JPH0414494B2 - - Google Patents
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- JPH0414494B2 JPH0414494B2 JP58248427A JP24842783A JPH0414494B2 JP H0414494 B2 JPH0414494 B2 JP H0414494B2 JP 58248427 A JP58248427 A JP 58248427A JP 24842783 A JP24842783 A JP 24842783A JP H0414494 B2 JPH0414494 B2 JP H0414494B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processed
- brushes
- rotating
- holding
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はウエーハ処理装置に係り、特に半導体
ウエーハの両面スクラブ洗浄、両面注水洗浄（ジ
エツト洗浄）及びスピン乾燥を連続して行うこと
が可能なウエーハ処理装置に関する。
ウエーハの両面スクラブ洗浄、両面注水洗浄（ジ
エツト洗浄）及びスピン乾燥を連続して行うこと
が可能なウエーハ処理装置に関する。
(b) 技術の背景
半導体装置を製造する際のウエーハプロセスに
於ては、被処理ウエーハの搬送，保９中に於ける
汚染を除去し加工歩留まりを向上せしめるため
に、不純物導入，気相成長，金属膜形成等のウエ
ーハ加工工程の直前にスクラブ洗浄，注水洗浄，
スピン乾燥よりなる加工前処理が行われる。
於ては、被処理ウエーハの搬送，保９中に於ける
汚染を除去し加工歩留まりを向上せしめるため
に、不純物導入，気相成長，金属膜形成等のウエ
ーハ加工工程の直前にスクラブ洗浄，注水洗浄，
スピン乾燥よりなる加工前処理が行われる。
(c) 従来技術と問題点
従来上記前処理の工程は、専用のスクラブ洗浄
装置とジエツト洗浄及びスピン乾燥を行う装置及
びスクラブ洗浄装置からジエツト洗浄及びスピン
乾燥を行う装置へ被処理ウエーハを移すためのベ
ルト等よりなる搬送装置によつてラインが構成さ
れていた。
装置とジエツト洗浄及びスピン乾燥を行う装置及
びスクラブ洗浄装置からジエツト洗浄及びスピン
乾燥を行う装置へ被処理ウエーハを移すためのベ
ルト等よりなる搬送装置によつてラインが構成さ
れていた。
そして上記従来の前処理工程に於て、スクラブ
洗浄装置は、第１図に模式的に平面図イ及びＡ−
Ａ矢視断面図ロを示したように被処理ウエーハＷ
に回転力m1を与える回動軸Smと、該回動軸Sm
にウエーハＷの側面を圧接し、且つウエーハＷを
位置決めし水平に支持する圧接コロＣによつて被
処理ウエーハＷを支持し回転させた状態で、該ウ
エーハＷの中心に向つて押し出される一対の回転
ブラシＢで該ウエーハＷを挾み込んで該ウエーハ
Ｗの両面を同時にスクラブ洗浄する構造であつ
た。なお回動軸Sm及び圧接コロＣのウエーハＷ
側面に接する部分はＶ字形の溝に形成されてい
る。
洗浄装置は、第１図に模式的に平面図イ及びＡ−
Ａ矢視断面図ロを示したように被処理ウエーハＷ
に回転力m1を与える回動軸Smと、該回動軸Sm
にウエーハＷの側面を圧接し、且つウエーハＷを
位置決めし水平に支持する圧接コロＣによつて被
処理ウエーハＷを支持し回転させた状態で、該ウ
エーハＷの中心に向つて押し出される一対の回転
ブラシＢで該ウエーハＷを挾み込んで該ウエーハ
Ｗの両面を同時にスクラブ洗浄する構造であつ
た。なお回動軸Sm及び圧接コロＣのウエーハＷ
側面に接する部分はＶ字形の溝に形成されてい
る。
しかし該従来のスクラブ洗浄装置に於ては、回
動軸Sm及び圧接コロＣに於けるウエーハＷに接
