JPH04135389A - 固体撮像素子のスミア量測定方法 - Google Patents
固体撮像素子のスミア量測定方法Info
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- JPH04135389A JPH04135389A JP2258514A JP25851490A JPH04135389A JP H04135389 A JPH04135389 A JP H04135389A JP 2258514 A JP2258514 A JP 2258514A JP 25851490 A JP25851490 A JP 25851490A JP H04135389 A JPH04135389 A JP H04135389A
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- Japan
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- voltage
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Testing, Inspecting, Measuring Of Stereoscopic Televisions And Televisions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、電子シャッタ機能付固体撮像素子のスミア量
測定方法に関する。
測定方法に関する。
〈発明の概要〉
本発明は、感光部に蓄積された信号電荷を基板に掃き出
すようになされた電子シャッタ機能付固体撮像素子にお
いて、通常動作時と電子シャッタ動作時の出力部の各出
力電圧をそれぞれ測定し、これら出力電圧をスミア量の
算出のためのパラメータとして用いることにより、過大
光量を照射しても電子シャッタ動作によってブルーミン
グの発生を阻止し、高精度にてスミア量を測定できるよ
うにしたものである。
すようになされた電子シャッタ機能付固体撮像素子にお
いて、通常動作時と電子シャッタ動作時の出力部の各出
力電圧をそれぞれ測定し、これら出力電圧をスミア量の
算出のためのパラメータとして用いることにより、過大
光量を照射しても電子シャッタ動作によってブルーミン
グの発生を阻止し、高精度にてスミア量を測定できるよ
うにしたものである。
〈従来の技術〉
固体撮像素子特有の現象の１つとして、スミアと称され
る偽信号の発生がある。このスミアは、信号線や垂直転
送部に光が混入したり、半導体基板内部に発生した信号
電荷が拡散により広がり、隣接画素や転送部に混入する
ことに起因して発生するものであり、その発生量（以下
、スミア量と称する）は入射光量に対して０．０１％程
度と非常に小さな値である。
る偽信号の発生がある。このスミアは、信号線や垂直転
送部に光が混入したり、半導体基板内部に発生した信号
電荷が拡散により広がり、隣接画素や転送部に混入する
ことに起因して発生するものであり、その発生量（以下
、スミア量と称する）は入射光量に対して０．０１％程
度と非常に小さな値である。
このスミア量の測定に当って、その測定精度を高めるた
めには、スミア量が入射光量に対して非常に小さな値で
あることから、入射光量を多くした状態で測定してやれ
ば良いことになる。しかしながら、入射光量を多くする
と、スミアと同様に固体撮像素子特有の現象であるブル
ーミングと称される偽信号が発生し、このブルーミング
成分との区別がつかなくなるので、スミア量を正確に測
定できないことになる。なお、ブルーミングとは、強い
光が入射した場合、画素が飽和し、信号電荷があふれ、
隣接画素や信号線、垂直転送部等に入り込み、画像の周
囲に白い部分が広がる現象である。
めには、スミア量が入射光量に対して非常に小さな値で
あることから、入射光量を多くした状態で測定してやれ
ば良いことになる。しかしながら、入射光量を多くする
と、スミアと同様に固体撮像素子特有の現象であるブル
ーミングと称される偽信号が発生し、このブルーミング
