JPH0413883B2 - - Google Patents
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- JPH0413883B2 JPH0413883B2 JP62336787A JP33678787A JPH0413883B2 JP H0413883 B2 JPH0413883 B2 JP H0413883B2 JP 62336787 A JP62336787 A JP 62336787A JP 33678787 A JP33678787 A JP 33678787A JP H0413883 B2 JPH0413883 B2 JP H0413883B2
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- pendulum
- spring
- bending spring
- etching
- bending
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- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 6
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
- F16F1/00—Springs
- F16F1/02—Springs made of steel or other material having low internal friction; Wound, torsion, leaf, cup, ring or the like springs, the material of the spring not being relevant
- F16F1/18—Leaf springs
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
- F16C11/00—Pivots; Pivotal connections
- F16C11/04—Pivotal connections
- F16C11/12—Pivotal connections incorporating flexible connections, e.g. leaf springs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Springs (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Bending Of Plates, Rods, And Pipes (AREA)
- Non-Disconnectible Joints And Screw-Threaded Joints (AREA)
- Wire Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、選択的にエツチングされたシリコン
ウエーハ材料から成る曲げばね継ぎ手(Biege−
federgelenk)、その製造方法及びマイクロメカニ
カル(mikromechanischer)単結晶エツチング
技術により製造されたそのような曲げばね継ぎ手
の応用に関する。
ウエーハ材料から成る曲げばね継ぎ手(Biege−
federgelenk)、その製造方法及びマイクロメカニ
カル(mikromechanischer)単結晶エツチング
技術により製造されたそのような曲げばね継ぎ手
の応用に関する。
選択的にエツチングされたシリコンウエーハ材
料から成る本発明によるマイクロメカニカル曲げ
ばね継ぎ手は、互いに並んで配置された二つの板
ばねから成る。これらの二つの板ばねは互いに交
差し、かつ上記ウエーハの主面に対して斜めに走
り、これらは選択エツチングにより上記ウエーハ
から一体で作られる。この曲げばね継ぎ手は、支
点位置及び曲げばね定数が高精度であり、横軸剛
性が高いという特徴がある。
料から成る本発明によるマイクロメカニカル曲げ
ばね継ぎ手は、互いに並んで配置された二つの板
ばねから成る。これらの二つの板ばねは互いに交
差し、かつ上記ウエーハの主面に対して斜めに走
り、これらは選択エツチングにより上記ウエーハ
から一体で作られる。この曲げばね継ぎ手は、支
点位置及び曲げばね定数が高精度であり、横軸剛
性が高いという特徴がある。
多くの応用、例えば振り子をフレキシブルに吊
るすような応用のためには、正確に定められた支
点とはつきりしたばね定数とを有する曲げばね継
ぎ手が必要とされる。
るすような応用のためには、正確に定められた支
点とはつきりしたばね定数とを有する曲げばね継
ぎ手が必要とされる。
そのような曲げばね継ぎ手として、平たい金属
の板ばねを使用することが知られている。この板
ばねは、支点とばね定数とに関して必要な精度を
得るために、レーザー溶接法により溶接して層の
複合構造を形成した冷間圧延金属薄片から作られ
る。また、金属ストリツプ材料からミリング法
(Fra¨sverfahren)により曲げばね要素を作るこ
とも知られている。この場合、この金属ストリツ
プ材料は、電解研磨法により所望の厚さにエツチ
ングされる。このタイプの金属ばねの製造方法
は、複雑でコストも高い。上述の複合技術により
作られた金属ばねの場合には、多層構造から種々
の困難が生じる。その上、金属は一般に所望の高
いフレキシブルな性質を持たないため、しばしば
降伏点に到達してしまう。さらに、金属に存在す
るヒステリシスは、ばねの予張力
(Federvorspannung)の安定性を損なつてしま
う。
の板ばねを使用することが知られている。この板
ばねは、支点とばね定数とに関して必要な精度を
得るために、レーザー溶接法により溶接して層の
