JPH04144917A - 分散盤ノズルのクリーニング方法 - Google Patents
分散盤ノズルのクリーニング方法Info
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- JPH04144917A JPH04144917A JP26339190A JP26339190A JPH04144917A JP H04144917 A JPH04144917 A JP H04144917A JP 26339190 A JP26339190 A JP 26339190A JP 26339190 A JP26339190 A JP 26339190A JP H04144917 A JPH04144917 A JP H04144917A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/008—Details of the reactor or of the particulate material; Processes to increase or to retard the rate of reaction
- B01J8/0085—Details of the reactor or of the particulate material; Processes to increase or to retard the rate of reaction promoting uninterrupted fluid flow, e.g. by filtering out particles in front of the catalyst layer
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- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、二酸化チタン顔料、金属チタンなどの原料で
ある四塩化チタンの製造方法に関し、特に、流動塩素化
法による四塩化チタンの製造方法において、流動床下部
の分散盤ノズルのクリーニング方法に関する。
ある四塩化チタンの製造方法に関し、特に、流動塩素化
法による四塩化チタンの製造方法において、流動床下部
の分散盤ノズルのクリーニング方法に関する。
流動塩素化炉の分散盤は、塩素化炉の大型化及び炉内ベ
ッドシンタリング対策面から従来のウィンドボックス型
に代わり、近年ではマニホールド室が多用されるように
なってきている。
ッドシンタリング対策面から従来のウィンドボックス型
に代わり、近年ではマニホールド室が多用されるように
なってきている。
マニホールド型分散盤の場合、流動塩素化炉をボトムダ
ウンすることなく分散盤ノズルかクリーニングできると
いう利点がある。しかしなから、このクリーニング作業
は、塩素化反応を停止して実施する必要があり、かつこ
の作業環境は非常に悪い。このためにクリーニング作業
の省力化と安全対策面からその自動化が試みられている
。例えば、米国特許第４６１６３７５号では、分散盤ノ
ズル内を掻き取り機付の軸か自動的に上下することによ
り、ノズル内壁の固結物による閉塞及び開孔部のシンタ
リングによる閉塞を防止する方法を提案している。
ウンすることなく分散盤ノズルかクリーニングできると
いう利点がある。しかしなから、このクリーニング作業
は、塩素化反応を停止して実施する必要があり、かつこ
の作業環境は非常に悪い。このためにクリーニング作業
の省力化と安全対策面からその自動化が試みられている
。例えば、米国特許第４６１６３７５号では、分散盤ノ
ズル内を掻き取り機付の軸か自動的に上下することによ
り、ノズル内壁の固結物による閉塞及び開孔部のシンタ
リングによる閉塞を防止する方法を提案している。
上記の米国特許の方法によれば、掻き取り機付の軸の上
下動により開孔部のシンタリングによる閉塞防止及びノ
ズル内壁のクリーニングは可能であっても、掻き取り機
自体のクリーニングは不可能である。このため、各ノズ
ルには固結物による閉塞が発生し、各ノズルの圧力調整
が困難となり、また均一流動が得られなくなり、大規模
なベッドシンタリングの発生原因となる。
下動により開孔部のシンタリングによる閉塞防止及びノ
ズル内壁のクリーニングは可能であっても、掻き取り機
自体のクリーニングは不可能である。このため、各ノズ
ルには固結物による閉塞が発生し、各ノズルの圧力調整
が困難となり、また均一流動が得られなくなり、大規模
なベッドシンタリングの発生原因となる。
本発明によれば、ノズル開孔部のシンタリング防止は勿
論のこと、ノズル内部の圧力調整部、掻き取り機自体の
クリーニングも自動的に行うことかできる。従って、本
発明によれば、各ノズルのクリーニングを塩素化反応を
停止することなく行うことができる。更に、本発明によ
れば、簡単な操作で分散盤ノズル、流動床開孔部及び掃
除軸を容易にクリーニングすることかできるので、塩素
化ガスとして例えば高純度の塩素ガスに代えて、塩素化
により得られる四塩化チタンを酸化して二酸化チタンと
する際の酸化工程からの戻り塩素ガスを使用することか
できる。またその際、該戻り塩素ガスは、完全に精製す
ることなく再使用しても、流動塩素他炉は長期にわたり
ベッドシンタリングを生じることはなく、均一流動によ
り、能率よく塩素化反応が実施できる。
論のこと、ノズル内部の圧力調整部、掻き取り機自体の
クリーニングも自動的に行うことかできる。従って、本
