JPH04139039A - 光ファイバの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、その表面に炭素被膜が形成された光ファイ
バの製造方法に関し、炭素被膜形成時の副生成物を排除
することにより耐水素特性と耐応力疲労特性とに優れた
光ファイバを長時間に亙つて連続紡糸可能としたもので
ある。

［従来の技術］ 石英系光ファイバは、水素と接触するとファイバ内に拡
散した水素分子の分子振動に起因する吸収損失が増大し
、さらにドーパントとして含有されているＰ、０５、Ｇ
　ｅ　Ｏ！、Ｂ　ｔ　Ｏ−などが水素と反応し、ＯＨ基
としてファイバガラス内に取り込まれるため、ＯＨ基の
吸収による伝送損失が増大してしまうという問題があっ
た。

このような問題を解決するために化学気相成長法（以下
、ＣＶＤ法と略記する。）によって光ファイバ表面に炭
素被膜を形成し、これによって光ファイバの耐水素特性
を向上させ得ることが発表されている。この方法として
は、たとえば紡糸炉にて紡糸された光ファイバ裸線を、
炭素化合物を不活性ガス等によってガス化および希釈し
てなる原料ガスと共に反応炉内に供給し、光ファイバ裸
線の紡糸予熱によって原料ガスを熱分解して、光ファイ
バ裸線表面に炭素被膜を形成する方法が知られている。

このような方法において好適に用いられる光ファイバの
製造装置としては、たとえば第５図に示したものがある
。第５図中、符号１は光ファイバ裸線である。この光フ
ァイバ裸線ｌは、光ファイバ母材２を光ファイバ紡糸炉
３内で溶融紡糸したものである。この光ファイバ裸線１
は紡糸後、直ちに光ファイバ紡糸炉３の下段に設けられ
たＣＶＤ反応炉４内へ供給される。ＣＶＤ反応炉４はＣ
Ｖ’Ｄ法によって光ファイバ裸線１表面に炭素被膜を形
成して光ファイバ素線とするためのものである。第５図
に示した装置においては、別に加熱装置を用いずに、光
ファイバ裸線ｌを紡糸した際の予熱を利用して原料ガス
の熱分解を進行させる。

ＣＶＤ反応炉４は、その内部にてＣＶＤ反応を進行させ
る概略円筒状の反応管５からな□す、その下部には原料
ガスを供給するための原料ガス供給管６が、またその上
部には未反応ガス等を排気する排気管７が、それぞれ取
り付けられている。さらに反応管５の両端部はそれぞれ
縮径されて反応管５の内部雰囲気か一定に保持できるよ
うにされている。反応管５の縮径された両端部には、そ
の内部をシールするためのガスシール機構８．８がそれ
ぞれ接続されている。、ＣＶＤ反応炉４の下段には樹脂
コータ９が設置されている。この樹脂コータ９は、ＣＶ
Ｄ反応炉４内にて得られた光ファイバ素線１０表面に樹
脂被覆層を形成するためのものである。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、原料ガスとして利用される炭素化合物が４０
０〜５００℃程度の比較的低温で熱分解を起こすと、炭
素被膜の副生成物として油状歴青物質が気化したもの、
すなわちカス状タールおよびピッチを発生する。（以下
、これらを副生成物と略称する。）そしてこれら副生成
物は反応管５内に浮遊する。

一方、上ｇ己製造方法は光ファイバ裸線ｌの紡糸予熱を
利用して原料ガスの熱分解を進行させるものであるので
、光ファイバ裸線１が加熱状態のままで反応管５内に供
給されなければならない。よって光ファイバ裸線ｌの線
引き速度を大きく設定する必要があるが、線引き速度を
大きくすると反応管５内で光ファイバ裸線ｌの線引き方
向に沿って対流が発生する。そしてこの対流によって副
生成物が光ファイバ裸線ｌに随伴されてＣＶＤ反応炉４
から流出する。流出した副生成物はＣＶＤ反応炉４の下
段に設けられた樹脂コータ９のニップルに徐々に堆積し
、ニップル孔の目詰まりをひき起こし、光ファイバ素線
ｌＯへの樹脂コーティングを不能とする。よって上記製
造方法では、耐水素特性に優れた光ファイバを得ること
がモきるものの、光ファイバを長時間に亙って連続紡糸
することができないという問題があった。