複合構造を形成した冷間圧延金属薄片から作られ
る。また、金属ストリツプ材料からミリング法
(Fra¨sverfahren)により曲げばね要素を作るこ
とも知られている。この場合、この金属ストリツ
プ材料は、電解研磨法により所望の厚さにエツチ
ングされる。このタイプの金属ばねの製造方法
は、複雑でコストも高い。上述の複合技術により
作られた金属ばねの場合には、多層構造から種々
の困難が生じる。その上、金属は一般に所望の高
いフレキシブルな性質を持たないため、しばしば
降伏点に到達してしまう。さらに、金属に存在す
るヒステリシスは、ばねの予張力
(Federvorspannung)の安定性を損なつてしま
う。
精密機械工学及びマイクロメカニツクスにおい
ては、異方性エツチング及びエツチングレジスト
技術(A¨tzstopptechnik)によりシリコン単結晶
ウエーハから曲げばね要素を製造することも知ら
れている。この場合には、たいていの場合におい
て、例えば振り子への応用においては、一定では
あるが自由に選択可能な幅、長さ及び深さを有す
るストリツプが、ウエーハ材料中に振り子の方向
に対して横方向にエツチングされる。このような
エツチングストリツプの幅、長さ及び深さは、振
り子支点位置、従つて振り子の長さ、フレキシブ
ルな振り子継ぎ手のばね定数及び振り子の横軸剛
性(Queraachsensteifigkeit)の精度を決定す
る。断面で見ると、曲げばね継ぎ手の上記エツチ
ングストリツプは、結晶軸の位置によつて例えば
台形の谷となり、この谷の底は背面のウエーハ面
に平行に走る。これについては、添付図面の第1
図を参照されたい。
ては、異方性エツチング及びエツチングレジスト
技術(A¨tzstopptechnik)によりシリコン単結晶
ウエーハから曲げばね要素を製造することも知ら
れている。この場合には、たいていの場合におい
て、例えば振り子への応用においては、一定では
あるが自由に選択可能な幅、長さ及び深さを有す
るストリツプが、ウエーハ材料中に振り子の方向
に対して横方向にエツチングされる。このような
エツチングストリツプの幅、長さ及び深さは、振
り子支点位置、従つて振り子の長さ、フレキシブ
ルな振り子継ぎ手のばね定数及び振り子の横軸剛
性(Queraachsensteifigkeit)の精度を決定す
る。断面で見ると、曲げばね継ぎ手の上記エツチ
ングストリツプは、結晶軸の位置によつて例えば
台形の谷となり、この谷の底は背面のウエーハ面
に平行に走る。これについては、添付図面の第1
図を参照されたい。
上述の従来技術には、最も高い精度で振り子を
吊るためには、金属ばねの場合とマイクロメカニ
カルエツチング技術により製造された曲げばねの
場合との両方の場合において改良すべき問題が残
されている。シリコン単結晶材料から製造された
曲げばね要素の場合には、上述のヒステリシスの
問題は存在しない。しかし、特に振り子の支点の
位置は両者の場合において十分な精度で定めるこ
とができない。また、横軸剛性はあまりにも小さ
い。すなわち、振り子継ぎ手の共振があまりにも
低すぎる。
吊るためには、金属ばねの場合とマイクロメカニ
カルエツチング技術により製造された曲げばねの
場合との両方の場合において改良すべき問題が残
されている。シリコン単結晶材料から製造された
曲げばね要素の場合には、上述のヒステリシスの
問題は存在しない。しかし、特に振り子の支点の
位置は両者の場合において十分な精度で定めるこ
とができない。また、横軸剛性はあまりにも小さ
い。すなわち、振り子継ぎ手の共振があまりにも
低すぎる。
従つて本発明は、支点位置、ばね定数及び横軸
剛性に関して、従来知られている金属の曲げばね
継ぎ手または選択的にエツチングされた(シリコ
ン)ウエーハ材料から得られる曲げばね継ぎ手よ
りも十分に高精度であるという要求を満たすマイ
クロメカニカル曲げばね継ぎ手を製造する目的に
基づいている。
剛性に関して、従来知られている金属の曲げばね
継ぎ手または選択的にエツチングされた(シリコ
ン)ウエーハ材料から得られる曲げばね継ぎ手よ
りも十分に高精度であるという要求を満たすマイ
クロメカニカル曲げばね継ぎ手を製造する目的に
基づいている。
選択的にエツチングされたウエーハ材料から成
る本発明によるマイクロメカニカル曲げばね継ぎ
手は、互いに並んで配置された二つの板ばねによ
り特徴づけられる。これらの二つの板ばねは互い
に交差し、かつウエーハの主面に対して斜めに走
り、これらはウエーハから選択エツチングにより
一体で得られる。
る本発明によるマイクロメカニカル曲げばね継ぎ
手は、互いに並んで配置された二つの板ばねによ
り特徴づけられる。これらの二つの板ばねは互い
に交差し、かつウエーハの主面に対して斜めに走
り、これらはウエーハから選択エツチングにより
一体で得られる。
これらの交差板ばねは、それらの交差点で相互
に接続されてよい。しかし、エツチングマスクの
形状を適切に選択することにより、単にエツチン
グプロセス及び適切なドーピングプロセスを用い
るだけで、言い換えれば他の処理方法を用いるこ
となしに、これらの二つの交差ばね板を材料によ
る接続なしに互いに自由な状態で並んで形成する
ことが可能である。
に接続されてよい。しかし、エツチングマスクの
形状を適切に選択することにより、単にエツチン
グプロセス及び適切なドーピングプロセスを用い
るだけで、言い換えれば他の処理方法を用いるこ
となしに、これらの二つの交差ばね板を材料によ
る接続なしに互いに自由な状態で並んで形成する
ことが可能である。
支点位置、曲げばね定数及び横軸剛性に関して
高精度の曲げばね継ぎ手を選択エツチング技術に
よりシリコンウエーハから製造するための本発明
による製造方法は、二つの交差板ばね要素を形成
するためにシリコンウエーハの共同的な二面エツ
