JPH04132693A - 中性子照射シリコン単結晶の熱処理方法 - Google Patents
中性子照射シリコン単結晶の熱処理方法Info
- Publication number
- JPH04132693A JPH04132693A JP25320790A JP25320790A JPH04132693A JP H04132693 A JPH04132693 A JP H04132693A JP 25320790 A JP25320790 A JP 25320790A JP 25320790 A JP25320790 A JP 25320790A JP H04132693 A JPH04132693 A JP H04132693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- neutron
- silicon single
- single crystal
- resistivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 53
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title description 56
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N Heavy water Chemical compound [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 32
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 102100031920 Dihydrolipoyllysine-residue succinyltransferase component of 2-oxoglutarate dehydrogenase complex, mitochondrial Human genes 0.000 description 7
- 101000992065 Homo sapiens Dihydrolipoyllysine-residue succinyltransferase component of 2-oxoglutarate dehydrogenase complex, mitochondrial Proteins 0.000 description 7
- 238000001773 deep-level transient spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、中性子照射ドープを行なったシリコン単結晶
に生起する結晶欠陥を除去し、抵抗率を修復するように
した中性子照射シリコン単結晶の熱処理方法に関する。
に生起する結晶欠陥を除去し、抵抗率を修復するように
した中性子照射シリコン単結晶の熱処理方法に関する。
中性子照射による不純物ドープは半導体シリコン単結晶
内に均一な不純物分布、即ち抵抗率分布を得るために利
用されている。しかし、同時にシリコン単結晶において
は中性子照射による結晶欠陥が発生しており中性子を照
射したままでは本来のシリコン単結晶の性質（電気的特
性その他の物理的特性）を示さない。特に軽水炉を用い
た場合には、高速中性子が多くなるためにシリコン単結
晶の結晶欠陥が増大するものである。
内に均一な不純物分布、即ち抵抗率分布を得るために利
用されている。しかし、同時にシリコン単結晶において
は中性子照射による結晶欠陥が発生しており中性子を照
射したままでは本来のシリコン単結晶の性質（電気的特
性その他の物理的特性）を示さない。特に軽水炉を用い
た場合には、高速中性子が多くなるためにシリコン単結
晶の結晶欠陥が増大するものである。
中性子照射ドープ後に熱処理を行なう技術は知られてい
る（特公昭５３−２８７４１号、特開昭５１１０５９６
５号、特公昭５Ｂ−／１８１２号等）が、効果的な熱処
理によってシリコン単結晶に生じた結晶欠陥を除去し、
抵抗率を回復する技術はいまだ知られていない。
る（特公昭５３−２８７４１号、特開昭５１１０５９６
５号、特公昭５Ｂ−／１８１２号等）が、効果的な熱処
理によってシリコン単結晶に生じた結晶欠陥を除去し、
抵抗率を回復する技術はいまだ知られていない。
本発明は上記した従来技術に鑑みて発明されたもので、
シリコン単結晶に発生した中性子照射による結晶欠陥を
除去し、抵抗率を回復するようにした方法を提供するこ
とを目的とする。
シリコン単結晶に発生した中性子照射による結晶欠陥を
除去し、抵抗率を回復するようにした方法を提供するこ
とを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の中性子照射シリコ
ン単結晶の熱処理方法においては、中性子照射ドープを