成分との区別がつかなくなるので、スミア量を正確に測
定できないことになる。なお、ブルーミングとは、強い
光が入射した場合、画素が飽和し、信号電荷があふれ、
隣接画素や信号線、垂直転送部等に入り込み、画像の周
囲に白い部分が広がる現象である。
上述した理由により、強い光を照射してのスミア量の測
定が困難であることから、従来は、水平シフトレジスタ
の駆動を停止することによってスミア量を測定する方法
が採られていた。この測定方法は、照射光量を飽和光量
の例えば１／２以下とすると、スミア成分が非常に小さ
く、測定限界以下となるので、１フイ一ルド期間に亘っ
て水平シフトレジスタの駆動を停止することにより、こ
のレジスタにスミア成分を蓄積し、その後水平シフトレ
ジスクを駆動して１フイ一ルド分のスミア成分を読み出
すことによってスミア量を測定する方法である（例えば
、特開昭６２−１０７５７８号公報参照）。
定が困難であることから、従来は、水平シフトレジスタ
の駆動を停止することによってスミア量を測定する方法
が採られていた。この測定方法は、照射光量を飽和光量
の例えば１／２以下とすると、スミア成分が非常に小さ
く、測定限界以下となるので、１フイ一ルド期間に亘っ
て水平シフトレジスタの駆動を停止することにより、こ
のレジスタにスミア成分を蓄積し、その後水平シフトレ
ジスクを駆動して１フイ一ルド分のスミア成分を読み出
すことによってスミア量を測定する方法である（例えば
、特開昭６２−１０７５７８号公報参照）。
この測定方法によれば、測定したスミア量は、１フイ一
ルド期間分のスミア量を蓄積したものであることから、
照射光量が少な（、測定限界以下であっても例えば２６
２倍のスミア量として測定できるので、測定精度を高め
ることができるのである。
ルド期間分のスミア量を蓄積したものであることから、
照射光量が少な（、測定限界以下であっても例えば２６
２倍のスミア量として測定できるので、測定精度を高め
ることができるのである。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上述した従来の測定方法では、水平シフ
トレジスタの駆動を１フイ一ルド期間に亘って停止する
ようになっているので、水平シフトレジスタの駆動タイ
ミングの変更が必要であり、さらには１フイ一ルド期間
の停止後水平シフトレジスタを駆動すると、駆動波形に
ひずのが生しる等の問題点があった。
トレジスタの駆動を１フイ一ルド期間に亘って停止する
ようになっているので、水平シフトレジスタの駆動タイ
ミングの変更が必要であり、さらには１フイ一ルド期間
の停止後水平シフトレジスタを駆動すると、駆動波形に
ひずのが生しる等の問題点があった。
そこで、本発明は、水平シフＩ・レジスタの駆動を停止
することなく、しかも過大光量を照射してもブルーミン
グ成分の影響を受けることなく高精度にてスミア量の測
定が可能な固体撮像素子のスミア量測定方法を提供する
ことを目的とする。
することなく、しかも過大光量を照射してもブルーミン
グ成分の影響を受けることなく高精度にてスミア量の測
定が可能な固体撮像素子のスミア量測定方法を提供する
ことを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
本発明による固体撮像素子のスミア量測定方法は、電子
シャッタ機能付固体撮像素子において、基板に所定の第
１レベルの電圧を印加して出力部の出力電圧を第１出力
電圧として測定し、次いで基板に前記第１レベルよりも
高い第２レベルの電圧を印加して出力部の出力電圧を第
２出力電圧として測定し、しかる後第１出力電圧に対す
る第２出力電圧の比に基づいてスミア量を求める各行程
からなっている。
シャッタ機能付固体撮像素子において、基板に所定の第
１レベルの電圧を印加して出力部の出力電圧を第１出力
電圧として測定し、次いで基板に前記第１レベルよりも
高い第２レベルの電圧を印加して出力部の出力電圧を第
２出力電圧として測定し、しかる後第１出力電圧に対す
る第２出力電圧の比に基づいてスミア量を求める各行程
からなっている。
〈作用〉
本発明による固体撮像素子のスミア量測定方法では、基