する部分の洗浄が常時なされないことによるこれ
らの部分からの被処理ウエーハの汚染が避けられ
ないという問題があつた。
動軸Sm及び圧接コロＣに於けるウエーハＷに接
する部分の洗浄が常時なされないことによるこれ
らの部分からの被処理ウエーハの汚染が避けられ
ないという問題があつた。
又注水洗浄及びスピン乾燥を行う装置に於て
は、第２図に模式的に示したように、回転基板上
に植設された３本の位置決めピンP1，P2，P3に
よつて被処理ウエーハＷをクランプし、該ウエー
ハＷを回転させながら注水洗浄及びスピン乾燥が
行われるが（m2は回転を示す矢印）、この場合被
処理ウエーハＷの位置決めピンに接する部分の水
洗不充分及び乾燥遅延による汚洗が問題になつて
いた。
は、第２図に模式的に示したように、回転基板上
に植設された３本の位置決めピンP1，P2，P3に
よつて被処理ウエーハＷをクランプし、該ウエー
ハＷを回転させながら注水洗浄及びスピン乾燥が
行われるが（m2は回転を示す矢印）、この場合被
処理ウエーハＷの位置決めピンに接する部分の水
洗不充分及び乾燥遅延による汚洗が問題になつて
いた。
そして更に従来の前処理工程に於ては、前述し
たようにスクラブ洗浄装置からジエツト洗浄スピ
ン乾燥装置へ被処理ウエーハを移す必要があり、
その際にベルト等の搬送装置によつて濡れたまま
の被処理ウエーハが移送されるので、この間にベ
ルト等からの異物の付着及び化学反応等によつ
て、被処理ウエーハ面にジエツト洗浄で除去しき
れない汚染物質が被着するという問題もあつた。
たようにスクラブ洗浄装置からジエツト洗浄スピ
ン乾燥装置へ被処理ウエーハを移す必要があり、
その際にベルト等の搬送装置によつて濡れたまま
の被処理ウエーハが移送されるので、この間にベ
ルト等からの異物の付着及び化学反応等によつ
て、被処理ウエーハ面にジエツト洗浄で除去しき
れない汚染物質が被着するという問題もあつた。
又従来の構成に於ては、上記３種類の装置が使
用されるために、設備費用がかさみ、且つ占有面
積も拡大するという問題もあつた。
用されるために、設備費用がかさみ、且つ占有面
積も拡大するという問題もあつた。
(d) 発明の目的
本発明は上記前処理工程内での被処理ウエーハ
の汚染をなくしてウエーパプロセスの歩留まりを
向上し、且つ設備費用の増大及び占有面積の拡大
を防止して該前処理工程のインライン化を容易な
らしめる目的でなされたものであり、この目的は
下記特徴を有する本発明のウエーハ処理装置によ
つて達成される。
の汚染をなくしてウエーパプロセスの歩留まりを
向上し、且つ設備費用の増大及び占有面積の拡大
を防止して該前処理工程のインライン化を容易な
らしめる目的でなされたものであり、この目的は
下記特徴を有する本発明のウエーハ処理装置によ
つて達成される。
(e) 発明の構成
即ち本発明は、回転方向が等しく、且つ被処理
ウエーハに及ぼす回転力の異なる一対の回転ブラ
シによつて被処理ウエハを挾み、更に流体噴出型
の保持機構で該被処理ウエーハを保持した状態で
該被処理ウエーハを該回転ブラシ間で自転せしめ
ながら該被処理ウエーハの両面を同時にスクラブ
することを特徴とするウエーハ処理方法、及び円
筒状を有し、被処理ウエーハに所定の回転力を与
える第１の回転ブラシと、円筒状を有し該第１の
回転ブラシとによつて被処理ウエーハを挾持し得
るように配設され、且つ被処理ウエーハに該第１
の回転ブラシと異なる回転力を与える第２の回転
ブラシと、該第１及び第２の回転ブラシを同一の
方向に回転せしめる駆動手段と、前記被処理ウエ
ーハを流体噴出によつて保持する手段とを有して
なることを特徴とする上記ウエーハ処理方法に用
いるウエーハ処理装置に関するものである。
ウエーハに及ぼす回転力の異なる一対の回転ブラ
シによつて被処理ウエハを挾み、更に流体噴出型
の保持機構で該被処理ウエーハを保持した状態で