この発明は上記課題を解決するためになされたものであ
って、耐水素特性に優れた光ファイバを長時間に亙って
連続紡糸できる光ファイバの製造方法を提供することを
目的としている。

［課題を解決するための手段］ この発明の請求項１記載の光ファイバの製造方法は、炭
素化合物を熱分解して光ファイバ裸線表面に炭素被膜を
形成して光ファイバ素線とした後に、この光ファイバ素
線を６００℃以上の温度で加熱することを解決手段とし
た。

またこの発明の請求項２記載の光ファイバの製造方法は
、炭素化合物を熱分解して光ファイバ裸線表面に炭素被
膜を形成して米ファイバ素線とした後に、この光ファイ
バ素線を、炭素化合物の熱分解副生成物を排除する狭窄
部材中を通過させることを解決手段とした。

［作用］ 請求項１記載の製造方法においては、光ファイバ素線を
６００℃以上の温度で加熱することにより副生成物を炭
素化することができる。よって副生成物がＣＶＤ反応炉
から光ファイバ素線に随伴して流出することがなくなる
。

また請求項２記載の製造方法唇こおいては、光ファイバ
素線を狭窄部材中を通過させることによって、光ファイ
バ素線周囲の対流を変化させて、光ファイバ素線に副生
成物が随伴するのを防止することができる。

以下、この発明をさらに詳細に説明する。

この発明の請求項１記載の製造方法は、炭素被膜か形成
され１こ光ファイバ裸線１すなわち光ファイバ素線１０
を６００℃以上の温度にて加熱するものである。

第１図はこの発明の請求項１記載の製造方法に好適に用
いられる光ファイバの製造装置の一例を示したしのであ
る。第１図に示した装置が第５図に示したものと異なる
ところは、ＣＶＤ反応炉４と樹脂コータ９との間に光フ
ァイバ素線１０を加熱する加熱処理炉１１を設けたとこ
ろである。この加熱処理炉１１は、概略円筒体の加熱管
１２とこの加熱管１２を加熱するように加熱管１２の周
囲に設けられた加熱手段１３とから概略構成される。加
熱手段１３は加熱管１２およびその内部に挿通された光
ファイバ素線ｌＯを加熱するたｔのものであり、光ファ
イバ素線１０を６００℃以上の温度に加熱可能な装置で
あれば特に限定されるものではなく、たとえば赤外集光
加熱炉等を利用することができる。加熱管１２内は副生
成物を炭素化する際に他の物質と反応しないように不活
性雰囲気に保持されており、その目的で加熱管１２の下
部にパージガス供給管１４が、上部に排気管１５がそれ
ぞれ配設されている。ま７こ加熱管１２の両端は反応管
５と全く同様に縮径されており、ガスシール機構８．８
にそれぞれ接続されている。

このような装置を用いて、この発明の請求項１記載の製
造方法に従って光ファイバを製造するには以下の工程に
よる。

まず光ファイバ母材２を用意し、これを紡糸炉３内に設
置すると共に、紡糸炉３を加熱して光ファイバ母材２を
溶融紡糸して光ファイバ裸線Ｉとする。この光ファイバ
裸線１をＣＶＤ反応炉４および加熱処理炉１１の中心軸
上に挿通し、これらの炉内を所定の速度で通過するよう
に線引きを行う。

この線引き速度は、光ファイバ裸線１か原料ガスを熱分
解させるに十分な予熱、すなわち光ファイバ裸線１の温
度にして４００〜１２００℃程度が保持された状態で反
応管５内に供給されるように・すれば良く、原料ガスの
種類およびその供給速度等によって適宜選択される。通
常は１０〜１００ｍ／分程度が好適である。線引き速度
が小さいと光ファイバ裸線ｌの温度が低くなり、原料ガ
スの熱分解を進行させることかできずに、炭素被膜か十
分に形成できないばかりでなく、ガス状タールおよびピ
ッチ物質等の油状歴青物質が気化した副生成物のほか、
煤が多量に発生する。また線引き速度か大きいと光ファ
イバ裸線ｌの温度が高くなり過ぎると共に、原料ガスと
の接触時間が短くなるので十分な膜厚の炭素被膜を形成
することができない。さらにガスシール機構８・・・か
らは、それぞれ不活性ガスを供給してＣＶＤ反応炉４お
よび加熱処理炉ｌｌ内の内部雰囲気を一定に保持する。

