯したま
まとなるので、故障の発見は容易である。
t6において、PWM信号が休止状態になると、オフパ
ルスJが出力状態を保ち、ゲートターンオフサイリスタ
36のゲートは逆バイアスされた状態を保ち誤動作する
ことを防止する。
ルスJが出力状態を保ち、ゲートターンオフサイリスタ
36のゲートは逆バイアスされた状態を保ち誤動作する
ことを防止する。
運転指令Pが入力されてからオフパルスJが立上るまで
の時間Tは、誤動作による主回路素子のブレークダウン
を防止する目的で、ゲートターンオフサイリスタ36の
ゲートに対し、短時間内に逆バイアスをかける必要があ
るため、整流回路出力の平滑コンデンサの静電容量値は
22μF程度としている。一方、インバータ回路は約3
0KHzの高周波で動作しているため、動作状態におけ
る平滑コンデンサのリップル電流が大きく、静電容量値
の小さいコンデンサにとっては過酷な使用条件となり、
コンデンサのセルフヒーリング現象がおきやすい状態で
使用することになるが、本発明の二重系方式とすれば、
仮にセルフヒーリング現象がおきても、ゲートターンオ
フサイリスタ36のゲート電流は影響を受けないので、
中途半端なゲートパルスによるターンオン→ターンオフ
による破壊モードを防ぐことができる利点がある。
の時間Tは、誤動作による主回路素子のブレークダウン
を防止する目的で、ゲートターンオフサイリスタ36の
ゲートに対し、短時間内に逆バイアスをかける必要があ
るため、整流回路出力の平滑コンデンサの静電容量値は
22μF程度としている。一方、インバータ回路は約3
0KHzの高周波で動作しているため、動作状態におけ
る平滑コンデンサのリップル電流が大きく、静電容量値
の小さいコンデンサにとっては過酷な使用条件となり、
コンデンサのセルフヒーリング現象がおきやすい状態で
使用することになるが、本発明の二重系方式とすれば、
仮にセルフヒーリング現象がおきても、ゲートターンオ
フサイリスタ36のゲート電流は影響を受けないので、
中途半端なゲートパルスによるターンオン→ターンオフ
による破壊モードを防ぐことができる利点がある。
本発明によれば、起動時の機能をそこなうことなく、ゲ
ートパルスの乱れを防止することによって、主回路素子
の破壊を防ぐことができる。
ートパルスの乱れを防止することによって、主回路素子
の破壊を防ぐことができる。
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は本発
明の動作状態をしめすタイミングチャートである。 1・・・光インターフェース、2・・・インバータゲー
ト回路、3〜4・・・NチャンネルMO8−FET、5
・・・高圧絶縁トランス、5a〜5h・・・巻線、6〜
9・・・整流回路、10〜17・・・コンデンサ、18
〜21・・・ダイオード、22〜23・・・定電圧素子
、24・・・オフパルスアンプ、25・・・オンパルス
アンプ、26〜30・・・抵抗器、31〜32・・・比
較器、33・・・LED表示器、34・・・Nチャンネ
ルMO8−FET、35・・・PチャンネルMO8−F
ET、36・・・ゲートターンオフサイリスタ。
明の動作状態をしめすタイミングチャートである。 1・・・光インターフェース、2・・・インバータゲー
ト回路、3〜4・・・NチャンネルMO8−FET、5
・・・高圧絶縁トランス、5a〜5h・・・巻線、6〜
9・・・整流回路、10〜17・・・コンデンサ、18
〜21・・・ダイオード、22〜23・・・定電圧素子
、24・・・オフパルスアンプ、25・・・オンパルス
アンプ、26〜30・・・抵抗器、31〜32・・・比
較器、33・・・LED表示器、34・・・Nチャンネ
ルMO8−FET、35・・・PチャンネルMO8−F
ET、36・・・ゲートターンオフサイリスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、高圧絶縁トランスを駆動する低圧インバータ回路、
前記高圧絶縁トランスの三組の巻線が出力する矩形波交
流電圧を各々直流電圧に整流する三組の整流回路とリッ
プルを吸収する平滑用コンデンサ、ゲート信号を安定化
させるための定電圧素子、ゲート論理部からのPWM信
号を受信し、光素子によつて高絶縁した光インターフェ
ース、前記光インターフェースの出力信号を増幅してオ
ンパルスとオフパルスを発生するパルスアンプおよび前
記パルスアンプの出力によつて駆動されるパワーMOS
FETによつて構成される高圧ゲート駆動装置において
、 前記パルスアンプ用電源を二重系とすることによつて前
記平滑用コンデンサの瞬時短絡に対して不完全ゲートパ
ルスの発生をなくし、主回路素子の破壊を防止するよう
にしたことを特徴とする高圧ゲート駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24748190A JPH04127868A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 高圧ゲート駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24748190A JPH04127868A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 高圧ゲート駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127868A true JPH04127868A (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=17164104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24748190A Pending JPH04127868A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 高圧ゲート駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04127868A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4679675B1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-04-27 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| CN108448884A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-08-24 | 南京航空航天大学 | 双输入dc-ac变换器的两种失效容错方法 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP24748190A patent/JPH04127868A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4679675B1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-04-27 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| WO2011104848A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| US8988909B2 (en) | 2010-02-25 | 2015-03-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Power conversion device |
| CN108448884A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-08-24 | 南京航空航天大学 | 双输入dc-ac变换器的两种失效容错方法 |
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