JPH0413474A - 雰囲気炉 - Google Patents
雰囲気炉Info
- Publication number
- JPH0413474A JPH0413474A JP2114488A JP11448890A JPH0413474A JP H0413474 A JPH0413474 A JP H0413474A JP 2114488 A JP2114488 A JP 2114488A JP 11448890 A JP11448890 A JP 11448890A JP H0413474 A JPH0413474 A JP H0413474A
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- JP
- Japan
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- furnace
- impurity component
- impurity
- atmosphere
- gas
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はクリーム半田を加熱溶融させて半田付けするた
めのりフロー炉等に適用される雰囲気炉に関するもので
ある。
めのりフロー炉等に適用される雰囲気炉に関するもので
ある。
従来の技術
従来のりフロー炉は、トンネル状の炉体が用いられてお
り、炉体内をワークの通過開口を有する隔壁によって複
数のブロックに区画し、各ブロックに設けたヒータとフ
ァンにてブロック毎に温度制御を行い、ワークを炉体内
の各ブロックに順次移動させることによって所定の温度
プロファイルに基づいて加熱し、クリーム半田をリフロ
ーさせるように構成されている。又、このリフローを不
活性雰囲気中で行うものにおいては、Ｎ２ガスを炉体内
に導入している。
り、炉体内をワークの通過開口を有する隔壁によって複
数のブロックに区画し、各ブロックに設けたヒータとフ
ァンにてブロック毎に温度制御を行い、ワークを炉体内
の各ブロックに順次移動させることによって所定の温度
プロファイルに基づいて加熱し、クリーム半田をリフロ
ーさせるように構成されている。又、このリフローを不
活性雰囲気中で行うものにおいては、Ｎ２ガスを炉体内
に導入している。
ところがトンネル状の炉体を用いたものでは両端開口か
ら炉体内の熱が外部に洩れ出すために熱エネルギー効率
が悪くかつ温度を精度良く制御するのが困難であり、ま
た不活性ガス雰囲気を維持する場合にはＮ２ガスの消費
量が大きく、ランニングコストが高くなるという問題が
ある。そこで、本出願人は先に炉体の両端に、炉体内を
閉鎖した状態でワークの受は渡しを行う受渡し手段を設
けたりフロー炉等の雰囲気炉を特願平１−１７０１４６
号で提案している。
ら炉体内の熱が外部に洩れ出すために熱エネルギー効率
が悪くかつ温度を精度良く制御するのが困難であり、ま
た不活性ガス雰囲気を維持する場合にはＮ２ガスの消費
量が大きく、ランニングコストが高くなるという問題が
ある。そこで、本出願人は先に炉体の両端に、炉体内を
閉鎖した状態でワークの受は渡しを行う受渡し手段を設
けたりフロー炉等の雰囲気炉を特願平１−１７０１４６
号で提案している。
発明が解決しようとする課題
しかし、上記のようにほぼ密閉したりフロー炉において
は、温度管理が容易でありかつ少ないＮ２ガス量で不活
性雰囲気を保持できるが、リフロー時にクリーム半田中
のフラックスの揮発成分が炉体内に溜まり、その濃度が
使用時間とともに高くなって基板等のワークに付着し、
そのハロゲン化合物が基板上の酸化物から成る絶縁膜を
破壊してしまうという問題があった。そして、この絶縁
破壊を防止するためにはりフロー後に基板を洗浄する必
要があるが、そうするとコストを上昇させてしまうこと
になる。
は、温度管理が容易でありかつ少ないＮ２ガス量で不活
性雰囲気を保持できるが、リフロー時にクリーム半田中
のフラックスの揮発成分が炉体内に溜まり、その濃度が
使用時間とともに高くなって基板等のワークに付着し、