該被処理ウエーハを該回転ブラシ間で自転せしめ
ながら該被処理ウエーハの両面を同時にスクラブ
することを特徴とするウエーハ処理方法、及び円
筒状を有し、被処理ウエーハに所定の回転力を与
える第１の回転ブラシと、円筒状を有し該第１の
回転ブラシとによつて被処理ウエーハを挾持し得
るように配設され、且つ被処理ウエーハに該第１
の回転ブラシと異なる回転力を与える第２の回転
ブラシと、該第１及び第２の回転ブラシを同一の
方向に回転せしめる駆動手段と、前記被処理ウエ
ーハを流体噴出によつて保持する手段とを有して
なることを特徴とする上記ウエーハ処理方法に用
いるウエーハ処理装置に関するものである。
(f) 発明の実施例
以下本発明を実施例について、図を用いて説明
する。
する。
第３図は本発明に係るウエーハ処理装置の一実
施例に於ける上面模式図イ及び透視側面模式図
ロ、第４図は同実施例に於ける中空支柱の機能説
明図で、第５図イ乃至チは同実施例の動作を示す
工程断面模式図である。
施例に於ける上面模式図イ及び透視側面模式図
ロ、第４図は同実施例に於ける中空支柱の機能説
明図で、第５図イ乃至チは同実施例の動作を示す
工程断面模式図である。
本発明のウエーハ処理装置は例えば第３図イ及
びロに示すように形成される。同図に於て、Ｗは
被処理ウエーハ、１は容器（カツプ）、２は排水
口、３は中空部を有し真空排気、エアー、水の通
路としても機能する回転基板、４は同じく回転
軸、５は真空、エアー、水等の供給手段、６は回
転基板駆動用の可変速モータである。そして７
ａ，７ｂ，７ｃは中空支柱で、該支柱が植設され
ている前記回転基板を介して真空、エアー、水等
が提供され真空チヤツク、エアーベアリング、ウ
オーターベアリングとして機能する。又８ａ，８
ｂは側面コロで、エアー若しくはウオーターベア
リングの効果により中空支柱から浮上した被処理
ウエーハＷに側面から接して該被処理ウエーハＷ
の上下左右の位置を規定する。
びロに示すように形成される。同図に於て、Ｗは
被処理ウエーハ、１は容器（カツプ）、２は排水
口、３は中空部を有し真空排気、エアー、水の通
路としても機能する回転基板、４は同じく回転
軸、５は真空、エアー、水等の供給手段、６は回
転基板駆動用の可変速モータである。そして７
ａ，７ｂ，７ｃは中空支柱で、該支柱が植設され
ている前記回転基板を介して真空、エアー、水等
が提供され真空チヤツク、エアーベアリング、ウ
オーターベアリングとして機能する。又８ａ，８
ｂは側面コロで、エアー若しくはウオーターベア
リングの効果により中空支柱から浮上した被処理
ウエーハＷに側面から接して該被処理ウエーハＷ
の上下左右の位置を規定する。
なお該コロの側面には、被処理ウエーハの上下
位置を規定するためにＶ字形の溝が設けられる。
位置を規定するためにＶ字形の溝が設けられる。
９ａ，９ｂは同一の方向に回転する一対の洗浄
ブラシである。この洗浄ブラシはx1の位置から被
処理ウエーハＷを挾んでx2の位置まで前進し回転
して、被処理ウエーハＷに自転の力を与えながら
その両面を同時にスクラブする機能を有する。上
記自転の力は、洗浄ブラシ９ａと９ｂの回転数、
直径、ウエーハに対する接触圧力等を変えそれぞ
れの洗浄ブラシがウエーハに及ぼす摩擦力を変え
ることによつて与えられる。ここで被処理ウエー
ハを側面コロ８ａ，８ｂに押し当てて保持するた
めには、該押し当て方向に摩擦力を与える方向に
回転する洗浄ブラシ例えば９ｂの摩擦力を他の洗
浄ブラシ９ａよりも大きくすることが必要であ
る。このようにウエーハに対し十分なスクラブを
行い、しかも回転力を生ぜしめるためには、互い
に反対方向にウエーハを擦るように両ブラシを回
転駆動することが有効である。更にウエーハを回
転させるためには、両摩擦力を総合した力の作用
線はウエーハの重心を外れていることが必要であ
