JPH04134395A - マトリクスｅｌパネルの駆動方法 - Google Patents
マトリクスｅｌパネルの駆動方法Info
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- JPH04134395A JPH04134395A JP25784190A JP25784190A JPH04134395A JP H04134395 A JPH04134395 A JP H04134395A JP 25784190 A JP25784190 A JP 25784190A JP 25784190 A JP25784190 A JP 25784190A JP H04134395 A JPH04134395 A JP H04134395A
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
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- Control Of El Displays (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はマ） ＩＪクスＥＬパネルの駆動方法、特にマ
トリクス駆動における消費電力の低減を可能にすること
を特徴としたマトリクスＥＬの駆動方法に関する。
トリクス駆動における消費電力の低減を可能にすること
を特徴としたマトリクスＥＬの駆動方法に関する。
［従来の技術］
多数のスキャン電極とデータ電極とを行列状に配列し、
各交差点に表示セルを配置して成るマトリクスＥＬパネ
ルの駆動方式として、例えば、スキャン電極の上部から
下部へ時分割によって書き込み電圧を順次印加し、デー
タ電極からはＥＬナセル発光、非発光に応じて変調電圧
を供給する線順次駆動が一般的である。その中でもＥＬ
パネルの駆動による表示品位の低下を抑えるため特開昭
８３−２３５９９１で提案されているように、書き込み
電圧の極性を１フイールド毎に変えて駆動するフィール
ド反転駆動がある。このフィールド反転駆動について第
５図、第６図を参照して説明する。
各交差点に表示セルを配置して成るマトリクスＥＬパネ
ルの駆動方式として、例えば、スキャン電極の上部から
下部へ時分割によって書き込み電圧を順次印加し、デー
タ電極からはＥＬナセル発光、非発光に応じて変調電圧
を供給する線順次駆動が一般的である。その中でもＥＬ
パネルの駆動による表示品位の低下を抑えるため特開昭
８３−２３５９９１で提案されているように、書き込み
電圧の極性を１フイールド毎に変えて駆動するフィール
ド反転駆動がある。このフィールド反転駆動について第
５図、第６図を参照して説明する。
第５図はスキャン電極（８１，８２，Ｓ３． ・・ｒ
Ｓｎ ）とデータ電極（ＤＩ 、 Ｄ２ 、 Ｄ３
、 ＊ ＊。
Ｓｎ ）とデータ電極（ＤＩ 、 Ｄ２ 、 Ｄ３
、 ＊ ＊。
Ｄｍ）とが行列上に配列されたマトリクスＥＬパネル（
１０）を表し、このスキャン電極とデータ電極の交差点
にＥＬナセルＰ）がある。
１０）を表し、このスキャン電極とデータ電極の交差点
にＥＬナセルＰ）がある。
このマトリクスＥＬパネルにおいて、第６図に示すタイ
ミングチャートに示すように、第１フイールドで第１番
目のスキャン電極（Ｓｌ）に正極性書き込み電圧（Ｖｗ
＋Ｖｍ ） 、第２番目のスキャン電極（Ｓ２）に負極
性書き込み電圧（−ＶＷ＞。
ミングチャートに示すように、第１フイールドで第１番
目のスキャン電極（Ｓｌ）に正極性書き込み電圧（Ｖｗ
＋Ｖｍ ） 、第２番目のスキャン電極（Ｓ２）に負極
性書き込み電圧（−ＶＷ＞。
第３番目のスキャン電極（Ｓ３）に正極性書き込み電圧
（Ｖｗ＋Ｖｍ ）といった要領で奇数番目のスキャン電
極（８１、Ｓ３ 、 ＠ ＊、 ５ｎ−１）に正極性
書き込み電圧（Ｖｗ＋Ｖｍ ） 、偶数番目のスキャン
電極（８２，Ｓ４． ・・、Ｓｎ）に負極性書き込み
電圧（−Ｖｗ）を印加し、これらの書き込み電圧のタイ
ミングに合わせてデータ電極をＯｖ或いは変調電圧（Ｖ
ｍ ）にして選択スキャン電極に接続されたＥＬナセル
発光、非発光を選択する。
（Ｖｗ＋Ｖｍ ）といった要領で奇数番目のスキャン電
極（８１、Ｓ３ 、 ＠ ＊、 ５ｎ−１）に正極性
書き込み電圧（Ｖｗ＋Ｖｍ ） 、偶数番目のスキャン
電極（８２，Ｓ４． ・・、Ｓｎ）に負極性書き込み
電圧（−Ｖｗ）を印加し、これらの書き込み電圧のタイ
ミングに合わせてデータ電極をＯｖ或いは変調電圧（Ｖ
ｍ ）にして選択スキャン電極に接続されたＥＬナセル
発光、非発光を選択する。
そして次の第２フイールドでは、第１フイールドとは逆
に奇数番目のスキャン電極（Ｓｌ、Ｓ３゜・・、 ５
ｎ−１）に負極性書き込み電圧（−Ｖｗ）。
に奇数番目のスキャン電極（Ｓｌ、Ｓ３゜・・、 ５
ｎ−１）に負極性書き込み電圧（−Ｖｗ）。
偶数番目のスキャン電極（Ｓ２，８４． ・・、Ｓｎ
）に正極性書き込み電圧（Ｖｗ＋Ｖｍ ）を印加し、こ
れらの書き込み電圧のタイミングに合わせてデータ電極
をＯｖ或いは変調電圧（Ｖｍ ）にして選択スキャン電
極に接続されたＥＬナセル発光、非発光を選択する。
）に正極性書き込み電圧（Ｖｗ＋Ｖｍ ）を印加し、こ
れらの書き込み電圧のタイミングに合わせてデータ電極
をＯｖ或いは変調電圧（Ｖｍ ）にして選択スキャン電
極に接続されたＥＬナセル発光、非発光を選択する。
以上のように、フィールド反転駆動では各ＥＬナセル正
極性書き込み電圧と負極性書き込み電圧とを１フイール
ド毎に交互に印加し、２フイールドで駆動の１周期が終
了するように駆動し、これらを繰り返すことによって所
定の表示をおこなう。
極性書き込み電圧と負極性書き込み電圧とを１フイール
ド毎に交互に印加し、２フイールドで駆動の１周期が終
了するように駆動し、これらを繰り返すことによって所
定の表示をおこなう。
また、フィールド反転方式以外では、負極性の書き込み
電圧をＥＬパネルの上から下へ順次印加していき、次の
フィールドの書き込み駆動がおこなわれる前に、正極性
