JPH04137570A - 発光ダイオードランプ - Google Patents
発光ダイオードランプInfo
- Publication number
- JPH04137570A JPH04137570A JP2259202A JP25920290A JPH04137570A JP H04137570 A JPH04137570 A JP H04137570A JP 2259202 A JP2259202 A JP 2259202A JP 25920290 A JP25920290 A JP 25920290A JP H04137570 A JPH04137570 A JP H04137570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- resin
- light emitting
- particles
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は複数の発光色の発光ダイオードを用いた発光ダ
イオードランプに関する。
イオードランプに関する。
（ロ）従来の技術
従来より、発光ダイオードランプは、ステムとかリード
フレーム等のベースの上に発光ダイオード（素子）を載
置固着し、その発光ダイオードを覆うように透光性樹脂
をモールドしているが、特開昭６０−４２８８０号公報
に示されるように、発光ダイオードを覆う透光性樹脂に
は光拡散剤が混入されていて、これによって発光面積を
広げたり、複数の発光色の発光ダイオードを用いるとき
にはその色の混合を良くするようになされる。
フレーム等のベースの上に発光ダイオード（素子）を載
置固着し、その発光ダイオードを覆うように透光性樹脂
をモールドしているが、特開昭６０−４２８８０号公報
に示されるように、発光ダイオードを覆う透光性樹脂に
は光拡散剤が混入されていて、これによって発光面積を
広げたり、複数の発光色の発光ダイオードを用いるとき
にはその色の混合を良くするようになされる。
（ハ）発明が解決しようとする課題
ところが近年、テレビジョン学会訪第４４巻第５号（５
８５頁〜５９０頁）の記載の様に、一つの発光ダイオー
ドランプの中に３原色を含む発光色の異なる多数の発光
ダイオードを配置して混合色を表示する必要があると、
発光ダイオードは点発光光源に近いが物理的に発光ダイ
オードが十分に近接配置できないこととか、光拡散剤を
多量に混入すると光の減衰が著しくなり、特に青色発光
ダイオードの輝度が低いことから全体に表示輝度が低下
するので光拡散剤の混入を少なくせざるを得ないなどの
理由により、各発光ダイオードの発光場所が表示面に現
れて十分な混合色を得ることができなかった。
８５頁〜５９０頁）の記載の様に、一つの発光ダイオー
ドランプの中に３原色を含む発光色の異なる多数の発光
ダイオードを配置して混合色を表示する必要があると、
発光ダイオードは点発光光源に近いが物理的に発光ダイ
オードが十分に近接配置できないこととか、光拡散剤を
多量に混入すると光の減衰が著しくなり、特に青色発光
ダイオードの輝度が低いことから全体に表示輝度が低下
するので光拡散剤の混入を少なくせざるを得ないなどの
理由により、各発光ダイオードの発光場所が表示面に現
れて十分な混合色を得ることができなかった。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は上述の欠点を改めるためになされたもので、透
光性樹脂の中に光散乱性の粒子と光透過性の粒子を混入
するもので、より好ましくは透光性樹脂を発光ダイオー
ドを覆う軟質樹脂とその軟質樹脂を覆う硬質！脂とで構
成するものである。
光性樹脂の中に光散乱性の粒子と光透過性の粒子を混入
するもので、より好ましくは透光性樹脂を発光ダイオー
ドを覆う軟質樹脂とその軟質樹脂を覆う硬質！脂とで構
成するものである。
（ホ）作用
これにより光散乱性の粒子は光拡散を行って光を透光性
樹脂の内部に広く拡散し光透過性の粒子は光屈折を行っ
て粒子の近くの光を散乱させ、その相乗効果で輝度の均
一化と混合色を得る。さらに樹脂層を２重にすることで
樹脂が発光ダイオードに与えるストレスを緩和し、樹脂
量を多くすることができ、そして樹脂層毎に粒子の量な
どを変化させることによってより効果的に混合色を得る
ことができる。
樹脂の内部に広く拡散し光透過性の粒子は光屈折を行っ
て粒子の近くの光を散乱させ、その相乗効果で輝度の均
一化と混合色を得る。さらに樹脂層を２重にすることで
樹脂が発光ダイオードに与えるストレスを緩和し、樹脂
量を多くすることができ、そして樹脂層毎に粒子の量な
どを変化させることによってより効果的に混合色を得る
ことができる。
（へ）実施例
図は本発明の発光ダイオードランプの側面断面図で、１
はベースで、ヘッダ加工により天面を平坦化したリード
線、平板を先端に溶着したリード線、あるいは従来から
トランジスタ等によく用いるステムなどからなり、リー
ド線の場合は銅、鉄等を主材とし、ステムの場合は例え
ばニッケル、コバルトを含有した鉄合金（コバール）等
の皿状金属成形品からなるキャンに硝子質の絶縁材を介
して配線用リード線を植設したものを用いる。ステムは
発光ダイオードの載置面積が広く確保でき又放熱がよい
ので好ましいが、リード線の上に３個以上の発光ダイオ
ードが載置できればこれを利用できる。
はベースで、ヘッダ加工により天面を平坦化したリード
線、平板を先端に溶着したリード線、あるいは従来から