板に高レベル（第２レベル）の電圧を印加することによ
り、感光部に蓄積された信号電荷（不要電荷）を基板に
掃き出すいわゆる電子シャッタ動作が得られる。この電
子シャッタ動作により、過大光量を照射した場合であっ
てもブルーミングの発生を阻止できる。従って、電子シ
ャッタ時の出力部の出力電圧と、基板に低レベル（第１
レベル）の電圧を印加した通常動作時の出力電圧とをス
ミア量の算出バラメークとして用ることにより、スミア
量の測定精度が向上する。
板に高レベル（第２レベル）の電圧を印加することによ
り、感光部に蓄積された信号電荷（不要電荷）を基板に
掃き出すいわゆる電子シャッタ動作が得られる。この電
子シャッタ動作により、過大光量を照射した場合であっ
てもブルーミングの発生を阻止できる。従って、電子シ
ャッタ時の出力部の出力電圧と、基板に低レベル（第１
レベル）の電圧を印加した通常動作時の出力電圧とをス
ミア量の算出バラメークとして用ることにより、スミア
量の測定精度が向上する。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明による固体撮像素子のスミア量測定方
法が適用される例えばＣＣＤ撮像素子１及びその駆動系
の構成図である。図において、ＣＣＤ撮像素子１は、Ｎ
型シリコン基板２上に感光部３、垂直シフトレジスタ部
４、水平シフトレジスタ部及び出力部（共に目示せず）
が設けられたいわゆるインターライン転送方式のものと
して構成されている。
法が適用される例えばＣＣＤ撮像素子１及びその駆動系
の構成図である。図において、ＣＣＤ撮像素子１は、Ｎ
型シリコン基板２上に感光部３、垂直シフトレジスタ部
４、水平シフトレジスタ部及び出力部（共に目示せず）
が設けられたいわゆるインターライン転送方式のものと
して構成されている。
このＣＣＤｔＣＣＤ撮像素子１Ｎ型シリコン基板２の表
面側にＰ型領域５を形成し、このＰ型領域５の表面側に
更にＮ−型領域６を形成している。
面側にＰ型領域５を形成し、このＰ型領域５の表面側に
更にＮ−型領域６を形成している。
そして、感光部３は、このＮ−型領域６の表面側に浅い
Ｐ”型領域７を形成し、乙のＰ”型領域７の下方に信号
電荷蓄積領域を構成するＮ１型領域８を形成することに
よって構成されている。また、Ｐ４４型領域７及びＮ４
型領域８に隣接してチャンネルストップ部を構成するＰ
゛型領領域９形成する。
Ｐ”型領域７を形成し、乙のＰ”型領域７の下方に信号
電荷蓄積領域を構成するＮ１型領域８を形成することに
よって構成されている。また、Ｐ４４型領域７及びＮ４
型領域８に隣接してチャンネルストップ部を構成するＰ
゛型領領域９形成する。
垂直シフトレジスタ部４は、信号電荷転送領域を構成す
るＮ゛型領領域１０形成すると共に、このＮ＋型領領域
１０ＳｉＯ□よりなる絶縁層１１及びＳｉ３Ｎ、よりな
る絶縁層１２を介して多結晶シリコンよりなる転送電極
１３を形成することによって構成する。この場合、信号
電荷転送領域を構成するＮ゛型領領域１０下方にスミア
を防止するためのＰ型領域１４を形成する。また、感光
部３と垂直シフトレジスタ部４の間には、感光部３の信
号電荷を垂直シフトレジスタ部４へ読み出すための読み
出しゲート部１５を設ける。この読み出しゲート部１５
はチャンネル領域を構成するＰ型部域１６上に絶縁層１
１及び１２を介してゲート電極１７を形成することによ
って構成する。本例では、ゲート電極１７は多結晶シリ
コンにて転送電極１３と共通に形成される。
るＮ゛型領領域１０形成すると共に、このＮ＋型領領域
１０ＳｉＯ□よりなる絶縁層１１及びＳｉ３Ｎ、よりな
る絶縁層１２を介して多結晶シリコンよりなる転送電極
１３を形成することによって構成する。この場合、信号
電荷転送領域を構成するＮ゛型領領域１０下方にスミア
を防止するためのＰ型領域１４を形成する。また、感光
部３と垂直シフトレジスタ部４の間には、感光部３の信
号電荷を垂直シフトレジスタ部４へ読み出すための読み
出しゲート部１５を設ける。この読み出しゲート部１５
はチャンネル領域を構成するＰ型部域１６上に絶縁層１
１及び１２を介してゲート電極１７を形成することによ