チングを用いることを特徴とする。これらの交差
板ばね要素は、特に、互いに並んで、しかし横方
向に互いにオフセツトして配置さている二つのV
形溝により製造される。これらのV形溝は、いず
れもシリコンウエーハの二つの主面からの異方性
選択エツチングにより形成される。これらの交差
板ばねは、エツチングの間にウエーハの一方の主
面上のV形溝とウエーハの他方の主面上のV形溝
との間に形成される傾斜した壁部により形成さ
れ、また、これらのばね板の厚さはエツチングレ
ジスト技術により制御される。
高精度の曲げばね継ぎ手を選択エツチング技術に
よりシリコンウエーハから製造するための本発明
による製造方法は、二つの交差板ばね要素を形成
するためにシリコンウエーハの共同的な二面エツ
チングを用いることを特徴とする。これらの交差
板ばね要素は、特に、互いに並んで、しかし横方
向に互いにオフセツトして配置さている二つのV
形溝により製造される。これらのV形溝は、いず
れもシリコンウエーハの二つの主面からの異方性
選択エツチングにより形成される。これらの交差
板ばねは、エツチングの間にウエーハの一方の主
面上のV形溝とウエーハの他方の主面上のV形溝
との間に形成される傾斜した壁部により形成さ
れ、また、これらのばね板の厚さはエツチングレ
ジスト技術により制御される。
ばね板の厚さを決定するためには、ばね板また
はウエーハの少なくとも一方の主面に選択的にド
ーピングするためのエツチングレジスト薬剤とし
てホウ素をそれ自体知られている方法で用いるこ
とができる。交差部における交差ばね板の分離
は、イオンエツチングにより行うことができる。
交差ばね板を分離するためのもう一つの可能な方
法は、特殊な形状のエツチングマスクを用いる方
法である。
はウエーハの少なくとも一方の主面に選択的にド
ーピングするためのエツチングレジスト薬剤とし
てホウ素をそれ自体知られている方法で用いるこ
とができる。交差部における交差ばね板の分離
は、イオンエツチングにより行うことができる。
交差ばね板を分離するためのもう一つの可能な方
法は、特殊な形状のエツチングマスクを用いる方
法である。
本発明による曲げばね継ぎ手の特に有利な一つ
の応用は振り子への応用である。この振り子は一
枚のウエーハから締結部材とともに一体で製造さ
れ、また、振り子吊りと振り子本体との間の結合
部に本発明による曲げばね継ぎ手を少なくとも一
つ有する。しかし、二つのそのような継ぎ手は互
いに離れているのが好ましい。
の応用は振り子への応用である。この振り子は一
枚のウエーハから締結部材とともに一体で製造さ
れ、また、振り子吊りと振り子本体との間の結合
部に本発明による曲げばね継ぎ手を少なくとも一
つ有する。しかし、二つのそのような継ぎ手は互
いに離れているのが好ましい。
本発明の基本思想は、原理的に、ストリツプま
たは所望の振り子方向に対する横断面においてV
形の形状を有する溝を所望の深さにするためのエ
ツチングを行うために、ウエーハ面に対するシリ
コン単結晶の結晶軸の位置を適切に選択すること
にある。特に異方性エツチング技術及びフオトリ
ソグラフイー法またはイオン注入によるドーピン
グを用いたエツチングレジスト技術を用いてウエ
ーハの両面からのエツチングにより二つのそのよ
うなV形溝を互いに適当にオフセツトさせて形成
することにより、ウエーハ面に対して斜めに走る
板ばねを製造することができる。第2図はその一
例を示す。
たは所望の振り子方向に対する横断面においてV
形の形状を有する溝を所望の深さにするためのエ
ツチングを行うために、ウエーハ面に対するシリ
コン単結晶の結晶軸の位置を適切に選択すること
にある。特に異方性エツチング技術及びフオトリ
ソグラフイー法またはイオン注入によるドーピン
グを用いたエツチングレジスト技術を用いてウエ
ーハの両面からのエツチングにより二つのそのよ
うなV形溝を互いに適当にオフセツトさせて形成
することにより、ウエーハ面に対して斜めに走る
板ばねを製造することができる。第2図はその一
例を示す。
以下、本発明及びその利点の詳細を図面に示さ
れている一実施例について説明する。
れている一実施例について説明する。
本発明をより良く理解するために、第2図に本
発明による曲げばね継ぎ手の一構成要素を示す。
発明による曲げばね継ぎ手の一構成要素を示す。
この構成要素は、ウエーハ材料、例えばシリコ
ン単結晶材料から、その両面に二つのV形溝2,
4を形成し、それらの間に傾斜した壁部20を残
すことにより製作されたものである。選択エツチ
ング技術を用いる時には、このようなV形溝2,
4は、上述のように、ウエーハ面に対するシリコ
ン単結晶の結晶軸の位置を適切に選ぶことにより
形成することができる。第2図に示したように、
これらの二つのV形溝2,4はそれらの横方向に
関してオフセツトしており、また、公知のエツチ
ングレジスト技術が適切に用いられるならば、実
際の曲げばね継ぎ手を形成する壁部20が残る。
(板ばねの)の壁部20の厚さは、例えば、板の
一方の面からホウ素を正確に決められた時間ドー
ピングすることによつて決定され、非常に小さい
許容誤差でこの壁部20を形成することができ
る。傾斜した表面へのドーピングは、例えば、こ
の技術の分野における当業者にそれ自体知られて
いるイオン注入によつて行うことができる。
ン単結晶材料から、その両面に二つのV形溝2,
4を形成し、それらの間に傾斜した壁部20を残
すことにより製作されたものである。選択エツチ
ング技術を用いる時には、このようなV形溝2,
4は、上述のように、ウエーハ面に対するシリコ
ン単結晶の結晶軸の位置を適切に選ぶことにより
形成することができる。第2図に示したように、
これらの二つのV形溝2,4はそれらの横方向に
関してオフセツトしており、また、公知のエツチ