ガスシール機構８・・・から供給する不活性ガスとして
は、たとえば乾燥した高純度ヘリウムガス、アルゴンガ
ス等の希ガス類のほか、窒素ガス等を用いることができ
る。ついで原料ガス供給管６から原料ガスを供給して光
ファイバ裸線ｌと接触せしめる。原料ガスは炭素化合物
をキャリアガスによってガス化すると共に希釈してなる
ものである。この炭素化合物としては、熱分解によって
炭素被膜を形成するものてあれば特に限定されるもので
はないが、得られる炭素被膜の性状とその形成速度の観
点から、炭素数１５以下の炭化水素またはハロゲン化炭
化水素が好適である。またキャリアガスとしてはノール
ガスと同様に不活性ガスを利用することができ、たとえ
ば乾燥した高純度ヘリウムガス、アルゴンカス等の希ガ
ス類のほか、窒素ガス等が好適である。原料ガスの供給
速度は、炭素化合物の種類および光ファイバ裸線１の線
引き速度によって適宜選択されるが、通常は１〜５ｅ／
分程度が好適である。上記のようにして光ファイバ裸線
１表面に水素透過阻止能力を有する炭素被膜を形成して
光ファイバ素線１０とす、ることかてきる。この光ファ
イバ素線ｌＯは、さらにＣＶＤ反応炉４の下段に設けら
れた加熱処理炉Ｉｆに挿通される。またパーツガス供給
管１４から不活性ガスを供給すると共に排気管１５を減
圧状態として加熱管１２内を不活性雰囲気に保持する。

これと共に加熱手段１３を発熱させて加熱管１３内の温
度が６００°Ｃ以上て光ファイバ裸線１の融点以下とな
るようにする。６００℃未満であると、光ファイバ素線
１０に随伴された副生成物を十分に炭素化てきないため
である。また光ファイバ裸線１の融点以上にすると得ら
れる光ファイバの強度が著しく低下するためである。こ
の加熱管１２内にて光ファイバ素線１０に随伴されて加
熱処理炉１１内に流入した副生成物は、６００℃以上の
不活性雰囲気中で炭素化される。副生成物から変換され
た炭素の大部分は光ファイバ素線１０表面に炭素被膜と
して析出し、その他は減圧状態にされた排気管１５から
順次排出される。よって光ファイバ素線ｌＯの線引き速
度が大きく、加熱管Ｉ２内にて対流が発生しても、加熱
処理炉１１から副生成物が光ファイバ素線ｌＯに随伴し
て流出することがない。加熱処理炉１３内にて加熱され
た光ファイバ素線ｌＯは、ついで樹脂コータ９に挿通さ
れ、その表面に樹脂被覆層が形成された光ファイバとな
るが、この発明の製造方法によればＣ■Ｄ反応の際に発
生する副生成物が樹脂コータ９にまで達することがない
ので、長時間に亙って光ファイバを連続紡糸することが
できる。また光ファイバ素線１０に施される加熱処理は
比較的低温のものであるので、光ファイバ裸線１および
その表面に形成された炭素被膜に対して損傷を与えるこ
とがないばかりでなく、副生成物から変換された炭素を
、ＣＶＤ反応炉４にて既に光ファイバ裸線ｌ上に形成さ
れた炭素被膜上にさらに析出させることができるので、
より一層耐水素特性に優れた光−ファイバを製造するこ
とかできる。さらにこの発明の製造方法によれば、耐水
素特性に優れた光ファイバを高速で紡糸することができ
る。