行なったシリコンリを結晶を、９５０〜Ｉ ２００ ’
Ｃの温度範囲で所定時間熱処理するようにしたものであ
る。
ン単結晶の熱処理方法においては、中性子照射ドープを
行なったシリコンリを結晶を、９５０〜Ｉ ２００ ’
Ｃの温度範囲で所定時間熱処理するようにしたものであ
る。
」二足の温度範囲であれば、所定時間の熱処理によって
結晶内部の結晶欠陥が除去され、抵抗率が回復するもの
であり、実際の操業に当たっては、熱処理温度に対応す
る処理時間（抵抗率が回復し結晶欠陥が修復するまでの
時間）を予め設定しておけばよい。
結晶内部の結晶欠陥が除去され、抵抗率が回復するもの
であり、実際の操業に当たっては、熱処理温度に対応す
る処理時間（抵抗率が回復し結晶欠陥が修復するまでの
時間）を予め設定しておけばよい。
処理温度が９５０℃未満では、結晶欠陥が除去できず抵
抗率の回復が不可能である。１２００℃を越えた熱処理
はシリコンウェーハに悪影ｇを及ぼすので好ましくない
。
抗率の回復が不可能である。１２００℃を越えた熱処理
はシリコンウェーハに悪影ｇを及ぼすので好ましくない
。
この所定時間を例示すれば、１２００ ’Ｃに対しては
２０分以上、１０００ ’Ｃに対しては１２０分以上、
９５０ ’Ｃに対しては３６０分以上である。
２０分以上、１０００ ’Ｃに対しては１２０分以上、
９５０ ’Ｃに対しては３６０分以上である。
以下に実施例を挙げて本発明を説明する。
中性子照射
次の条件でシリコン単結晶（２５０ｍｍ長のブロック）
に対して軽水炉及び重水炉において中性子照射を行なっ
た。
に対して軽水炉及び重水炉において中性子照射を行なっ
た。
使用した結晶
■成長方法：浮遊（ＩＦ融液法（ＦＺ法）■結晶直径：
６０ｍｍφ ■成長方位：＜Ｉｌｌ＞ ■導伝型：ｎ 照射条件（軽水炉） ■目標抵抗値：３０〜４０Ω・ｃｍ ■熱中性子束（平均値）： ２Ｘ１０”ｎ／ｃ＋ｆｌ／
ｓ■高速中性子束（平均値） ： ２ 、 ５ Ｘ ｌ Ｏ”ｎ ／ｃｔａ／ ｓ■照
射時間：２時間１５分 照射条件（重水炉） ■目標抵抗値：３０〜４０Ω・ｃｍ ■熱中性子束（平均値） ： ２ Ｘ １０ ”ｎ
／ｃｆ／ ｓ■高速中性子束（平均値） ：５Ｘ１０ 貫’ （１／ ｃｔＲ／ ｓ■照射時間
＝２時間１５分 熱処理実験１ 上記したごとく、重水炉及び軽水炉で中性子照射したシ
リコン単結晶ブロックからそれぞれウェーハを切出した
。軽水炉中性子照射シリコンウェーハ及び重水炉中性子
照射シリコンウェーハのそれぞれに対して熱処理実験を
行なった。これらのウェーハに対して処理温度を７５０
’Ｃ，１０００’Ｃ，１２００℃の３条件、各温度につ
いて処理時間を３０分、６０分、１２０分、２４０分、
３６０分の５条件として熱処理を行なった。この熱処理
を行なったシリコンウェーハの抵抗率を四探針法によっ
て測定し、その結果を第１図及び第２図に示した。
６０ｍｍφ ■成長方位：＜Ｉｌｌ＞ ■導伝型：ｎ 照射条件（軽水炉） ■目標抵抗値：３０〜４０Ω・ｃｍ ■熱中性子束（平均値）： ２Ｘ１０”ｎ／ｃ＋ｆｌ／
ｓ■高速中性子束（平均値） ： ２ 、 ５ Ｘ ｌ Ｏ”ｎ ／ｃｔａ／ ｓ■照
射時間：２時間１５分 照射条件（重水炉） ■目標抵抗値：３０〜４０Ω・ｃｍ ■熱中性子束（平均値） ： ２ Ｘ １０ ”ｎ
／ｃｆ／ ｓ■高速中性子束（平均値） ：５Ｘ１０ 貫’ （１／ ｃｔＲ／ ｓ■照射時間
＝２時間１５分 熱処理実験１ 上記したごとく、重水炉及び軽水炉で中性子照射したシ
リコン単結晶ブロックからそれぞれウェーハを切出した
。軽水炉中性子照射シリコンウェーハ及び重水炉中性子
照射シリコンウェーハのそれぞれに対して熱処理実験を
行なった。これらのウェーハに対して処理温度を７５０
’Ｃ，１０００’Ｃ，１２００℃の３条件、各温度につ
いて処理時間を３０分、６０分、１２０分、２４０分、
３６０分の５条件として熱処理を行なった。この熱処理
を行なったシリコンウェーハの抵抗率を四探針法によっ
て測定し、その結果を第１図及び第２図に示した。
熱処理実験２
熱処理実験Ｊの結果を確認するためさらに２段熱処理を
行なった。
行なった。
一段目熱処理は７５０℃及び１２００℃で所定時間行い
、二段目熱処理は１０００ ’Ｃで８分行なった。この
熱処理を行なったシリコンウェーハの抵抗率を四探針法
によって測定し、その結果を第３図及び第４図に示した
。また、軽水炉中性子照射シリコンウェーハ及び重水炉
中性子照射シリコンウェーハのそれぞれに対して中性子
照射によるダメージの度合及び種類をＤＬＴＳ （ＤＥ
ＥＰＬＥＶＥＬ ＴＲＡＮＳＩＥＮＴ ５ＰＥＣＴ
ＲＯ３ＣＯＰＹ）法によって調べ、その結果を第５図、
第６図及び第７図に示した。
、二段目熱処理は１０００ ’Ｃで８分行なった。この
熱処理を行なったシリコンウェーハの抵抗率を四探針法
によって測定し、その結果を第３図及び第４図に示した
。また、軽水炉中性子照射シリコンウェーハ及び重水炉
中性子照射シリコンウェーハのそれぞれに対して中性子