ングレジスト技術が適切に用いられるならば、実
際の曲げばね継ぎ手を形成する壁部20が残る。
(板ばねの)の壁部20の厚さは、例えば、板の
一方の面からホウ素を正確に決められた時間ドー
ピングすることによつて決定され、非常に小さい
許容誤差でこの壁部20を形成することができ
る。傾斜した表面へのドーピングは、例えば、こ
の技術の分野における当業者にそれ自体知られて
いるイオン注入によつて行うことができる。
第3図から第6図は、溝2,4と溝3,6との
間にあり、板ばねを形成している二つの交差する
壁部20,21を有する本発明による曲げばね継
ぎ手の一つの基本的な実施例を示す。横方向に互
いにオフセツトしているV形溝3,5はウエーハ
1の一方向の主面(上面)から、これと同じ量だ
け横方向に互いにオフセツトしている反対側のV
形溝2,4は他方の主面(下面)から、選択的な
異方性エツチングによりウエーハ材料1中に形成
される。上述のエツチングレジスト技術を用いれ
ば、溝2,3の間には壁部20(板ばね)が残さ
れ、溝4,5の間には壁部21(板ばね)が残さ
れる。これらの互いに交差する二つの板ばねが一
緒になつて本発明による曲げばね継ぎ手を形成し
ている。
間にあり、板ばねを形成している二つの交差する
壁部20,21を有する本発明による曲げばね継
ぎ手の一つの基本的な実施例を示す。横方向に互
いにオフセツトしているV形溝3,5はウエーハ
1の一方向の主面(上面)から、これと同じ量だ
け横方向に互いにオフセツトしている反対側のV
形溝2,4は他方の主面(下面)から、選択的な
異方性エツチングによりウエーハ材料1中に形成
される。上述のエツチングレジスト技術を用いれ
ば、溝2,3の間には壁部20(板ばね)が残さ
れ、溝4,5の間には壁部21(板ばね)が残さ
れる。これらの互いに交差する二つの板ばねが一
緒になつて本発明による曲げばね継ぎ手を形成し
ている。
結晶軸の位置のために、上述の二つの交差板ば
ねの交差部に斜面7,8が形成されている。この
交差点6には、エツチングマスクの大きさの選択
に応じて、二つの壁部20,21、別の言葉で言
えば二つの交差板ばねの結合が存在したり、ある
いは板ばねまたはばね板の完全な分離を達成する
ことができ。エツチング技術及び結晶物理学的な
理由に起因して二つの面7,8が傾斜するために
生じる、二つの板ばねを分離する困難は、本発明
によれば、第5図及び第6図から分かるように、
エツチングマスクの形状を特別な大きさにするこ
とによつて回避することができる。これらの二つ
の板ばねを分離するためのもう一つの好ましい可
能な方法は、それ自体知れているイオンエツチン
グ技術を用いることである。
ねの交差部に斜面7,8が形成されている。この
交差点6には、エツチングマスクの大きさの選択
に応じて、二つの壁部20,21、別の言葉で言
えば二つの交差板ばねの結合が存在したり、ある
いは板ばねまたはばね板の完全な分離を達成する
ことができ。エツチング技術及び結晶物理学的な
理由に起因して二つの面7,8が傾斜するために
生じる、二つの板ばねを分離する困難は、本発明
によれば、第5図及び第6図から分かるように、
エツチングマスクの形状を特別な大きさにするこ
とによつて回避することができる。これらの二つ
の板ばねを分離するためのもう一つの好ましい可
能な方法は、それ自体知れているイオンエツチン
グ技術を用いることである。
第4図においては、V形溝を形成している斜面
の角度θ=54.74゜が示されている。この角度θは
結晶物理学により決められ、ここに示されている
全ての実施例(第1図を含む)に適用される。
の角度θ=54.74゜が示されている。この角度θは
結晶物理学により決められ、ここに示されている
全ての実施例(第1図を含む)に適用される。
さらに、第2図の符号25は、ホウ素がどの部
分にドーピングされているかを示す破線を指して
いる。このホウ素のドーピングにより、溝2,4
の深さを非常に良好な再現性で制御することがで
きる。第4図においては、これに対応するドーピ
ング層が符号25,26で示されている。
分にドーピングされているかを示す破線を指して
いる。このホウ素のドーピングにより、溝2,4
の深さを非常に良好な再現性で制御することがで
きる。第4図においては、これに対応するドーピ
ング層が符号25,26で示されている。
二つの壁部20,21(ばね板)のエツチング
による分離を行うために、斜面7,8(第4図及
び第5図参照)はドーピングされていない状態の
まま残されている(エツチングの言葉ではソフ
ト)。現在、ばね板を分離するための最も有利な
方法は、イオンエツチング技術による垂直切断で
ある(第5図)。
による分離を行うために、斜面7,8(第4図及
び第5図参照)はドーピングされていない状態の
まま残されている(エツチングの言葉ではソフ
ト)。現在、ばね板を分離するための最も有利な
方法は、イオンエツチング技術による垂直切断で
ある(第5図)。
第6図は、マイクロメカニカル振り子で本発明
による曲げばね継ぎ手を使用する非常に有利な応
用例を示す。この振り子装置は、全体として符号
10で示されている。実際のT形振り子12は、
二つの本発明による交差ばね振り子継ぎ手13,
14により、振り子吊り11に直接結合されてい
る。ここに示されている例においては、この振り
子吊り11ははりの形に設計されている。これら
の二つの交差ばね振り子継ぎ手13,14は互い
に離れており、ここに示されている例においては
T形振り子12の横ばりの各末端に配置されてい
る。
による曲げばね継ぎ手を使用する非常に有利な応
用例を示す。この振り子装置は、全体として符号
10で示されている。実際のT形振り子12は、
二つの本発明による交差ばね振り子継ぎ手13,
14により、振り子吊り11に直接結合されてい
