JPH04143914A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH04143914A JPH04143914A JP26649690A JP26649690A JPH04143914A JP H04143914 A JPH04143914 A JP H04143914A JP 26649690 A JP26649690 A JP 26649690A JP 26649690 A JP26649690 A JP 26649690A JP H04143914 A JPH04143914 A JP H04143914A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気
記録装置に使用される磁気抵抗効果ヘッドに関する。
記録装置に使用される磁気抵抗効果ヘッドに関する。
［従来の技術］
磁気抵抗効果ヘット（以下、ＭＲヘットと称する。）は
高い再生感度を有し、かつ、再生出力か磁気記録媒体−
磁気ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記録装
置の高密度化、小型化に対して有利なデバイスである。
高い再生感度を有し、かつ、再生出力か磁気記録媒体−
磁気ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記録装
置の高密度化、小型化に対して有利なデバイスである。
ＭＲヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ
素子と称する。）に電極を取り付けて電流を流し、ＭＲ
素子の抵抗変化を出力として検出している。このＭＲヘ
ッドと電極の取り付は方法としては多くのものが開発さ
れている。
素子と称する。）に電極を取り付けて電流を流し、ＭＲ
素子の抵抗変化を出力として検出している。このＭＲヘ
ッドと電極の取り付は方法としては多くのものが開発さ
れている。
第２図は従来のＭＲヘッドの構成の一例を示すディスク
対向面の断面図である。このＭＲヘッドでは、電極２か
テーパー形状に形成されており、その上にＭＲ素子１が
形成されている。電極がテパー形状になっていることは
、ＭＲ素子の形状異方性を生かし、バルクハウゼンノイ
ズを軽減する効果がおる。このＭＲヘッドにおいては、
媒体から発する磁束のうち、電極の間を通るものが検出
されるので、ＭＲヘッドの感知幅は電極間の距離に等し
いといえる。また、図中、４は下シールド間ギャップを
、５は上シールド間キャップを示しており、磁気シール
トロ、７か媒体から発する磁束のうち余分な磁束を吸収
することにより分解能を高めている。
対向面の断面図である。このＭＲヘッドでは、電極２か
テーパー形状に形成されており、その上にＭＲ素子１が
形成されている。電極がテパー形状になっていることは
、ＭＲ素子の形状異方性を生かし、バルクハウゼンノイ
ズを軽減する効果がおる。このＭＲヘッドにおいては、
媒体から発する磁束のうち、電極の間を通るものが検出
されるので、ＭＲヘッドの感知幅は電極間の距離に等し
いといえる。また、図中、４は下シールド間ギャップを
、５は上シールド間キャップを示しており、磁気シール
トロ、７か媒体から発する磁束のうち余分な磁束を吸収
することにより分解能を高めている。
［発明か解決しようとする課題］
しかしながら、近年、記録密度が上がり、トラック幅か
狭くなるにつれて、電極をテーパー形状にエツチングす
る際に生じる誤差により、ＭＲヘットの感知幅を精度よ
く定めることか困難になっている。
狭くなるにつれて、電極をテーパー形状にエツチングす
る際に生じる誤差により、ＭＲヘットの感知幅を精度よ
く定めることか困難になっている。
本発明の目的は、テーパー形状の電極を用いたＭＲヘッ
ドにおいて、感知幅を正確に定めることのできるＭＲヘ
ットを提供することにある。
ドにおいて、感知幅を正確に定めることのできるＭＲヘ
ットを提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、テーパー形状の分離した電極層と、該電極層
間に形成され、前記テーパー部に接触した絶縁層と、前
記電極層と前記絶縁層に接した磁気抵抗効果素子層とか