のリフレッシュ電圧を全ＥＬセルに一括で印加するフィ
ールド・リフレッシュ方式がある。しかし、前述したい
ずれの方式においても書き込み駆動、及び変調駆動で充
電されたＥＬナセル電荷をスキャンドライバ、及びデー
タドライバで放電させているという点は同じである。
電圧をＥＬパネルの上から下へ順次印加していき、次の
フィールドの書き込み駆動がおこなわれる前に、正極性
のリフレッシュ電圧を全ＥＬセルに一括で印加するフィ
ールド・リフレッシュ方式がある。しかし、前述したい
ずれの方式においても書き込み駆動、及び変調駆動で充
電されたＥＬナセル電荷をスキャンドライバ、及びデー
タドライバで放電させているという点は同じである。
［発明が解決しようとする課題］
前述のように書き込み駆動、変調駆動において、ＥＬナ
セル充電した後、この充電電荷をスキャンドライバ、デ
ータドライバで放電させるような駆動方法では、充電電
荷が発光とは関係なく全て消費されることになり消費電
力が大きくなるという欠点があった。中でも、全体の消
費電力に対する変調駆動での消費電力の割合は、例えば
、８４０（データ電極） Ｘ ４００ （スキャン電極
）のマトリクスＥＬパネルでは８０％以上にもなるため
、変調駆動での消費電力の増大は、そのままマトリクス
ＥＬパネル全体の消費電力の増大になり、この比はマト
リクスＥＬパネルのスキャン電極、及びデータ電極が多
くなるにしたがって大きくなる傾向がある。
セル充電した後、この充電電荷をスキャンドライバ、デ
ータドライバで放電させるような駆動方法では、充電電
荷が発光とは関係なく全て消費されることになり消費電
力が大きくなるという欠点があった。中でも、全体の消
費電力に対する変調駆動での消費電力の割合は、例えば
、８４０（データ電極） Ｘ ４００ （スキャン電極
）のマトリクスＥＬパネルでは８０％以上にもなるため
、変調駆動での消費電力の増大は、そのままマトリクス
ＥＬパネル全体の消費電力の増大になり、この比はマト
リクスＥＬパネルのスキャン電極、及びデータ電極が多
くなるにしたがって大きくなる傾向がある。
これは、言い換えればＥＬナセル発光で消費される電力
に比べて、ＥＬナセル静電容量成分に充放電する電力の
方が、はるかに大きいためである。
に比べて、ＥＬナセル静電容量成分に充放電する電力の
方が、はるかに大きいためである。
［課題を解決するための手段］
マトリクスＥＬパネルの駆動において、書き込み駆動を
おこなうスキャンドライバに書き込み電圧を供給する書
き込み電圧発生回路と、変調駆動をおこなうデータドラ
イバに変調電圧を供給する変調駆動発生回路とを、それ
ぞれコンデンサ、スイッチ、ダイオード、チョークコイ
ルで構成し、前記コンデンサと前記チョークコイルとを
直列に接続し、前記書き込み電圧を前記チョークコイル
を通してスキャンドライバへ供給し、前記変調電圧を少
なくとも２段階で前記チョークコイルを通してデータド
ライバへ供給し、前記変調駆動、及び書き込み駆動でＥ
Ｌセルに充電された電荷を前記チョークコイルを通して
放電させ、放電電荷を前記コンデンサへ一部回収する。
おこなうスキャンドライバに書き込み電圧を供給する書
き込み電圧発生回路と、変調駆動をおこなうデータドラ
イバに変調電圧を供給する変調駆動発生回路とを、それ
ぞれコンデンサ、スイッチ、ダイオード、チョークコイ
ルで構成し、前記コンデンサと前記チョークコイルとを
直列に接続し、前記書き込み電圧を前記チョークコイル
を通してスキャンドライバへ供給し、前記変調電圧を少
なくとも２段階で前記チョークコイルを通してデータド
ライバへ供給し、前記変調駆動、及び書き込み駆動でＥ
Ｌセルに充電された電荷を前記チョークコイルを通して
放電させ、放電電荷を前記コンデンサへ一部回収する。
［作用コ
前述ように書き込み駆動をおこなうスキャンドライバに
書き込み電圧を供給する書き込み電圧発生回路と、変調
駆動をおこなうデータドライバに変調電圧を供給する変
調駆動発生回路とを、それぞれコンデンサ、スイッチ、
ダイオード、チョークコイルで構成し、前記書き込み電
圧を前記チョークコイルを通してスキャンドライバへ供
給し、前記変調電圧を少なくとも２段階で前記チョーク
コイルを通してデータドライバへ供給し、前記変調駆動
、及び書き込み駆動でＥＬセルに充電された電荷を前記
チョークコイルを通して放電させ、放電電荷を前記コン
デンサへ一部回収する方法によって、消費電力、特に変
調駆動における消費電力が大幅に低減される。
書き込み電圧を供給する書き込み電圧発生回路と、変調
駆動をおこなうデータドライバに変調電圧を供給する変
調駆動発生回路とを、それぞれコンデンサ、スイッチ、
ダイオード、チョークコイルで構成し、前記書き込み電
圧を前記チョークコイルを通してスキャンドライバへ供
給し、前記変調電圧を少なくとも２段階で前記チョーク
コイルを通してデータドライバへ供給し、前記変調駆動
、及び書き込み駆動でＥＬセルに充電された電荷を前記
チョークコイルを通して放電させ、放電電荷を前記コン
デンサへ一部回収する方法によって、消費電力、特に変
調駆動における消費電力が大幅に低減される。
［実施例コ
第１図に本発明によるマトリクスＥＬの駆動方法の一実
施例、第２図に同駆動方法のタイミングチャートを示す
。
施例、第２図に同駆動方法のタイミングチャートを示す
。
第１図はスキャン電極（Ｓｌ、Ｓ２．Ｓ３． ・・、
Ｓｎ）とデータ電極（ＤＩ、Ｄ２．Ｄ３．、、。
Ｓｎ）とデータ電極（ＤＩ、Ｄ２．Ｄ３．、、。
Ｄｍ）とが行列上に配列されたマトリクスＥＬパネル（
１０）と、データ電極を駆動するデータドライバ（ｌｌ
）と、スキャン電極を駆動するスキャンドライバ（１２
）と、スキャンドライバ（１２）のＳＶ端子に正極性書
き込み電圧を供給する正極性書き込み電圧発生回路（１
３）と、スキャンドライバ（１２）のＳＳ端子に負極性
書き込み電圧を供給する負極性書き込み電圧発生回路（
１４）と、データドライバ（１１） 、及び正極性書き
込み電圧回路（１３）に変調電圧を供給する変調電圧発