トランジスタ等によく用いるステムなどからなり、リー
ド線の場合は銅、鉄等を主材とし、ステムの場合は例え
ばニッケル、コバルトを含有した鉄合金（コバール）等
の皿状金属成形品からなるキャンに硝子質の絶縁材を介
して配線用リード線を植設したものを用いる。ステムは
発光ダイオードの載置面積が広く確保でき又放熱がよい
ので好ましいが、リード線の上に３個以上の発光ダイオ
ードが載置できればこれを利用できる。
２はベース１の略中央に載置固着され他のリード線（配
線用リード１ＩＡ） ３に配線が施された発光ダイオー
ド（素子）で、ＧａＰ赤色発光ダイオード、ＧａＰ緑色
発光ダイオード、ＳｉＣ青色発光ダイオードなどからな
り、ＳｉＣ青色発光ダイオードの輝度が著しく低い場合
などには同じ素子複数個をベアにして用いたり、あるい
は必要に応じてサブマウントを介して導電性接着剤等で
ベースｌに固着され、これらの発光ダイオード２は各々
リード線３に対してＴＡＢ （テープ・オートメイティ
ッド・ボンディング）又はワイヤボンド法等で配線が施
され、混合色が出易い様に各素子の側面が他の素子の側
面に近接して対向するよう配置されている。
線用リード１ＩＡ） ３に配線が施された発光ダイオー
ド（素子）で、ＧａＰ赤色発光ダイオード、ＧａＰ緑色
発光ダイオード、ＳｉＣ青色発光ダイオードなどからな
り、ＳｉＣ青色発光ダイオードの輝度が著しく低い場合
などには同じ素子複数個をベアにして用いたり、あるい
は必要に応じてサブマウントを介して導電性接着剤等で
ベースｌに固着され、これらの発光ダイオード２は各々
リード線３に対してＴＡＢ （テープ・オートメイティ
ッド・ボンディング）又はワイヤボンド法等で配線が施
され、混合色が出易い様に各素子の側面が他の素子の側
面に近接して対向するよう配置されている。
４は発光ダイオード２を覆う透光性樹脂で、ベース１の
上方にはレンズ部が形成され、光散乱性の粒子と光透過
性の粒子が混入されている。
上方にはレンズ部が形成され、光散乱性の粒子と光透過
性の粒子が混入されている。
より具体的に説明すると、発光ダイオード２は一辺が約
０．２〜０．３ｍｍの略さいころ状をなしており、透光
性樹脂は脂環型のエポキシ樹脂を主成分とする直径５
ｍ ｍ 、高さ８〜９ｍｍのもの（先端に半径２．５ｍ
ｍの半球状レンズ部を形成しである）である。そして、
光散乱性の粒子は炭酸カルシウム、シリカなどの平均粒
径４μｍ程度の微粒子であり、光透過性の粒子はＳｉｎ
、、Ａ１．Ｏ，などを主成分とする平均粒径４５μｍ程
度の硝子質の繊維からなり、この場合には最も好ましく
は１重量パーセント前後が混入されている。光散乱性の
粒子が多い場合には暗くなり、例えば２％を越すと上述
した好ましい例のランプを１／２デユーテイ駆動した程
度の明るさになる。
０．２〜０．３ｍｍの略さいころ状をなしており、透光
性樹脂は脂環型のエポキシ樹脂を主成分とする直径５
ｍ ｍ 、高さ８〜９ｍｍのもの（先端に半径２．５ｍ
ｍの半球状レンズ部を形成しである）である。そして、
光散乱性の粒子は炭酸カルシウム、シリカなどの平均粒
径４μｍ程度の微粒子であり、光透過性の粒子はＳｉｎ
、、Ａ１．Ｏ，などを主成分とする平均粒径４５μｍ程
度の硝子質の繊維からなり、この場合には最も好ましく
は１重量パーセント前後が混入されている。光散乱性の
粒子が多い場合には暗くなり、例えば２％を越すと上述
した好ましい例のランプを１／２デユーテイ駆動した程
度の明るさになる。
−刀先透過性の粒子が多くなると発光ダイオード２の発
光位置が視認され、あるいは透光性樹脂の表面に輝点が
現れたり、実際に表面に凹凸が観察される。これらのこ
とから、上述の樹脂量に対しては、光散乱性の粒子は粒
径が１〜２０μｍに対して０．３％〜１．５％、光透過
性の粒子は０゜５％〜２．２％であることが好ましい。
光位置が視認され、あるいは透光性樹脂の表面に輝点が
現れたり、実際に表面に凹凸が観察される。これらのこ
とから、上述の樹脂量に対しては、光散乱性の粒子は粒
径が１〜２０μｍに対して０．３％〜１．５％、光透過
性の粒子は０゜５％〜２．２％であることが好ましい。
そして上述したように樹脂の量が多い（特には透光性樹
脂の高さが高い）場合には発光ダイオードから表示面ま
での光路長が長くなるので色の混合もよくなるが、樹脂
の全体量が少ない場合には発光ダイオードの位置が観察
され易くなるので光散乱性の粒子を多口に必要とする。
脂の高さが高い）場合には発光ダイオードから表示面ま
での光路長が長くなるので色の混合もよくなるが、樹脂
の全体量が少ない場合には発光ダイオードの位置が観察
され易くなるので光散乱性の粒子を多口に必要とする。
また上述の例に於て、透光性樹脂を複数層で構成し、発
光ダイオード２を軟質樹脂で覆った後全体を硬質樹脂で
覆うと、より混色がよくなり、又発光ダイオードにスト
レスが加わらない。例えばベース１の表面が十分広い場
合、この表面に略半球状に盛り上がる程度（流れ落ちな
い程度）のシリコン系の軟質樹脂を滴下し、１５０℃３
時間で予備硬化をする。次いで前述のエポキシ樹脂を用
いて成形金型中で１． ＯＯ℃２時間の予備硬化をしそ
の後１４０℃４時間の硬化をする。軟質樹脂中には光散
乱性の粒子のみを２％前後混入しても樹脂量が少ないの
で余り暗くならない。そしてこの場合の軟質樹脂は全く
予備硬化しない流体状であっても、あるいは上述のよう
に短時間の予備硬化により未硬化のままであっても構わ
ない。完全硬化するにはシリコンゴムのようなものが好
