JPH04129208A - Removal of contaminant in semiconductor device - Google Patents
Removal of contaminant in semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH04129208A JPH04129208A JP25057590A JP25057590A JPH04129208A JP H04129208 A JPH04129208 A JP H04129208A JP 25057590 A JP25057590 A JP 25057590A JP 25057590 A JP25057590 A JP 25057590A JP H04129208 A JPH04129208 A JP H04129208A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- cavity
- foreign matter
- housing
- assembly case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 title abstract 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 241001609370 Puschkinia scilloides Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の異物除去方法に関し、特に半導
体素子を搭載し、収納するキャビティを有するセラミッ
ク及びガラス等のケースを用いた半導体装置の異物除去
方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for removing foreign matter from a semiconductor device, and particularly to a method for removing foreign matter from a semiconductor device using a case made of ceramic, glass, etc., which has a cavity for mounting and storing a semiconductor element. This invention relates to a method for removing foreign matter.
第３図は従来の半導体装置の異物除去方法の一例を説明
するための半導体装置を示す断面図である。従来、この
種の半導体装置の異物除去方法は、第３図に示すように
半導体装置の組立ケース１を半導体素子（以下チップと
称す）２を搭載したキャビティ１１が上面になるように
配置して、エアブロ−ノズル６で乾燥空気をキャビティ
１１内に吹き付け、鍔上る異物を吸引ノズル７で吸い取
り、異物除去を行っていた。この異物除去は、半導体装
置の組立工程において、チップ２を組立ケース１にグイ
ボンディングするマウント工程及びチップ２の電極パッ
ドと組立ケース１のインナーリードとをワイヤー３にて
結線するワイヤーボンディング工程で、いずれもキャビ
ティ１１を上面にした形態がとられているため、この工
程の事前に行なわれていた。すなわち、改めてワイヤー
ボンディング後の異物除去工程で組立ケース１を上下反
転する方法をとっていなかったためである。FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a conventional method for removing foreign matter from a semiconductor device. Conventionally, in a method for removing foreign matter from a semiconductor device of this type, as shown in FIG. The air blow nozzle 6 blows dry air into the cavity 11, and the suction nozzle 7 sucks up foreign matter that rises to the flange to remove foreign matter. This foreign matter removal is performed in the assembly process of the semiconductor device, in the mounting process of firmly bonding the chip 2 to the assembly case 1 and the wire bonding process of connecting the electrode pads of the chip 2 and the inner leads of the assembly case 1 with wires 3. Since both have the cavity 11 facing upward, this process was carried out beforehand. That is, this is because the assembled case 1 was not turned upside down in the foreign matter removal process after wire bonding.
したがって、゛本図に示す通り、キャビティ１１を上面
にした状態にて、更に上方よりキャビティ１１に向って
エアーブローノズル６よりフィルタを介したクリーンエ
アーを矢印に示す方向に吹きつけている。また、それと
同時に吸引ノズル７からは、キャビティ１１部にエアー
ブローされ、舞いあがったゴミ、塵等を含んだ雰囲気を
吸引し、集塵機にて回収していた。従来はこうした方法
にて、半導体装置を気密封止する前のキャビティ部の清
浄度を保っていたのである。Therefore, as shown in this figure, with the cavity 11 facing upward, clean air is blown through the filter from the air blow nozzle 6 toward the cavity 11 from above in the direction shown by the arrow. At the same time, air was blown into the cavity 11 from the suction nozzle 7, and the atmosphere containing the thrown up dust and dirt was sucked and collected by the dust collector. Conventionally, this method was used to maintain the cleanliness of the cavity before hermetically sealing the semiconductor device.
この従来の異物除去方法は、まずキャビティ部を上面に
した状態にて実施しているため、エアーブローにより攪
拌された雰囲気中に含まれるゴミ等を全て集塵機にて吸
引しないと、残された粉塵等が再度キャビティ部へ落下
し、キャビティ内に蓄積するなど、充分な異物除去効果
が得られないというような問題があった。This conventional foreign matter removal method is first carried out with the cavity facing upward, so if all the dust contained in the atmosphere stirred by air blowing is not sucked up by the dust collector, the remaining dust will be removed. There have been problems such as falling back into the cavity and accumulating in the cavity, making it impossible to obtain a sufficient foreign matter removal effect.