そのハロゲン化合物が基板上の酸化物から成る絶縁膜を
破壊してしまうという問題があった。そして、この絶縁
破壊を防止するためにはりフロー後に基板を洗浄する必
要があるが、そうするとコストを上昇させてしまうこと
になる。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、炉体内をほぼ密閉し
てその雰囲気を容易かつ安価に保持できるとともに不純
成分を無くすことができる雰囲気炉を提供することを目
的とする。
てその雰囲気を容易かつ安価に保持できるとともに不純
成分を無くすことができる雰囲気炉を提供することを目
的とする。
課題を解決するための手段
本発明の雰囲気炉は、上記目的を達成するために、ほぼ
密閉された炉体と、炉体内の雰囲気を循環させて雰囲気
を維持するように処理する循環処理手段と、循環通路に
配置された不純成分除去手段とを備えていることを特徴
とする。
密閉された炉体と、炉体内の雰囲気を循環させて雰囲気
を維持するように処理する循環処理手段と、循環通路に
配置された不純成分除去手段とを備えていることを特徴
とする。
前記不純成分除去手段は冷却フィンにて構成することが
でき、またこの冷却フィン部を交換可能に構成するのが
好ましい。
でき、またこの冷却フィン部を交換可能に構成するのが
好ましい。
又、不純成分除去手段のバイパス通路を設けるとともに
不純成分除去手段とバイパス通路の切換手段を設けるこ
とができ、さらに不純成分濃度を検出する手段を設けて
その検出信号に基づいて切換手段を制御するように構成
するのが好ましい。
不純成分除去手段とバイパス通路の切換手段を設けるこ
とができ、さらに不純成分濃度を検出する手段を設けて
その検出信号に基づいて切換手段を制御するように構成
するのが好ましい。
作 用
本発明によると、炉体内の雰囲気を循環させて雰囲気を
維持しながらその循環通路に不純成分除去手段を設けて
いることによって不純成分を確実に除去することができ
、例えばクリーム半田をＮ２ガス雰囲気中でリフローす
るりフロー炉の場合にはＮ２ガスの消費量を抑えたまま
フラックスの揮発成分を除去できる。
維持しながらその循環通路に不純成分除去手段を設けて
いることによって不純成分を確実に除去することができ
、例えばクリーム半田をＮ２ガス雰囲気中でリフローす
るりフロー炉の場合にはＮ２ガスの消費量を抑えたまま
フラックスの揮発成分を除去できる。
この不純成分除去手段としては、遠心分離方式やイオン
交換膜による吸着方式やアキュムレータによる比重差分
離方式等を適用できるが、不純成分が揮発成分である場
合には冷却フィンを用いてその表面に凝縮させることに
よって簡単な構成で効果的に除去でき、さらにその冷却
フィンを交換可能に構成すると保守が容易である。また
、不純成分除去手段のバイパス通路を設けて切り換え得
るようにすると、冷却フィン等の交換時にバイパス通路
を通して循環させることによって運転を中断せずに交換
することができ、また不純成分濃度を検出する手段を設
けて必要時にのみ不純成分除去手段を作動させることに
よって不純成分除去による熱効率の低下を防止すること
ができる。
交換膜による吸着方式やアキュムレータによる比重差分
離方式等を適用できるが、不純成分が揮発成分である場
合には冷却フィンを用いてその表面に凝縮させることに
よって簡単な構成で効果的に除去でき、さらにその冷却
フィンを交換可能に構成すると保守が容易である。また
、不純成分除去手段のバイパス通路を設けて切り換え得
るようにすると、冷却フィン等の交換時にバイパス通路
を通して循環させることによって運転を中断せずに交換
することができ、また不純成分濃度を検出する手段を設
けて必要時にのみ不純成分除去手段を作動させることに
よって不純成分除去による熱効率の低下を防止すること
ができる。
実施例
以下、本発明をリフロー炉に通用した一実施例を第１図
〜第３図に基づいて説明する。
〜第３図に基づいて説明する。
リフロー炉１は、第１図に示すような全体構成であり、
炉体２の内部にその両端間にわたってワークを搬送する