順次積層して形成され、前記磁気抵抗効果素子層のうち
、前記絶縁層に接した部分か磁界の検出用に作用する磁
気抵抗効果へラドてあって、絶縁層と磁気抵抗効果素子
層との接触面が平坦面であることを特徴とする磁気抵抗
効果ヘッドである。
間に形成され、前記テーパー部に接触した絶縁層と、前
記電極層と前記絶縁層に接した磁気抵抗効果素子層とか
順次積層して形成され、前記磁気抵抗効果素子層のうち
、前記絶縁層に接した部分か磁界の検出用に作用する磁
気抵抗効果へラドてあって、絶縁層と磁気抵抗効果素子
層との接触面が平坦面であることを特徴とする磁気抵抗
効果ヘッドである。
［作用Ｊ
本発明においては、テーパー形状の電極とＭＲ素子層の
間に絶縁、＠を設置し、感知幅として絶縁層の幅を用い
ることにより、トラック幅を精度よく決定することかで
きる。また、絶縁層とＭＲ素子層の接触面を平面にする
ことにより、バルクハウゼンノイズの発生か抑えられる
。
間に絶縁、＠を設置し、感知幅として絶縁層の幅を用い
ることにより、トラック幅を精度よく決定することかで
きる。また、絶縁層とＭＲ素子層の接触面を平面にする
ことにより、バルクハウゼンノイズの発生か抑えられる
。
１実施例Ｊ
次に本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例１，２
第１図は本発明の一実施例の断面図である。セラミック
の非磁性基板上に厚さ１伽のパーマロイを用いた下シー
ルド７をメツキ法により成膜し、次いでイオンミリング
により、幅３０ ｕｒｎにバタン化する。その上に、厚
ざ０４ＪＪＩｎのＳｉＯ２を用いた下シールド間ギャッ
プ４をスパッタリング法により成膜し、さらに、厚ざ０
．２４１ＩＡのＡＬ、Ｉを用いた電極２を蒸着法により
成膜する。この電極の上に、厚さ０．０１ ｔａｒのＴ
ａ、厚さ０．１４１１ｆｎのＡｆ ２０３ 、厚さ１卯
のレジストを成膜し、入射角３０ °のＡ「ヒームによ
り電極をテーパー形状にエツチングし、Ａｊ２０３をホ
ットリン酸により除去する。次に、ステンシル形状のフ
ォトレジストをトラック幅に相当する幅４．０庫だけ離
して１組作製し、厚さ０．０４ＪＪ！ｎのＳｉＯ２から
なる絶縁層３をリフトオフにより成膜する。
の非磁性基板上に厚さ１伽のパーマロイを用いた下シー
ルド７をメツキ法により成膜し、次いでイオンミリング
により、幅３０ ｕｒｎにバタン化する。その上に、厚
ざ０４ＪＪＩｎのＳｉＯ２を用いた下シールド間ギャッ
プ４をスパッタリング法により成膜し、さらに、厚ざ０
．２４１ＩＡのＡＬ、Ｉを用いた電極２を蒸着法により
成膜する。この電極の上に、厚さ０．０１ ｔａｒのＴ
ａ、厚さ０．１４１１ｆｎのＡｆ ２０３ 、厚さ１卯
のレジストを成膜し、入射角３０ °のＡ「ヒームによ
り電極をテーパー形状にエツチングし、Ａｊ２０３をホ
ットリン酸により除去する。次に、ステンシル形状のフ
ォトレジストをトラック幅に相当する幅４．０庫だけ離
して１組作製し、厚さ０．０４ＪＪ！ｎのＳｉＯ２から
なる絶縁層３をリフトオフにより成膜する。
さらに、ＭＲ素子＠１として、厚さ０．０４ｕＩｎのパ
ーマロイ膜、厚さ０．０２１１ＩｎのＴ１膜、および厚
ａ ０．０５ ｔｍのＣＯＺｒＭｃ［を成膜する。そし
てＩＶｔＲ素子層と絶縁層と電極とを同時に幅５伽にパ
ターン化する。
ーマロイ膜、厚さ０．０２１１ＩｎのＴ１膜、および厚
ａ ０．０５ ｔｍのＣＯＺｒＭｃ［を成膜する。そし
てＩＶｔＲ素子層と絶縁層と電極とを同時に幅５伽にパ
ターン化する。
さらに、厚ざ０．３１ＪＪｎｌ１７）Ｓ１０２ｗＡを用
いた上シルト間キャップ５をスパッタリング法により成
膜し、その上に厚さ１ＪＪ！ｎのパーマロイを用いた上
シールド６をメツキ法により成膜する。次いで、フォト
リソグラフィー技術とイオンエツチング技術を用いて、
幅３０ ｉｓのパターンに形成する。得られたＭＲヘッ
ドを実施例１とする。
いた上シルト間キャップ５をスパッタリング法により成
膜し、その上に厚さ１ＪＪ！ｎのパーマロイを用いた上
シールド６をメツキ法により成膜する。次いで、フォト
リソグラフィー技術とイオンエツチング技術を用いて、
幅３０ ｉｓのパターンに形成する。得られたＭＲヘッ
ドを実施例１とする。
実施例１においては、感知幅は４．０Ｊｕｎとしたか、
上記と同様にして、この幅か８珈であるものを作製し、