る。ここに示されている例においては、この振り
子吊り11ははりの形に設計されている。これら
の二つの交差ばね振り子継ぎ手13,14は互い
に離れており、ここに示されている例においては
T形振り子12の横ばりの各末端に配置されてい
る。
このように二つの交差ばね振り子継ぎ手13,
14によりT形振り子12を吊ることは次のよう
な利点を有する。すなわち、本発明による曲げば
ね継ぎ手を一つしか用いない場合と異なり、二組
(またはそれ以上の組)の本発明による交差ばね
振り子継ぎ手を支点の方向に互いに相同な位置に
互いに並べて用いるならば、二つの交差板ばばね
の位置によつて振り子の支点の方向に発生するど
のような非対称性も修正することができる。
14によりT形振り子12を吊ることは次のよう
な利点を有する。すなわち、本発明による曲げば
ね継ぎ手を一つしか用いない場合と異なり、二組
(またはそれ以上の組)の本発明による交差ばね
振り子継ぎ手を支点の方向に互いに相同な位置に
互いに並べて用いるならば、二つの交差板ばばね
の位置によつて振り子の支点の方向に発生するど
のような非対称性も修正することができる。
二つまたはそれ以上の平行な交差ばね継ぎ手を
用いたこの振り子装置は、振り子12及び振り子
吊り11も含めて、一枚の同一のシリコンウエー
ハから、密着したフレキシブルな振り子継ぎ手と
して一回の操作手順により製造することができ
る。容易に分かるように、交差ばね振り子継ぎ手
13,14は、振り子の方向に関して互いに相同
の位置にある。
用いたこの振り子装置は、振り子12及び振り子
吊り11も含めて、一枚の同一のシリコンウエー
ハから、密着したフレキシブルな振り子継ぎ手と
して一回の操作手順により製造することができ
る。容易に分かるように、交差ばね振り子継ぎ手
13,14は、振り子の方向に関して互いに相同
の位置にある。
互いに相同に配置された本発明による二つの曲
げばね継ぎ手によるこのような振り子吊りは、角
度方向のふれの自然周波数は非常に低いが、非常
に高い並進自然周波数を保証することができると
いう、以前から知られている全ての振り子吊りに
優る利点を有する。この配置では、交差板ばねは
並進負荷を受け、しかも二つひと組になつて引張
り及び圧縮を受ける。例えば、一つだけ例を挙げ
ると、従来のタイプの板ばね要素の場合における
並進自然周波数は約5kHzであるが、本発明によ
る曲げばね継ぎ手を有する振り子の場合における
対応する典型的な値は約20kHzまたはそれ以上で
ある。その上、本発明によるばね要素は、実質的
にヒステリシスがなく、少なくとも従来の設計に
よる曲げばね継ぎ手に比べてヒステリシスが非常
に少ない。
げばね継ぎ手によるこのような振り子吊りは、角
度方向のふれの自然周波数は非常に低いが、非常
に高い並進自然周波数を保証することができると
いう、以前から知られている全ての振り子吊りに
優る利点を有する。この配置では、交差板ばねは
並進負荷を受け、しかも二つひと組になつて引張
り及び圧縮を受ける。例えば、一つだけ例を挙げ
ると、従来のタイプの板ばね要素の場合における
並進自然周波数は約5kHzであるが、本発明によ
る曲げばね継ぎ手を有する振り子の場合における
対応する典型的な値は約20kHzまたはそれ以上で
ある。その上、本発明によるばね要素は、実質的
にヒステリシスがなく、少なくとも従来の設計に
よる曲げばね継ぎ手に比べてヒステリシスが非常
に少ない。
本発明による曲げばね継ぎ手によれば、支点位
置、ばね定数及び横軸剛性に関して十分に高い精
度を得ることができる。
置、ばね定数及び横軸剛性に関して十分に高い精
度を得ることができる。
また、本発明による曲げばね継ぎ手の製造方法
によれば、支点位置、ばね定数及び横軸剛性に関
して十分に高精度の曲げばね継ぎ手を製造するこ
とができる。
によれば、支点位置、ばね定数及び横軸剛性に関
して十分に高精度の曲げばね継ぎ手を製造するこ
とができる。
第1図は選択エツチング及びエツチングレジス
ト技術を用いてウエーハ単結晶材料から製造され
たマイクロメカニカル曲げばね継ぎ手の一例を示
す斜視図、第2図は本発明による曲げばね継ぎ手
の構成要素としてのマイクロメカニカル曲げばね
継ぎ手を示す斜視図、第3図は本発明によるマイ
クロメカニカル曲げばね継ぎ手の断面図、第4図
は本発明によるマイクロメカニカル曲げばね継ぎ
手の一部を断面とした斜視図、第5図は第4図に
示す曲げばね継ぎ手の平面図、第6図は振り子を
吊るために本発明による曲げばね継ぎ手を二つ用
いたマイクロメカニカル技術により製造された振
り子を示す斜視図である。 図面における主要な符号の説明、1:シリコン
ウエーハ、2〜5:V形溝、6:交差点、7,
8:斜面、10:振り子装置、11:振り子吊
り、12:T形振り子、13,14:交差ばね振
り子継ぎ手、20,21:壁部、25,26:ド
ーピング層。
ト技術を用いてウエーハ単結晶材料から製造され
たマイクロメカニカル曲げばね継ぎ手の一例を示
す斜視図、第2図は本発明による曲げばね継ぎ手
の構成要素としてのマイクロメカニカル曲げばね
継ぎ手を示す斜視図、第3図は本発明によるマイ
クロメカニカル曲げばね継ぎ手の断面図、第4図
は本発明によるマイクロメカニカル曲げばね継ぎ
手の一部を断面とした斜視図、第5図は第4図に
示す曲げばね継ぎ手の平面図、第6図は振り子を
吊るために本発明による曲げばね継ぎ手を二つ用
いたマイクロメカニカル技術により製造された振
り子を示す斜視図である。 図面における主要な符号の説明、1:シリコン
ウエーハ、2〜5:V形溝、6:交差点、7,
8:斜面、10:振り子装置、11:振り子吊
り、12:T形振り子、13,14:交差ばね振
り子継ぎ手、20,21:壁部、25,26:ド