って構成する。本例では、ゲート電極１７は多結晶シリ
コンにて転送電極１３と共通に形成される。
感光部３を除いて読み出しゲート部１５、垂直シフトレ
ジスタ部４及びチャンネルストップ部上には、絶縁層１
１を介して遮光用のアルミニウム層１８を設ける。なお
、第１図には、１個の転送電極１３のみを示しているが
、本例では周知のように４相駆動方弐により垂直シフト
レジスタ部４を駆動するように転送電極を配置する。
ジスタ部４及びチャンネルストップ部上には、絶縁層１
１を介して遮光用のアルミニウム層１８を設ける。なお
、第１図には、１個の転送電極１３のみを示しているが
、本例では周知のように４相駆動方弐により垂直シフト
レジスタ部４を駆動するように転送電極を配置する。
次に、例えば上述した構成のＣＣＤ撮像素子１のスミア
量を測定するための本発明によるスミア量測定方法につ
いて説明する。
量を測定するための本発明によるスミア量測定方法につ
いて説明する。
ＣＣＤ撮像素子１のスミア量の測定に当って、第２図の
タイムチャートに示すように、水平同期信号に同期して
ＩＨ（Ｈは水平走査期間）期間に１回Ｎ型シリコン基板
２に印加するための基板パルスＰｓを発生する基板パル
ス発生回路１９と、この基板パルス発生回路１９から出
力される基板パルスＰｓを基板端子２１を介してＮ型シ
リコン基板２に印加する駆動回路２０とが設けられてい
る。基板パルスＰｓの低いレベル（第１レベル）ｖＬは
、第３図に実線ａで示すように、Ｐ型領域５のポテンシ
ャルが信号電荷蓄積領域８のポテンシャルよりも浅くな
りかつ信号電荷蓄積領域８において信号電荷を蓄積でき
る電圧レベル（例えば、＋１２Ｖ程度）とし、また基板
パルスＰｓの高いレベル（第２レベル）■１１は、第３
図に破線すで示すように、Ｐ型領域５のポテンシャルが
信号電荷蓄積領域８のポテンシャルよりも深くなり、信
号電荷蓄積領域８に蓄積された信号電荷をＮ型シリコン
基板２に掃き出すことができる電圧レベル（例えば、＋
２７Ｖ程度）とする。
タイムチャートに示すように、水平同期信号に同期して
ＩＨ（Ｈは水平走査期間）期間に１回Ｎ型シリコン基板
２に印加するための基板パルスＰｓを発生する基板パル
ス発生回路１９と、この基板パルス発生回路１９から出
力される基板パルスＰｓを基板端子２１を介してＮ型シ
リコン基板２に印加する駆動回路２０とが設けられてい
る。基板パルスＰｓの低いレベル（第１レベル）ｖＬは
、第３図に実線ａで示すように、Ｐ型領域５のポテンシ
ャルが信号電荷蓄積領域８のポテンシャルよりも浅くな
りかつ信号電荷蓄積領域８において信号電荷を蓄積でき
る電圧レベル（例えば、＋１２Ｖ程度）とし、また基板
パルスＰｓの高いレベル（第２レベル）■１１は、第３
図に破線すで示すように、Ｐ型領域５のポテンシャルが
信号電荷蓄積領域８のポテンシャルよりも深くなり、信
号電荷蓄積領域８に蓄積された信号電荷をＮ型シリコン
基板２に掃き出すことができる電圧レベル（例えば、＋
２７Ｖ程度）とする。
また、ＣＣＤ ７ｉ％像素子１の構成を示す第４図にお
いて、水平シフトレジスタ部２３の最終端に設けられた
出力部２４の出力端子２５には電圧計２６が接続されて
いる。この電圧計２６は、Ｎ型シリコン基板２に低レベ
ル■、の電圧を印加した通常動作時の出力電圧■。ＵＴ
Ｉと、パルス幅が例えば２μｓｅｃ程度の高レベルＶ１
１の基板パルスＰｓを印加した電子シャッタ動作時の出
力電圧Ｖ。、□２とを計測するためのものである。
いて、水平シフトレジスタ部２３の最終端に設けられた
出力部２４の出力端子２５には電圧計２６が接続されて
いる。この電圧計２６は、Ｎ型シリコン基板２に低レベ
ル■、の電圧を印加した通常動作時の出力電圧■。ＵＴ
Ｉと、パルス幅が例えば２μｓｅｃ程度の高レベルＶ１
１の基板パルスＰｓを印加した電子シャッタ動作時の出
力電圧Ｖ。、□２とを計測するためのものである。
次に、ＣＣＤ撮像素子１のスミア量測定のための手順に
ついて説明する。
ついて説明する。
先ず、標準光量をＣＣＤ撮像素子１の全画角に照射しつ
つＮ型シリコン基板２に低レベル■、の電圧を印加し、