発明によれば、各ノズルのクリーニングを塩素化反応を
停止することなく行うことができる。更に、本発明によ
れば、簡単な操作で分散盤ノズル、流動床開孔部及び掃
除軸を容易にクリーニングすることかできるので、塩素
化ガスとして例えば高純度の塩素ガスに代えて、塩素化
により得られる四塩化チタンを酸化して二酸化チタンと
する際の酸化工程からの戻り塩素ガスを使用することか
できる。またその際、該戻り塩素ガスは、完全に精製す
ることなく再使用しても、流動塩素他炉は長期にわたり
ベッドシンタリングを生じることはなく、均一流動によ
り、能率よく塩素化反応が実施できる。
すなわち、本発明は流動塩素化法による四塩化チタンの
製造方法において、流動床下部の分散盤ノズル内に該ノ
ズルの流動床開孔部からノズル下端に伸びる回転−上下
動掃除軸か配置され、該軸はノズル内壁面と接触するよ
うな１以上の掻き取り凸部を持ち、一方、該ノズルの内
壁には該軸の掻き取り凸部と接触するような１以上の掻
き取り凸部を持った圧力調整シボリ部があり、該回転−
上下動掃除軸を回転させ、かつ上下動させることにより
、分散盤ノズル、流動床開孔部、圧力調整シボリ部及び
掃除軸をクリーニングすることを特徴とする分散盤ノズ
ルのクリーニング方法である。
製造方法において、流動床下部の分散盤ノズル内に該ノ
ズルの流動床開孔部からノズル下端に伸びる回転−上下
動掃除軸か配置され、該軸はノズル内壁面と接触するよ
うな１以上の掻き取り凸部を持ち、一方、該ノズルの内
壁には該軸の掻き取り凸部と接触するような１以上の掻
き取り凸部を持った圧力調整シボリ部があり、該回転−
上下動掃除軸を回転させ、かつ上下動させることにより
、分散盤ノズル、流動床開孔部、圧力調整シボリ部及び
掃除軸をクリーニングすることを特徴とする分散盤ノズ
ルのクリーニング方法である。
次に、本発明を図面に従って説明する。第１図は、本発
明の一つの実施態様であり、流動塩素他炉の下部を示し
ている。１は分散盤ノズル、２は掃除軸、３は掻き取り
凸部である。また、４は分散盤ノズル内壁に取りつけた
掻き取り凸部を持つ圧力調整シボリ部である。５は回転
ピストン、６はロータリーバルブ、７は該ピストン部の
ガスシール部である。８は流動塩素他炉の底部を示し、
金属板９とセラミック部１０から構成される。１１は流
動床開孔部を示す。１２は塩素化ガスの通路であるマニ
ホールドを示す。第２図は、第１図の掃除軸掻き取り凸
部と分散盤ノズル内壁の圧力調整シボリ部に取りつけた
掻き取り凸部の関係を示す断面図（Ａ−Ａ’断面）であ
る。第３図及び第４図は、本発明の他の実施態様の掃除
軸掻き取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧力調整シボリ部
に取りつけた掻き取り凸部の関係を示す断面図である。
明の一つの実施態様であり、流動塩素他炉の下部を示し
ている。１は分散盤ノズル、２は掃除軸、３は掻き取り
凸部である。また、４は分散盤ノズル内壁に取りつけた
掻き取り凸部を持つ圧力調整シボリ部である。５は回転
ピストン、６はロータリーバルブ、７は該ピストン部の
ガスシール部である。８は流動塩素他炉の底部を示し、
金属板９とセラミック部１０から構成される。１１は流
動床開孔部を示す。１２は塩素化ガスの通路であるマニ
ホールドを示す。第２図は、第１図の掃除軸掻き取り凸
部と分散盤ノズル内壁の圧力調整シボリ部に取りつけた
掻き取り凸部の関係を示す断面図（Ａ−Ａ’断面）であ
る。第３図及び第４図は、本発明の他の実施態様の掃除
軸掻き取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧力調整シボリ部
に取りつけた掻き取り凸部の関係を示す断面図である。
本発明においては、ロータリーバルブ６から圧縮空気を
導入して回転ピストン５（傾斜穴付き）を回転させなが
ら掃除軸２を上下に動かし、かつ回転させる。なお、回
転−上下動は空気駆動に代えて電磁駆動などて行うこと
もできる。この掃除軸２の上下動及び回転により、掃除
軸２の掻き取り凸部が分散盤ノズル内壁の固結物を掻き
取り、掃除軸２の先端部１３が流動床開孔部のシンタリ
ングを破壊して塩素化ガスの通過を定常状態に保持する
。また、掃除軸２の掻き取り凸部に付着する固結物は、
分散盤ノズル内壁の圧力調整シボリ部に取りつけた掻き
取り凸部と接触することにより掻き取られる。第２図に
示すような掃除軸掻き取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧
力調整シボリ部に取りつけた掻き取り凸部の関係におい
ては、掃除軸は上下する毎にほぼ１２０度回転し、自動
的に逆回転する。第３図の場合では、掃除軸はほぼ１８
０度回転し、自動的に逆回転する。また、第４図の場合
では、掃除軸はほぼ３６０度回転し、自動的に逆回転す
る。このように、本発明においては掃除軸掻き取り凸部
と分散盤ノズル内壁の圧力調整シボリ部に取りつけた掻
き取り凸部の接触によって、お互いの固結物を掻き取り
、クリーニングすることができ、また、この掃除軸掻き
取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧力調整シポリ部に取り
つけた掻き取り凸部で構成されるノズル開孔部の面積を
調整することにより圧力調整機能を持たせることかでき
る。本発明はこれらの点に大きな特徴がある。
導入して回転ピストン５（傾斜穴付き）を回転させなが
ら掃除軸２を上下に動かし、かつ回転させる。なお、回