生回路（１５）とから構成されている。
１０）と、データ電極を駆動するデータドライバ（ｌｌ
）と、スキャン電極を駆動するスキャンドライバ（１２
）と、スキャンドライバ（１２）のＳＶ端子に正極性書
き込み電圧を供給する正極性書き込み電圧発生回路（１
３）と、スキャンドライバ（１２）のＳＳ端子に負極性
書き込み電圧を供給する負極性書き込み電圧発生回路（
１４）と、データドライバ（１１） 、及び正極性書き
込み電圧回路（１３）に変調電圧を供給する変調電圧発
生回路（１５）とから構成されている。
このうち、スキャンドライバ（１２）は、スキャン電極
をＳＶ端子電圧、Ｓｓ端子電圧、及びハイインピーダン
スの３つの状態に切り換えることができ、スキャンドラ
イバのＳＳ端子から各スキャン電極側、及び各スキャン
電極側からスキャンドライバ（Ｉ２）のＳｖ端子にそれ
ぞれダイオードが内蔵されている。また、データドライ
バ（１１）はデータ電極をＤＶ端子電圧とＧＮＤ（ＯＶ
）の２つの状態に切り換えることが可能なドライバで、
同様にダイオードが内蔵されている。
をＳＶ端子電圧、Ｓｓ端子電圧、及びハイインピーダン
スの３つの状態に切り換えることができ、スキャンドラ
イバのＳＳ端子から各スキャン電極側、及び各スキャン
電極側からスキャンドライバ（Ｉ２）のＳｖ端子にそれ
ぞれダイオードが内蔵されている。また、データドライ
バ（１１）はデータ電極をＤＶ端子電圧とＧＮＤ（ＯＶ
）の２つの状態に切り換えることが可能なドライバで、
同様にダイオードが内蔵されている。
また、正極性書き込み電圧発生回路（１３）はコンデン
サ（ＣＩ ）とＦＥＴ （Ｑｌ ）とＦＥＴ（Ｃ２）と
ダイオード（ｄｄｌ ）とチョークコイル（Ｌｌ）とか
ら構成され、ＦＥＴ （Ｑｌ ）とＦＥＴ（Ｃ２）とは
どちらか一方だけがＯＮする回路であり、ａ端子がＨレ
ベルの時ＦＥＴ （Ｑｌ ）がＯＦＦでＦＥＴ （Ｃ２
）がＯＮｚ ａ端子がＬレベルの時ＦＥＴ （Ｑｌ）が
ＯＮでＦＥＴ （Ｃ２）がＯＦＦになる。一方、負極性
書き込み電圧発生回路（１４）はコンデンサ（Ｃ２）と
ＦＥＴ （Ｃ３）とＦＥＴ （Ｃ４）とダイオード（ｄ
ｄ２）とチョークコイル（Ｌ２）とから構成され、ＦＥ
Ｔ （Ｃ３）とＦＥＴ （Ｃ４）とはどちらか一方だけ
がＯＮする回路であり、ｂ端子がＨレベルの時ＦＥＴ（
Ｃ３）がＯＦＦでＦＥＴ （Ｃ４）が０Ｎ１ｂ端子がＬ
レベルの時ＦＥＴ （Ｃ３）がＯＮでＦＥＴ（Ｃ４）が
ＯＦＦになる。
サ（ＣＩ ）とＦＥＴ （Ｑｌ ）とＦＥＴ（Ｃ２）と
ダイオード（ｄｄｌ ）とチョークコイル（Ｌｌ）とか
ら構成され、ＦＥＴ （Ｑｌ ）とＦＥＴ（Ｃ２）とは
どちらか一方だけがＯＮする回路であり、ａ端子がＨレ
ベルの時ＦＥＴ （Ｑｌ ）がＯＦＦでＦＥＴ （Ｃ２
）がＯＮｚ ａ端子がＬレベルの時ＦＥＴ （Ｑｌ）が
ＯＮでＦＥＴ （Ｃ２）がＯＦＦになる。一方、負極性
書き込み電圧発生回路（１４）はコンデンサ（Ｃ２）と
ＦＥＴ （Ｃ３）とＦＥＴ （Ｃ４）とダイオード（ｄ
ｄ２）とチョークコイル（Ｌ２）とから構成され、ＦＥ
Ｔ （Ｃ３）とＦＥＴ （Ｃ４）とはどちらか一方だけ
がＯＮする回路であり、ｂ端子がＨレベルの時ＦＥＴ（
Ｃ３）がＯＦＦでＦＥＴ （Ｃ４）が０Ｎ１ｂ端子がＬ
レベルの時ＦＥＴ （Ｃ３）がＯＮでＦＥＴ（Ｃ４）が
ＯＦＦになる。
また、本発明で最も重要な部分である変調電圧発生回路
（１５）はＶ ｍ／４を入力電圧としてＦＥＴ（Ｃ５〜
Ｃ８）、コンデンサ（Ｃ３〜Ｃ５）、ダイオード（ｄｄ
３〜ｄｄｅ）とチョークコイル（Ｌ３）とで構成される
回路から変調電圧を発生させる。この中でＦＥＴ （Ｃ
５）とＦＥＴ （Ｃ６）。
（１５）はＶ ｍ／４を入力電圧としてＦＥＴ（Ｃ５〜
Ｃ８）、コンデンサ（Ｃ３〜Ｃ５）、ダイオード（ｄｄ
３〜ｄｄｅ）とチョークコイル（Ｌ３）とで構成される
回路から変調電圧を発生させる。この中でＦＥＴ （Ｃ
５）とＦＥＴ （Ｃ６）。
ＦＥＴ （Ｃ７）とＦＥＴ （Ｃ８）とは前述と同様、
どちらか一方だけがＯＮする回路であり、ｄ端子がＨレ
ベルの時ＦＥＴ （Ｃ５）がＯＦＦでＦＥＴ（ＱＢ）が
０Ｎ１ｄ端子がＬレベルの時ＦＥＴ （Ｃ５）がＯＮで
ＦＥＴ （ＱＧ ）がＯＦＦになり、ｅ端子がＨＬ／ベ
ルの時ＦＥＴ （Ｃ７）がＯＦＦでＦＥＴ （Ｃ８）が
０Ｎ１ｅ端子がＬレベルの時ＦＥＴ （Ｃ７）がＯＮで
ＦＥＴ （Ｃ８）がＯＦＦになる。
どちらか一方だけがＯＮする回路であり、ｄ端子がＨレ
ベルの時ＦＥＴ （Ｃ５）がＯＦＦでＦＥＴ（ＱＢ）が
０Ｎ１ｄ端子がＬレベルの時ＦＥＴ （Ｃ５）がＯＮで
ＦＥＴ （ＱＧ ）がＯＦＦになり、ｅ端子がＨＬ／ベ
ルの時ＦＥＴ （Ｃ７）がＯＦＦでＦＥＴ （Ｃ８）が
０Ｎ１ｅ端子がＬレベルの時ＦＥＴ （Ｃ７）がＯＮで
ＦＥＴ （Ｃ８）がＯＦＦになる。
このような回路構成によって、１フィールド毎に正極性
の書き込み電圧と負極性の書き込み電圧とを交互に印加
して、マトリクスＥＬパネルを駆動する。
の書き込み電圧と負極性の書き込み電圧とを交互に印加
して、マトリクスＥＬパネルを駆動する。
以下に、正極性書き込み駆動と負極性書き込み駆動の方
法について詳述する。
法について詳述する。
（正極性書き込み駆動）
まず、始めに第１番目のスキャン電極（８１）に接続さ
れたＥＬナセル発光、非発光に応じてデータ電極（ＤＩ
−Ｄｍ）をＧＮＤ（Ｏｖ）或いは変調電圧（Ｖｍ ）レ
ベルに選択する変調駆動をおこなうが、これは変調電圧
発生回路（１５）によって次の■〜■の順序でおこなう
。
れたＥＬナセル発光、非発光に応じてデータ電極（ＤＩ
−Ｄｍ）をＧＮＤ（Ｏｖ）或いは変調電圧（Ｖｍ ）レ
ベルに選択する変調駆動をおこなうが、これは変調電圧
発生回路（１５）によって次の■〜■の順序でおこなう
。
■ ＦＥＴ （Ｑｅ ’）をＯＮにしてＶｍ／４−＊
ｄ ｄ ３→Ｃ３→Ｑ６の経路によりコンデンサ（Ｃ３
）をＶ ｍ／４の電圧で充電すると共に、Ｖｍ／４−＋
ｄ ｄ３→ｄｄ５→Ｌ３→ＤＶ→データドライバの経路
により、データドライバがＤＶ端子電圧に選択されてい
るデータ電極をＶｍ／４にする。