照射によるダメージの度合及び種類をＤＬＴＳ （ＤＥ
ＥＰＬＥＶＥＬ ＴＲＡＮＳＩＥＮＴ ５ＰＥＣＴ
ＲＯ３ＣＯＰＹ）法によって調べ、その結果を第５図、
第６図及び第７図に示した。
上記した実験１及び２の結果から次のことを確認した。
１）軽水炉中性子照射ウェーハの抵抗率は１２００℃の
熱処理温度では処理時間（３０〜３６０分）の変化に対
して一定であり、結晶欠陥が修復され安定な実用的抵抗
率が得られたと判断される（第１図）。第５図における
１００Ｋ付近のＤＬＴＳ波形ピークはシリコン単結晶固
有のもので、その高温側の隣接ピークは熱処理によって
消滅する中性子照射起因の結晶欠陥に対応するものとみ
ることができる。また、二段熱処理を行なった場合にも
、同様に抵抗率は安定しており、結晶欠陥は除去された
と判断される（第４図）。
熱処理温度では処理時間（３０〜３６０分）の変化に対
して一定であり、結晶欠陥が修復され安定な実用的抵抗
率が得られたと判断される（第１図）。第５図における
１００Ｋ付近のＤＬＴＳ波形ピークはシリコン単結晶固
有のもので、その高温側の隣接ピークは熱処理によって
消滅する中性子照射起因の結晶欠陥に対応するものとみ
ることができる。また、二段熱処理を行なった場合にも
、同様に抵抗率は安定しており、結晶欠陥は除去された
と判断される（第４図）。
１０００℃の場合には、１２０分未満の熱処理では抵抗
率は回復しζいないと判断される（第１図）。
率は回復しζいないと判断される（第１図）。
７５０℃の熱処理温度の場合にも、１２００℃の場合と
同様に、抵抗率は処理時間の変化に対してほぼ一定であ
り、結晶欠陥も回復しているように見える（第１図）が
、さらに１０００℃８分の２段目熱処理を行なうと、抵
抗率は大きく変動低下してしまい、結晶内部には欠陥が
残留していることが分かった（第３図）。
同様に、抵抗率は処理時間の変化に対してほぼ一定であ
り、結晶欠陥も回復しているように見える（第１図）が
、さらに１０００℃８分の２段目熱処理を行なうと、抵
抗率は大きく変動低下してしまい、結晶内部には欠陥が
残留していることが分かった（第３図）。
１０００℃８分の熱処理は半導体素子の製造工程の熱処
理を模擬したものである。
理を模擬したものである。
２）二段熱処理における軽水炉中性子照射ウェーハの挙
動をさらに正確に知るために行なったＤＬＴＳ法による
測定結果は第５図に示されている。
動をさらに正確に知るために行なったＤＬＴＳ法による
測定結果は第５図に示されている。
第４図に示した抵抗率の変化と同様に、１段目に１２０
０℃の熱処理のみを行なった場合及びさらに２段目に１
０００℃の熱処理を行なった場合のいずれの場合にもＤ
Ｌ ＴＳの信号波形は安定しており、結晶欠陥は除去
されていると考えられる。
０℃の熱処理のみを行なった場合及びさらに２段目に１
０００℃の熱処理を行なった場合のいずれの場合にもＤ
Ｌ ＴＳの信号波形は安定しており、結晶欠陥は除去
されていると考えられる。
また、一方１段目に７５０℃の熱処理のみを行なった場
合及びさらに２段目に１０００℃の熱処理を行なった場
合のいずれの場合にもＤ Ｌ Ｔ Ｓの信号波形には異
常ピークが見られ、結晶内部には欠陥が在留しているこ
とが窺える。
合及びさらに２段目に１０００℃の熱処理を行なった場
合のいずれの場合にもＤ Ｌ Ｔ Ｓの信号波形には異
常ピークが見られ、結晶内部には欠陥が在留しているこ
とが窺える。
３）重水炉中性子照射ウェーハの熱処理はいずれの熱処
理温度（７５０°ｃ、１ｏｏｏ℃，１２００”Ｃ）であ
っても処理時間（３０〜３６０分）の変化に対して一定
であり、−見すると全ての熱処理の場合に結晶欠陥が除
去されているように見える（第２図）。更に、二段熱処
理を行なったものでも、すべて抵抗率は安定しており、
結晶欠陥は回復しているように見える（第３図及び第４
図）。
理温度（７５０°ｃ、１ｏｏｏ℃，１２００”Ｃ）であ
っても処理時間（３０〜３６０分）の変化に対して一定
であり、−見すると全ての熱処理の場合に結晶欠陥が除
去されているように見える（第２図）。更に、二段熱処
理を行なったものでも、すべて抵抗率は安定しており、
結晶欠陥は回復しているように見える（第３図及び第４
図）。
４）二段熱処理における重水炉中性子照射ウェーへの結
晶欠陥の挙動をさらに正確に知るために行なったＤＬＴ
Ｓ法による測定結果は第６図に示されている。
晶欠陥の挙動をさらに正確に知るために行なったＤＬＴ
Ｓ法による測定結果は第６図に示されている。
第４図に示した抵抗率の変化と同様に、１段目に１２０
０℃の熱処理のみを行なった場合及びさらに２段目に１
０００℃の熱処理を行なった場合のいずれの場合にもＩ
） Ｌ Ｔ Ｓのスペクトルは安定しており、結晶の欠
陥は除去されていると考えられる。
０℃の熱処理のみを行なった場合及びさらに２段目に１
０００℃の熱処理を行なった場合のいずれの場合にもＩ
