JPH04142029A - 微細パターンの加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は微細パターンの加工方法に関し、さらに詳しく
は、たとえば薄膜トランジスター、薄膜ダイオード、太
陽電池、薄膜センサー、各種半導体素子、Ｓａｗデバイ
ス、ＴＡＢ等の機能性被加工物に微細パターンを高い寸
法精度および位置合わせ精度でしかも量産的に効率良く
形成することのできる微細パターンの加工方法に関する
。また、本発明の微細パターンの加工方法は、たとえば
サーマルヘッド、カラーフィルタ、圧力センサー等の製
造におけるパターンにも好適に採用することができる。

［従来の技術］ たとえば薄膜トランジスターを用いたカラー液晶デイス
プレー（Ｔ　Ｐ　Ｔ　−Ｌ　ＣＤ）はポケットＴＶ、ポ
ータプルＴＶ等に用いられている。

そして、近年においては、２０インチ、４０インチ、７
０インチ等の大型液晶フラットデイスプレーの開発が盛
んである。

二の薄膜トランンスターは、通常、４〜６回程度のフォ
トリソグラフィー工程、つまりレジスト塗布、露光、現
像、エツチングの各処理を繰り返して行うことにより製
造されている。

また、微細パターンの形成には、レジストパターンの印
刷、エツチング処理を繰り返す印刷法を用いることも可
能である。そして、印刷配線や回路パターンの形成ある
いは金属板のエツチング用レジストパターンの形成に際
しては、スクリーン印刷法やオフセット印刷法のような
印刷手段か広く採用されている。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、上記のフォトリソグラフィー工程を繰り返し
て４０インチ、７０インチといった大型のＴＰＴ−ＬＣ
Ｄを製造しようとすれば、フォトリソグラフィー工程で
使用する専用の装置を開発しなければならないので、莫
大な費用か必要となる。特に、ステッパー等の大型露光
装置の開発費は莫大なものとなる。

一方、微細パターンの形成に上記の印刷法を用いれば、
レジストパターンの印刷および工・ソチング処理を繰り
返すことにより、４０インチ、７０インチといった大型
のＴＰＴ−ＬＣＤの製造にも比較的容易に対応すること
ができる。

しかしながら、これらの印刷手段は比較的画線の大きい
（たとえば２００μｍ以上）パターンの形成には適して
いるか、画線幅かたとえば２００μｍ未満の微細パター
ンの形成には必ずしも適するものではない。

例えば、スクリーン印刷法はメツシュ状スクリーンにイ
ンキ遮蔽マスクを形成し、該遮蔽マスクの非マスク部を
所望のパターンとし、該非マスク部からインキを透過さ
せて被印刷体にインキを付着させることにより印刷を行
う方法である。この印刷法ではインキの厚刷り（一般に
数μｍ〜２０μｍ厚）が容易なために耐蝕性の優れたレ
ジストパターンの印刷が可能であり、また粘度の低いイ
ンキを使用するためピンホールの発生も比較的少ない。

しかし、この印刷法による実用印刷幅は２００μｍ程度
が限界であるために微細なパターンの形成は困難である
。また、オフセット印刷法は前もって感光化されたプレ
ートであるいわゆるｐｓ版（ｐ＋＋ｔ＋ｎ５ｉｔｉ＋ｅ
ｄ　ｐｌｔｔｅに親油性部と親水性部とを形成し、親水
性部に水分を保持させて曲性インキを反発させることに
より親油性部のみに選択的にインキを付着させ、かかる
インキパターンを被印刷体に印刷する方法である。そし
て、この方法においては、特に印刷適性の向上を図るた
めに版上のインキパターンを一旦ゴムブランケットに転
写した後に被印刷体に再転写するよう構成されている。