ましいが、樹脂自体の光透過度は高くなければ光吸収を
起こし光散乱をしないで表示が暗くなるので注意を要す
る。
光ダイオード２を軟質樹脂で覆った後全体を硬質樹脂で
覆うと、より混色がよくなり、又発光ダイオードにスト
レスが加わらない。例えばベース１の表面が十分広い場
合、この表面に略半球状に盛り上がる程度（流れ落ちな
い程度）のシリコン系の軟質樹脂を滴下し、１５０℃３
時間で予備硬化をする。次いで前述のエポキシ樹脂を用
いて成形金型中で１． ＯＯ℃２時間の予備硬化をしそ
の後１４０℃４時間の硬化をする。軟質樹脂中には光散
乱性の粒子のみを２％前後混入しても樹脂量が少ないの
で余り暗くならない。そしてこの場合の軟質樹脂は全く
予備硬化しない流体状であっても、あるいは上述のよう
に短時間の予備硬化により未硬化のままであっても構わ
ない。完全硬化するにはシリコンゴムのようなものが好
ましいが、樹脂自体の光透過度は高くなければ光吸収を
起こし光散乱をしないで表示が暗くなるので注意を要す
る。
（ト）発明の効果
以上の如くにより、光散乱性の粒子は光拡散を行って光
を透光性樹脂の内部に広く拡散し、光透過性の粒子は光
屈折を行って粒子の近くの光を散乱させ、その相乗効果
で輝度の均一化と混合色を得ることができ、例えば各々
の発光ダイオードの単独発光をした場合の表示面輝度が
、赤（中心波長７００ｎｍ）３ｍｃｄ、緑（中心波長５
６０ｎｍ）２ｍｃｄ青（中心波長４７０ｎｍ）１．５ｍ
ｃｄの発光ダイオードを用いて、電流一定の均等時分割
駆動により、白、赤、橙、黄、緑、青、紫の表示色を鮮
やかに得ることができた。さらに樹脂層を２重にするこ
とで樹脂が発光ダイオードに与えるストレスを緩和し、
樹脂量を多くすることができ、そして樹脂層毎に粒子の
量などを変化させることでより一層発光ダイオードの発
光位置を不鮮明とし均一な輝度で混色を得ることができ
、上述した７色を基準として時分割駆動のデユーティを
変化させたり、駆動電流制御回路を設けたりすることに
より６４色の多色表示を行うことができた。
を透光性樹脂の内部に広く拡散し、光透過性の粒子は光
屈折を行って粒子の近くの光を散乱させ、その相乗効果
で輝度の均一化と混合色を得ることができ、例えば各々
の発光ダイオードの単独発光をした場合の表示面輝度が
、赤（中心波長７００ｎｍ）３ｍｃｄ、緑（中心波長５
６０ｎｍ）２ｍｃｄ青（中心波長４７０ｎｍ）１．５ｍ
ｃｄの発光ダイオードを用いて、電流一定の均等時分割
駆動により、白、赤、橙、黄、緑、青、紫の表示色を鮮
やかに得ることができた。さらに樹脂層を２重にするこ
とで樹脂が発光ダイオードに与えるストレスを緩和し、
樹脂量を多くすることができ、そして樹脂層毎に粒子の
量などを変化させることでより一層発光ダイオードの発
光位置を不鮮明とし均一な輝度で混色を得ることができ
、上述した７色を基準として時分割駆動のデユーティを
変化させたり、駆動電流制御回路を設けたりすることに
より６４色の多色表示を行うことができた。
図は本発明の発光ダイオードランプの側面断面図である
。 １・・・・ベース、２・・・・発光ダイオード、３・・
・・ノード線、４・・・・透光性樹脂。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣（外２名）
。 １・・・・ベース、２・・・・発光ダイオード、３・・
・・ノード線、４・・・・透光性樹脂。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣（外２名）
Claims (1)
- （１）ベースと、ベースに載置固着され配線が施された
互いに発光色の異なる複数の発光ダイオードと、発光ダ
イオードを覆う透光性樹脂とを具備した発光ダイオード
ランプに於て、前記透光性樹脂には光散乱性の粒子と光
透過性の粒子とが混入されていることを特徴とする発光
ダイオードランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2259202A JPH04137570A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 発光ダイオードランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2259202A JPH04137570A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 発光ダイオードランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137570A true JPH04137570A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17330807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2259202A Pending JPH04137570A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 発光ダイオードランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137570A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122784A (ja) * | 1992-07-14 | 1995-05-12 | Takashi Fukaya | 発光ダイオード |