この発明の請求項２記載の光ファイバの製造方法は、炭
素被膜か形成された光ファイバ裸線ｌすなわち光ファイ
バ素線１０を、狭窄部材１６中を通過せしめるものであ
る。

第２図はこの発明の請求項２記載の製造方法に好適に用
いられる光ファイバの製造装置の一例を示したものであ
る。第２図に示した装置が第５図に示したものと異なる
ところは、ＣＶＤ反応炉４と樹脂コータ９との間に狭窄
部材１６を設けたところである。この狭窄部材１６は光
ファイバ素線ｌＯと共にＣＶＤ反応炉４から流出した副
生成物が樹脂コータ９に達しないように析出せしめるも
のである。狭窄部材１６は光ファイバ素線１０周囲の対
流を変化させて副生成物を排除できるように、光ファイ
バ素線ｌＯよりもごく僅かに大径の狭窄部が形成された
ものであれば特に限定されるものではない。このような
ものとして、たとえば板体に光ファイバ素線ｌＯを挿通
する孔を穿ってなるスリット板のほか、第３図に示した
ように概略円筒体の狭窄部材外管１８の内部に複数個の
障害部１７・・を設けてなるもの等を好適に利用するこ
とができる。こめ障害部１７は狭窄部材外管１８の内径
と等しい外径を有する円環体である。障害部１７の配役
個数は必要に応じて任意に選択することができる。また
障害部１７によって形成きれる狭窄部の径はより小さく
、その狭窄部の長さはより長い方が好ましい。しかしな
がら狭窄部の径が過度に小さかったり、過度に長いと光
ファイバ素線１０が障害部１７・・・に接触することが
あるので好ましくない。この狭窄部の径は製造すべき光
ファイバの直径およびその紡糸速度等によって適宜選択
されるが通常は直径Ｉｍｍから４１ｎＩｌｌ程度か好適
である。１１１１ｍ未満であると光ファイバが接触する
頻度が高くなり、４ｍｍを越えると副生成物を十分に排
除し得ないからである。またこの狭窄部材外管１８の下
部には、その内部に不活性ガスを供給すると共に、光フ
ァイバ素線１０表面に副生成物が付着しないように洗浄
ガス供給管１９が接続されている。この洗浄ガス供給管
１９は、狭窄部材１６内と光ファイバ素線ｌＯとを洗浄
するための不活性ガスを供給するためのものである。ま
た第２図に示した例にあっては、狭窄部材外管１８の外
周には、排気管２１に接続された調整管２０が配設され
ており、光ファイバ素線ｌＯの周囲から排除された副生
成物を直ちに排気できるようになっている。このように
調整管２０を設けることによって、光ファイバ素線１０
から排除された副生成物がＣＶＤ反応炉４内に逆流する
のを防止することができるとともに、狭窄部材＋６の外
壁に副生成物が析出するのを防止することができる。

このような装置を用いて、この発明の請求項２記載の製
造方法に従って光ファイバを製造するには、以下の工程
による。

まずこの発明の請求項１記載の製造方法と全く同様にし
て光ファイバ母材２から光ファイバ裸線１を紡糸した後
に、ＣＶＤ反応炉４内でこの光ファイバ裸線１表面に炭
素被膜を形成して光ファイバ素線１０とする。ついてこ
の光ファイバ素線１０をＣＶＤ反応炉４の下段に設けら
れた狭窄部材１６中に挿通する。これと共に、洗浄ガス
供給管Ｉ９から狭窄部材１６中に不活性ガスを供給して
狭窄部材１６内および光ファイバ素線ＩＯを洗浄する。

さらに調整管２０に接続された排気管２１を減圧状態と
して、光ファイバ素線ｌＯから脱離された副生成物を排
気する。光ファイバ素線１０か狭窄部材１６中を通ると
、光ファイバ素線１０周囲の対流が変化して、光ファイ
バ素線ｌＯに随伴する流れが障害部１７・・・に妨げら
れることとなる。

その結果、副生成物は光ファイバ素線１０から排除され
ると共に、障害部１７・・・に析出する。障害部１７　
・に析出しなかっｒニ副生成物は調整管２０を経て排気
管２１から排出される。このようにして副生成物かその
周囲から排除された光ファイバ素線ｌＯは、狭窄部材Ｉ
６に接続されに洗浄カス供給管１９から供給される洗浄
ガスによってその表面が清浄にされた後、直ちに樹脂コ
ータ９に挿通されて、その表面に樹脂被覆層か形成され
る。

この発明の請求項２記載の製造方法によれば、副生成物
が樹脂コータ９にまで達することかないので、長時間に
亙って先ファイバを連続紡糸することができる。また副
生成物の排除には、狭窄部材１６中に先ファイバ素線１
０を挿通するのみであるので、特別な装置および処理を
必要としないので、従来の光ファイバの製造コストを維
持することができる。また特に第２図に示した装置を用
いれば、副生成物を排除した後に先ファイバ素線ｌＯは
洗浄ガスによってその表面が清浄にされた後に樹脂コー
タ９に挿通されることとなるので、樹脂被覆層を均一に
形成できる。