この印刷法によると、比較的微細な画線を容易に得るこ
とかできる。しかしながら、この方法で採用される動的
なインキング方式やこの方法中で行われる通常２回の転
写操作等に起因して印刷されるインキ膜厚か１μｍ程度
の小さなものとなり、印！ｉ［１１画線にピンホールや
断線が発生し易いという欠点かある。また、この印刷法
に関しては、インキの膜厚を大きくして耐蝕性に優れた
微細パターンを形成すべく種々の工夫がなされているか
、膜厚を大きくすると印刷画線が太くなり、２０〜５０
μｍ程度の線幅の印刷が限界である。

一方、比較的細線で印刷膜厚も大きくすることのできる
印刷手段として凹版印刷法が知られている。この方法に
おいては、たとえば銅板、ガラス板等に彫刻法や蝕刻法
て画線凹部を形成し、該凹部に硬めのインキを擦り込み
、非画線部のインキを拭き取った後に前記の銅板等の上
に印刷用紙を当てた状態で強圧して印刷を行う。この凹
版印刷方法においては、硬めのインキを使用することに
より例えば１０〜９０μｍの微細パターンを印刷するこ
とか可能である。

いずれにせよ、平版オフセット法、直刷り法、凹版オフ
セット法、スクリーン印刷法等の従来の印刷方法におい
て使用されるインキの粘度は１００〜９００ボイズと非
常に大きく、特に５００〜９００ポイズのインキによる
印刷か微細パターンの形成には適しているとされている
。

しかしながら、このようなインキを用いた印刷において
は、■印刷用インキには例えばＮａイオン等の不純物か
多く含まれているが、粘度が大きいので該不純物を除く
ための精製は不可能である、■凹凸のある被加工物に印
刷する場合、この凹凸により線幅、膜厚が異なってしま
うことがあり、凹部には印刷できないことがある、■被
加工物の表面状態あるいは表面に形成されている薄膜の
種類によりインキの転写性が大きく異なる、■直接印刷
することは被印刷面の汚染を招く等の種々の問題がある
。

本発明は前記の事情に基づいてなされたものであり、た
とえばコンタクトホールを加工する場合のように加工面
積が小さい場合であってもピンホールの発生確立を極力
小さくすることができると共に従来の印刷法を採用して
微細パターンを形成することが可能であり、被加工物に
正確且つ鮮明にしかも効率良く安価に微細パターンを加
工することのできる方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 前記の課題を解決するための本発明の要旨は、被加工物
に予めフォトレジスト層を塗設し、その後、紫外線を遮
断する印刷インキ層を前記被加工物に位置合わせして前
記フォトレジスト層上に印刷し、次いて、所定形状の印
刷インキ層を印刷した面に紫外線を照射して前記フォト
レジスト層を現像し、その後、該被加工物をエツチング
処理してから前記フォトレジスト層を剥膜する一連の工
程を繰り返すことにより複数層の微細パターンを形成す
る方法であって、複数のフォトレジスト層のうち、少な
くともエツチング面積か最少である層の上に設けるフォ
トレジスト層をネカ型のフォトレジストで形成すること
を特徴とする微細パターンの加工方法である。

以下、本発明の微細パターンの加工方法について図面を
参照して説明する。

第１図（ａ）〜同図（ｏ）に本発明の微細パターンの加
工方法による微細パターンの加工形成過程を示す。

第１図（ａ）に示すように、本発明の微細パターンの加
工方法においては、たとえばカラス基板１ａ上にｐ−８
ｉ（ポリシリコン）などの導電性薄膜１ｂを有する被加
工物１を好適に使用することができる。

そして第１図（ｂ）に示すように、本発明の方法におい
ては、先ず上記の被加工物１上の導電性薄膜１ｂにフォ
トレジスト層２を形成し、次いで正確に位置合わせを行
なってからフォトレジスト層２上に印刷インキ層３を形
成する。

ここでフォトレジスト層２の形成には、通常、ポジ型の
各種フォトレジストを好適に使用することができる。具
体的には、たとえばグルー　カゼイン、アラビヤゴム、
ＰＶＡ、セラック等と重クロム酸アンモンとを含有して
なるいわゆる重クロム酸塩系及び石炭酸樹脂系のポジ型
フォトレジストを挙げることができる。