実施例２とした。これらのＭＲヘットをそれぞれ複数個
作製し、実際の感λ口幅かどの程度ばらついているかを
レーザー顕微鏡により測定した。
上記と同様にして、この幅か８珈であるものを作製し、
実施例２とした。これらのＭＲヘットをそれぞれ複数個
作製し、実際の感λ口幅かどの程度ばらついているかを
レーザー顕微鏡により測定した。
表−１は感知幅の設計値と実測値のずれを示したもので
ある。表−１より、本発明の実施例のＭＲヘットでは０
．２μｓ以下の精度で感知幅を決定することかでき、感
知幅か４１ＪＩｎであるような狭トラツクヘツドでも適
用できることが実証された。
ある。表−１より、本発明の実施例のＭＲヘットでは０
．２μｓ以下の精度で感知幅を決定することかでき、感
知幅か４１ＪＩｎであるような狭トラツクヘツドでも適
用できることが実証された。
表〜１
比較例１．２
第２図は本発明の第１の比較例を示すＭＲヘッドの断面
図である。セラミックの非磁性基板上に厚さ１期のパー
マロイを用いた下シールド７をメツキ法により成膜し、
イオンミリングにより幅３０ＪＪＪｎにパターン化する
。その上に、厚さ０．４卯のＳｉＯ２を用いた下シール
ド間ギャップ４をスパッタリング法により成膜し、ざら
に、厚さ０．２４μｓのＡｕを用いた電極２を蒸着法に
より成膜する。この電極の上に、厚さ０．０１ ｔｕｎ
のＴａ、厚さ０．１４１ＩＩｎのＡｊ２０３、厚ざ１Ｊ
ＪＪｒｉのレジストを成膜し、入射角３０ °のＡｒビ
ームにより電極をテーパー形状にエツチングし、Ａｌ２
Ｏ３をホットリン酸により除去する。このとき分離した
電極の幅か感知幅となる。本比較例ではこの幅か４伽と
なるようにレジストを配置している。
図である。セラミックの非磁性基板上に厚さ１期のパー
マロイを用いた下シールド７をメツキ法により成膜し、
イオンミリングにより幅３０ＪＪＪｎにパターン化する
。その上に、厚さ０．４卯のＳｉＯ２を用いた下シール
ド間ギャップ４をスパッタリング法により成膜し、ざら
に、厚さ０．２４μｓのＡｕを用いた電極２を蒸着法に
より成膜する。この電極の上に、厚さ０．０１ ｔｕｎ
のＴａ、厚さ０．１４１ＩＩｎのＡｊ２０３、厚ざ１Ｊ
ＪＪｒｉのレジストを成膜し、入射角３０ °のＡｒビ
ームにより電極をテーパー形状にエツチングし、Ａｌ２
Ｏ３をホットリン酸により除去する。このとき分離した
電極の幅か感知幅となる。本比較例ではこの幅か４伽と
なるようにレジストを配置している。
次に、ＭＲ素子層１として、厚さ０．０４珈のパマロイ
膜、厚ざ０．０２ｕＪｎのＴｉ膜、および厚さ０１０５
／ｆｆ＋のＣｏＺｒＭｏ！Ｉｇを成膜する。そしてＭ
Ｒ素子層と絶縁層と電極とを同時に幅５切にバタン化す
る。
膜、厚ざ０．０２ｕＪｎのＴｉ膜、および厚さ０１０５
／ｆｆ＋のＣｏＺｒＭｏ！Ｉｇを成膜する。そしてＭ
Ｒ素子層と絶縁層と電極とを同時に幅５切にバタン化す
る。
さらに、厚さ０．３７ｍの８１０２膜を用いた上シルト
間ギャップ５をスパッタリング法により成膜し、その上
に厚さ１卯のパーマロイを用いた上シールド６をメツキ
法により成ＷＡｖる。次いてフォトリソグラフィー技術
とイオンエツチング技術を用いて、幅３０珈のパターン
に形成する。得られたＭＲヘットを比較例１とする。
間ギャップ５をスパッタリング法により成膜し、その上
に厚さ１卯のパーマロイを用いた上シールド６をメツキ
法により成ＷＡｖる。次いてフォトリソグラフィー技術
とイオンエツチング技術を用いて、幅３０珈のパターン
に形成する。得られたＭＲヘットを比較例１とする。
比較例１ては感知幅は電極の距離で決定され、４期であ
ったか、上記と同様にして感知幅か８柳のものを作製し
、比較例２とした。
ったか、上記と同様にして感知幅か８柳のものを作製し
、比較例２とした。
表−２は感知幅の設計値と実測値のずれを示したもので
ある。表−２より、比較例のＭＲヘッドでは感知幅の作
成誤差か１．０卯以上になってしまうため、感知幅か４
ＪＪＩｎであるような狭トラツクヘツドには適用できな
いことかわかる。
ある。表−２より、比較例のＭＲヘッドでは感知幅の作
成誤差か１．０卯以上になってしまうため、感知幅か４
ＪＪＩｎであるような狭トラツクヘツドには適用できな
いことかわかる。
表−２
比較例３
第３図は本発明の第３の比較例を示すＭＲヘッドの断面