るから、ブラシの長さはその先端部がウエーハの
中心点Owを少し越えるx2の位置に到達するよう
選定される。なお洗浄ブラシ９ａ，９ｂは、いわ
ゆるブラシ状ではなくスポンジ状のものでも良
い。この処理中、ウエーハはウオーターベアリン
グによつて浮上保持されており、側面コロ８ａ，
８ｂ及び洗浄ブラシ９ａ，９ｂとの接触以外には
固体と接触することはない。１０は上記洗浄ブラ
シを回転駆動せしめるためのモータで、１１は回
転伝達手段である。又１２ａ，１２ｂは被処理ウ
エーハＷの両面に洗浄液（多くは純水）をふきか
ける注液手段、mR1は回転基板３の回転を示す矢
印し、mR2は被処理ウエーハＷの自転を示す矢印
し、msは回転ブラシ９ａ，９ｂの前進方向を示
す矢印しである。
ブラシである。この洗浄ブラシはx1の位置から被
処理ウエーハＷを挾んでx2の位置まで前進し回転
して、被処理ウエーハＷに自転の力を与えながら
その両面を同時にスクラブする機能を有する。上
記自転の力は、洗浄ブラシ９ａと９ｂの回転数、
直径、ウエーハに対する接触圧力等を変えそれぞ
れの洗浄ブラシがウエーハに及ぼす摩擦力を変え
ることによつて与えられる。ここで被処理ウエー
ハを側面コロ８ａ，８ｂに押し当てて保持するた
めには、該押し当て方向に摩擦力を与える方向に
回転する洗浄ブラシ例えば９ｂの摩擦力を他の洗
浄ブラシ９ａよりも大きくすることが必要であ
る。このようにウエーハに対し十分なスクラブを
行い、しかも回転力を生ぜしめるためには、互い
に反対方向にウエーハを擦るように両ブラシを回
転駆動することが有効である。更にウエーハを回
転させるためには、両摩擦力を総合した力の作用
線はウエーハの重心を外れていることが必要であ
るから、ブラシの長さはその先端部がウエーハの
中心点Owを少し越えるx2の位置に到達するよう
選定される。なお洗浄ブラシ９ａ，９ｂは、いわ
ゆるブラシ状ではなくスポンジ状のものでも良
い。この処理中、ウエーハはウオーターベアリン
グによつて浮上保持されており、側面コロ８ａ，
８ｂ及び洗浄ブラシ９ａ，９ｂとの接触以外には
固体と接触することはない。１０は上記洗浄ブラ
シを回転駆動せしめるためのモータで、１１は回
転伝達手段である。又１２ａ，１２ｂは被処理ウ
エーハＷの両面に洗浄液（多くは純水）をふきか
ける注液手段、mR1は回転基板３の回転を示す矢
印し、mR2は被処理ウエーハＷの自転を示す矢印
し、msは回転ブラシ９ａ，９ｂの前進方向を示
す矢印しである。
そして本発明の装置に於ては、図のように被処
理ウエーハＷの中心Owを回転基板３の回転中心
Osから側面コロ配設方向へずらしたことも一つ
の特徴であり、これによつてウオーターベアリン
グ若しくはエアーベアリング効果によつて被処理
ウエーハＷを中空支柱７ａ，７ｂ，７ｃから浮上
せしめた状態でも側面コロ８ａ，８ｂのみで回転
する回転基板３上に支持することができるので後
に説明する該ウエーハＷのジエツト洗浄やスピン
乾燥が効果的に行われるようになる。
理ウエーハＷの中心Owを回転基板３の回転中心
Osから側面コロ配設方向へずらしたことも一つ
の特徴であり、これによつてウオーターベアリン
グ若しくはエアーベアリング効果によつて被処理
ウエーハＷを中空支柱７ａ，７ｂ，７ｃから浮上
せしめた状態でも側面コロ８ａ，８ｂのみで回転
する回転基板３上に支持することができるので後
に説明する該ウエーハＷのジエツト洗浄やスピン
乾燥が効果的に行われるようになる。
第４図は例えば被処理ウエーハＷをスピン乾燥
している状態を示したもので、高速で回転してい
る例えば中空な回転円板３から中空支柱７ｂ，７
ｃと図示されない７ａに、回転円板３の回転軸４
から導入された乾燥空気又は窒素が供給され、こ
れら支柱から噴出されて被処理ウエーハＷが浮上
せしめられる。そしてこの際被処理ウエーハＷの