搬送手段３が配設されるとともに両端に炉内をほぼ密閉
した状態でワークを外部との間で受は渡しする受渡し手
段４ａ、４ｂが設けられている。受渡し手段４ａ、４ｂ
は、本体５とその内部に縦軸心回りに回転可能に配置さ
れた受渡し体６にて構成され、受渡し体６に一側にのみ
開口したワーク収納空間６ａを形成して構成されている
。また、炉体２内は隔壁７ａ、７ｂにて３つの炉室８ａ
、８ｂ、８Ｃに区画され、それぞれにＮ２ガス供給手段
９ａ、９ｂ、９Ｃと、０□濃度と不純成分濃度を検出す
るガス検出手段１０ａ１０ｂ、１０ｃが設けられている
。
炉体２の内部にその両端間にわたってワークを搬送する
搬送手段３が配設されるとともに両端に炉内をほぼ密閉
した状態でワークを外部との間で受は渡しする受渡し手
段４ａ、４ｂが設けられている。受渡し手段４ａ、４ｂ
は、本体５とその内部に縦軸心回りに回転可能に配置さ
れた受渡し体６にて構成され、受渡し体６に一側にのみ
開口したワーク収納空間６ａを形成して構成されている
。また、炉体２内は隔壁７ａ、７ｂにて３つの炉室８ａ
、８ｂ、８Ｃに区画され、それぞれにＮ２ガス供給手段
９ａ、９ｂ、９Ｃと、０□濃度と不純成分濃度を検出す
るガス検出手段１０ａ１０ｂ、１０ｃが設けられている
。
中間の炉室８ｂ内には、搬送手段３の上下に熱風を吹き
出す熱風吹出部１１ａ、ｌｌｂが設けられ、その両側に
熱風循環用の吸引部１２ａ〜１２ｄが設けられている。
出す熱風吹出部１１ａ、ｌｌｂが設けられ、その両側に
熱風循環用の吸引部１２ａ〜１２ｄが設けられている。
熱風吹出部１１ａ、ｌｌｂにはヒータや遠赤外線ヒータ
等の加熱手段と送風手段を内蔵した加熱送風部１３から
送風通路１４ａ、１４ｂを通して熱風が送出され、また
ワークを加熱した後の熱風は、吸引部１２ａ〜１２ｄか
ら吸引通路１５ａ−１５ｄ、クリーム半田に含まれてい
たフラックスの揮発成分を除去する不純成分除去手段１
６及び吸引通路１７を介して加熱送風部１３に還流され
ている。吸引通路１７の途中にはストップバルブ１８が
介装され、かつこの吸引通路１７のストップバルブ１８
と加熱送風部１３の間に、吸引通路１５ａ〜１５ｄから
第２図（ａ）、但）に示すような三方切換弁１９ａ〜１
９ｄを介して分岐されたバイパス通路２０ａ〜２０ｄが
接続されている。
等の加熱手段と送風手段を内蔵した加熱送風部１３から
送風通路１４ａ、１４ｂを通して熱風が送出され、また
ワークを加熱した後の熱風は、吸引部１２ａ〜１２ｄか
ら吸引通路１５ａ−１５ｄ、クリーム半田に含まれてい
たフラックスの揮発成分を除去する不純成分除去手段１
６及び吸引通路１７を介して加熱送風部１３に還流され
ている。吸引通路１７の途中にはストップバルブ１８が
介装され、かつこの吸引通路１７のストップバルブ１８
と加熱送風部１３の間に、吸引通路１５ａ〜１５ｄから
第２図（ａ）、但）に示すような三方切換弁１９ａ〜１
９ｄを介して分岐されたバイパス通路２０ａ〜２０ｄが
接続されている。
不純成分除去手段１６は、第３図に示すように、外周面
に熱交換フィン２２を多数突設された本体筒２１内に、
内部にジグザグ通路を形成するように複数の冷却フィン
２４を設けられると共に入口端にフィルタ２５を装着さ
れた筒状カートリッジ２３を配置して構成されている。
に熱交換フィン２２を多数突設された本体筒２１内に、
内部にジグザグ通路を形成するように複数の冷却フィン
２４を設けられると共に入口端にフィルタ２５を装着さ
れた筒状カートリッジ２３を配置して構成されている。
この筒状カートリッジ２３の外周面と本体筒２１の内周
面とは、筒状カートリッジ２３を交換できかつ伝熱面積
を大きく取れるようにねじ２６を介して嵌合されている
。又、本体筒２１の出口端には吸引通路１７が一体的に
接続され、本体筒２１の入口端は各吸引通路１５３〜１
５ｄが接続された蓋体２７がボルト２８にて着脱自在に
接合されている。さらに、蓋体２７にはＮ２ガス供給手
段２９が接続されている。また、図示は省略しているが
、本体筒２１の外周の熱交換フィン２２に冷却風を送風
する手段が設けられている。
面とは、筒状カートリッジ２３を交換できかつ伝熱面積