転−上下動は空気駆動に代えて電磁駆動などて行うこと
もできる。この掃除軸２の上下動及び回転により、掃除
軸２の掻き取り凸部が分散盤ノズル内壁の固結物を掻き
取り、掃除軸２の先端部１３が流動床開孔部のシンタリ
ングを破壊して塩素化ガスの通過を定常状態に保持する
。また、掃除軸２の掻き取り凸部に付着する固結物は、
分散盤ノズル内壁の圧力調整シボリ部に取りつけた掻き
取り凸部と接触することにより掻き取られる。第２図に
示すような掃除軸掻き取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧
力調整シボリ部に取りつけた掻き取り凸部の関係におい
ては、掃除軸は上下する毎にほぼ１２０度回転し、自動
的に逆回転する。第３図の場合では、掃除軸はほぼ１８
０度回転し、自動的に逆回転する。また、第４図の場合
では、掃除軸はほぼ３６０度回転し、自動的に逆回転す
る。このように、本発明においては掃除軸掻き取り凸部
と分散盤ノズル内壁の圧力調整シボリ部に取りつけた掻
き取り凸部の接触によって、お互いの固結物を掻き取り
、クリーニングすることができ、また、この掃除軸掻き
取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧力調整シポリ部に取り
つけた掻き取り凸部で構成されるノズル開孔部の面積を
調整することにより圧力調整機能を持たせることかでき
る。本発明はこれらの点に大きな特徴がある。
掻き取り機能及び圧力調整機能を調整するには、例えば
、両者の掻き取り凸部の数を変更したり、掻き取り凸部
の肉厚を変えたりするなど、適宜選定して行うことがで
きるか、凸部の数か多すぎると回転角度が小さくなる。
、両者の掻き取り凸部の数を変更したり、掻き取り凸部
の肉厚を変えたりするなど、適宜選定して行うことがで
きるか、凸部の数か多すぎると回転角度が小さくなる。
掻き取り凸部の大きさにもよるが、その数は、普通、２
〜４個が適当である。また、本発明においては、何らか
の事情により掃除軸を分散盤ノズルから抜き出す必要か
生じた場合でも流動塩素化反応層内の鉱石、コークス等
の固体粒子は、該圧力調整シボリ部で架橋現象を起こし
、ノズル下部から落下するのを防止している。従って、
本発明では、分散盤ノズルのクリーニングが効率良く、
容易に行うことができる効果が得られる。
〜４個が適当である。また、本発明においては、何らか
の事情により掃除軸を分散盤ノズルから抜き出す必要か
生じた場合でも流動塩素化反応層内の鉱石、コークス等
の固体粒子は、該圧力調整シボリ部で架橋現象を起こし
、ノズル下部から落下するのを防止している。従って、
本発明では、分散盤ノズルのクリーニングが効率良く、
容易に行うことができる効果が得られる。
分散盤ノズル、掃除軸なとは、高温度の塩素化ガスに耐
えるニッケルをベースとする高級合金、例えばインコネ
ル６００、インコロイなとて製造されているか、掃除軸
掻き取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧力調整シボリ部に
取りつけた掻き取り凸部もこのような材料で製造するの
か良い。
えるニッケルをベースとする高級合金、例えばインコネ
ル６００、インコロイなとて製造されているか、掃除軸
掻き取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧力調整シボリ部に
取りつけた掻き取り凸部もこのような材料で製造するの
か良い。
簡単な操作で分散盤ノズル、流動床開孔部及び掃除軸を
容易に洗浄することかできるので、塩素化ガスとして例
えば高純度の塩素ガスに代えて、塩素化により得られる
四塩化チタンを酸化して二酸化チタンとする際の酸化工
程からの戻り塩素ガスを使用することかできる。またそ
の際、該戻り塩素ガスは、完全に精製することなく再使
用しても、流動塩素化炉は長期にわたりベッドシンタリ
ングを生じることはなく、均一流動により、能率よ（塩
素化反応が実施できる。
容易に洗浄することかできるので、塩素化ガスとして例
えば高純度の塩素ガスに代えて、塩素化により得られる
四塩化チタンを酸化して二酸化チタンとする際の酸化工
程からの戻り塩素ガスを使用することかできる。またそ
の際、該戻り塩素ガスは、完全に精製することなく再使
用しても、流動塩素化炉は長期にわたりベッドシンタリ
ングを生じることはなく、均一流動により、能率よ（塩
素化反応が実施できる。
第１図は、流動塩素化炉の下部を示す。第２図は、第１
図の掃除軸掻き取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧力調整
シボリ部に取りつけた掻き取り凸部の関係を示す断面図
である。第３図及び第４図は、本発明の他の実施態様の
掃除軸掻き取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧力調整シボ
リ部に取りつけた掻き取り凸部の関係を示す断面図であ
る。 ｌ−・−・・分散盤ノズル ３−−一掻き取り凸部 ５・・・・・・回転ピストン １１・−・・・・−流動床開孔部 ２−・・・・掃除軸 ４−・−・圧力調整シボリ部 ６−・・・・・ロータリーバルブ １２−・・−・・マニホールド
図の掃除軸掻き取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧力調整
シボリ部に取りつけた掻き取り凸部の関係を示す断面図
である。第３図及び第４図は、本発明の他の実施態様の
