JPH04128380A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH04128380A JPH04128380A JP24981490A JP24981490A JPH04128380A JP H04128380 A JPH04128380 A JP H04128380A JP 24981490 A JP24981490 A JP 24981490A JP 24981490 A JP24981490 A JP 24981490A JP H04128380 A JPH04128380 A JP H04128380A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 13
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、良質な薄膜を形成する装置に関するものであ
る。
る。
従来、紫外光を基板の直上に集光してガスを分解して膜
を蒸着するレーザＣＶＤ法はすでに良く知られている。
を蒸着するレーザＣＶＤ法はすでに良く知られている。
レーザＣＶＤ装置によって成膜を行う場合、紫外光を基
板直上あるいは基板そのものに照射してガスを分解する
ことによって膜を合成する。その場合、ガスの分解率や
活性化率やイオン化率が割合低く、反応物の生成率があ
まり高くないために組成の制御などがなかなか龍しくな
っている。
板直上あるいは基板そのものに照射してガスを分解する
ことによって膜を合成する。その場合、ガスの分解率や
活性化率やイオン化率が割合低く、反応物の生成率があ
まり高くないために組成の制御などがなかなか龍しくな
っている。
本発明の目的はレーザＣＶＤ装置において、Ｘ線を照射
することによってガスや反応物の活性化を促進させ、高
速で成膜でき、かつ良質な薄膜を形成できる装置を提供
することにある。
することによってガスや反応物の活性化を促進させ、高
速で成膜でき、かつ良質な薄膜を形成できる装置を提供
することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る薄膜形成装置に
おいては、真空槽と、基板ホルダと、紫外線源と、Ｘ線
源とを有する薄膜形成装置であって、 真空槽は、基板を収納する楢であり、成膜用ガスを導入
するガス導入管を有し、内部が脱気されるものであり、 基板ホルダは、真空槽内に基板を保持するものであり、 紫外線源は、紫外光を基板上に集光して、真空槽内に導
入された成膜用のガスを活性化させるものであり、 Ｘ線源は、紫外光により活性化された成膜用の反応生成
物にＸ線を照射して活性化させるものである。
おいては、真空槽と、基板ホルダと、紫外線源と、Ｘ線
源とを有する薄膜形成装置であって、 真空槽は、基板を収納する楢であり、成膜用ガスを導入
するガス導入管を有し、内部が脱気されるものであり、 基板ホルダは、真空槽内に基板を保持するものであり、 紫外線源は、紫外光を基板上に集光して、真空槽内に導
入された成膜用のガスを活性化させるものであり、 Ｘ線源は、紫外光により活性化された成膜用の反応生成
物にＸ線を照射して活性化させるものである。
紫外レーザによる反応生成物にＸ線を照射することによ
ってさらに活性化させる。これにより、良質かつ高速で
薄膜の形成が可能となる。
ってさらに活性化させる。これにより、良質かつ高速で
薄膜の形成が可能となる。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す構成図である。
図において、真空槽１は、拡散ポンプ或いはターポンプ
と油回転ポンプを用いてｌ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ以下
まで排気されるものであり、その内部には、基板ホルダ
２が設置され、基板ホルダ２には、ホルダ上の基板３を
加熱するし−タ１４が備付けられており、ヒータ１４は
、ＡＣ電源１５に接続されている。
と油回転ポンプを用いてｌ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ以下
まで排気されるものであり、その内部には、基板ホルダ
２が設置され、基板ホルダ２には、ホルダ上の基板３を
加熱するし−タ１４が備付けられており、ヒータ１４は
、ＡＣ電源１５に接続されている。
また、真空槽１には、ガス導入管１３がバルブ１２を介
して接続されている。
して接続されている。
さらに、紫外線源としてのエキシマレーザ４は、真空槽
１の外部に設置され、ミラー５、レンズ６を介して真空
槽１のＬｉＦ窓７より、基板３真上に横方向から紫外線
を集光させるものである。
１の外部に設置され、ミラー５、レンズ６を介して真空
槽１のＬｉＦ窓７より、基板３真上に横方向から紫外線
を集光させるものである。
一方、真空槽１には、Ｂｅ窓９が基板ホルダ２上の基板
３の高さ位置に対向させて側壁に設けである。
３の高さ位置に対向させて側壁に設けである。
さらにＸ線源８は、Ｂｅ窓９を介してＸ線を基板真上に
照射するものであり、真空ポンプ１１とＸ線源用電源１
０とを備えている。
照射するものであり、真空ポンプ１１とＸ線源用電源１
０とを備えている。
この装置によって、−例としてＡＩＮ薄膜を形成する場
合を具体的に説明する。
合を具体的に説明する。
まず、拡散ポンプあるいはターボポンプと油回転ポンプ