を大きく取れるようにねじ２６を介して嵌合されている
。又、本体筒２１の出口端には吸引通路１７が一体的に
接続され、本体筒２１の入口端は各吸引通路１５３〜１
５ｄが接続された蓋体２７がボルト２８にて着脱自在に
接合されている。さらに、蓋体２７にはＮ２ガス供給手
段２９が接続されている。また、図示は省略しているが
、本体筒２１の外周の熱交換フィン２２に冷却風を送風
する手段が設けられている。
以上の構成において、ワークに塗布されたクリーム半田
を不活性雰囲気中でリフローして半田付けする場合、Ｎ
２ガス供給手段９ａ、９ｂ、９Ｃから各炉室８ａ、８ｂ
、８Ｃ内にＮｚガスを導入することによって炉体２内を
Ｎ、ガス雰囲気にする。二〇Ｎ２ガス雰囲気は、ガス検
出手段１０ａ１０ｂ、１０ｃにて０！ガス濃度を検出し
て０２ガス濃度が所定値以下となるようにＮ、ガスを供
給することによって保持される。また、炉体２両端のワ
ークを出し入れするための関口が受渡し手段４ａ、４ｂ
にて閉しられ、外部に対してほぼ密閉されているので、
Ｎ２ガスが外部に洩れ出すことは殆どなく、少ないＮ２
ガス消費量で炉室２内を不活性雰囲気に保持することが
できる。
を不活性雰囲気中でリフローして半田付けする場合、Ｎ
２ガス供給手段９ａ、９ｂ、９Ｃから各炉室８ａ、８ｂ
、８Ｃ内にＮｚガスを導入することによって炉体２内を
Ｎ、ガス雰囲気にする。二〇Ｎ２ガス雰囲気は、ガス検
出手段１０ａ１０ｂ、１０ｃにて０！ガス濃度を検出し
て０２ガス濃度が所定値以下となるようにＮ、ガスを供
給することによって保持される。また、炉体２両端のワ
ークを出し入れするための関口が受渡し手段４ａ、４ｂ
にて閉しられ、外部に対してほぼ密閉されているので、
Ｎ２ガスが外部に洩れ出すことは殆どなく、少ないＮ２
ガス消費量で炉室２内を不活性雰囲気に保持することが
できる。
また、加熱送風部１３から熱風吹出部１１ａ、１１ｂに
熱風を供給して中間の炉室８ｂ内がクリーム半田のりフ
ロー温度以上の２３０°Ｃの雰囲気温度になるようにす
る。その際、吹き出した熱風を吸引通路１５ａ〜１５ｄ
、不純成分除去手段１６又はバイパス通路２０ａ〜２０
ｄ、及び吸引通路１７を通って加熱送風部１３に還流し
て循環させていることにより、少ない熱エネルギーで高
い精度で設定温度に制御することができる。なお、中間
の炉室８ｂの両側の入口側及び出口側の炉室８ａ、８Ｃ
は前記炉室８ｂと同様の加熱手段が設けられており、（
第１図では省略）１００〜１５０°Ｃ程度の雰囲気温度
となる。
熱風を供給して中間の炉室８ｂ内がクリーム半田のりフ
ロー温度以上の２３０°Ｃの雰囲気温度になるようにす
る。その際、吹き出した熱風を吸引通路１５ａ〜１５ｄ
、不純成分除去手段１６又はバイパス通路２０ａ〜２０
ｄ、及び吸引通路１７を通って加熱送風部１３に還流し
て循環させていることにより、少ない熱エネルギーで高
い精度で設定温度に制御することができる。なお、中間
の炉室８ｂの両側の入口側及び出口側の炉室８ａ、８Ｃ
は前記炉室８ｂと同様の加熱手段が設けられており、（
第１図では省略）１００〜１５０°Ｃ程度の雰囲気温度
となる。
この状態で、入口側の受渡し手段４ａにおける受渡し体
６のワーク収納空間６ａを外部空間側に向けて内部にワ
ークを挿入した後受渡し体６を回転駆動し、ワーク収納
空間６ａを炉室８ａ側に向け、ワークを搬送手段３に受
は渡す。これによって、ワークは搬送手段３にて炉室８
ａ内を搬送され、この炉室８ａを通過する間にワークは
１５０°Ｃの雰囲気にて予備加熱される。次に、炉室８
ａで予備加熱されたワークは隔壁７ａの開口を通過して
中間の炉室８ｂ内に入り、この中間の炉室８ｂ内におい
て２３０℃の雰囲気でワークが加熱され、リフローが行
われる。その後、ワークは隔壁７ｂの開口を通過して１
５０℃程度の雰囲気温度となっている出口側の炉室８ｃ
を通る間に徐冷された後、受渡し手段４ａの場合と同様
に受渡し手段４ｂにて炉室２内を外部空間に対して閉じ
た状態で外部空間に取り出される。
６のワーク収納空間６ａを外部空間側に向けて内部にワ
ークを挿入した後受渡し体６を回転駆動し、ワーク収納