） Ｌ Ｔ Ｓのスペクトルは安定しており、結晶の欠
陥は除去されていると考えられる。
また、１段目に７５０ ’Ｃの熱処理のみを行なった場
合及びさらに２段目に１０００℃の熱処理を行なった場
合のいずれの場合にもＤＬＴＳの信号波形には異常ピー
クが存在し、結晶内部には欠陥が残留していることが窺
える。
合及びさらに２段目に１０００℃の熱処理を行なった場
合のいずれの場合にもＤＬＴＳの信号波形には異常ピー
クが存在し、結晶内部には欠陥が残留していることが窺
える。
５）軽水炉中性子照射ウェーハ及び重水炉中性子照射ウ
ェーハに対する１０００℃８分の熱処理条件におけるＤ
Ｌ Ｔ’ Ｓ信号波形を第７図に示した。
ェーハに対する１０００℃８分の熱処理条件におけるＤ
Ｌ Ｔ’ Ｓ信号波形を第７図に示した。
軽水炉中性子照射ウェーハにおいて１００〜１５０にの
間に異常ピークが存在し、結晶内部に欠陥が残留してい
ることが窺える。また、重水炉中性子照射ウェーハの＃
２において、１００〜１５０にの間に小さな異常ピーク
が観測されている。これは軽水炉中性子照射ウェーハに
おいて観測された異常ピークと同等なものと考えられる
。従って、重水炉中性子照射ウェーハの１０００ ’Ｃ
８分の熱処理品においても結晶内部に欠陥が残留してい
ることが窺える。
間に異常ピークが存在し、結晶内部に欠陥が残留してい
ることが窺える。また、重水炉中性子照射ウェーハの＃
２において、１００〜１５０にの間に小さな異常ピーク
が観測されている。これは軽水炉中性子照射ウェーハに
おいて観測された異常ピークと同等なものと考えられる
。従って、重水炉中性子照射ウェーハの１０００ ’Ｃ
８分の熱処理品においても結晶内部に欠陥が残留してい
ることが窺える。
上記した実験の結果を総合すれば以下の結論が得られる
。
。
重水炉中性子照射ウェーハ及び軽水炉中性子照射ウェー
ハのいずれに対しても、結晶内部の欠陥を除去し、安定
な実用的抵抗率を回復するための熱処理条件としては、
９５０〜１２００℃の温度範囲で所定時間熱処理を行な
うことが必要である。
ハのいずれに対しても、結晶内部の欠陥を除去し、安定
な実用的抵抗率を回復するための熱処理条件としては、
９５０〜１２００℃の温度範囲で所定時間熱処理を行な
うことが必要である。
ここでいう所定時間とは１２００℃に対しては２０分以
上、１０００℃では１２０分以上、９５０℃では３６０
分以上となるものである。いずれにし°ζも、上記の温
度範囲であれば、所定時間の熱処理によって結晶内部の
欠陥が除去されるものであり、実際の操業に当たっては
、熱処理温度に対応する処理時間（抵抗率が回復し結晶
欠陥が修復するまでの時間）を予め設定しておけばよい
ものである。
上、１０００℃では１２０分以上、９５０℃では３６０
分以上となるものである。いずれにし°ζも、上記の温
度範囲であれば、所定時間の熱処理によって結晶内部の
欠陥が除去されるものであり、実際の操業に当たっては
、熱処理温度に対応する処理時間（抵抗率が回復し結晶
欠陥が修復するまでの時間）を予め設定しておけばよい
ものである。
以上述べたごとく、本発明によれば、所定条件の熱処理
を行なうことによって、シリコン単結晶に発生した中性
子照射による結晶欠陥を除去し、安定な実用的抵抗率を
回復することができるという大きな効果を奏する。
を行なうことによって、シリコン単結晶に発生した中性
子照射による結晶欠陥を除去し、安定な実用的抵抗率を
回復することができるという大きな効果を奏する。
第１図は軽水炉中性子照射ウェーハに対する各種熱処理
条件にお４Ｊる抵抗率の変化を示すグラフ、第２図は重
水炉中性子照射ウェーハに対する各種熱処理条件におけ
る抵抗率の変化を示すグラフ、第３図は軽水炉中性子照
射ウェーハに対する二段熱処理条件にお＆Ｊる抵抗率の
変化を示すグラフ、第４図は重水炉中性子照射ウェーハ
に対する一段熱処理条件におりる抵抗率の変化を示すグ
ラフ、第５図は軽水炉中性子照射ウェーハに対する各種
熱処理条件におけるＤＬＴＳ信号波形を示すグラフ、第
６図は重水炉中性子照射ウェーハに対する各種熱処理条
件におけるＤＬＴＳ信号波形を示すグラフ及び第７図は
軽水炉中性子照射ウェーハ及び重水炉中性子照射ウェー
ハに対する１０００’Ｃ８分の熱処理条件におけるＤ
Ｌ ”「Ｓ信号波形を示すグラフである。
条件にお４Ｊる抵抗率の変化を示すグラフ、第２図は重
水炉中性子照射ウェーハに対する各種熱処理条件におけ
る抵抗率の変化を示すグラフ、第３図は軽水炉中性子照
射ウェーハに対する二段熱処理条件にお＆Ｊる抵抗率の
変化を示すグラフ、第４図は重水炉中性子照射ウェーハ
に対する一段熱処理条件におりる抵抗率の変化を示すグ
ラフ、第５図は軽水炉中性子照射ウェーハに対する各種
熱処理条件におけるＤＬＴＳ信号波形を示すグラフ、第
６図は重水炉中性子照射ウェーハに対する各種熱処理条
件におけるＤＬＴＳ信号波形を示すグラフ及び第７図は
軽水炉中性子照射ウェーハ及び重水炉中性子照射ウェー
