JPH04136933A - 原稿検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、例えば複写機に装備される原稿検出装置に関
し、より詳しくは、外乱光による検出精度への悪影響を
確実に排除できる原稿検出装置に関する。

（従来の技術） 第７図（ａ）はこの種の原稿検出装置の一従来例を示し
ており、発光素子から投射される検出光（パルス光）及
び外乱光を受光素子４が受光すると、受光素子４．抵抗
Ｒを介装した線路５に光電流Ｉ、が発生し、抵抗Ｒによ
って電圧変換された出力ＶＰ　　（”’Ｉｐ　　・Ｒ）
が検出信号として得られる。

なお、受光素子４としては、例えばホトダイオードが用
いられ、図中ＶＣＣはホトダイオードに動作を行わせる
外部電源から供給されるバイアス電圧である。これらの
発、受光素子からなる原稿検出センサは、第１図に示さ
れるように、複写機１の原稿台ガラス２の下方に複数（
図示例では２個）設けられ、原稿検出センサＡ、Ｂの検
出結果、より具体的には受光素子４．４の検出結果によ
り原稿サイズ及び原稿りの有無が判定される構成になっ
ている。

このため、原稿検出センサＡ、　Ｂの配置位置は、例え
ば、Ａ４サイズの原稿とＢ４サイズの原稿とを識別でき
る位置に選定される。

（発明が解決しようとする課題） ところで、上記従来例においては、抵抗Ｒの大きさにつ
いて十分な配慮がなされていなかったのが実情であり、
外乱光が非常に大きくなった場合に、これの悪影響を受
け、原稿を検出できなくなるという欠点がある。

以下その理由を第７図（ｂ）及び第７図（ｃ）に従って
説明する。但し、第７図（ｂ）は縦軸に光電流■、を、
横軸に光強度Ｅをとって両者の関係を示すグラフ、第７
図（ｃ）は縦軸に出力Ｖ。

を、横軸に光強度Ｅとって両者の関係を示すグラフであ
る。

第７図（ｂ）から明らかなように、受光量の増加に連れ
て増大する光強度Ｅと光電流Ｉ、は比例関係にあり、第
７図（ｃ）はその時の出力Ｖ、と光強度Ｅとの関係を示
している。第７図（ｃ）において、出力Ｖ、の傾きは、
抵抗Ｒによって決定される。

即ち、第７図（ｂ）より下記０式の関係が成立し、 Ｅ＝Ｃ・　■、・・・■ 但し、Ｃは比例定数 また、上記した如く、Ｖｐ−Ｉｐ　　・Ｒの関係が成立
するので、傾きｖｐ　／Ｅ−（Ｉｐ　　・Ｒ）／（Ｃ・
ｒ、）　−Ｒ／Ｃとなり、傾きＶ　ｐ　／　Ｅが抵抗Ｒ
によって決定されることがわかる。

そして、上記従来例においてはこの抵抗Ｒの値が不適当
な値に選定されていたため、今、外乱光の光強度がＥ、
となる場合を仮定すると、この状態では光電流■、は流
れようとするが、出力Ｖ。

はバイアス電圧Ｖ。ｒ、を超えることができず、Ｅ。

点で飽和する。即ち、飽和点Ｅ。より光強度が大きな外
乱光を受けると、受光素子４からの検出信号を受は取る
ことができず、原稿りを検出できない。それ故、上記従
来例においては、強い外乱光が発生する雰囲気下で原稿
サイズを精度よく検出できないという不具合があった。

本発明はこのような従来技術の欠点を解決するためにな
されたものであり、強い外乱光が発生する雰囲気下でも
原稿サイズを精度よく検出できる原稿検出装置を提供す
ることを目的とする。

（課題を解決するための手段） 本発明の原稿検出装置は、発光素子及び受光素子を有す
る原稿検出センサを備え、受光素子により検出される光
電流を抵抗を含む電流／電圧変換回路により電圧変換し
、変換後の出力により原稿を検出する原稿検出装置にお
いて、該抵抗の値が予想される最大の外乱光を受けた時
の該出力の最大値が該受光素子に加えられるバイアス電
圧よりも小さくなるように設定され、そのことにより上
記目的が達成される。