を用いて真空槽１内をｌ ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ以下ま
で排気する。基板３を約３００℃に設定し、次にガスを
導入するためにバルブ１２を開き、それぞれアンモニア
とトリメチルアルミニウムガスを導入する。この状態で
エキシマレーザ４を起動して紫外光を発生させ、基板直
上に集光する。更に、同時にＸ線源８の電源１０を所定
の条件に設定して強力なＸ線を基板の直上に照射しなが
ら膜を成長させる。
を用いて真空槽１内をｌ ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ以下ま
で排気する。基板３を約３００℃に設定し、次にガスを
導入するためにバルブ１２を開き、それぞれアンモニア
とトリメチルアルミニウムガスを導入する。この状態で
エキシマレーザ４を起動して紫外光を発生させ、基板直
上に集光する。更に、同時にＸ線源８の電源１０を所定
の条件に設定して強力なＸ線を基板の直上に照射しなが
ら膜を成長させる。
本実施例ではこの状態でシリコン基板上に約１０分間膜
形成を行った。このようにして形成されたＡＩＮ膜の膜
厚は約１μｍであった。その膜をＸ線回折分析を行った
ところ、六方晶、Ｃ軸配向膜であった。約３００℃に加
熱されたサファイア基板上に合成したときにはエピタキ
シャル膜が得られた。
形成を行った。このようにして形成されたＡＩＮ膜の膜
厚は約１μｍであった。その膜をＸ線回折分析を行った
ところ、六方晶、Ｃ軸配向膜であった。約３００℃に加
熱されたサファイア基板上に合成したときにはエピタキ
シャル膜が得られた。
また、この膜の電気機械結合係数を測定したところ、約
五％という値が得られた。この値は通常のスパッタ装置
で合成された膜以上の値である。
五％という値が得られた。この値は通常のスパッタ装置
で合成された膜以上の値である。
また、薄膜の組成をＸ線マイクロアナライザで測定した
ところ約１＝１であった。
ところ約１＝１であった。
このように、本発明によって低温で良質の薄膜が得られ
ることがわかった。
ることがわかった。
以上説明したとおり、本発明によれば紫外光レーザによ
る反応生成物の生成とその反応生成物へのＸ線の照射と
を組み合わせて反応生成物の活性化を高めることによっ
て、比較的低温で良質な薄膜を形成でき、機能性誘電体
膜や半導体膜などへの応用も可能な薄膜形成装置を提供
することができる。
る反応生成物の生成とその反応生成物へのＸ線の照射と
を組み合わせて反応生成物の活性化を高めることによっ
て、比較的低温で良質な薄膜を形成でき、機能性誘電体
膜や半導体膜などへの応用も可能な薄膜形成装置を提供
することができる。
第１図は本発明による一実施例の薄膜形成装置を示す断
面図である。 １・・・真空槽 ２・・・基板ホルダ３・・
・基板 ４・・・エキシマレーザ５・・・
ミラー ６・・・レンズ７・・・ＬｉＦ窓
８・・・Ｘ線源９・・・Ｂｅ窓 １
０・・・Ｘ線源用電源１１・・・真空ポンプ １３・・・ガス導入管 １５・・・ＡＣ＠源 １２・・・パルプ １４・・・ヒータ
面図である。 １・・・真空槽 ２・・・基板ホルダ３・・
・基板 ４・・・エキシマレーザ５・・・
ミラー ６・・・レンズ７・・・ＬｉＦ窓
８・・・Ｘ線源９・・・Ｂｅ窓 １
０・・・Ｘ線源用電源１１・・・真空ポンプ １３・・・ガス導入管 １５・・・ＡＣ＠源 １２・・・パルプ １４・・・ヒータ
Claims (1)
- （１）真空槽と、基板ホルダと、紫外線源と、Ｘ線源と
を有する薄膜形成装置であって、 真空槽は、基板を収納する槽であり、成膜用ガスを導入
するガス導入管を有し、内部が脱気されるものであり、 基板ホルダは、真空槽内に基板を保持するものであり、 紫外線源は、紫外光を基板上に集光して、真空槽内に導
入された成膜用のガスを活性化させるものであり、 Ｘ線源は、紫外光により活性化された成膜用の反応生成
物にＸ線を照射して活性化させるものであることを特徴
とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24981490A JPH04128380A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24981490A JPH04128380A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04128380A true JPH04128380A (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=17198599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24981490A Pending JPH04128380A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04128380A (ja) |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP24981490A patent/JPH04128380A/ja active Pending
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