フォトレジスト層２の厚さは、通常、０．２〜５μｍ１
好ましくは１〜２μｍである。

本発明の方法においては、被加工物１上に塗設したフォ
トレジスト層２上に印刷インキ層３を形成するに際し、
被加工物１と印刷インキ層３との正確な位置合わせを行
なう。

この位置合わせには、たとえば第２図に示すアライメン
ト装置を好適に使用することができる。

ここで、第２図に示すアライメント装置は、ＣＣＤカメ
ラ２１、落射照明装置２２、顕微鏡２３、ＣＣＵ　（電
子ライン発生器）２４、モニター２５、ワーク駆動治具
２６およびバキューム定盤２７から構成される。

すなわち、ＣＣＤカメラ２１、落射照明装置２２、顕微
鏡２３、ＣＣＵ　（電子ライン発生器）２４およびモニ
ター２５は、このアライメント装置において観察光学系
を構成し、この観察光学系により被加工物１に既に転写
した第１層目のパターン（例えばマスキング層）と新た
に転写する第２層目以降のパターン（例えば印刷インキ
層）との位置関係を光学的に観察することが可能である
。

そして、このアライメント装置においては、上記の観察
光学系により得られた情報に基ついて、例えばブランケ
ットに設けた転写側レジスターマークとバキューム定盤
２７上に載置したワーク（被加工物）に設けたワーク側
レジスターマークとか重なり合って観察される位置まて
ワーク駆動治具２６によりワークを移動させてから、第
２層目以降のパターンか転写されているブランケットと
ワークとを圧着させてワークの所定の位置に第２層目以
降のパターンを転写させる。ここで、ブランケットとワ
ークとの圧着は、バキューム定盤２７およびブランケッ
トの少なくとも一方を互いに対向する方向へ移動させる
ことにより行なうことかできる。このとき、真空状態に
あるバキューム定盤２７の減圧空間を大気圧に解放する
ことによりブランケットとワークとの密着性を高め、両
者の接触部に残存する空気を排除することかできる。

たとえば第２図に示したアライメント装置を使用して被
加工物１上のフォトレジスト層２との正確な位置合わせ
を行なってから形成される印刷インキ層３はたとえば紫
外線遮蔽特性を持たせたインキを好適に使用して塗設す
ることかできる。

紫外線遮蔽特性を持たせたインキにより印刷インキ層３
を形成すれば、該印刷インキ層３をマスクとして紫外線
を照射することによりフォトレジストを製版することか
できる。

このようなインキは、たとえば微細化したカーボンブラ
ック、クロムイエロー、酸化コノくルト、二酸化チタン
、チタニウムイエロー、夛タンブラツク、カドミウムレ
ッド、カドミウムイエローコバルトブルー、エメラルド
グリーン等の顔料の一種または二種以上を紫外線遮断特
性のない印刷インキに添加することにより容易に調製す
ることかてきる。

印刷インキ層３の厚さは、通常、１〜５μｍ１好ましく
は１〜２μｍである。

本発明の方法においては、以上のようにしてフォトレジ
スト層２および印刷インキ層３を形成した後、たとえば
紫外線を照射する等して露光処理を行なった後、常法に
従って現像処理を行なう。

この現像処理により、フォトレジスト層２か例えばポジ
型のフォトレジストを塗布してなるものであれば、第１
図（ｃ）に示すように露光部分のフォトレノスト層２か
除去されて被加工物１（こ設けた導電性薄膜１ｂか部分
的（こ露出すること（こなる。

そして、導電性薄膜１ｂ力八部分的；こ露出すれ（ぼ、
たとえば四ツ・ソ化炭素ガスおよび酸素ガスの混合ガス
、あるいはフロンガス等を用（＼デニ（１わゆるトライ
エツチング等の工・ンチンク゛処理を行なうことにより
、第１図（ｄ）に示すよう：こ導電性薄膜１ｂの露出部
分か蝕刻される。