| JP2000004050A (ja) * | 1998-03-27 | 2000-01-07 | Yoshio Takada | 発光体 |
| JP2001156378A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Sharp Corp | 発光素子、及びそれを搭載した電子機器 |
| US6833563B2 (en) * | 2001-09-25 | 2004-12-21 | Intel Corporation | Multi-stack surface mount light emitting diodes |
| US6888168B2 (en) * | 1997-02-18 | 2005-05-03 | Tessera, Inc. | Semiconductor package having light sensitive chips |
| US7078732B1 (en) | 1996-06-26 | 2006-07-18 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
| KR100616594B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 색 혼합성이 향상된 ｒｇｂ 발광 다이오드 패키지 |
| JP2006319224A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 白色発光ダイオード |
| US7235189B2 (en) | 1996-09-20 | 2007-06-26 | Osram Gmbh | Method of producing a wavelength-converting casting composition |
| JP2009294652A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-12-17 | Yasuhiro Koike | Ｌｅｄ用光学素子 |
| JP2010520643A (ja) * | 2007-03-08 | 2010-06-10 | センサーズ・フォー・メデセン・アンド・サイエンス・インコーポレーテッド | 過酷な環境のための発光ダイオード |
| JP2010529645A (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 発光体を有するシリコン成形部材 |
| JP2011249852A (ja) * | 2011-09-02 | 2011-12-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光源装置 |
| JP2012129568A (ja) * | 2007-08-24 | 2012-07-05 | Cree Inc | 異なるサイズの光散乱粒子を用いた発光デバイスのパッケージ |
| JP2012178598A (ja) * | 2012-05-14 | 2012-09-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| US9273830B2 (en) | 2007-06-14 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Light source with near field mixing |
| US9287469B2 (en) | 2008-05-02 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP2259202A patent/JPH04137570A/ja active Pending
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122784A (ja) * | 1992-07-14 | 1995-05-12 | Takashi Fukaya | 発光ダイオード |
| EP2267801B1 (de) | 1996-06-26 | 2015-05-27 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| US7629621B2 (en) | 1996-06-26 | 2009-12-08 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
| US7345317B2 (en) | 1996-06-26 | 2008-03-18 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescene conversion element |
| EP2284912A1 (de) * | 1996-06-26 | 2011-02-16 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| EP2270877A1 (de) * | 1996-06-26 | 2011-01-05 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| US7078732B1 (en) | 1996-06-26 | 2006-07-18 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