［実施例］ （実施例１） 光ファイバ母材から光ファイバ裸線を紡糸する紡糸炉の
下段に、ＣＶＤ反応炉と加熱処理炉とを連続して設け、
さらにその下段に樹脂コータを設け、第１図に示したと
同様の光ファイバの製造装置を作成した。ここで反応管
および加熱管は共に石英管とし、加熱手段としては抵抗
加熱炉を用いた。

そして紡糸炉内にＧｅ０ｔがドープ剤として含浸された
コア部を有する外径３０ｍｍの単一モードファイバ母材
を設置し、この光ファイバ母材を２０００℃に加熱して
３００ｍ／分の紡糸速度で外径１２５μｍの単一モード
ファイバに紡糸した。この光ファイバ裸線をＣＶＤ反応
炉内に挿通すると共に反応管内に原料ガスを供給した。

原料ガスとしては、ベンゼンを窒素で希釈してなるもの
を利用し、その流量はベンゼン１００　ｍＱ１分、窒素
９００　ｍ（１７分とした。また排気管を一１ｍｍＨｔ
Ｏの減圧状態として反応管内を排気し、それぞれガスシ
ール機構から窒素ガスを導入してＣＶＤ反応炉内をシー
ルした。反応管の排気管の接続部と原料供給管の接続部
とにそれぞれ非接触型温度計を設置して反応管内におけ
る光ファイバ裸線の温度を測定したところ排気管接続部
で９００°Ｃ１原料供給管接続部で７５０°Ｃであった
。このようにして光ファイバ裸線と原料ガスとを接触さ
せて光ファイバ裸線表面に炭素被膜を形成し、光ファイ
バ素線とした。この光ファイバ素線をＣＶＤ反応炉の下
段に設けられた加熱処理炉内に挿通した。この加熱処理
炉の加熱温度は８００°Ｃとし、パーツガスおよびシー
ルガスとして、いずれも窒素ガスを２Ｑ／分の流量でパ
ージカス供給管とガスシール機構より加熱管にそれぞれ
供給した。また排気管を４ｍｍＨｔＯの減圧状態とした
。このようにして光ファイバ素線に随伴して反応管から
流出した副生成物を加熱管内で炭素化した。ついて光フ
ァイバ素線をウレタンアクリレート樹脂液（ヤング率７
０　ｋｇ／　ｍｍ２、伸び６０％）が封入された樹脂コ
ート用ダイスポット中に挿入して樹脂液を塗布した後、
ＵＶランプを備えた硬化装置に挿通して、上記樹脂液を
硬化させて保護被覆層を形成し、外径が２５０μｍの光
ファイバを得ｆ二。

（実施例２および実施例３） 原料ガスの種類、ＣＶＤ反応炉内の光ファイバ表面温度
、加熱処理炉の温度を第１表に示したようにそれぞれ変
化させた以外は実施例１と全く同条件で光ファイバを製
造した。

（比較例１および比較例２） 加熱処理を施さなかった以外は上記実施例１および実施
例２と全く同条件で光ファイバを製造した。

（実施例４） 光ファイバ母材から光ファイバ裸線を紡糸する紡糸炉の
下段に、ＣＶＤ反応炉と狭窄部材とを連続して設け、さ
らにその下段に樹脂コータを設け、第２図に示したと同
様の光ファイバの製造装置を作成した。ここで反応管、
狭窄部材外管および調整管はいずれも石英管とし、加熱
手段としては抵抗加熱炉を用いた。狭窄部材は、第４図
に示したように、内径１５ｍｍで長さ５０ｍｍの石英管
に内径３ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円環体を３０　＋ｎ＋＋
＋ｌＩｉ間させて２個設けたものを使用した。またこの
狭窄部材の外周に、内径３０ｍｍ、長さ５００ｍｍの調
整管を設けた。

そして紡糸炉内にＧｅ０ｔがドープ剤として含浸された
コア部を有する外径３０ｍｍの単一モードファイバ母材
を設置し、この光ファイバ母材を２０００℃に加熱して
３００ｍ／分の紡糸速度で外径１２５μｍの単一モード
ファイバを紡糸した。この光ファイバ裸線をＣＶＤ反応
炉内に挿通すると共に反応管内に原料ガスを供給した。