ｄ ｄ ３→Ｃ３→Ｑ６の経路によりコンデンサ（Ｃ３
）をＶ ｍ／４の電圧で充電すると共に、Ｖｍ／４−＋
ｄ ｄ３→ｄｄ５→Ｌ３→ＤＶ→データドライバの経路
により、データドライバがＤＶ端子電圧に選択されてい
るデータ電極をＶｍ／４にする。
■ ＦＥＴ （Ｑ５ ）をＯＮにしてコンデンサ（Ｃ３
）の正極性端子をＶｍ／２まで引き上げる。この時、Ｖ
ｍ／４ →Ｑ５ ＋Ｃ３−＋ｄ ｄ５ ＋Ｌ３ ＋ＤＶ
＋データドライバの経路により、データドライバかＤＶ
端子電圧に選択されているデータ電極をＶｍ／４からＶ
ｍ／２に引き上げると同時にＶｍ／４→Ｑ５→Ｃ３→ｄ
ｄ４→Ｃ４の経路でコンデンサ（Ｃ４）をＶｍ／２で充
電し、さらにＦＥＴ （Ｑ８）をＯＮにしてＶｍ／４
＋Ｑ５ ＋Ｃ３＋ｄ ｄ５ ＋Ｃ５＋ｄ ｄ６→Ｑ８の
経路でコンデンサ（Ｃ５）もＶｍ／２で充電する。
）の正極性端子をＶｍ／２まで引き上げる。この時、Ｖ
ｍ／４ →Ｑ５ ＋Ｃ３−＋ｄ ｄ５ ＋Ｌ３ ＋ＤＶ
＋データドライバの経路により、データドライバかＤＶ
端子電圧に選択されているデータ電極をＶｍ／４からＶ
ｍ／２に引き上げると同時にＶｍ／４→Ｑ５→Ｃ３→ｄ
ｄ４→Ｃ４の経路でコンデンサ（Ｃ４）をＶｍ／２で充
電し、さらにＦＥＴ （Ｑ８）をＯＮにしてＶｍ／４
＋Ｑ５ ＋Ｃ３＋ｄ ｄ５ ＋Ｃ５＋ｄ ｄ６→Ｑ８の
経路でコンデンサ（Ｃ５）もＶｍ／２で充電する。
■ ＦＥＴ （Ｑ７ ）をＯＮにしてコンデンサ（Ｃ５
）の正極性端子、すなわちＤＶ端子をＶｍまで引き上げ
ることによって、データドライバがＤＶ端子電圧に選択
されているデータ電極をＶｍ／２からＶｍに引き上げる
。
）の正極性端子、すなわちＤＶ端子をＶｍまで引き上げ
ることによって、データドライバがＤＶ端子電圧に選択
されているデータ電極をＶｍ／２からＶｍに引き上げる
。
尚、前述のコンデンサ（Ｃ３〜Ｃ５）の静電容量はＥＬ
ナセル全静電容量に比べて充分大きい値であり、チョー
クコイル（Ｌ３）は所定の時間内にＤＶ端子電圧がＯｖ
からＶｍへ上昇するような値に設定する。
ナセル全静電容量に比べて充分大きい値であり、チョー
クコイル（Ｌ３）は所定の時間内にＤＶ端子電圧がＯｖ
からＶｍへ上昇するような値に設定する。
このようにして選択されたデータ電極に変調電圧（Ｖｍ
）を供給することによって変調駆動がおこなわれるが
、このときＤＶ端子はＶｍになっているため正極性書き
込み電圧発生回路（１３）のＦＥＴ （Ｑ２ ）をＯＮ
にすることによってＤｖ４ｄｄｉ ４Ｃ１４Ｑ２の経路
でコンデンサ（ＣＩ ）はＶ＋ｎで充電される。
）を供給することによって変調駆動がおこなわれるが
、このときＤＶ端子はＶｍになっているため正極性書き
込み電圧発生回路（１３）のＦＥＴ （Ｑ２ ）をＯＮ
にすることによってＤｖ４ｄｄｉ ４Ｃ１４Ｑ２の経路
でコンデンサ（ＣＩ ）はＶ＋ｎで充電される。
次に、第１番目のスキャン電極（８１）に接続されたド
ライバをＳｖ端子側に切り換え、さらに、正極性書き込
み電圧発生回路（１３）のＦＥＴ（Ｑｌ）をＯＮにしコ
ンデンサ（ＣＩ ）の負極性端子をＶｗにすると、コン
デンサ（ＣＩ ）の静電容量がＥＬの静電容量に比べて
十分に大きく設定しているため、コンデンサ（ＣＩ ）
の正極性端子、つまりスキャンドライバのＳＶ端子はＶ
ｗ＋Ｖｎ＋になる。これによって、第１番目のスキャン
電極（Ｓｌ）にＶｗ＋Ｖｍが印加され、第１番目のスキ
ャン電極（８１）に正極性書き込み駆動がおこなわれた
ことになる。この時、他のスキャン電極はスキャンドラ
イバによってハイインピーダンスに選択されているため
書き込み電圧は印加されず、Ｖｍに選択されているデー
タ電極の数とＧＮＤ（ＯＶ）に選択されているデータ電
極の数との比によってＧＮＤ（ＯＶ）〜Ｖｍの間の電圧
になる。すなわち第１番目のスキャン電極（Ｓｌ ）に
接続されたＥＬナセルは書き込み電圧で充電される他、
それ以外のスキャン電極に接続されたＥＬナセルもＧＮ
Ｄ（ＯＶ）〜Ｖｍの電圧で充電されることになる。
ライバをＳｖ端子側に切り換え、さらに、正極性書き込
み電圧発生回路（１３）のＦＥＴ（Ｑｌ）をＯＮにしコ
ンデンサ（ＣＩ ）の負極性端子をＶｗにすると、コン
デンサ（ＣＩ ）の静電容量がＥＬの静電容量に比べて
十分に大きく設定しているため、コンデンサ（ＣＩ ）
の正極性端子、つまりスキャンドライバのＳＶ端子はＶ
ｗ＋Ｖｎ＋になる。これによって、第１番目のスキャン
電極（Ｓｌ）にＶｗ＋Ｖｍが印加され、第１番目のスキ
ャン電極（８１）に正極性書き込み駆動がおこなわれた
ことになる。この時、他のスキャン電極はスキャンドラ
イバによってハイインピーダンスに選択されているため
書き込み電圧は印加されず、Ｖｍに選択されているデー
タ電極の数とＧＮＤ（ＯＶ）に選択されているデータ電
極の数との比によってＧＮＤ（ＯＶ）〜Ｖｍの間の電圧
になる。すなわち第１番目のスキャン電極（Ｓｌ ）に
接続されたＥＬナセルは書き込み電圧で充電される他、
それ以外のスキャン電極に接続されたＥＬナセルもＧＮ
Ｄ（ＯＶ）〜Ｖｍの電圧で充電されることになる。
この結果、第１番目のスキャン電極（Ｓｌ ）に接続さ
れたＥＬナセルうちデータ電極がＧＮＤ（ＯＶ）のＥＬ
ナセル、Ｖｗ＋Ｖｍの電圧が印加されることになるので
発光し、データ電極がＶｍのＥＬナセル、ＶＷの電圧し
か印加されないため発光しない。
れたＥＬナセルうちデータ電極がＧＮＤ（ＯＶ）のＥＬ
ナセル、Ｖｗ＋Ｖｍの電圧が印加されることになるので
発光し、データ電極がＶｍのＥＬナセル、ＶＷの電圧し
か印加されないため発光しない。
次に、ＥＬナセル充電された電荷を放電するためにスキ
ャン電極側では、正極性書き込み電圧発生回路（１３）
のＦＥＴ （Ｑ２ ）をＯＮにしコンデンサ（ＣＩ ）
の負極性をＧＮＤ（ＯＶ）にすると、コンデンサ（ＣＩ
’）の正極性、つまりスキャンドライバのＳＶ端子電
圧は、第１番目のスキャン電極（Ｓｌ ）に接続された
ＥＬナセル蓄えられた電荷がスキャンドライバに付加さ
れているダイオード、及びチョークコイル（Ｌｌ ）を