ハに対する１０００’Ｃ８分の熱処理条件におけるＤ
Ｌ ”「Ｓ信号波形を示すグラフである。
Claims (1)
- （１）中性子照射ドープを行なったシリコン単結晶を、
９５０〜１２００℃の温度範囲で所定時間熱処理するこ
とによって中性子照射シリコン単結晶の抵抗率の回復及
び結晶欠陥の修復を行なうようにしたことを特徴とする
中性子照射シリコン単結晶の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25320790A JPH04132693A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 中性子照射シリコン単結晶の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25320790A JPH04132693A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 中性子照射シリコン単結晶の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132693A true JPH04132693A (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=17248047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25320790A Pending JPH04132693A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 中性子照射シリコン単結晶の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04132693A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5633768A (en) * | 1993-10-27 | 1997-05-27 | Teac Corporation | Sheet metal frame construction for a disk apparatus |
| KR20010070619A (ko) * | 2001-05-28 | 2001-07-27 | 류근걸 | 중성자 변환 도핑을 위한 저항 안정화 열처리 기술 |
| JP2007535800A (ja) * | 2003-10-16 | 2007-12-06 | クリー インコーポレイテッド | ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス |
| CN102080265B (zh) | 2009-11-26 | 2012-11-28 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种改进的中子掺杂硅晶体热处理工艺方法 |
| JP2015037194A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | 半導体ディスクの後ドーピング方法 |
| US9154894B2 (en) | 2012-12-26 | 2015-10-06 | Onkyo Corporation | Frequency characteristics determination device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5357968A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-25 | Siemens Ag | Method of recovering defects of silicon crystal irradiated by neutron |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP25320790A patent/JPH04132693A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5357968A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-25 | Siemens Ag | Method of recovering defects of silicon crystal irradiated by neutron |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5633768A (en) * | 1993-10-27 | 1997-05-27 | Teac Corporation | Sheet metal frame construction for a disk apparatus |