（作用） 上記の如く、抵抗の値を適宜の値に選定し、予想される
最大の外乱光を受けた時の前記出力の最大値が前記受光
素子に加えられるバイアス電圧よりも小さくなるように
設定すれば、受光素子からの出力を確実に検出できるの
で、強い外乱光が発生ずる雰囲気下でも原稿の有無及び
原稿サイズを精度よく検出できる。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。

第１図は原稿検出センサの複写機に対する配置位置を示
す断面図であり、複写機１の原稿りがセットされる原稿
台ガラス２の下方における図上左右位置に原稿検出セン
サＡ、　　Ｂが配置される。原稿検出センサＡ、　　Ｂ
は反射型のセンサであり、発光ダイオードからなる発光
素子３及びホトダイオードからなる受光素子４を備えて
なる。即ち、発光素子３から上方に投射され、原稿面か
ら反射される検出光を受光素子４で受光し、これにより
原稿検出センサＡ、Ｂの検出域における原稿りの有無を
検出し、検出結果に基づき後述するＣＰＵ　１０が原稿
サイズを判定する構成をとる。

次に、原稿サイズの検出原理を第２図に従って説明する
。図示するように、原稿検出センサＡ。

Ｂは、マニュアルモード時において原稿台ガラス２の基
準線りを基準にしてセットされ、また自動給紙時におい
てこの位置に搬送される異種サイズの原稿α、β（β〉
α）の原稿サイズを検出できる位置に配置される。即ち
、原稿βの前端右側隅部を検出できる位置に原稿検出セ
ンサＡが配置され、原稿検出センサＡの後方位置であっ
て、原稿αの前端右側隅部を検出できる位置に原稿検出
センサＢが配置される。

このようなセンサ配置形態によれば、原稿検出センサＡ
、　　ＢのＯＮ、　ＯＦＦ状態により原稿サイズを判定
できる。即ち、下記第１表に示されるように、原稿台ガ
ラス２に原稿αが存在すると、原稿検出センサＢの上方
にのみ原稿αが存在するので、原稿検出センサＢの受光
素子４が原稿αからの反射光を受光し、原稿検出センサ
ＢがＯＮ状態になる。

一方、この時、原稿検出センサ△は叶Ｆ状態にある。

これに対して原稿台ガラス２上に原稿βが存在すると、
原稿検出センサＡ、Ｂの上方に原稿βが存在するので、
この状態では原稿検出センサＡ。

Ｂが共にＯＮ状態になる。一方、原稿台ガラス２」二に
原稿α又は原稿βが無い場合は、原稿検出センサＡ、Ｂ
が共にＯＮ状態になる。

従って、原稿検出センサＡ、ＢのＯＮ、　ＯＦＦ状態を
判定すれば、原稿α１　βの原稿サイズを検出でき、こ
れと併せて原稿α又は原稿βの有無を判定できる。この
判定動作は具体的にはＣＰＵｌ０によって行われる。

第１表 次に、第３図ｉこ従って受光素子４に接続される信号処
理回路９の詳細を説明する。なお、この信号処理回路９
は原稿検出センサＡ、　　Ｂに夫々接続されるが、以下
一方の信号処理回路９を代表して説明する。

受光素子４及び抵抗Ｒ′が介装される線路５の一端には
受光素子４を形成するホトダイオードに動作を行わせる
外部電源が接続され、この外部電源から受光素子４にバ
イアス電圧Ｖ。０が印加される。線路５の他端は接地さ
れている。

受光素子４が反射光を受光すると、線路５に光電流■、
が流れるが、この光電流Ｉ、は抵抗Ｒ′によって電流／
電圧変換され、線路５の途中に接続した信号処理線６を
通して検出信号（電圧信号）として取り出される。取り
出された検出信号は、交流結合部７に通され、ここで外
乱光成分が除去され、次いで、増幅器８に通され、ここ
で所定レベルまで増幅され、その後、ＣＰＵｌ０に与え
られる。そして、ＣＰＵｌ０が与えられた検出信号と、
予約設定されたＯＮ、ＯＦＦ判定用の判定レベルＶＴを
比較し、検出信号が判定レベルＶＴを超えた場合に原稿
検出センサΔ又はＢがＯＮ状態にあり、判定レベルＶ１
よりも低い場合にＯＦＦ状態にあると判定する。そして
、最終的に、両原稿検出センザΔ、Ｂからの検出出力に
より上記第１表に示される判定表に従い、原稿サイズ及
び原稿α又はβの有無を判定する。