ーピング層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 選択的にエツチングされたシリコンウエーハ
材料から成るマイクロメカニカル曲げばね継ぎ手
であつて、 互いに交差し、かつ上記ウエーハの主面に対し
て斜めに走る二つの板ばねが互いに並んで配置さ
れ、これらの二つの板ばねは上記ウエーハから選
択エツチングにより一体で得られたことを特徴と
する曲げばね継ぎ手。 2 上記板ばねはそれらの交差点で互いに接続さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の曲げばね継ぎ手。 3 上記板ばねはそれらの交差点で互いに分離さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の曲げばね継ぎ手。 4 上記曲げばね継ぎ手は振り子に用いられ、こ
の振り子は振り子締結部材とともに一枚のウエー
ハから一体で製造され、少なくとも一つの上記曲
げばね継ぎ手が上記振り子締結部材と振り子本体
との間の結合部に配置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項〜第3項のいずれか一項
記載の曲げばね継ぎ手。 5 上記振り子はT形の形状を有し、互いに相同
に配置されている二つの上記曲げばね継ぎ手によ
り上記振り子締結部材に結合されていることを特
徴とする特許請求の範囲第4項記載の曲げばね継
ぎ手。 6 支点位置、曲げばね定数及び横軸剛性に関し
て高精度の曲げばね継ぎ手を選択エツチング技術
によりシリコンウエーハから製造するための曲げ
ばね継ぎ手の製造方法であつて、 二つの交差板ばね要素が上記シリコンウエーハ
の共同的な二面エツチングにより形成されること
を特徴とする曲げばね継ぎ手の製造方法。 7 互いに並んで、しかし横方向に互いにオフセ
ツトして配置されている、上記シリコンウエーハ
の二つの主面からの異方性選択エツチングにより
形成された二つのV形溝により上記交差板ばね要
素が製造され、これらの交差板ばね要素は上記エ
ツチングの間に上記ウエーハの一方の主面上の溝
と他方の主面上の溝との間に形成される傾斜した
壁部により形成され、かつ上記ばね板の厚さはエ
ツチングレジスト技術により制御されることを特
徴とする特許請求の範囲第6項記載の曲げばね継
ぎ手の製造方法。 8 上記ばね板の厚さを決定するために、上記ば
ね板の少なくとも一方の面にドーピングするため
のエツチングレジスト薬剤としてホウ素が用いら
れることを特徴とする特許請求の範囲第7項記載
の曲げばね継ぎ手の製造方法。 9 上記交差ばね板はそれらの交差部においてエ
ツチング形状及び異方性エツチングの程度の適切
な選択により互いに分離されることを特徴とする
特許請求の範囲第7項記載の曲げばね継ぎ手の製
造方法。 10 上記交差ばね板はそれらの交差部において
イオンエツチングにより互いに分離されることを
特徴とする特許請求の範囲第7項記載の曲げばね
継ぎ手の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP87100744.9 | 1987-01-20 | ||
| EP87100744A EP0275338B1 (de) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | Biegefedergelenk und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01177212A JPH01177212A (ja) | 1989-07-13 |
| JPH0413883B2 true JPH0413883B2 (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=8196690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62336787A Granted JPH01177212A (ja) | 1987-01-20 | 1987-12-28 | 曲げばね継ぎ手及びその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4953834A (ja) |
| EP (1) | EP0275338B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01177212A (ja) |
| AT (1) | ATE55632T1 (ja) |
| CA (1) | CA1323639C (ja) |
| DE (1) | DE3764354D1 (ja) |
| ES (1) | ES2017941B3 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU643627B2 (en) * | 1988-12-20 | 1993-11-18 | Rtz Mining And Exploration Ltd. | Flexural pivot bearing |
| ES2052243T3 (es) * | 1988-12-20 | 1994-07-01 | Rtz Mining & Exploration | Gradientimetro de gravedad. |
| GB2247717B (en) * | 1990-09-06 | 1995-03-08 | Raymond Guthrie | Hinge element |
| FR2682728B1 (fr) * | 1991-10-21 | 1996-02-09 | Sfim | Articulation a la cardan plane, procede de realisation, gyroscope et support orientable comportant une telle articulation. |