| KR20010070619A (ko) * | 2001-05-28 | 2001-07-27 | 류근걸 | 중성자 변환 도핑을 위한 저항 안정화 열처리 기술 |
| JP2007535800A (ja) * | 2003-10-16 | 2007-12-06 | クリー インコーポレイテッド | ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス |
| CN102080265B (zh) | 2009-11-26 | 2012-11-28 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种改进的中子掺杂硅晶体热处理工艺方法 |
| US9154894B2 (en) | 2012-12-26 | 2015-10-06 | Onkyo Corporation | Frequency characteristics determination device |
| JP2015037194A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | 半導体ディスクの後ドーピング方法 |
| US9245811B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-01-26 | Infineon Technologies Ag | Method for postdoping a semiconductor wafer |
| US9559020B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-01-31 | Infineon Technologies Ag | Method for postdoping a semiconductor wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4231809A (en) | Method of removing impurity metals from semiconductor devices | |
| JPS583375B2 (ja) | シリコン単結晶ウエハ−の製造方法 | |
| JP2652110B2 (ja) | 中性子照射ｆｚシリコン単結晶の照射欠陥除去方法 | |
| JPS583374B2 (ja) | シリコン単結晶の処理方法 | |
| EP0506020B1 (en) | Process for producing a neutron transmutation doped Czochralski-grown silicon single crystal | |
| JP2582491B2 (ja) | 半導体結晶の熱処理方法 | |
| JPH0523494B2 (ja) | ||
| JPH04298042A (ja) | 半導体の熱処理方法 | |
| JP3066968B2 (ja) | 半導体ウエハのゲッタリング方法 | |
| JPH039078B2 (ja) | ||
| JPS61160939A (ja) | ドライエツチング後Ｓｉ表面損傷の乾式による除去方法 | |
| US4401505A (en) | Method of increasing minority carrier lifetime in silicon web or the like | |
| Barnes | Absorption measurements in neutron irradiated silicon | |
| JPH0637350B2 (ja) | 単分域タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JP2601208B2 (ja) | 半導体基体の処理方法 | |
| JPS6116760B2 (ja) | ||
| JPH0318330B2 (ja) | ||
| JPS62257723A (ja) | シリコンウエ−ハの製造方法 | |
| JPH02164040A (ja) | シリコン半導体基板の処理方法 | |
| KR100500712B1 (ko) | 실리콘웨이퍼의 금속 불순물 농도 측정 방법 | |
| JPS60233824A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JPH07201872A (ja) | 半導体ウェーハのゲッタリング方法 | |
| CN1327047C (zh) | 熔体法生长的碲镉汞材料n型热处理方法 | |
| CN120776456A (zh) | 单晶硅材料的退火方法 | |
| JPS63108728A (ja) | 半導体基板の裏面歪付け方法 |