空間６ａを炉室８ａ側に向け、ワークを搬送手段３に受
は渡す。これによって、ワークは搬送手段３にて炉室８
ａ内を搬送され、この炉室８ａを通過する間にワークは
１５０°Ｃの雰囲気にて予備加熱される。次に、炉室８
ａで予備加熱されたワークは隔壁７ａの開口を通過して
中間の炉室８ｂ内に入り、この中間の炉室８ｂ内におい
て２３０℃の雰囲気でワークが加熱され、リフローが行
われる。その後、ワークは隔壁７ｂの開口を通過して１
５０℃程度の雰囲気温度となっている出口側の炉室８ｃ
を通る間に徐冷された後、受渡し手段４ａの場合と同様
に受渡し手段４ｂにて炉室２内を外部空間に対して閉じ
た状態で外部空間に取り出される。
上記リフローを連続して行うと、クリーム半田中のフラ
ックス成分が揮発して炉室８ｂ内でフラクソス埋が発生
し、これが吸引部１２ａ〜１２ｄから吸引されて熱風と
ともに循環することになるが、吸引通路１５ａ〜１５ｄ
と１７の間に不純成分除去手段１６が設けられているの
で、ここで確実に除去され、炉室８ｂ内の揮発成分の濃
度が高くなることはなく、従って揮発成分が基板等のワ
ークに付着してそのハロゲン化合物によって酸化膜から
なる絶縁膜が破壊されるような恐れはない。従って、リ
フロー後にワークを洗浄しなくても絶縁破壊を発生する
ことなく、コスト上昇要因をもたらすことはない。
ックス成分が揮発して炉室８ｂ内でフラクソス埋が発生
し、これが吸引部１２ａ〜１２ｄから吸引されて熱風と
ともに循環することになるが、吸引通路１５ａ〜１５ｄ
と１７の間に不純成分除去手段１６が設けられているの
で、ここで確実に除去され、炉室８ｂ内の揮発成分の濃
度が高くなることはなく、従って揮発成分が基板等のワ
ークに付着してそのハロゲン化合物によって酸化膜から
なる絶縁膜が破壊されるような恐れはない。従って、リ
フロー後にワークを洗浄しなくても絶縁破壊を発生する
ことなく、コスト上昇要因をもたらすことはない。
又、不純成分除去手段１６を第３図に示すように構成す
ると、吸引した熱風が筒状カートリッジ２３を通過する
間にフィルタ２５にて粒状の不純成分３０が除去され、
揮発した不純成分３１は冷却フィン２４０表面に接触し
て冷却され、凝縮することによって除去される。例えば
、クリーム半田のフラックスから揮発した不純成分３１
の場合には、冷却フィン２４を１００°Ｃ程度に冷却す
ればその表面に凝縮し、十分に効果的に除去することが
できる。従って、この構成によると簡単な構成で不純成
分を効果的に除去することができる。
ると、吸引した熱風が筒状カートリッジ２３を通過する
間にフィルタ２５にて粒状の不純成分３０が除去され、
揮発した不純成分３１は冷却フィン２４０表面に接触し
て冷却され、凝縮することによって除去される。例えば
、クリーム半田のフラックスから揮発した不純成分３１
の場合には、冷却フィン２４を１００°Ｃ程度に冷却す
ればその表面に凝縮し、十分に効果的に除去することが
できる。従って、この構成によると簡単な構成で不純成
分を効果的に除去することができる。
又、除去した不純成分３０．３１は、蓋体２７を外して
筒状カートリッジ２３を交換することによって外部に取
り出すことができ、保守も容易である。この筒状カート
リッジ２３の交換時に、三方向切換弁１９ａ〜１９ｄを
第２図（ａ）に示すようにバイパス通路２０ａ〜２Ｏｄ
側に切換えるとともにストップバルブ１８を閉じ、熱風
をバイパス通路２０ａ〜２０ｄを通して循環させること
によってリフロー炉１を運転しながら交換することがで
きる。
筒状カートリッジ２３を交換することによって外部に取
り出すことができ、保守も容易である。この筒状カート
リッジ２３の交換時に、三方向切換弁１９ａ〜１９ｄを
第２図（ａ）に示すようにバイパス通路２０ａ〜２Ｏｄ
側に切換えるとともにストップバルブ１８を閉じ、熱風
をバイパス通路２０ａ〜２０ｄを通して循環させること
によってリフロー炉１を運転しながら交換することがで
きる。
また、Ｎｔガスを供給する場合に、不純成分除去手段１
６の入口側に設けたＮ２ガス供給手段２９から供給する