また、第３図からでもわかる通りエアーブローノズル及
び組立ケースがいずれも固定されているため、組立ケー
スのキャビティ内股付き部の角部及びチップ側面とキャ
ビティ底面とが交叉する角部においては、エアーブロー
の死角になる箇所及びエアーブローによる吹きだまりが
発生する箇所が生じる。このような箇所の異物を完全に
除去することは従来の方法では非常に困難となっていた
。Furthermore, as can be seen from Fig. 3, since both the air blow nozzle and the assembly case are fixed, the air blow nozzle and the assembly case are fixed at the corner of the crotch part inside the cavity of the assembly case and at the corner where the chip side surface and the cavity bottom intersect. There are areas where there are blind spots for blowing and areas where snowdrifts occur due to air blowing. It has been extremely difficult to completely remove foreign matter from such locations using conventional methods.
本発明の目的は、かかる問題を解消する半導体装置の異
物除去方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for removing foreign matter from a semiconductor device that solves this problem.
本発明の第１の半導体装置の異物除去方法は、半導体素
子を収納し、その底部に搭載する組立ケースの開口を塞
ぎ、この開口にエアブロ−ノズルで清浄なガスを吹き付
けごみを舞い上らせ、この舞い上るごみを吸い取りなが
ら前記組立ケースの開口と反対側の面に振動を与えるこ
とを特徴としている。The first method of removing foreign matter from a semiconductor device of the present invention is to close an opening of an assembly case that houses a semiconductor element and is mounted on the bottom of the assembly case, and blow clean gas into this opening with an air blow nozzle to blow up dust. The device is characterized in that it applies vibration to the surface of the assembled case opposite to the opening while sucking up this floating dust.
本発明の第２の半導体装置の異物除去方法は、第１の方
法に加えて、前記エアブロ−ノズルを旋回することを特
徴としている。A second method for removing foreign matter from a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, in addition to the first method, the air blow nozzle is rotated.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明の半導体装置の異物除去方法の一実施例
を説明するための半導体装置を含めた異物除去装置の断
面図である。この異物除去される半導体装置はフェース
ダウンタイプのＰＧＡパッケージを対称としたものであ
る。まず、組立ケース１をあらかじめ上下反転された状
態にてキャビティ１１を下方に向けて加振ユニット８に
０リング９を介して真空吸着にて保持する０次に、半導
体装置の他面にあるアウターリード４をとりまくように
、ハウジング５で覆う、このハウジング５にはエアーブ
ローノズル６が左右対称に２ケ所及び吸引ノズル７が中
心部に１ケ所取り付けられている０次に、加振ユニット
８で振動を発生し、キャビティ内のごみをハウジング内
に落し、吸引ノズルで吸い取る。FIG. 1 is a sectional view of a foreign matter removing apparatus including a semiconductor device for explaining an embodiment of the method for removing foreign matter from a semiconductor device according to the present invention. The semiconductor device from which foreign matter is removed is a face-down type PGA package. First, the assembly case 1 is inverted in advance and held in the vibration unit 8 by vacuum suction via the O-ring 9 with the cavity 11 facing downward. The lead 4 is surrounded by a housing 5, which has two air blow nozzles 6 symmetrically attached to it and a suction nozzle 7 placed in the center. Vibrations are generated to cause the dust in the cavity to fall into the housing, where it is sucked up by a suction nozzle.
ここで、加振ユニット８が半導体装置に与える振動数に
ついて説明する。加振ユニット８により与える最適振動
は対象の半導体装置の種類によって異ってくるが、一般
的には５０〜２５０Ｈｚ。Here, the frequency of vibration given to the semiconductor device by the vibration unit 8 will be explained. The optimal vibration given by the vibration unit 8 varies depending on the type of semiconductor device, but is generally 50 to 250 Hz.
２０Ｇくらいが適当である。そのときの振動発生装置の
加振力の設定値は以下の式にて求められる。About 20G is appropriate. The setting value of the excitation force of the vibration generator at that time is determined by the following formula.