通してコンデンサ（ＣＩ ）に回収されるため低くなる
が、コンデンサ（ＣＩ）の静電容量がＥＬナセル静電容
量に比へて充分太き（、また、チョークコイル（Ｌｌ）
の効果によりＶｍより数Ｖ低い値になる。そして、全ス
キャンドライバをＳＳ端子側に切り換えると５Ｓ−ｄｄ
２→ＧＮＤの経路でＥＬナセル電荷か放電され、全スキ
ャン電極はＧＮＤレベル（ＯＶ）になる。
ャン電極側では、正極性書き込み電圧発生回路（１３）
のＦＥＴ （Ｑ２ ）をＯＮにしコンデンサ（ＣＩ ）
の負極性をＧＮＤ（ＯＶ）にすると、コンデンサ（ＣＩ
’）の正極性、つまりスキャンドライバのＳＶ端子電
圧は、第１番目のスキャン電極（Ｓｌ ）に接続された
ＥＬナセル蓄えられた電荷がスキャンドライバに付加さ
れているダイオード、及びチョークコイル（Ｌｌ ）を
通してコンデンサ（ＣＩ ）に回収されるため低くなる
が、コンデンサ（ＣＩ）の静電容量がＥＬナセル静電容
量に比へて充分太き（、また、チョークコイル（Ｌｌ）
の効果によりＶｍより数Ｖ低い値になる。そして、全ス
キャンドライバをＳＳ端子側に切り換えると５Ｓ−ｄｄ
２→ＧＮＤの経路でＥＬナセル電荷か放電され、全スキ
ャン電極はＧＮＤレベル（ＯＶ）になる。
一方、データ電極側では、スキャン電極側での放電が開
始されると同時に変調電圧発生回路（１５）のＦＥＴ
（Ｃ８）をＯＮにしコンデンサ（Ｃ５）の負極性をＧＮ
Ｄ（ＯＶ）にすると、コンデンサ（Ｃ５）の正極性側、
つまりデータドライバのＤＶ端子電圧は、ＥＬナセル蓄
えられた電荷がスキャンドライバに付加されているダイ
オード、及びチョークコイル（Ｌ３）を通してコンデン
サ（Ｃ５）に回収されるため低くなるが、コンデンサ（
Ｃ５）の静電容量かＥＬナセル静電容量に比べて充分大
きく、また、チョークコイル（Ｌ３）の効果によりＶ
ｍ／２より数Ｖ低い値になる。その後、全データドライ
バをＧＮＤ側に切り換えて残りの電荷を放電させ、全デ
ータ電極をＧＮＤレベル（Ｏｖ）にする。この時、全ス
キャン電極も前述のようにＧＮＤレベルであるため全Ｅ
Ｌセルは完全に電荷が放電された状態になる。
始されると同時に変調電圧発生回路（１５）のＦＥＴ
（Ｃ８）をＯＮにしコンデンサ（Ｃ５）の負極性をＧＮ
Ｄ（ＯＶ）にすると、コンデンサ（Ｃ５）の正極性側、
つまりデータドライバのＤＶ端子電圧は、ＥＬナセル蓄
えられた電荷がスキャンドライバに付加されているダイ
オード、及びチョークコイル（Ｌ３）を通してコンデン
サ（Ｃ５）に回収されるため低くなるが、コンデンサ（
Ｃ５）の静電容量かＥＬナセル静電容量に比べて充分大
きく、また、チョークコイル（Ｌ３）の効果によりＶ
ｍ／２より数Ｖ低い値になる。その後、全データドライ
バをＧＮＤ側に切り換えて残りの電荷を放電させ、全デ
ータ電極をＧＮＤレベル（Ｏｖ）にする。この時、全ス
キャン電極も前述のようにＧＮＤレベルであるため全Ｅ
Ｌセルは完全に電荷が放電された状態になる。
（負極性書き込み駆動）
前述のように第１番目のスキャン電極（Ｓｌ ）に正極
性書き込み電圧が印加された後、次に第２番目のスキャ
ン電極（Ｓ２）に負極性書き込み電圧を印加するが、こ
の場合の変調駆動は、第２番目のスキャン電極（Ｓ２）
に接続されたＥＬナセル発光、非発光に対するデータ電
極（ＤＩ−Ｄｎｌ）のＧＮＤ （Ｏｖ） 、 Ｖｍの選
択は前述の正極性書き込み駆動の場合とは逆になるが、
ＤＶ端子にＶｍの変調電圧を印加する順序は全く同じで
ある。そして、この変調駆動と同時にスキャン電極側で
は、始めに負極性書き込み電圧発生回路（１４）のＦＥ
Ｔ （Ｃ３）をＯＮにし、コンデンサ（Ｃ２）をＳＳ端
子が負極性（ＧＮＤ）になるようにＶｗの電圧で充電し
ておく（前述の正極性書き込み駆動の放電時の状態）。
性書き込み電圧が印加された後、次に第２番目のスキャ
ン電極（Ｓ２）に負極性書き込み電圧を印加するが、こ
の場合の変調駆動は、第２番目のスキャン電極（Ｓ２）
に接続されたＥＬナセル発光、非発光に対するデータ電
極（ＤＩ−Ｄｎｌ）のＧＮＤ （Ｏｖ） 、 Ｖｍの選
択は前述の正極性書き込み駆動の場合とは逆になるが、
ＤＶ端子にＶｍの変調電圧を印加する順序は全く同じで
ある。そして、この変調駆動と同時にスキャン電極側で
は、始めに負極性書き込み電圧発生回路（１４）のＦＥ
Ｔ （Ｃ３）をＯＮにし、コンデンサ（Ｃ２）をＳＳ端
子が負極性（ＧＮＤ）になるようにＶｗの電圧で充電し
ておく（前述の正極性書き込み駆動の放電時の状態）。
その後、第２番目のスキャン電極（Ｓ２）に接続された
ドライバをＳＳ側に切り換え、さらに、負極性書き込み
電圧発生回路（１４）のＦＥＴ（Ｃ４） ｔｌ−ＯＮに
しコンデンサ（Ｃ２）の正極性端子をＧＮＤ（ＯＶ）に
すると、コンデンサ（Ｃ２）の静電容量がＥＬの静電容
量に比べて十分に大きく設定しであるため、コンデンサ
（Ｃ２）の負極性端子、つまりスキャンドライバのＳＳ
端子は−■Ｗになる。これによって第２番目のスキャン
電極（Ｓ２）に−Ｖｗが印加され、第２番目のスキャン
電極（８２５に負極性書き込み駆動がおこなわれたこと
になる。この時、他のスキャン電極は前述と同じくスキ
ャンドライバによってハイインピーダンスに選択されて
いるため書き込み電圧は印加されず、ｖｍに選択されて
いるデータ電極の数とＧＮＤ（ＯＶ）に選択されている
データ電極の数との比によってｃＮＤ（Ｏｖ）〜Ｖｍの
間の電圧になる。すなわち第２番目のスキャン電極（Ｓ
２）に接続されたＥＬナセルは書き込み電圧で充電され
る他、それ以外のスキャン電極に接続されたＥＬナセル
もＧＮＤ（Ｏｖ）〜Ｖｍの電圧で充電されることになる
。
ドライバをＳＳ側に切り換え、さらに、負極性書き込み
電圧発生回路（１４）のＦＥＴ（Ｃ４） ｔｌ−ＯＮに
しコンデンサ（Ｃ２）の正極性端子をＧＮＤ（ＯＶ）に
すると、コンデンサ（Ｃ２）の静電容量がＥＬの静電容
量に比べて十分に大きく設定しであるため、コンデンサ
（Ｃ２）の負極性端子、つまりスキャンドライバのＳＳ
端子は−■Ｗになる。これによって第２番目のスキャン
電極（Ｓ２）に−Ｖｗが印加され、第２番目のスキャン