ことによって加熱送風部１３を通してから炉室８ｂや８
ａ、８Ｃに供給することになり、ＮＺガスの供給による
これら炉室の好ましくない温度変化を抑えることができ
、かつ熱風を冷却する効果も与えるために不純成分の除
去効果も高まる。
６の入口側に設けたＮ２ガス供給手段２９から供給する
ことによって加熱送風部１３を通してから炉室８ｂや８
ａ、８Ｃに供給することになり、ＮＺガスの供給による
これら炉室の好ましくない温度変化を抑えることができ
、かつ熱風を冷却する効果も与えるために不純成分の除
去効果も高まる。
さらに、吸引した熱風を常に不純成分除去手段１６に通
すと、この不純成分除去手段１６において冷却フィン２
４で熱風が冷却され、その後加熱送風部１３で所定温度
まで加熱することになるためにそれだけ熱効率が悪くな
る。一方、リフローする際に揮発する不純成分は微量で
あり、常に熱風を冷却凝縮させて除去しなくてもその濃
度が高くなるわけではない。そこで、本実施例ではガス
検出手段１０ａ、１０ｂ、１０ｃにて不純成分濃度を検
出し、所定濃度以下のときにはストップバルブ１８を閉
じるとともに三方切換弁１９ａ〜１９ｄを第２図（ａ）
に示す状態にし、熱風を吸引通路１５ ａ 〜１５ ｄ
からバイパス通路２０ ａ 〜２０ ｄと吸引通路１７
を通して加熱送風部１３に還流させて熱効率良く循環加
熱し、検出した不純成分濃度が所定濃度を越えると、ス
）７プバルブ１８を開くとともに三方切換弁１９ａ−１
１ｄを第２図師）に示す状態に切換えて吸引した熱風を
不純成分除去手段１６に通してその不純成分を除去する
ようにしている。
すと、この不純成分除去手段１６において冷却フィン２
４で熱風が冷却され、その後加熱送風部１３で所定温度
まで加熱することになるためにそれだけ熱効率が悪くな
る。一方、リフローする際に揮発する不純成分は微量で
あり、常に熱風を冷却凝縮させて除去しなくてもその濃
度が高くなるわけではない。そこで、本実施例ではガス
検出手段１０ａ、１０ｂ、１０ｃにて不純成分濃度を検
出し、所定濃度以下のときにはストップバルブ１８を閉
じるとともに三方切換弁１９ａ〜１９ｄを第２図（ａ）
に示す状態にし、熱風を吸引通路１５ ａ 〜１５ ｄ
からバイパス通路２０ ａ 〜２０ ｄと吸引通路１７
を通して加熱送風部１３に還流させて熱効率良く循環加
熱し、検出した不純成分濃度が所定濃度を越えると、ス
）７プバルブ１８を開くとともに三方切換弁１９ａ−１
１ｄを第２図師）に示す状態に切換えて吸引した熱風を
不純成分除去手段１６に通してその不純成分を除去する
ようにしている。
発明の効果
本発明によれば、炉体内の雰囲気を循環させて雰囲気を
維持しながら、その循環通路に不純成分除去手段を設け
ていることによって、不純成分を確実シこ除去すること
ができ、不純成分が炉体内に溜まることによって発生す
る不都合を無くすことができるという効果を発揮する。
維持しながら、その循環通路に不純成分除去手段を設け
ていることによって、不純成分を確実シこ除去すること
ができ、不純成分が炉体内に溜まることによって発生す
る不都合を無くすことができるという効果を発揮する。
又、不純成分除去手段として冷却フィンを用いると、不
純成分が揮発成分である場合にその表面に凝縮させて簡
単な構成で効果的に除去でき、さらにその冷却フィンを
交換可能に構成すると保守が容易となり、また不純成分
除去手段のバイパス通路を設けて切り換え得るようにす
ると、冷却フィン等の交換時にバイパス通路を通して循
環させることによって運転を中断せずに交換することが
でき、また不純成分濃度を検出する手段を設けて必要時
にのみ不純成分除去手段を作動させることによって不純
成分除去ムこよる熱効率の低下を防止することができる
等、大なる効果を発揮する。
純成分が揮発成分である場合にその表面に凝縮させて簡
単な構成で効果的に除去でき、さらにその冷却フィンを
交換可能に構成すると保守が容易となり、また不純成分
除去手段のバイパス通路を設けて切り換え得るようにす
ると、冷却フィン等の交換時にバイパス通路を通して循
環させることによって運転を中断せずに交換することが