Ｆ＝ＷＸＡ （ｋｇ−ｆ）
Ｆ：加振力 （ｋｇ−ｆ）
Ｗ：可動部総重量（振動発生装置の可動部重量Ｗ１十半
導体装置の重量Ｗ２）（ｋｇ）Ａ：振動加速度（Ｇ）
また、上記加振力を加えたときの振幅は以下の式にて算
出できる。F=WXA (kg-f) F: Excitation force (kg-f) W: Total weight of moving parts (weight of moving parts of vibration generator W1 + weight of semiconductor device W2) (kg) A: Vibration acceleration (G) Further, the amplitude when the above-mentioned excitation force is applied can be calculated using the following formula.
Ｄ＝２ｘ９８００ｘＡ／（２πｆ）２ （龍）＝４９７
ｘＡ／ｆ”
Ｄ：振幅 （ｍｕ Ｐｅａｋ ｔｏ 、Ｐｅａｋ）
ｆ：振動周波数 （Ｈｚ ）
例えば、振動条件１３０Ｈｚ、２０Ｇ、また半導体装置
重量Ｗ２ ＝ ２８ ｇ、可動部重量Ｗｌ＝５００ｇの
場合の加振力Ｆｅ、振幅Ｄｅは次の通りとなる。D=2x9800xA/(2πf)2 (dragon)=497
xA/f” D: Amplitude (mu Peak to, Peak) f: Vibration frequency (Hz) For example, the excitation force when the vibration conditions are 130 Hz and 20 G, and the semiconductor device weight W2 = 28 g and the movable part weight Wl = 500 g. Fe and amplitude De are as follows.
Ｆｅ −（０，５＋０．０２８）Ｘ２０＝１０．５６
（Ｋｇ・ｆ）
Ｄｅ＝４９７Ｘ２０／１３０２
＝０．５８８ （龍）
上記の様に、各半導体装置に適した振動条件を算出し、
前記加振ユニットにより振動をＺ方向に対して加えなが
ら、下方のハウジング５に取り付けられたエアーブロー
ノズル６より清浄な空気をキャビティ１１に向けて吹き
出しながら、吸引ノズル７によってハウジング内雰囲気
を吸引する。Fe-(0,5+0.028)X20=10.56
(Kg・f) De=497X20/1302 =0.588 (Dragon) As above, calculate the vibration conditions suitable for each semiconductor device,
While applying vibration in the Z direction by the vibration unit, clean air is blown toward the cavity 11 from the air blow nozzle 6 attached to the lower housing 5, and the atmosphere inside the housing is sucked by the suction nozzle 7. .
この場合の注意点としては、エアーブロー流量よりも吸
引流量を多くすることによって、ハウジンク内の雰囲気
を外部に漏らさないことである。こうした一連の動作を
１０秒／個程度連続的に実施することにより、キャビテ
ィ内の異物を除去するものである。In this case, be careful not to leak the atmosphere inside the housing to the outside by making the suction flow rate higher than the air blow flow rate. Foreign matter in the cavity is removed by continuously performing a series of such operations for about 10 seconds/piece.
第２図は本発明の半導体装置の異物除去方法の他の実施
例を説明するための半導体装置をキャビティ側から見た
平面図である。FIG. 2 is a plan view of a semiconductor device viewed from the cavity side for explaining another embodiment of the method for removing foreign matter from a semiconductor device according to the present invention.
本実施例の半導体装置の異物除去方法は、まず、半導体
装置を、前述の実施例と同様に加振ユニットｇに取り付
ける。キャビティ１１側には、やはりハウジング５に接
している。In the method for removing foreign matter from a semiconductor device according to this embodiment, first, the semiconductor device is attached to the vibration unit g in the same manner as in the previous embodiment. The cavity 11 side is also in contact with the housing 5.
ここで、この実施例に使用する異物除去装置のエアーブ
ローノズルは、ハウジングの左右及び前後対象な位置に
それぞれ４ケ所設けており、そして、各々のエアーブロ
ーノズルは、旋回中心点、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１
２ｄを中心として旋回するようになっている。Here, the air blow nozzles of the foreign matter removing device used in this embodiment are provided at four locations each on the left and right sides of the housing and at symmetrical positions in the front and back. , 12c, 1
It is designed to rotate around 2d.