電極（８２５に負極性書き込み駆動がおこなわれたこと
になる。この時、他のスキャン電極は前述と同じくスキ
ャンドライバによってハイインピーダンスに選択されて
いるため書き込み電圧は印加されず、ｖｍに選択されて
いるデータ電極の数とＧＮＤ（ＯＶ）に選択されている
データ電極の数との比によってｃＮＤ（Ｏｖ）〜Ｖｍの
間の電圧になる。すなわち第２番目のスキャン電極（Ｓ
２）に接続されたＥＬナセルは書き込み電圧で充電され
る他、それ以外のスキャン電極に接続されたＥＬナセル
もＧＮＤ（Ｏｖ）〜Ｖｍの電圧で充電されることになる
。
この結果、第２番目のスキャン電極（Ｓ２）に接続され
たＥＬナセルうちデータ電極がＶＩＩｌのＥＬナセル、
−（Ｖｗ＋Ｖｍ ）の電圧が印加されることになるので
発光し、データ電極がＧＮＤ（ＯＶ）のＥＬナセル、−
ＶＷの電圧しか印加されないため発光しない。
たＥＬナセルうちデータ電極がＶＩＩｌのＥＬナセル、
−（Ｖｗ＋Ｖｍ ）の電圧が印加されることになるので
発光し、データ電極がＧＮＤ（ＯＶ）のＥＬナセル、−
ＶＷの電圧しか印加されないため発光しない。
次に、ＥＬナセル充電された電荷を放電するためにスキ
ャン電極側では、負極性書き込み電圧発生回路（１４）
のＦＥＴ （Ｃ３）をＯＮにしコンデンサ（Ｃ３）の正
極性端子をＶｗにすると、コンデンサ（Ｃ２）の負極性
、つまりスキャンドライバのＳＳ端子電圧は、第２番目
のスキャン電極（Ｓ２）に接続されたＥＬナセル蓄えら
れた電荷がスキャンドライバに付加されているダイオー
ド、及びチョークコイル（Ｌ２）を通して放電されるた
め高くなるが、コンデンサ（Ｃ２）の静電容量がＥＬナ
セル静電容量に比べて充分大きく、また、チョークコイ
ル（Ｌ２）の効果によりＧＮＤ（ＯＶ）より数Ｖ高い値
になる。この時同時に次の負極性書き込み駆動に備えて
Ｖｗ→Ｑ３→Ｃ２→ｄｄ２→ＧＮＤの経路でコンデンサ
（Ｃ２）がＶｗで充電される。そして、全スキャンドラ
イバをＳＳ端子側に切り換えると８８−ｄｄ２→ＧＮＤ
の経路でＥＬナセル電荷が放電され、全スキャン電極は
ＧＮＤレベル（Ｏｖ）になる。
ャン電極側では、負極性書き込み電圧発生回路（１４）
のＦＥＴ （Ｃ３）をＯＮにしコンデンサ（Ｃ３）の正
極性端子をＶｗにすると、コンデンサ（Ｃ２）の負極性
、つまりスキャンドライバのＳＳ端子電圧は、第２番目
のスキャン電極（Ｓ２）に接続されたＥＬナセル蓄えら
れた電荷がスキャンドライバに付加されているダイオー
ド、及びチョークコイル（Ｌ２）を通して放電されるた
め高くなるが、コンデンサ（Ｃ２）の静電容量がＥＬナ
セル静電容量に比べて充分大きく、また、チョークコイ
ル（Ｌ２）の効果によりＧＮＤ（ＯＶ）より数Ｖ高い値
になる。この時同時に次の負極性書き込み駆動に備えて
Ｖｗ→Ｑ３→Ｃ２→ｄｄ２→ＧＮＤの経路でコンデンサ
（Ｃ２）がＶｗで充電される。そして、全スキャンドラ
イバをＳＳ端子側に切り換えると８８−ｄｄ２→ＧＮＤ
の経路でＥＬナセル電荷が放電され、全スキャン電極は
ＧＮＤレベル（Ｏｖ）になる。
一方、データ電極側でのＥＬナセル放電は前述の正極性
書き込み駆動と全く同じ順序でおこない、全データ電極
をＧＮＤレベル（Ｏｖ）にして全ＥＬセルを完全に放電
させる。
書き込み駆動と全く同じ順序でおこない、全データ電極
をＧＮＤレベル（Ｏｖ）にして全ＥＬセルを完全に放電
させる。
以下同様にして第３番目のスキャン電極（Ｓ３）に正極
性書き込み電圧、第４番目のスキャン電極（Ｓ３）に負
極性書き込み電圧といったように奇数番目のスキャン電
極に正極性書き込み電圧、偶数番目のスキャン電極に負
極性書き込み電圧を印加して１フイールドが終了する。
性書き込み電圧、第４番目のスキャン電極（Ｓ３）に負
極性書き込み電圧といったように奇数番目のスキャン電
極に正極性書き込み電圧、偶数番目のスキャン電極に負
極性書き込み電圧を印加して１フイールドが終了する。
そして次の１フイールドでは逆に奇数番目のスキャン電
極に負極性書き込み電圧、偶数番目のスキャン電極に正
極性書き込み電圧を印加し、第２図のタイミングチャー
トにあるように２フイールドで駆動の１周期が完了する
。
極に負極性書き込み電圧、偶数番目のスキャン電極に正
極性書き込み電圧を印加し、第２図のタイミングチャー
トにあるように２フイールドで駆動の１周期が完了する
。
以上の２フイールドの動作を繰り返すことによって、所
定の表示が実現できる。
定の表示が実現できる。
次に、第１図で説明した変調電圧発生回路（１５）をも
う少し簡単にした別の実施例を第３図、第４図を参照し
て以下に説明する。
う少し簡単にした別の実施例を第３図、第４図を参照し
て以下に説明する。
第３図は第１図の変調電圧発生回路（１５）以外の回路
構成は全く同じであり、変調電圧発生回路（１Ｂ）の構
成がＦＥＴ （Ｑ９ 、 ＱＩＯ）とコンデンサ（Ｃ６
）とダイオード（ｄｄ７）とチョークコイル（Ｌ３）と
で構成されている。そして変調電圧の供給電源としてＶ
ｍ／２が供給されている。
構成は全く同じであり、変調電圧発生回路（１Ｂ）の構
成がＦＥＴ （Ｑ９ 、 ＱＩＯ）とコンデンサ（Ｃ６
）とダイオード（ｄｄ７）とチョークコイル（Ｌ３）と
で構成されている。そして変調電圧の供給電源としてＶ
ｍ／２が供給されている。
この回路構成による変調駆動の方法は第４図のタイミン
グチャートからも分かるように次の■〜■の順序でおこ
なう。
グチャートからも分かるように次の■〜■の順序でおこ
なう。
■ ＦＥＴ（ＱＩＯ）をＯＮにしてＶｍ／２ ＋ ｄ
ｄ ７→Ｃ６→Ｑｌθの経路によりコンデンサ（Ｃ６）
をＶＩＩｌ／２ノ電圧で充電スルト共に、Ｖｍ／２ ＋
ｄ ｄ ７→Ｌ３→ＤＶ→データドライバの経路によ
り、データドライバがＤＶ端子電圧に選択されているデ
ータ電極をＶｍ／２にする。
ｄ ７→Ｃ６→Ｑｌθの経路によりコンデンサ（Ｃ６）
をＶＩＩｌ／２ノ電圧で充電スルト共に、Ｖｍ／２ ＋
ｄ ｄ ７→Ｌ３→ＤＶ→データドライバの経路によ
り、データドライバがＤＶ端子電圧に選択されているデ
ータ電極をＶｍ／２にする。