このときの出力部２４の出力電圧を第１出力電圧■。Ｌ
ＩＴ＋として電圧計２６により測定する（第１の行程）
。ここに、標準光量とは、例えば、感光部３を構成する
ホトセンサのダイナミックレンジの略半分に相当する光
量である。
つＮ型シリコン基板２に低レベル■、の電圧を印加し、
このときの出力部２４の出力電圧を第１出力電圧■。Ｌ
ＩＴ＋として電圧計２６により測定する（第１の行程）
。ここに、標準光量とは、例えば、感光部３を構成する
ホトセンサのダイナミックレンジの略半分に相当する光
量である。
次いで、標準光量の５００倍程度の過大光量をＣＣＤ撮
像素子素子全画角に照射しつつＮ型シリコン基板２に全
Ｈ期間に亘ってＩ Ｈ期間に１回、高レベルＶＩＩの基
板パルスＰｓを印加する。ここに、標準光量の５００倍
程度の過大光量とは、■Ｈ期間に感光部３が飽和すると
、ブルーミングとの成分分離ができなくなるため、１１
−１期間で感光部３が飽和しない程度の光量である。こ
の基板パルスＰｓの印加により、第２図に破線すで示す
如くポテンシャルバリヤーが崩れ、感光部３（信号電荷
蓄積領域８）に蓄積された信号電荷（不要電荷）がＮ型
シリコン基板２に掃き出されるため、信号電荷が垂直シ
フトレジスフ部４に流れ込むことに起因するブルーミン
グの発生を阻止できることになる。この状態において、
出力部２４の出力電圧を第２出力電圧Ｖ。Ｕ７□として
電圧計２６により測定する（第２の行程）。
像素子素子全画角に照射しつつＮ型シリコン基板２に全
Ｈ期間に亘ってＩ Ｈ期間に１回、高レベルＶＩＩの基
板パルスＰｓを印加する。ここに、標準光量の５００倍
程度の過大光量とは、■Ｈ期間に感光部３が飽和すると
、ブルーミングとの成分分離ができなくなるため、１１
−１期間で感光部３が飽和しない程度の光量である。こ
の基板パルスＰｓの印加により、第２図に破線すで示す
如くポテンシャルバリヤーが崩れ、感光部３（信号電荷
蓄積領域８）に蓄積された信号電荷（不要電荷）がＮ型
シリコン基板２に掃き出されるため、信号電荷が垂直シ
フトレジスフ部４に流れ込むことに起因するブルーミン
グの発生を阻止できることになる。この状態において、
出力部２４の出力電圧を第２出力電圧Ｖ。Ｕ７□として
電圧計２６により測定する（第２の行程）。
そして、測定した第１出力電圧■。ｌｌＴｌ及び第２出
力電圧■。ＬＩＴ□から次式に基づいてスミア量Ｓを求
める（第３の行程）。
力電圧■。ＬＩＴ□から次式に基づいてスミア量Ｓを求
める（第３の行程）。
Ｓ＝ （ｖｏｕｒｚ／ ＶＯＬＩＴＩ） Ｘ （１／
５００ ）このように、電子シャッタ機能付ＣＣＤ撮像
素子１において、電子シャッタ動作によってポテンシャ
ルバリヤーを強制的に崩すことにより、ブルーミングの
発生を阻止できることから、標準光量の５００倍程鹿の
過大光量を照射してスミア量を測定できるため、従来の
ように水平シフトレジスタの駆動を停止しなくても、測
定精度を上げることができることになる。
５００ ）このように、電子シャッタ機能付ＣＣＤ撮像
素子１において、電子シャッタ動作によってポテンシャ
ルバリヤーを強制的に崩すことにより、ブルーミングの
発生を阻止できることから、標準光量の５００倍程鹿の
過大光量を照射してスミア量を測定できるため、従来の
ように水平シフトレジスタの駆動を停止しなくても、測
定精度を上げることができることになる。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、電子シャッタ機
能付固体撮像素子において、通常動作時と電子シャンク
動作時の出力部の各出力電圧をそれぞれ測定し、これら
測定値を算出パラメータとして用いてスミア量を求める
ようにしたことにより、過大光量を照射しても電子シャ
ンク動作によってブルーミング成分の影響を受けること
なくスミア量を測定できるので、測定精度を上げること
ができる利点がある。
能付固体撮像素子において、通常動作時と電子シャンク
動作時の出力部の各出力電圧をそれぞれ測定し、これら
測定値を算出パラメータとして用いてスミア量を求める
ようにしたことにより、過大光量を照射しても電子シャ