次に、この旋回方法を説明する。また、旋回方法は、４
ケ所いずれも同様のため、１２ａにおける旋回部のみに
ついて説明する。まず、旋回中心点１２ａ部におけるノ
ズルより吹き出されるエアーが直接組立ケース１に当た
るのは、スポット径１３で示す範囲であり、ノズルの旋
回によって最大径１４ａと最小径１５ａの間の範囲に直
接エアーブローすることが可能となる。またその範囲外
についてもエアーの対流により異物除去は可能である。Next, this turning method will be explained. In addition, the turning method is 4
Since all the parts are the same, only the turning part 12a will be explained. First, the air blown out from the nozzle at the turning center point 12a directly hits the assembly case 1 in the range indicated by the spot diameter 13, and the turning of the nozzle directly hits the assembly case 1 in the range between the maximum diameter 14a and the minimum diameter 15a. It becomes possible to blow. Further, even outside this range, foreign matter can be removed by air convection.
旋回中心点１２ａ部以外の旋回中心点１２ｂ１２ｃ、１
２ａ部についても同様であり、振動条件についても前述
の実施例の条件で半導体装置を振動してやれば良い。本
実施例のようにエアーブローノズルを旋回させることに
より、前述の実施例で示した方法で、エアーブローの死
角となる部分でも全でブローすることが可能となり、よ
り除去され易いという利点がある。また、組立ケースの
ある一部に限定してエアーブローする場合、このノズル
の旋回サイクルによって断続的にエアーブローされるこ
ととなり、連続してブローした場合に比べてより効果的
な異物除去性能が得られる。Turning center points 12b12c, 1 other than turning center point 12a
The same applies to the section 2a, and the semiconductor device may be vibrated under the conditions of the above-described embodiment. By rotating the air blow nozzle as in this embodiment, it is possible to blow all the areas that are blind spots of air using the method shown in the previous embodiment, which has the advantage of being easier to remove. . In addition, when air blowing is limited to a certain part of the assembled case, air is blown intermittently due to the rotation cycle of this nozzle, resulting in more effective foreign matter removal performance than when blowing continuously. can get.
以上説明したように本発明は、半導体装置のキャビティ
を下方に向けて振動を加えると同時に外周囲が包まれた
キャビティ部にエアーブローするノズルによりごみを舞
い上げ、舞い上げられたごみを吸引集塵することによっ
て、キャビティ内の異物を完全に除去出来る半導体装置
の異物除去方法が得られるという効果がある。As explained above, the present invention applies downward vibration to the cavity of a semiconductor device, and at the same time blows up dust using a nozzle that blows air into the cavity whose outer periphery is wrapped, and collects the thrown up dust by suction. By dusting, it is possible to obtain a method for removing foreign matter from a semiconductor device that can completely remove foreign matter within a cavity.
第１図は本発明の半導体装置の異物除去方法の一実施例
を説明するための半導体装置を含めた異物除去装置の断
面図、第２図は本発明の半導体装置の異物除去方法の他
の実施例を説明するための半導体装置の平面図、第３図
は従来の半導体装置の異物除去方法の一例を説明するた
めの半導体装置の断面図である。
１・・・組立ケース、２・・・チップ、３・・・ワイヤ
ー４・・・アウターリード、５・・・ハウジング、６・
・・エアーブローノズル、７・・・吸引ノズル、８・・
・加振ユニット、９・・・Ｏリング、１０・・・真空吸
引配管、１１・・・キャビティ、１２ａ、１２ｂ、１２
ｃ、１２ｄ・・・エアーブローノズル旋回中心点、１３
・・・エアーブロースポット径、１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ。
１４ ｄ−・・エアーブロー最大径、１５ａ、１５ｂ。
ｄ・・・エアーブロー最小径。FIG. 1 is a sectional view of a foreign matter removing apparatus including a semiconductor device for explaining one embodiment of the method for removing foreign matter from a semiconductor device according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of another method for removing foreign matter from a semiconductor device according to the present invention. FIG. 3 is a plan view of a semiconductor device for explaining an embodiment, and a cross-sectional view of the semiconductor device for explaining an example of a conventional method for removing foreign matter from a semiconductor device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Assembly case, 2... Chip, 3... Wire 4... Outer lead, 5... Housing, 6...
...Air blow nozzle, 7...Suction nozzle, 8...
- Vibration unit, 9... O ring, 10... Vacuum suction piping, 11... Cavity, 12a, 12b, 12
c, 12d... Air blow nozzle rotation center point, 13
...Air blow spot diameter, 14a, 14b, 14
c. 14 d--Air blow maximum diameter, 15a, 15b. d...Air blow minimum diameter.