| US6741085B1 (en) * | 1993-11-16 | 2004-05-25 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
| US5806181A (en) * | 1993-11-16 | 1998-09-15 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
| US20020053734A1 (en) | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
| US7073254B2 (en) | 1993-11-16 | 2006-07-11 | Formfactor, Inc. | Method for mounting a plurality of spring contact elements |
| US5994152A (en) | 1996-02-21 | 1999-11-30 | Formfactor, Inc. | Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates |
| US8033838B2 (en) | 1996-02-21 | 2011-10-11 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structure |
| TW334622B (en) * | 1996-04-17 | 1998-06-21 | Esec Sa | Apparatus for making wire connections on semiconductor chips |
| US5711063A (en) * | 1996-06-11 | 1998-01-27 | Seagate Technology, Inc. | Method of forming a suspension fabricated from silicon |
| FR2754577B1 (fr) * | 1996-10-11 | 1998-12-11 | Suisse Electronique Microtech | Pivot flexible planaire a modules unitaires monolithiques |
| US5879570A (en) * | 1997-01-14 | 1999-03-09 | Seagate Technology, Inc. | One piece flexure for a hard disc file head with selective nickel plating |
| US6690185B1 (en) | 1997-01-15 | 2004-02-10 | Formfactor, Inc. | Large contactor with multiple, aligned contactor units |
| US5850320A (en) * | 1997-05-13 | 1998-12-15 | Seagate Technology, Inc. | Head-gimbal assembly with reduced vertical spacing envelope and alignment structures |
| US7215131B1 (en) | 1999-06-07 | 2007-05-08 | Formfactor, Inc. | Segmented contactor |
| US7008426B2 (en) * | 2001-12-14 | 2006-03-07 | Paul Kamaljit S | Bone treatment plate assembly |
| EP2497428B1 (de) | 2011-03-11 | 2015-02-11 | EMPA Eidgenössische Materialprüfungs- und Forschungsanstalt | Nachgiebige Werkzeuge |
| US8902010B2 (en) | 2013-01-02 | 2014-12-02 | Motorola Mobility Llc | Microelectronic machine-based ariable |
| GB201417705D0 (en) * | 2014-10-07 | 2014-11-19 | Rolls Royce Plc | Locking member |
| EP3644129B1 (fr) * | 2018-10-24 | 2025-07-30 | Patek Philippe SA Genève | Organe de guidage flexible |
| GB2610196B (en) * | 2021-08-25 | 2024-12-11 | Ocado Innovation Ltd | Single Part Hinge, and Related Methods and Uses |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US31459A (en) * | 1861-02-19 | Stave-machine | ||
| FR689387A (fr) * | 1930-02-04 | 1930-09-05 | Asea Ab | Transformateur pour la prise de courants biphasés d'un réseau triphasé |