ンク動作によってブルーミング成分の影響を受けること
なくスミア量を測定できるので、測定精度を上げること
ができる利点がある。
第１図は、本発明によるスミア量測定方法が適用される
ＣＣＤ撮像素子及びその駆動系の構成図、第２図は、ス
ミア量測定時のタイムチャー１・、第３図は、感光部の
縮方向のポテンシャル分布図、 第４図は、インターライン転送方式ＣＣＤ撮像素子の構
成図である。 １・・・ＣＣＤ撮像素子、 ２・・・Ｎ型シリコン基
板・・・感光部、 ４・・・垂直シフトレジスタ部・
・・信号電荷蓄積領域、 １３・・・転送電極７・・
・ゲート電極、 ２１・・・基板端子３・・・水
平シフトレジスタ部 ４・・・出力部。
ＣＣＤ撮像素子及びその駆動系の構成図、第２図は、ス
ミア量測定時のタイムチャー１・、第３図は、感光部の
縮方向のポテンシャル分布図、 第４図は、インターライン転送方式ＣＣＤ撮像素子の構
成図である。 １・・・ＣＣＤ撮像素子、 ２・・・Ｎ型シリコン基
板・・・感光部、 ４・・・垂直シフトレジスタ部・
・・信号電荷蓄積領域、 １３・・・転送電極７・・
・ゲート電極、 ２１・・・基板端子３・・・水
平シフトレジスタ部 ４・・・出力部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 感光部に蓄積された信号電荷を基板に掃き出すように
なされた電子シャッタ機能付固体撮像素子において、 前記基板に所定の第１レベルの電圧を印加して出力部の
出力電圧を第１出力電圧として測定する第１の行程と、 前記基板に前記第１レベルよりも高い第２レベルの電圧
を印加して出力部の出力電圧を第２出力電圧として測定
する第２の行程と、 前記第１出力電圧に対する前記第２出力電圧の比に基づ
いてスミア量を求める第３の行程とからなることを特徴
とするスミア量測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258514A JP2853310B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 固体撮像素子のスミア量測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258514A JP2853310B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 固体撮像素子のスミア量測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04135389A true JPH04135389A (ja) | 1992-05-08 |
| JP2853310B2 JP2853310B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=17321270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2258514A Expired - Fee Related JP2853310B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 固体撮像素子のスミア量測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853310B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161958A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP2258514A patent/JP2853310B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161958A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2853310B2 (ja) | 1999-02-03 |
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