中心Owが、回転円板３の回転中心Osから側面コ
ロ８ｂ及び図示されない８ａの方にその中心をず
らして搭載されるので、該被処理ウエーハＷは側
面コロ８ｂ及び図示されない８ｃに押しつけら
れ、該コロ８ａ，８ｂのＶ字形溝によつて上面左
右の位置決めがなされた状態で支持され、前記中
空支柱７ｂ，７ｃ及び図示されない７ａから浮き
上つた状態で回転基板３にのつて高速回転し、表
面に付着している水が飛散せしめられる。なお図
中ｇはエアーの噴出状態を示す矢印し、mR1は回
転基板の回転状態を示す矢印しである。
している状態を示したもので、高速で回転してい
る例えば中空な回転円板３から中空支柱７ｂ，７
ｃと図示されない７ａに、回転円板３の回転軸４
から導入された乾燥空気又は窒素が供給され、こ
れら支柱から噴出されて被処理ウエーハＷが浮上
せしめられる。そしてこの際被処理ウエーハＷの
中心Owが、回転円板３の回転中心Osから側面コ
ロ８ｂ及び図示されない８ａの方にその中心をず
らして搭載されるので、該被処理ウエーハＷは側
面コロ８ｂ及び図示されない８ｃに押しつけら
れ、該コロ８ａ，８ｂのＶ字形溝によつて上面左
右の位置決めがなされた状態で支持され、前記中
空支柱７ｂ，７ｃ及び図示されない７ａから浮き
上つた状態で回転基板３にのつて高速回転し、表
面に付着している水が飛散せしめられる。なお図
中ｇはエアーの噴出状態を示す矢印し、mR1は回
転基板の回転状態を示す矢印しである。
次に上記実施例に示したウエーハ処理装置の動
作について、半導体被処理ウエーハのスクラブ洗
浄，ジエツト洗浄，スピン乾燥を連続して行う例
を用い第５図イ乃至ロに示す模式工程断面図を参
照して説明する。
作について、半導体被処理ウエーハのスクラブ洗
浄，ジエツト洗浄，スピン乾燥を連続して行う例
を用い第５図イ乃至ロに示す模式工程断面図を参
照して説明する。
第５図イ参照
先ず被処理基板Ｗは、洗浄ブラシ９ａ，９ｂが
後退しており、中空の回転基板３が停止し且つ矢
印Ｖに示すように真空に排気され中空支柱７ｂ，
７ｃ及び図示されない７ａが真空チヤツクとして
機能している状態に於て、側面コロ８ｂ及び図示
されない８ａで側面をガイドして中空支柱７ｂ，
７ｃ及び図示されない７ａ上に搭載固定される。
後退しており、中空の回転基板３が停止し且つ矢
印Ｖに示すように真空に排気され中空支柱７ｂ，
７ｃ及び図示されない７ａが真空チヤツクとして
機能している状態に於て、側面コロ８ｂ及び図示
されない８ａで側面をガイドして中空支柱７ｂ，
７ｃ及び図示されない７ａ上に搭載固定される。
第５図ロ参照
次いで洗浄ブラシ９ａ及び９ｂ（同時に動く）
を、被処理ウエーハＷの両面に接し且つこれを挾
み込みながら、先端が被処理ウエーハＷの中心
Owを越える位置まで矢印しmsに示すように前進
させる。（被処理ウエーハＷは真空チヤツク状態） 第５図ハ参照 次いで中空回転基板３から純水若しくはエアー
を供給し、中空支柱７ｂ，７ｃ及び図示されない
７ａをウオータベアリング若しくはエアーベアリ
ングに切換へ（Ａは純水若しくはエアーの噴出状
態を示す矢印し）、被処理ウエーハＷを浮上せし
めた状態に於て、前述したように該ウエーハＷに
対する摩擦力の異る洗浄ブラシを同一方法（矢印
mB1及びmB2で示す）に回転させ、前記摩擦力の
差によつて該被処理ウエーハＷを自転せしめなが
ら、これら清浄ブラシ９ａ，９ｂによつてその両
面のスクラブ洗浄を行う。この際矢印しwaに示
すように被処理ウエーハＷの両面に洗浄水（通常
純水）がふき掛けられる。なおこの洗浄水は洗浄
ブラシの軸から供給する場合もある。
を、被処理ウエーハＷの両面に接し且つこれを挾
み込みながら、先端が被処理ウエーハＷの中心
Owを越える位置まで矢印しmsに示すように前進
させる。（被処理ウエーハＷは真空チヤツク状態） 第５図ハ参照 次いで中空回転基板３から純水若しくはエアー