| NO120906B (ja) * | 1965-02-24 | 1970-12-21 | Ivan Alfred Duck | |
| BE689387A (ja) * | 1966-03-21 | 1967-04-14 | ||
| US3920482A (en) * | 1974-03-13 | 1975-11-18 | Signetics Corp | Method for forming a semiconductor structure having islands isolated by adjacent moats |
| US4071838A (en) | 1976-02-09 | 1978-01-31 | Diax Corporation | Solid state force transducer and method of making same |
| CH642461A5 (fr) * | 1981-07-02 | 1984-04-13 | Centre Electron Horloger | Accelerometre. |
| EP0078337B1 (de) * | 1981-10-30 | 1987-04-22 | Ibm Deutschland Gmbh | Kontakteinrichtung zur lösbaren Verbindung elektrischer Bauteile |
| US4699006A (en) * | 1984-03-19 | 1987-10-13 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Vibratory digital integrating accelerometer |
| US4542397A (en) * | 1984-04-12 | 1985-09-17 | Xerox Corporation | Self aligning small scale integrated circuit semiconductor chips to form large area arrays |
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| JPS6197572A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
| US4626244A (en) * | 1985-02-01 | 1986-12-02 | Consolidated Controls Corporation | Implantable medication infusion device |
| US4700817A (en) * | 1985-06-27 | 1987-10-20 | Nippon Kokan Kabushiki Kaisha | Dynamic vibration absorber with spring-supported pendulum |
| US4670092A (en) * | 1986-04-18 | 1987-06-02 | Rockwell International Corporation | Method of fabricating a cantilever beam for a monolithic accelerometer |
| US4685996A (en) * | 1986-10-14 | 1987-08-11 | Busta Heinz H | Method of making micromachined refractory metal field emitters |
-
1987
- 1987-01-20 ES ES87100744T patent/ES2017941B3/es not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-20 AT AT87100744T patent/ATE55632T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-01-20 DE DE8787100744T patent/DE3764354D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-20 EP EP87100744A patent/EP0275338B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-28 JP JP62336787A patent/JPH01177212A/ja active Granted
-
1988
- 1988-01-20 US US07/146,295 patent/US4953834A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-01-20 CA CA000556935A patent/CA1323639C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3764354D1 (de) | 1990-09-20 |
| US4953834A (en) | 1990-09-04 |
| JPH01177212A (ja) | 1989-07-13 |
| CA1323639C (en) | 1993-10-26 |
| ES2017941B3 (es) | 1991-03-16 |
| ATE55632T1 (de) | 1990-09-15 |
| EP0275338B1 (de) | 1990-08-16 |
| EP0275338A1 (de) | 1988-07-27 |
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