Claims (1)
スの開口を塞ぎ、この開口にエアブローノズルで清浄な
ガスを吹き付けごみを舞い上らせ、この舞い上るごみを
吸い取りながら前記組立ケースの開口と反対側の面に振
動を与えることを特徴とする半導体装置の異物除去方法
。 ２、前記エアブローノズルを旋回することを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の異物除去方法。[Claims] 1. Closing the opening of the assembly case in which the semiconductor device is housed and mounted on the bottom of the assembly case, blowing clean gas into the opening with an air blow nozzle to blow up dust, and sucking up the dust that flies up. A method for removing foreign matter from a semiconductor device, comprising applying vibration to a surface of the assembly case opposite to the opening. 2. The method for removing foreign matter from a semiconductor device according to claim 1, wherein the air blow nozzle is rotated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2250575A JP2560904B2 (en) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | Foreign matter removal method for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2250575A JP2560904B2 (en) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | Foreign matter removal method for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129208A true JPH04129208A (en) | 1992-04-30 |
| JP2560904B2 JP2560904B2 (en) | 1996-12-04 |
Family
ID=17209932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2250575A Expired - Lifetime JP2560904B2 (en) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | Foreign matter removal method for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560904B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6669808B2 (en) * | 2001-03-22 | 2003-12-30 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2007227821A (en) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Denso Corp | Foreign matter removing apparatus and foreign matter removing method for semiconductor device |
| JP2010021343A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Canon Inc | Method for manufacturing solid-state imaging device and solid-state imaging device fabricated thereby |
| JP2014240046A (en) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 株式会社デンソー | Foreign object removal device |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2250575A patent/JP2560904B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6669808B2 (en) * | 2001-03-22 | 2003-12-30 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2007227821A (en) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Denso Corp | Foreign matter removing apparatus and foreign matter removing method for semiconductor device |
| DE102007008223B4 (en) * | 2006-02-27 | 2011-11-10 | Denso Corporation | System and method for removing foreign particles from a semiconductor device |
| US8141570B2 (en) | 2006-02-27 | 2012-03-27 | Denso Corporation | System and method for removing foreign particles from semiconductor device |
| JP2010021343A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Canon Inc | Method for manufacturing solid-state imaging device and solid-state imaging device fabricated thereby |
| JP2014240046A (en) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 株式会社デンソー | Foreign object removal device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560904B2 (en) | 1996-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5593926A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| US8141570B2 (en) | System and method for removing foreign particles from semiconductor device | |
| CN106340477B (en) | A kind of equally distributed ultrasonic wave of energy/mega sonic wave cleaning device | |
| US5263620A (en) | Wirebond removal apparatus using alternating fluid stream | |
| CN106328561B (en) | A damage-free cleaning device for patterned wafers that improves cleaning uniformity | |
| JPH04129208A (en) | Removal of contaminant in semiconductor device | |
| CN106269452A (en) | A kind of combination type multi-frequency ultrasound wave/mega sonic wave cleans device | |
| JPH0964000A (en) | Dry cleaning equipment | |
| JP3960516B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2002316110A (en) | Cleaning method for electronic component and cleaning device used for the method | |
| KR102752403B1 (en) | System and method for dry cleaning semiconductor wafer | |
| JPS59150584A (en) | Ultrasonic washing method and apparatus | |
| JPH01278310A (en) | Dicing of semiconductor wafer | |
| JP3003630B2 (en) | Collet device and chip handling method | |
| CN220480548U (en) | Trimming particle removing system and laser trimming machine | |
| JP2007050352A (en) | Imaging device foreign matter removal method and imaging device foreign matter removal device | |
| JPH01295448A (en) | Apparatus for cleaning cavity for semiconductor device | |
| JPH01313940A (en) | Drying process of semiconductor wafer and device thereof | |
| JPS61172337A (en) | Removing process of foreign matters | |
| JPH04286187A (en) | Removing method for flux of printed board unit | |
| JPS6364685A (en) | Method and device for cleaning magnetic disk | |
| JP2000123532A (en) | Cleaning method of liner for disk cartridge | |
| JP2676444B2 (en) | Bonding equipment | |
| JP2006140201A (en) | Substrate cleaning apparatus | |
| JPH04249347A (en) | Apparatus for eliminating foreign material from semiconductor device |