しかる後、被加工物１上；こ残存するフォトレジスト層
２および印刷インキ層３を玄１膜除去すれ（ｉ所定の形
状の導電性薄膜１ｂ力）出現する。

本発明の方法においては、以上の工程を繰り返して被加
工物１に複数の微細ノ々ターンを加工形成する。

すなわち、第１図（ｅ）；こ示すよう（こ、前述のよう
にして加工された被加工物１上（こたとえ（ずケート絶
縁膜４さらにはケー）ｐ−３ｉ（ポリシリコン）膜５等
を成膜し、さら（こ前述の工程を繰り返せば第１図（ｆ
）乃至第１図（ｇ）（こ示すように上記のゲートｐ−８
ｉ（ポリシリコン）膜５上二所定形状の微細パターンを
印刷形成することｈｌてきる。

そして、例えば本発明の方法により半導体基板、ＴＰＴ
基板等を製造する場合には、前述のよう（こして微細パ
ターンを形成した後、第１図（ｈ）（こ示すようにイオ
ンドーピング等の処理を行な０、必要に応して前記の一
連の工程を繰り返せば良（１゜そして、本発明の方法に
おいて重要な点の一つは、前述の一連の工程を繰り返す
ことにより形成する複数のフォトレジスト層のうち、少
なくともエツチング面積か最少である層の上に設けられ
るフォトレジスト層をネガ型のフォトレジストで形成す
ることにある。

すなわち、たとえばＴＰＴ基板のコンタクトホール部等
の微少面積の加工を行なう場合、ポジ型のフォトレジス
トによりフォトレジスト層を形成すると、このフォトレ
ジスト層上に形成する印刷インキ層の面積も大きくしな
ければならな０ため、結果的に印刷面積が大きくなる。

ところか、印刷面積を大きくするとピンホール、断線、
短絡等の発生確率も増大する。

したがって、本発明の方法においては、少なくともエツ
チング面積か最少である層の上に設けられるフォトレジ
スト層をネガ型のフォトレジストで形成する。

ネガ型のフォトレジストを用いてなるフォトレジスト層
においては、未露光部分が現像処理により除去されるの
で、除去したい部分すなわち加工部分の面積か微少であ
る場合には、この部分にのみ紫外線遮断特性を有する印
刷インキ層を塗布すればよい。

そして、このネガ型のフォトレジストを用いてなるフォ
トレジスト層上に形成する印刷インキ層の転写には、凹
版印刷法を好適に採用することかできる。

この凹版印刷法において使用に供される印刷用版は凹版
であればその形状には特に制限はなく、たとえばゴムロ
ーラ等に版を巻き付けて円筒状にしたもののみならず平
板状の構成であっても良い。

この凹版にはパターン凹部か形成されているか、パター
ン凹部の形成法には特に制限はな０゜たとえば研磨され
た金属製版材、ガラス製版材、セラミック製版材等の版
材を微細切削法により切削加工したり、フ矛トフアプリ
ケーション技術を利用して蝕刻したりすることにより形
成すればよい。

たとえばこのようにして形成されるノぐターン凹部は、
その線幅か３〜７０μｍ程度であり、深さが１〜１０μ
ｍ程度である。

この印刷用凹版には、通常、硬化型インキを塗布する。

使用に供される硬化型インキとしては、たとえば紫外線
硬化型インキ、熱硬化型インキ、赤外線硬化型インキ、
電子線硬化型インキなとか挙げられる。

上記の凹版印刷法においては、印刷版上のノくターン凹
部てパターニングされた硬化型インキの少なくとも表層
部の一部が不完全硬化状態になるように硬化処理を施す
。

この硬化処理は、使用する硬化型インキの性質に応じて
例えば加熱したり、放射線を照射する等して行なうこと
ができる。

硬化処理の施された硬化型インキは不完全硬化表層部と
完全硬化部とを有する硬化インキとなる。

すなわち、硬化処理によりインキは反応活性化してパタ
ーン凹部内で増粘または硬化反応か発生し、インキの流
動性が消失する。なお、不完全硬化表層部においては粘
着性等の物性か残る。