■ ＦＥＴ （Ｑ９ ）をＯＮにしてコンデンサ（ＣＢ
）の正極性端子をＶｍまで引き上げる。この時、Ｖｍ／
２ ＋Ｑ９ ＋ＣＢ −＋ ｄ ｄ７ ＋Ｌ３ ＋Ｄ
Ｖ→ｆ −タドライバの経路により、データドライバが
ＤＶ端子電圧に選択されているデータ電極をＶｍ／２か
らＶｍに引き上げる。
）の正極性端子をＶｍまで引き上げる。この時、Ｖｍ／
２ ＋Ｑ９ ＋ＣＢ −＋ ｄ ｄ７ ＋Ｌ３ ＋Ｄ
Ｖ→ｆ −タドライバの経路により、データドライバが
ＤＶ端子電圧に選択されているデータ電極をＶｍ／２か
らＶｍに引き上げる。
この時、同時におこなわれる書き込み駆動は、第１図の
駆動回路で説明した方法と全く同じである。
駆動回路で説明した方法と全く同じである。
次に、ＥＬナセル充電された電荷を放電するために、デ
ータ電極側では、変調電圧発生回路（１６）のＦＥＴ（
ＱＩＯ）をＯＮにしコンデンサ（Ｃ６）の負極性端子を
ＧＮＤ（ＯＶ）にすると、コンデンサ（Ｃ６）の正極性
端子側、つまりデータドライバのＤＶ端子電圧は、ＥＬ
ナセル蓄えられた電荷がスキャンドライバに付加されて
いるダイオード、及びチョークコイル（Ｌ３）を通して
コンデンサ（Ｃ６）に回収されるため低くなるが、コン
デンサ（Ｃ６）の静電容量がＥＬナセル静電容量に比べ
て充分大きく、また、チョークコイル（Ｌ３）の効果に
よりＶｍ／２より数Ｖ低い値になる。その後、全データ
ドライバをＧＮＤ側に切り換えて残りの電荷を放電させ
、全データ電極をＧＮＤレベル（Ｏｖ）にする。この時
、第１図の駆動回路の時と同じく全スキャン電極もＧＮ
Ｄレベルであるため全ＥＬセルは完全に電荷が放電され
た状態になる。
ータ電極側では、変調電圧発生回路（１６）のＦＥＴ（
ＱＩＯ）をＯＮにしコンデンサ（Ｃ６）の負極性端子を
ＧＮＤ（ＯＶ）にすると、コンデンサ（Ｃ６）の正極性
端子側、つまりデータドライバのＤＶ端子電圧は、ＥＬ
ナセル蓄えられた電荷がスキャンドライバに付加されて
いるダイオード、及びチョークコイル（Ｌ３）を通して
コンデンサ（Ｃ６）に回収されるため低くなるが、コン
デンサ（Ｃ６）の静電容量がＥＬナセル静電容量に比べ
て充分大きく、また、チョークコイル（Ｌ３）の効果に
よりＶｍ／２より数Ｖ低い値になる。その後、全データ
ドライバをＧＮＤ側に切り換えて残りの電荷を放電させ
、全データ電極をＧＮＤレベル（Ｏｖ）にする。この時
、第１図の駆動回路の時と同じく全スキャン電極もＧＮ
Ｄレベルであるため全ＥＬセルは完全に電荷が放電され
た状態になる。
［考案の効果コ
以上のように、マトリクスＥＬパネルの）・イールド反
転駆動等の線順次駆動において、変調駆動、及び書き込
み駆動によってＥＬナセル充電した電荷を放電する際、
コンデンサ、スイッチ、ダイオード、及びチョークコイ
ルを用いて多段階で放電させることにより、従来のよう
にデータドライバ、スキャンドライバでＥＬセルの電荷
を放電させていた方法に比べ、充電電荷をチョークコイ
ルとコンデンサで効率良く回収することができるため消
費電力が大幅に低減され、例えばｅ４０Ｘ４００ ドツ
トＥＬの場合、４０％以上の低減が可能となる。
転駆動等の線順次駆動において、変調駆動、及び書き込
み駆動によってＥＬナセル充電した電荷を放電する際、
コンデンサ、スイッチ、ダイオード、及びチョークコイ
ルを用いて多段階で放電させることにより、従来のよう
にデータドライバ、スキャンドライバでＥＬセルの電荷
を放電させていた方法に比べ、充電電荷をチョークコイ
ルとコンデンサで効率良く回収することができるため消
費電力が大幅に低減され、例えばｅ４０Ｘ４００ ドツ
トＥＬの場合、４０％以上の低減が可能となる。
また、変調電圧Ｖｍは、一般に５０〜ＧＯｖ程度に設定
されるが、従来のようにこの変調電圧をデータドライバ
に直接印加する方法では５０〜ｌ１ｉＯｖの電圧を供給
するために１２ｖ等からＤＣ−ＤＣコンバータで供給し
ているか、本発明による変調電圧供給方法ではＶｍ／４
の電圧、つまり１２．５〜１５ｖの電圧を入力するたけ
て済むためＤＣ−ＤＣコンバータが不必要となり、低コ
スト、低消費電力が可能になる。
されるが、従来のようにこの変調電圧をデータドライバ
に直接印加する方法では５０〜ｌ１ｉＯｖの電圧を供給
するために１２ｖ等からＤＣ−ＤＣコンバータで供給し
ているか、本発明による変調電圧供給方法ではＶｍ／４
の電圧、つまり１２．５〜１５ｖの電圧を入力するたけ
て済むためＤＣ−ＤＣコンバータが不必要となり、低コ
スト、低消費電力が可能になる。
また、ＥＬセルの充放電の際、チョークコイルを通して
おこなわれるため、充放電電流のピーク値が抑えられ、
ノイズの発生も抑えることができる。
おこなわれるため、充放電電流のピーク値が抑えられ、
ノイズの発生も抑えることができる。
第１図は本発明に係る一実施例のマトリクスＥＬパネル
の駆動回路図、第２図は第１図の駆動回路のタイミング
チャート図、第３図は本発明に係る別のマトリクスＥＬ
パネルの駆動回路図、第４図は第３図の駆動回路のタイ
ミングチャート図である。 第５図はマトリクスＥＬパネルの従来の駆動回路図、第
６図は第５図の駆動回路のタイミングチャート図である
。 ＩＯ・・・・・・マトリクスＥＬパネル、１１・・・・
・・データドライバ、 １２・・・・・・スキャンドライバ、 １３、１４・・・・・・書き込み電圧発生回路、１５、
１８・・・・・・変調電圧発生回路、８ｌ−８ｎ・・・
・・・ＥＬパネルスキャン電極、Ｄ１〜Ｄｍ・・・・・
・ＥＬパネルデータ電極、−Ｖｗ 、Ｖｗ＋Ｖｍ・・・
・・・書き込み電圧、Ｖｍ・・・・・・変調電圧。
の駆動回路図、第２図は第１図の駆動回路のタイミング
チャート図、第３図は本発明に係る別のマトリクスＥＬ
パネルの駆動回路図、第４図は第３図の駆動回路のタイ
ミングチャート図である。 第５図はマトリクスＥＬパネルの従来の駆動回路図、第
６図は第５図の駆動回路のタイミングチャート図である
。 ＩＯ・・・・・・マトリクスＥＬパネル、１１・・・・
・・データドライバ、 １２・・・・・・スキャンドライバ、 １３、１４・・・・・・書き込み電圧発生回路、１５、