を供給し、中空支柱７ｂ，７ｃ及び図示されない
７ａをウオータベアリング若しくはエアーベアリ
ングに切換へ（Ａは純水若しくはエアーの噴出状
態を示す矢印し）、被処理ウエーハＷを浮上せし
めた状態に於て、前述したように該ウエーハＷに
対する摩擦力の異る洗浄ブラシを同一方法（矢印
mB1及びmB2で示す）に回転させ、前記摩擦力の
差によつて該被処理ウエーハＷを自転せしめなが
ら、これら清浄ブラシ９ａ，９ｂによつてその両
面のスクラブ洗浄を行う。この際矢印しwaに示
すように被処理ウエーハＷの両面に洗浄水（通常
純水）がふき掛けられる。なおこの洗浄水は洗浄
ブラシの軸から供給する場合もある。
第５図ニ参照
スクラブ洗浄が完了したならば、中空支柱７
ｂ，７ｃ及び図示されない７ａを真空チヤツクに
切換え被処理ウエーハＷを固持した後洗浄ブラシ
９ａ，９ｂは元の位置に引き戻す。
ｂ，７ｃ及び図示されない７ａを真空チヤツクに
切換え被処理ウエーハＷを固持した後洗浄ブラシ
９ａ，９ｂは元の位置に引き戻す。
第５図ホ参照
次いで被処理ウエーハＷを真空チヤツクした状
態で、回転基板３を回転を開始し、回転数を除々
に上げて行く。mR1は回転を示す矢印しである。
態で、回転基板３を回転を開始し、回転数を除々
に上げて行く。mR1は回転を示す矢印しである。
第５図ヘ参照
所定の回転数に達したならば中空支柱７ｂ，７
ｃ及び図示されない７ａをエアー若しくはウオー
タベアリング機能に切換える。
ｃ及び図示されない７ａをエアー若しくはウオー
タベアリング機能に切換える。
この状態で被処理基板Ｗは中空支柱上に浮上
し、遠心力によつて側面コロ８ｂ及び図示されな
い８ａに押しつけられ該側面コロで支持された状
態で回転基板３と共に回転する。次いでこの状態
に於て図示しない注水手段により被処理ウエーハ
Ｗの両面に矢印しwaで示すように純水をふき付
け、該ウエーハＷのいわゆるジエツト洗浄を行
う。
し、遠心力によつて側面コロ８ｂ及び図示されな
い８ａに押しつけられ該側面コロで支持された状
態で回転基板３と共に回転する。次いでこの状態
に於て図示しない注水手段により被処理ウエーハ
Ｗの両面に矢印しwaで示すように純水をふき付
け、該ウエーハＷのいわゆるジエツト洗浄を行
う。
第５図ト参照
ジエツト洗浄を終了したならば、中空支柱７
ｂ，７ｃ及び図示されない７ａをエアーベアリン
グ機能となし、回転基板３の回転数を更に所定の
高速度まで上昇せしめ、被処理ウエーハＷが中空
支柱から浮上し側面コロ８ｂ及び図示されない８
ａのみで支持されて回転基板３と共に高速回転せ
しめられて、該被処理ウエーハＷのスピン乾燥が
なされる。
ｂ，７ｃ及び図示されない７ａをエアーベアリン
グ機能となし、回転基板３の回転数を更に所定の
高速度まで上昇せしめ、被処理ウエーハＷが中空
支柱から浮上し側面コロ８ｂ及び図示されない８
ａのみで支持されて回転基板３と共に高速回転せ
しめられて、該被処理ウエーハＷのスピン乾燥が
なされる。
第５図チ参照
上記スピン乾燥が終了したならば中空支柱７
ｂ，７ｃ及び図示されない７ａを真空チヤツク機
能に切換え、被処理ウエーハＷを中空支柱上に固
定せしめた状態で回転基板３が停止される。
ｂ，７ｃ及び図示されない７ａを真空チヤツク機
能に切換え、被処理ウエーハＷを中空支柱上に固
定せしめた状態で回転基板３が停止される。
そして以後図示しないが、該被処理ウエーハは
移送手段により次工程の処理装置或るいは格納容
器に移される。
移送手段により次工程の処理装置或るいは格納容
器に移される。
(g) 発明の効果
以上説明したように本発明に係る上記実施例の
ウエーハ処理装置に於ては、被処理ウエーハの移
動を行わずに１台の装置内でスクラブ洗浄，ジエ
ツト洗浄，スピン乾燥を連続して行うことができ
る。従つて本発明によれば、半導体装置のウエー