上記の凹版印刷法においては、以上のようにして変則的
にインキを硬化させた後、パターン凹部内の硬化インキ
を被加工物の所定の部位に転写させて微細パターンの印
刷を行なうことかできる。

ここで、パターン凹部内の硬化インキを被加工物の所定
の部位に転写させるには、前述したアライメント装置を
好適に使用することかできる。

なお、前述した一連の工程を繰り返すことにより被加工
物の表面には凹凸が生しているので、本発明の方法にお
いては被加工物表面の平滑化を兼ねて予めフォトレジス
ト層を塗設し、該フォトレジスト層の上に前記の硬化イ
ンキを転移させる。

したがって、被加工物表面は平滑であり、しかも有機物
からなるフォトレジスト層上に硬化インキを転移させる
ことになるため該硬化インキの付着性か良好であると共
にインキに含有されることのある不純物の影響を排除す
ることか可能である。

具体的には、必要に応してイオンドーピング処理を行な
った被加工物１上に、第１図（１）に示すように眉間絶
縁膜６を設け、次いて第１図（」）に示すように層間絶
縁＠６上にネガ型のフォトレフストを塗布してネカ型フ
ォトレンスト層７を形成し、このネガ型フォトレジスト
層７上に紫外線遮断特性を有する印刷インキ層３を位置
合わせしてから転写させる。

この状態で印刷インキ層３側から紫外線を照射して露光
およびインキ層剥膜現像処理を行なえば、第１図（ｋ）
に示すようにネガ型フォトレジスト層７における未露光
部か除去される。

次いて、層間絶縁膜６のエツチング処理を行ない第１図
（１）に示すように所定部位のゲート絶縁膜４を露出さ
せてからたとえば第１図（ｍ）に示すようにアルミニウ
ム薄膜等の導電性膜８を成膜し、次いで第１図（ｎ）に
示すようにこの導電性膜８上にポジ型のフォトレジスト
層２および印刷インキ層３を形成する。その後、常法に
したかって導電性膜８のエツチング処理を行ない、さら
にフォトレジスト層２および印刷インキ層３を剥膜除去
すれば、第１図（ｏ）に示すように例えばコンタクトホ
ール等の微少部分のみに導電性膜８か形成される。

以上のようにして本発明の方法により被加工物に加工形
成される微細パターンは、線幅か１０μｍ程度以下であ
る微少部分においてもピンホール等の発生かなく、膜厚
か適度であると共に寸法精度および位置合わせ精度も極
めて高い精密なものである。

１作用］ 本発明の微細パターンの加工方法においては、複数のフ
ォトレジスト層のうち、少なくともエツチング面積が最
少である層の上に設けるフォトレジスト層をネガ型のフ
ォトレジストで形成する。

したかって、印刷面積を小さくすることか可能であり、
不良画像の発生確率か減少して微少部分においてもピン
ホール等の発生を防止することか可能である。

また、本発明の微細パターンの加工方法においては、紫
外線遮断特性を有する印刷インキを使用すると共にフォ
トレジスト上に転移させた印刷インキ層に紫外線を照射
することてフォトレジスト層の露光を行なうことにより
、例えばステッパー等の大型露光装置は不要となる。

さらに、フォトレジスト層を設けた被加工物と印刷版上
の印刷インキ層との位置合わせを行なうことにより、被
加工物上に加工形成される微細ノ々ターンの位置合わせ
精度および寸法精度は飛躍的に向上している。

［実施例］ 次に本発明の実施例を示し本発明についてさらに具体的
に説明する。

（実施例１） 厚さ１．１ｍｍのＡＮガラス［旭ガラス■製］基板１ａ
にｐ−８ｉ（ポリシリコン）を厚さ０．１μｍて成膜し
て導電性薄膜１ｂを有する被加工物１を作製した［第１
図（ａ）参照］。