でき、また不純成分濃度を検出する手段を設けて必要時
にのみ不純成分除去手段を作動させることによって不純
成分除去ムこよる熱効率の低下を防止することができる
等、大なる効果を発揮する。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を示し、第１図は概
略構成を示す縦断正面図、第２図（ａ）、（ｂ）は三方
向切換弁の切換状態を示す断面図、第３図は不純成分除
去手段の具体構成例を示す断面図である。 １・・・・・・リフロー炉 ２・・・・・・炉体 ９ａ、９ｂ、９ｃ、２９−− Ｎ ！ガス供給手段１０
ａ、１０ｂ、１０ｃ・・・・・・ガス検出手段１１ａ、
ｌｌｂ・・・・・・熱風吹出部１２ａ、１２ｂ・・・・
・・吸引部 １３・・・・・・加熱送風部 １５ａ〜１５ｄ １７・・・・・・吸引通路 １６・・・・・・不純成分除去手段 １９ａ〜１９ｄ・・・・・・三方切換弁２０ａ〜２０ｄ
・・・・・・バイパス通路２１・・・・・・本体筒 ２３・・・・・・筒状カートリッジ ２４・・・・・・冷却フィン 代理人 弁理士 石 原 勝
略構成を示す縦断正面図、第２図（ａ）、（ｂ）は三方
向切換弁の切換状態を示す断面図、第３図は不純成分除
去手段の具体構成例を示す断面図である。 １・・・・・・リフロー炉 ２・・・・・・炉体 ９ａ、９ｂ、９ｃ、２９−− Ｎ ！ガス供給手段１０
ａ、１０ｂ、１０ｃ・・・・・・ガス検出手段１１ａ、
ｌｌｂ・・・・・・熱風吹出部１２ａ、１２ｂ・・・・
・・吸引部 １３・・・・・・加熱送風部 １５ａ〜１５ｄ １７・・・・・・吸引通路 １６・・・・・・不純成分除去手段 １９ａ〜１９ｄ・・・・・・三方切換弁２０ａ〜２０ｄ
・・・・・・バイパス通路２１・・・・・・本体筒 ２３・・・・・・筒状カートリッジ ２４・・・・・・冷却フィン 代理人 弁理士 石 原 勝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ほぼ密閉された炉体と、炉体内の雰囲気を循環させ
て雰囲気を維持するように処理する循環処理手段と、循
環通路に配置された不純成分除去手段とを備えているこ
とを特徴とする雰囲気炉。 （２）不純成分除去手段を冷却フィンにて構成したこと
を特徴とする請求項１記載の雰囲気炉。 （３）冷却フィン部を交換可能に構成したことを特徴と
する請求項２記載の雰囲気炉。 （４）不純成分除去手段のバイパス通路を設け、不純成
分除去手段とバイパス通路の切換手段を設けたことを特
徴とする請求項１、２又は３記載の雰囲気炉。 （５）不純成分濃度を検出する手段を設け、その検出信
号に基づいて切換手段を制御するように構成したことを
特徴とする請求項４記載の雰囲気炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114488A JP2895910B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 雰囲気炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114488A JP2895910B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 雰囲気炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0413474A true JPH0413474A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2895910B2 JP2895910B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=14639010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2114488A Expired - Fee Related JP2895910B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 雰囲気炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2895910B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0663733A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-08 | Saamaru:Kk | ろう付け連続装置 |