原料ガスは実施例１と全く同組成のガスを同流量で供給
した。

また排気管を一４ｍｍＨ＊Ｏの減圧状態として反応管内
を排気し、それぞれガスシール機構から窒素ガスを導入
してＣＶＤ反応炉内をシールした。反応管の排気管の接
続部と原料供給管の接続部材とにそれぞれ非接触型温度
計を設置して反応管内における光ファイバ裸線の温度を
測定したところ排気管接続部で９００℃、原料供給管接
続部で７５０℃であった。このようにして光ファイバ裸
線と原料ガスとを接触さけて光ファイバ裸線表面に炭素
被膜を形成し、光ファイバ素線とした。この光ファイバ
素線を、ＣＶ’Ｄ反応炉の下段に設けられた狭窄部材中
に挿通した。この際に狭窄部材に洗浄ガスとして窒素ガ
スを２Ｑ１分の流量で供給すると共に、調整管の排気管
を一３０ｗ＋＋ｎＨ２Ｏの減圧状態として副生成物等を
排気した。このようにして光ファイバ素線に随伴して反
応管から流出した副生成物を狭窄部材中にて排除した。

ついて光ファイバ素線を実施例１と全く同様にして樹脂
コータ中に挿入して、保護被覆層を形成し、外径が２５
０μｍの光ファイバを得た。

（実施例５および実施例６） 原料ガスの種類、ＣＶＤ反応炉内の光ファイバ表面温度
、加熱処理炉の温度および狭窄部材の障害部の内径を第
１表に示したようにそれぞれ変化させた以外は実施例４
と全く同条件で光ファイバを製造した。

（比較例３） 狭窄部材に障害部を設けずに、また調整管からも排気を
行わなかった以外は上記実施例４と全く同条件で光ファ
イバを製造した。

（比較例４） 調整部材から排気は行ったが、狭窄部材に障害部を設け
なかった以外は光ファイバを実施例４と同条件で光ファ
イバを製造した。

（試験例） 上記実施例１ないし実施例６および比較例１ないし比較
例４の光ファイバの製造後、樹脂コータ中のディッピン
グポット内のニップルに堆積したタールおよびピッチ類
をメチルアルコールに、溶解して、その堆積量を測定し
た。この結果を第１表に併せて示した。

第１表の結果から、加熱処理炉を施すこと、あるは狭窄
部材を通過させることによって、副生成物が樹脂コータ
に堆積するのを防止できることが確認できた。すなわち
長時間に亙って連続紡糸が可能となることが確認できた
。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明の請求項１記載の光ファ
イバの製造方法は、光ファイバ裸線表面に炭素被膜を形
成して光ファイバ素線とした後に、６００℃以上の温度
で加熱するものであり、この発明の請求項２記載の光フ
ァイバの製造方法は、光ファイバ裸線表面に炭素被膜を
形成して光ファイバ素線とした後に、狭窄部材中を通過
させるものであるので、いずれも光ファイバ素線に損傷
を与えることなく、光ファイバ素線に随伴して反応管か
ら流出した副生成物を排除して樹脂コータ内に析出する
のを防止することができる。よっていずれの方法によっ
ても、光ファイバの紡糸速度を低下させることなく耐水
素特性に優れた光ファイバを長時間に亙って連続的に製
造することがてきる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の請求項！記載の光ファイバの製造方
法に好適に用いられる装置の一例を示した概略構成図、
第２図はこの発明の請求項２記載の光ファイバの製造方
法に好適に用いられる装置の一例を示した概略構成図、
第３図は第２図に示した装置の要部拡大図、第４図は実
施例４ないし実施例６で使用した狭窄部材を示した概略
構成図、第５図は従来の光ファイバの製造方法に好適に
用いられる製造装置の一例を示した概略構成図である。 ・・光ファイバ裸線、 ＣＶＤ反応炉、 ・反応管、 ０・・・光ファイバ素線、 １・加熱処理炉、 ３・・加熱手段、 ６・・・狭窄部材、 ７・・障害部、 ０・調整管。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）炭素化合物を熱分解して光ファイバ裸線表面に炭
   素被膜を形成して光ファイバ素線とした後に、この光フ
   ァイバ素線を６００℃以上の温度で加熱することを特徴
   とする光ファイバの製造方法（２）炭素化合物を熱分解
   して光ファイバ裸線表面に炭素被膜を形成して光ファイ
   バ素線とした後に、この光ファイバ素線を、炭素化合物
   の熱分解副生成物を排除する狭窄部材中を通過させるこ
   とを特徴とする光ファイバの製造方法