次いて、導電性膜１１１１ｂ上にボン型のフォトレジス
ト［東京応化社製、［０ＦＰＲ−８００Ｊ、粘度２０セ
ンチポイズ］を用いて厚さ１μｍのフォトレジスト膜２
を塗設してから、前述した凹版印刷法により紫外線遮断
特性を有する所定形状の印刷インキ層３を膜厚１．５μ
ｍで転写した［第１図（ｂ）参照］。

しかる後、印刷インキ層３側から超高圧水銀ランプを用
いて紫外線を照射し、露光処理および現像処理を行なっ
た［第１図（ｃ）参照コ。

なお、本実施例においてインキ層の転写は凹版オフセッ
ト法を採用して行なった。

すなわち、第３図（ａ）に示すようにドクターブレード
法を採用してドクター３０で凹版３１にインキ３２を塗
布した後、第３図（ｂ）に示すようにブランケット３３
に凹版３１のインキを転写し、次に、第３図（Ｃ）に示
すようにプランケット３２に転写させたインキ３２を被
加工物１に転写させる凹版オフセット法を採用してイン
キ層の転写を行なった。なお、第３図（ｂ）および同図
（Ｃ）において４０はワーク定盤である。

また、インキにはカーホンブラックをノボラック−メラ
ミン系熱硬化性樹脂に混入させて得られた紫外線遮断性
を有する印刷インキを使用した。

なお、第２層目以降は第１層目のパターン形状に対して
正確に位置合わせを行なって所定形状のパターンを印刷
する必要があるか、そのためには例えば第２図に示すア
ライメント装置を好適に使用することができる。

本実施例においては、前述のようにして露光および現像
処理を行なった後、四フッ化炭素ガスおよび酸素ガスの
混合ガス（ＣＦ４ガス９７％、酸素ガス３％）を用いた
トライエツチング法を採用して導電性薄膜１ｂを除去し
た［第１図（ｄ）参照］。

その後、フォトレジスト層２および印刷インキ層３を剥
膜し、ゲート絶縁膜４としてＳ　ｉＯ２を厚さ０．１μ
ｍで成膜し、その上にさらにゲートｐ−８ｉ膜５を厚さ
０．１μｍで成膜した［第１図（ｅ）参照］。

次に、上記のゲートｐ−８ｉ膜５上にポジ型のフォトレ
ジスト［東京応化社製、ｒＯＦＰＲ−８００１、粘度２
０センチボイズ］を厚さ１μｍで塗布してフォトレジス
ト層２を塗設し、第２図に示したアライメント機構を有
する凹版オフセット印刷機を使用して所定形状のパター
ンを正確に位置合わせしてから印刷インキ層３を形成し
、この印刷インキ層３側から露光および現像処理を行な
った［第１図（ｆ）参照コ。

その後、フロンガスを用いたドライエツチング法を採用
してゲートｐ−８ｉ膜５を除去し［第１図（ｇ）参照コ
、次いで印刷インキ層３およびフォトレジスト層２を除
去してからイオン注入を行なった［第１図（ｈ）参照］
。

しかる後、層間絶縁膜６としてＳ　ｉ　０２を厚さ０．
３μｍで成膜した［第１図（ｉ）参照］。

この層間絶縁膜６上にネガ型のフォトレジスト［東京応
化社製、［ＯＭＲ８５ヨ、粘度３５センチポイズ］を使
用して膜厚１．５μｍのネガ型フォトレジスト層７を塗
設した。

次に第２図に示したアライメント機構を有する凹版オフ
セット印刷機を使用して所定形状のパターンを正確に位
置合わせしてからネガ型フォトレジスト層７の上に厚さ
１．７μｍの印刷インキ層３を形成し、コンタクトホー
ル部上の印刷を行なったし第１図（」）参照］。このと
き、ネガ型フォトレジスト層７上の印刷面積は非常に小
さいため、印刷時に発生するピンホール等が出現する確
率は激減する。