図である。セラミックの非磁性基板上に厚さ１ｕ！ｎの
パーマロイを用いた下シールド７をメツキ法により成膜
し、イオンミリングにより幅３０柳（こパターン化する
。その上に、厚さ０．４珈の５ＩＯ２を用いた下シール
ド間ギャップ４をスパッタリング法により成膜し、さら
に、厚ざ０．２４期のＡＵを用いた電極２を蒸着法によ
り成膜する。この電極の上に、厚ざ０．．０１珈のＨａ
、厚さ０．１４ＪＪＩｎのＡｌ２Ｏ３、厚ざ１ＪＭ１の
レジストを成膜し、入射角３０°のＡｒビームにより電
極をテーパー形状にエツチングし、Ａｌ２Ｏ３をホット
リン酸により除去する。次に、フォトレジストを感知幅
に相当する幅４μｓだけ離して１組作成し、厚さ０．０
４珈のＳｉＯ２からなる絶縁層３をリフトオフにより成
膜する。
図である。セラミックの非磁性基板上に厚さ１ｕ！ｎの
パーマロイを用いた下シールド７をメツキ法により成膜
し、イオンミリングにより幅３０柳（こパターン化する
。その上に、厚さ０．４珈の５ＩＯ２を用いた下シール
ド間ギャップ４をスパッタリング法により成膜し、さら
に、厚ざ０．２４期のＡＵを用いた電極２を蒸着法によ
り成膜する。この電極の上に、厚ざ０．．０１珈のＨａ
、厚さ０．１４ＪＪＩｎのＡｌ２Ｏ３、厚ざ１ＪＭ１の
レジストを成膜し、入射角３０°のＡｒビームにより電
極をテーパー形状にエツチングし、Ａｌ２Ｏ３をホット
リン酸により除去する。次に、フォトレジストを感知幅
に相当する幅４μｓだけ離して１組作成し、厚さ０．０
４珈のＳｉＯ２からなる絶縁層３をリフトオフにより成
膜する。
ざらに、ＭＲ素子層１として、厚さ０．０４７ｍのパー
マロイ膜、厚ざ０．０２ＪＩｆｎのＴｉ膜、および厚さ
０．０５ｍｍのＣ○ＺｒＭＯ膜を成膜する。そして〜Ｉ
Ｒ素子層と絶縁層と電極とを同時に幅５柳にパターン化
する。
マロイ膜、厚ざ０．０２ＪＩｆｎのＴｉ膜、および厚さ
０．０５ｍｍのＣ○ＺｒＭＯ膜を成膜する。そして〜Ｉ
Ｒ素子層と絶縁層と電極とを同時に幅５柳にパターン化
する。
ざらに、厚さ０，３１Ｊ！ｎのＳｉＯ２膜を用いた上シ
ルト間キャップ５をスパッタリング法により成膜し、そ
の上に厚さ１期のパーマロイを用いた上シールトロをメ
ツキ法により成膜する。次いてフォトリソグラフィー技
術とイオンエツチング技術を用いて、幅３０庫のパター
ンに形成する。
ルト間キャップ５をスパッタリング法により成膜し、そ
の上に厚さ１期のパーマロイを用いた上シールトロをメ
ツキ法により成膜する。次いてフォトリソグラフィー技
術とイオンエツチング技術を用いて、幅３０庫のパター
ンに形成する。
本比較例においては、感知幅は４１ｉＩｎでおる。しか
しなから、感知幅の端部において、ＭＲ素子か電極のテ
ーパー形状を反映するため、第３図に示すように、ＭＲ
素子１か平面とならずに屈曲してしまっている。
しなから、感知幅の端部において、ＭＲ素子か電極のテ
ーパー形状を反映するため、第３図に示すように、ＭＲ
素子１か平面とならずに屈曲してしまっている。
表−３は感知幅が４柳の実施例１と比較例３について、
作製したＭＲヘットの再生波形にバルクハウゼンノイズ
か発生する頻度を示したものである。表−３より、比較
例３においてはテストしたすべてのヘッドでバルクハウ
ゼンノイズが観測されていることがわかる。
作製したＭＲヘットの再生波形にバルクハウゼンノイズ
か発生する頻度を示したものである。表−３より、比較
例３においてはテストしたすべてのヘッドでバルクハウ
ゼンノイズが観測されていることがわかる。
表−１および表−３より、本発明のＭＲヘッドか感知幅
を精度よく決定することか可能であり、かつ、バルクハ
ウゼンノイズの発生頻度か小さいのに対して、電極間の
距離を感知幅とした！′ｖＩＲヘッドでは感知幅を精度
よく定めることか困難でおり、また、ＶＩＰ素子と絶縁
層の接触面が平面になっていないＭＲヘットにおいては
、バルクハウゼンノイズか１００％発生してしまうこと
かわかる。
を精度よく決定することか可能であり、かつ、バルクハ
ウゼンノイズの発生頻度か小さいのに対して、電極間の
距離を感知幅とした！′ｖＩＲヘッドでは感知幅を精度
よく定めることか困難でおり、また、ＶＩＰ素子と絶縁
層の接触面が平面になっていないＭＲヘットにおいては
、バルクハウゼンノイズか１００％発生してしまうこと