| JPH0777346A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Nippon Dennetsu Keiki Kk | 半田付け装置における排煙装置 |
| JP2005199346A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Yokota Technica:Kk | リフロー半田付け装置のメンテナンス方法及びリフロー半田付け装置 |
| WO2006082959A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Senju Metal Industry Co., Ltd | リフロー炉のフューム除去方法およびリフロー炉 |
| JP2008246514A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tamura Seisakusho Co Ltd | フラックス回収装置 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2114488A patent/JP2895910B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0663733A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-08 | Saamaru:Kk | ろう付け連続装置 |
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| KR100920393B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2009-10-07 | 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 | 리플로우 노의 퓸 제거 방법 및 리플로우 노 |
| EP1867424A4 (en) * | 2005-02-07 | 2010-01-27 | Senju Metal Industry Co | PROCESS FOR REMOVING EXHAUST GASES IN MELTING FURNACE AND MELTING OVEN |
| US7914595B2 (en) | 2005-02-07 | 2011-03-29 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Fume removal method for a reflow furnace and a reflow furnace |
| JP4899104B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2012-03-21 | 千住金属工業株式会社 | リフロー炉のフューム除去方法およびリフロー炉 |
| JP2008246514A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tamura Seisakusho Co Ltd | フラックス回収装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2895910B2 (ja) | 1999-05-31 |
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