| US7151283B2 (en) | 1996-06-26 | 2006-12-19 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
| US7126162B2 (en) | 1996-06-26 | 2006-10-24 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
| US7276736B2 (en) | 1996-09-20 | 2007-10-02 | Osram Gmbh | Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component |
| US7235189B2 (en) | 1996-09-20 | 2007-06-26 | Osram Gmbh | Method of producing a wavelength-converting casting composition |
| US7095054B2 (en) | 1997-02-18 | 2006-08-22 | Tessera, Inc. | Semiconductor package having light sensitive chips |
| US6888168B2 (en) * | 1997-02-18 | 2005-05-03 | Tessera, Inc. | Semiconductor package having light sensitive chips |
| JP2000004050A (ja) * | 1998-03-27 | 2000-01-07 | Yoshio Takada | 発光体 |
| JP2001156378A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Sharp Corp | 発光素子、及びそれを搭載した電子機器 |
| US6833563B2 (en) * | 2001-09-25 | 2004-12-21 | Intel Corporation | Multi-stack surface mount light emitting diodes |
| KR100616594B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 색 혼합성이 향상된 ｒｇｂ 발광 다이오드 패키지 |
| US7321137B2 (en) | 2004-07-02 | 2008-01-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | RGB light emitting diode package with improved color mixing properties |
| JP2006319224A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 白色発光ダイオード |
| JP2010520643A (ja) * | 2007-03-08 | 2010-06-10 | センサーズ・フォー・メデセン・アンド・サイエンス・インコーポレーテッド | 過酷な環境のための発光ダイオード |
| JP2010529645A (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 発光体を有するシリコン成形部材 |
| US9273830B2 (en) | 2007-06-14 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Light source with near field mixing |
| JP2012129568A (ja) * | 2007-08-24 | 2012-07-05 | Cree Inc | 異なるサイズの光散乱粒子を用いた発光デバイスのパッケージ |
| US11114594B2 (en) | 2007-08-24 | 2021-09-07 | Creeled, Inc. | Light emitting device packages using light scattering particles of different size |
| US9287469B2 (en) | 2008-05-02 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode |
| JP2009294652A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-12-17 | Yasuhiro Koike | Ｌｅｄ用光学素子 |
| JP2011249852A (ja) * | 2011-09-02 | 2011-12-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光源装置 |
| JP2012178598A (ja) * | 2012-05-14 | 2012-09-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
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