かわかる。
表−３
［発明の効果］
以上のように、本発明においては、感知幅を正確に定め
ることかでき、バルクハウゼン、ノイズの少ない磁気抵
抗効果ヘットを得ることかできる。
ることかでき、バルクハウゼン、ノイズの少ない磁気抵
抗効果ヘットを得ることかできる。
第１図は本発明の一実施例のディスク対向面の断面図、
第２図および第３図はそれぞれ本発明の比較例に用いら
れる磁気抵抗効果ヘットのディスク対向面の断面図であ
る。 １・・・ＭＲ素子 ２・・・電極 ３・・・絶縁層 ４・・・下シールド間ギャップ ５・・・上シールド間ギャップ ６・・・上シールド ７・・・下シールド
第２図および第３図はそれぞれ本発明の比較例に用いら
れる磁気抵抗効果ヘットのディスク対向面の断面図であ
る。 １・・・ＭＲ素子 ２・・・電極 ３・・・絶縁層 ４・・・下シールド間ギャップ ５・・・上シールド間ギャップ ６・・・上シールド ７・・・下シールド
Claims (1)
- （１）テーパー形状の分離した電極層と、該電極層間に
形成され、前記テーパー部に接触した絶縁層と、前記電
極層と前記絶縁層に接した磁気抵抗効果素子層とが順次
積層して形成され、前記磁気抵抗効果素子層のうち、前
記絶縁層に接した部分が磁界の検出用に作用する磁気抵
抗効果ヘッドであって、絶縁層と磁気抵抗効果素子層と
の接触面が平坦面であることを特徴とする磁気抵抗効果
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2266496A JP2674294B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2266496A JP2674294B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04143914A true JPH04143914A (ja) | 1992-05-18 |
| JP2674294B2 JP2674294B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=17431735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2266496A Expired - Lifetime JP2674294B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674294B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0573154A3 (ja) * | 1992-06-05 | 1994-08-31 | Hewlett Packard Co | |
| EP0756269A3 (en) * | 1995-07-28 | 1998-01-07 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
| US6920021B2 (en) | 2002-08-26 | 2005-07-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Sunken electrical lead defined narrow track width magnetic head |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6154012A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
| JPS6152314U (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-08 |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP2266496A patent/JP2674294B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2674294B2 (ja) | 1997-11-12 |
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