しかる後、印刷インキ層３側から紫外線を照射して露光
および現像処理を行なった０第１図（ｋ）参照］。

次いで、四フッ化炭素ガスを用いたトライエツチング法
を採用して層間絶縁膜６を除去し［第１図（１）参Ｗ４
］、シかる後、ネガ型フォトレジスト層７を剥膜除去し
てからアルミニウム（Ａ１）からなる導電性膜８を厚さ
０，１μｍで成膜した［第１図（ｍ）参照コ。

その後、この導電性膜８上の所定の位置にポジ型のフォ
トレジスト層２を塗設し、さらにこのフォトレジスト層
２上に厚さ１．５μｍの印刷インキ層３を形成した。次
に、この印刷インキ層３側から紫外線を照射して露光お
よび現像処理を行なった［第１図（ｎ）参照］後、Ｂｃ
１３＋ＣＣＩ　　混合ガスを用いたドライエツチング法
を採用して導電性膜８を除去することにより［第１図（
０）参照コ、薄膜トランジスタ（Ｔ　Ｐ　Ｔ）を作製し
た。

このようにして加工形成した微細パターンは、寸法精度
および位置合わせ精度に優れ、たとえばコンタクトホー
ル部においてもピンホール、短絡、断線等の発生は見ら
れなかった。

また得られたＴＰＴの特性を測定したところ、ステッパ
ーでアライメント露光した通常のフォトリソグラフィー
工程による加工方法を採用して作製したＴＰＴの特性と
同等であった。

［発明の効果コ （１）　本発明によると、フォトレジスト層の塗設、印
刷インキ層の転写、露光・現像処理、エツチング処理な
らびにフォトレジスト層および印刷インキ層の剥膜除去
をこの順に行なう一連の工程を繰り返して形成される複
数のフォトレジスト層のうち、少なくともエツチング面
積か最少である層の上に設けるフォトレジスト層をネガ
型のフォトレジストで形成するので、たとえばＴＰＴの
コンタクトホール等の微少部分を小さな印刷面積で加工
することかできてピンホール等の発生確率を減少させた
条件で微細パターンの加工形成ができる加工方法を提供
することができる。

（２）　また、本発明によると、所定形状で紫外線を遮
断する印刷インキ層を被加工物に位置合わせして印刷し
た後、印刷インキ層を印刷した面に紫外線を照射してフ
ォルシスト層を現像するので、たとえばステッパー等の
大型露光装置が不要で効率良く、しかも安価に微細パタ
ーンを加工することができると共に従来の印刷法を採用
して被加工物に正確且つ鮮明な微細パターンを形成し得
る加工方法を提供することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜同図（０）は本発明の微細パターンの加
工方法により微細パターンを加工する場合の被加工物の
状態を模式的に示す説明図、第２図は本発明の方法にお
いて好適に使用することのできるアライメント装置の一
構成例を示す説明図、第３図（ａ）〜同図（ｃ）は本発
明の方法において好適に採用することのできる凹版印刷
法における印刷インキの転写工程を模式的に示す説明図
である。 １・・・被加工物、２・・・フォトレジスト層、３・・
・印刷インキ層、７・・ネガ型フォトレジスト層出願人
代理人　　石　　川　　泰　　男）ｂ 第 図 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　被加工物に予めフォトレジスト層を塗設し、その後、
   紫外線を遮断する印刷インキ層を前記被加工物に位置合
   わせして前記フォトレジスト層上に印刷し、次いで、所
   定形状の印刷インキ層を印刷した面に紫外線を照射して
   前記フォトレジスト層を現像し、その後、該被加工物を
   エッチング処理してから前記フォトレジスト層を剥膜す
   る一連の工程を繰り返すことにより複数層の微細パター
   ンを形成する方法であって、複数のフォトレジスト層の
   うち、少なくともエッチング面積が最少である層の上に
   設けるフォトレジスト層をネガ型のフォトレジストで形
   成することを特徴とする微細パターンの加工方法。