以上の信号処理の内容を、第４図に示される状態を例に
とって説明する。但し、第４図は縦軸に出力Ｖ、を、横
軸に光強度Ｅをとって、両者の関係を示すグラフであり
、予想される最大レベルの外乱光Ｅ。を受光素子４が受
けた時に、受光素子４が原稿りからの反射光を受光した
状態を示している。

この場合の受光素子４の検出信号波形は、第５図（ａ）
に示されるように、原稿からの反射光を受光したパルス
状の信号波形と外乱光成分とを加えた信号レベルになっ
ている。

そして、交流結合部７を通ずことにより、この信号レベ
ルから外乱光成分が除去され、第５図（ｂ）に示される
ようにパルス状の信号波形のみからなる信号レベルとな
る。次いで、増幅器８により、第５図（Ｃ）に示される
レベルまで増幅され、判定レベルＶ□と比較され、これ
により原稿検出センサＡ、　　ＢのＯＮ、　ＯＮ状態が
判定される。

以上の本発明原稿検出装置において、線路５に介装され
る抵抗Ｒ′の値は、上記従来例の抵抗Ｒの値よりも小さ
な値に選定される。第６図は抵抗Ｒ′を用いた場合と抵
抗Ｒを用いた場合の出力Ｖｐの変化を対比して示すグラ
フである。

グラフから明らかなように、予想される外乱光の最大の
光強度をＥ％とすると、抵抗Ｒを用いた場合は、出力Ｖ
ｐは既に飽和しており、この状態で受光素子４が反射光
を受光したとしても、出力Ｖｐのレベルはバイアス電圧
Ｖ　ＣＣのままであり、原稿りの検出を行うことができ
ない。

これに対して抵抗Ｒ′によれば、光強度Ｅ、の外乱光を
受光したとしても、出力Ｖｐ（＝Ｖ、ｌ）は飽和してお
らず、原稿からの反射光を受光できる余裕がある。従っ
て、この状態においても原稿りの検出が可能である。

以上の関係により、本発明が対象とする抵抗Ｒ′の値は
、下記０式で示される条件を満たすものであればよい。

ＶＭ　＝　Ｉ　）Ｉ　・Ｒ’　＜　Ｖｃｃ−■但し、Ｖ
８は予想される最大の外乱光を受光した時の受光素子４
の検出出力（Ｖ、）である。

（発明の効果） 以上の本発明によれば、予想される最大の外乱光を受け
た時の前記出力の最大値が前記受光素子に加えられるバ
イアス電圧よりも小さくなるように設定する構成をとる
ので、外乱光の存在にもかかわらず、受光素子からの検
出信号を確実に受は取ることができる。従って、強い外
乱光が発生する雰囲気下でも原稿サイズを精度よく検出
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は原稿検出センサの複写機に対する配置位置を示
す断面図、第２図は原稿に対する原稿検出センサの配置
位置を示す図面、第３図は原稿検出センサ及びこれに接
続される信号処理回路を示す回路図、第４図は縦軸に出
力Ｖ、を、横軸に光強度Ｅをとって、両者の関係を示す
グラフ、第５図は信号処理回路における処理内容を示す
信号波形図、第６図は抵抗Ｒ′を用いた場合よ抵抗Ｒを
用いた場合の出力Ｖｐの変化を対比して示すグラフであ
る。 第７図（ａ）はこの種の原稿検出装置の一従来例を示す
図面、第７図（ｂ）は縦軸に出力Ｖ、を、横軸に光強度
Ｅとって両者の関係を示すグラフ、第７図（ｃ）は縦軸
に光電流Ｉ、を、横軸に光強度Ｅをとって両者の関係を
示すグラフである。 １・・・複写機、２・・・原稿台ガラス、３・・・発光
累子、４・・・受光素子、９・・・信号処理回路、１ｏ
・・・ｃＰＵ、Ａ、Ｂ・・・原稿検出センサ、Ｒ′・・
・抵抗、Ｄ、α。 β・・・原稿。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、発光素子及び受光素子を有する原稿検出センサを備
   え、受光素子により検出される光電流を抵抗を含む電流
   ／電圧変換回路により電圧変換し、変換後の出力により
   原稿を検出する原稿検出装置において、 該抵抗の値が予想される最大の外乱光を受けた時の該出
   力の最大値が該受光素子に加えられるバイアス電圧より
   も小さくなるように設定されている原稿検出装置。