１８・・・・・・変調電圧発生回路、８ｌ−８ｎ・・・
・・・ＥＬパネルスキャン電極、Ｄ１〜Ｄｍ・・・・・
・ＥＬパネルデータ電極、−Ｖｗ 、Ｖｗ＋Ｖｍ・・・
・・・書き込み電圧、Ｖｍ・・・・・・変調電圧。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 多数のスキャン電極とデータ電極とを行列状に配列し、
各交差点にＥＬセルを配置したマトリクスＥＬパネルの
各スキャン電極に書き込み電圧を供給する書き込み駆動
と、前記各データ電極に前記ＥＬセルの発光、非発光に
応じて変調電圧を供給する変調駆動とをおこなうマトリ
クスＥＬパネルの駆動方法において、 前記書き込み駆動をおこなうスキャンドライバに書き込
み電圧を供給する書き込み電圧発生回路と、前記変調駆
動をおこなうデータドライバに変調電圧を供給する変調
電圧発生回路とを、それぞれコンデンサ、スイッチ、ダ
イオード、チョークコイルで構成し、前記コンデンサと
前記チョークコイルとを直列に接続し、前記書き込み電
圧を前記チョークコイルを通してスキャンドライバへ供
給し、前記変調電圧を少なくとも２段階で前記チョーク
コイルを通してデータドライバへ供給し、前記変調駆動
、及び書き込み駆動でＥＬセルに充電された電荷を前記
チョークコイルを通して放電させ、放電電荷を前記コン
デンサへ一部回収することを特徴としたマトリクスＥＬ
パネルの駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25784190A JPH04134395A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | マトリクスｅｌパネルの駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25784190A JPH04134395A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | マトリクスｅｌパネルの駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134395A true JPH04134395A (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=17311889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25784190A Pending JPH04134395A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | マトリクスｅｌパネルの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04134395A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001083933A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Denso Corp | 容量性表示パネル駆動装置 |
| KR20030004772A (ko) * | 2001-07-06 | 2003-01-15 | 엘지전자 주식회사 | 전류 구동형 표시소자의 절전 회로 |
| KR100477975B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2005-03-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 표시 장치의 구동 회로 및 구동 방법 |
| KR100796133B1 (ko) * | 2006-09-04 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 데이터 구동부 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 |
| JP2008097019A (ja) * | 2007-10-31 | 2008-04-24 | Denso Corp | ディスプレイ装置 |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP25784190A patent/JPH04134395A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001083933A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Denso Corp | 容量性表示パネル駆動装置 |
| KR20030004772A (ko) * | 2001-07-06 | 2003-01-15 | 엘지전자 주식회사 | 전류 구동형 표시소자의 절전 회로 |
| KR100477975B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2005-03-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 표시 장치의 구동 회로 및 구동 방법 |
| KR100796133B1 (ko) * | 2006-09-04 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 데이터 구동부 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 |
| JP2008097019A (ja) * | 2007-10-31 | 2008-04-24 | Denso Corp | ディスプレイ装置 |
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