掃除軸掻き取り凸部と分散盤ノズル内壁の圧力調整シボ
リ部に取りつけた掻き取り凸部の関係を示す断面図であ
る。 ｌ−・−・・分散盤ノズル ３−−一掻き取り凸部 ５・・・・・・回転ピストン １１・−・・・・−流動床開孔部 ２−・・・・掃除軸 ４−・−・圧力調整シボリ部 ６−・・・・・ロータリーバルブ １２−・・−・・マニホールド
Claims (1)
- 流動塩素化法による四塩化チタンの製造方法において、
流動床下部の分散盤ノズル内に該ノズルの流動床開孔部
からノズル下端に伸びる回転−上下動掃除軸が配置され
、該軸はノズル内壁面と接触するような１以上の掻き取
り凸部を持ち、一方、該ノズルの内壁には該軸の掻き取
り凸部と接触するような１以上の掻き取り凸部を持った
圧力調整シボリ部があり、該回転−上下動掃除軸を回転
させ、かつ上下動させることにより、分散盤ノズル、流
動床開孔部、圧力調整シボリ部及び掃除軸をクリーニン
グすることを特徴とする分散盤ノズルのクリーニング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26339190A JPH04144917A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 分散盤ノズルのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26339190A JPH04144917A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 分散盤ノズルのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04144917A true JPH04144917A (ja) | 1992-05-19 |
Family
ID=17388843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26339190A Pending JPH04144917A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 分散盤ノズルのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04144917A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003068380A1 (de) * | 2002-02-14 | 2003-08-21 | Voest-Alpine Industrieanlagenbau Gmbh & Co | Verteilerboden zur verteilung eines mit feinen feststoffpartikeln beladenen gases |
| JP2008137890A (ja) * | 2002-03-29 | 2008-06-19 | Osaka Titanium Technologies Co Ltd | 四塩化チタン製造装置 |
| JP2021187702A (ja) * | 2020-05-28 | 2021-12-13 | 東邦チタニウム株式会社 | 四塩化チタンの製造方法及び塩化炉 |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP26339190A patent/JPH04144917A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003068380A1 (de) * | 2002-02-14 | 2003-08-21 | Voest-Alpine Industrieanlagenbau Gmbh & Co | Verteilerboden zur verteilung eines mit feinen feststoffpartikeln beladenen gases |
| JP2005516765A (ja) * | 2002-02-14 | 2005-06-09 | ヴォエスト・アルピーネ・インデュストリーアンラーゲンバウ・ゲーエムベーハー・ウント・コ | 微細固体粒子が装填された気体を分配する分配器基部 |
| CN1315567C (zh) * | 2002-02-14 | 2007-05-16 | 沃斯特-阿尔派因工业设备制造股份有限公司 | 用于分布载有细固体颗粒的气体的分布器底板 |
| US7225997B2 (en) | 2002-02-14 | 2007-06-05 | Voest-Alpine Industrieanlagenbau Gmbh & Co. | Distributor bottom for the distribution of a gas charged with fine solid particles |
| JP2008137890A (ja) * | 2002-03-29 | 2008-06-19 | Osaka Titanium Technologies Co Ltd | 四塩化チタン製造装置 |
| JP2021187702A (ja) * | 2020-05-28 | 2021-12-13 | 東邦チタニウム株式会社 | 四塩化チタンの製造方法及び塩化炉 |
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