ハプロセスに於て不純物導入，気相成長，金属皮
膜形成等のウエーハ加工の直前に後われるスクラ
ブ洗浄，ジエツト洗浄，スピン乾燥よりなる前処
理工程が１台の装置で行えるので、設備費用が低
減すると同時に専有面積も縮小し、該前処理工程
のインライン化が極めて容易になる。
ウエーハ処理装置に於ては、被処理ウエーハの移
動を行わずに１台の装置内でスクラブ洗浄，ジエ
ツト洗浄，スピン乾燥を連続して行うことができ
る。従つて本発明によれば、半導体装置のウエー
ハプロセスに於て不純物導入，気相成長，金属皮
膜形成等のウエーハ加工の直前に後われるスクラ
ブ洗浄，ジエツト洗浄，スピン乾燥よりなる前処
理工程が１台の装置で行えるので、設備費用が低
減すると同時に専有面積も縮小し、該前処理工程
のインライン化が極めて容易になる。
又本発明に係るウエーハ処理方法及び装置に於
ては、スクラブ洗浄，ジエツト洗浄，スピン乾燥
の間で被処理ウエーハの移動がなされないことに
より、従来ベルト等の移送手段によつて生じてい
た汚染が防止され、且つ前記実施例の説明からも
明らかなようにスクラブ洗浄，ジエツト洗浄，ス
ピン乾燥に際して、被処理ウエーハは側面コロに
よつて２点のみで支持されるので装置内に於ける
汚染も極めて少ない。従つて本発明によれば前記
前処理工程内に於ける被処理ウエーハの汚染が防
止されるので、ウエーハプロセスの歩留まりが向
上する。
ては、スクラブ洗浄，ジエツト洗浄，スピン乾燥
の間で被処理ウエーハの移動がなされないことに
より、従来ベルト等の移送手段によつて生じてい
た汚染が防止され、且つ前記実施例の説明からも
明らかなようにスクラブ洗浄，ジエツト洗浄，ス
ピン乾燥に際して、被処理ウエーハは側面コロに
よつて２点のみで支持されるので装置内に於ける
汚染も極めて少ない。従つて本発明によれば前記
前処理工程内に於ける被処理ウエーハの汚染が防
止されるので、ウエーハプロセスの歩留まりが向
上する。
なお上記実施例のウエーハ処理装置は、スクラ
ブ洗浄，ジエツト洗浄，スピン乾燥の工程を単独
に行う場合、及び２工程を連続して行う場合に於
ても勿論適用できる。
ブ洗浄，ジエツト洗浄，スピン乾燥の工程を単独
に行う場合、及び２工程を連続して行う場合に於
ても勿論適用できる。
第１図は従来のスクラブ洗浄装置の模式図、第
２図は従来のジエツト洗浄及びスピン乾燥装置の
模式図、第３図は本発明に係るウエーハ処理装置
の一実施例に於ける上面模式図イ及び透視側面模
式図ロ、第４図は同実施例に於ける中空支柱の機
能説明図で、第５図イ乃至チは同実施例の動作を
示す工程断面図である。 図に於て、１は容器（カツプ）、３は回転基板、
４は回転軸、５は真空、エアー、水等の供給手
段、６は可変速モータ、７ａ，７ｂ，７ｃは中空
支柱、８ａ，８ｂは側面コロ、９ａ，９ｂは洗浄
ブラシ、１０はブラシ駆動用モータ、１１は回転
伝達手段、１２ａ，１２ｂは注水手段、Ｗは被処
理ウエーハ、mR1は回転基板の回転を示す矢印
し、mR2は被処理ウエーハの自転を示す矢印し、
msは洗浄ブラシの移動を示す矢印し、Owは被処
理ウエーハの中心、Osは回転基板の回転中心、
x2は前進時のブラシ先端位置を示す。
２図は従来のジエツト洗浄及びスピン乾燥装置の
模式図、第３図は本発明に係るウエーハ処理装置
の一実施例に於ける上面模式図イ及び透視側面模
式図ロ、第４図は同実施例に於ける中空支柱の機
能説明図で、第５図イ乃至チは同実施例の動作を
示す工程断面図である。 図に於て、１は容器（カツプ）、３は回転基板、
４は回転軸、５は真空、エアー、水等の供給手
段、６は可変速モータ、７ａ，７ｂ，７ｃは中空
支柱、８ａ，８ｂは側面コロ、９ａ，９ｂは洗浄
ブラシ、１０はブラシ駆動用モータ、１１は回転
伝達手段、１２ａ，１２ｂは注水手段、Ｗは被処
理ウエーハ、mR1は回転基板の回転を示す矢印
し、mR2は被処理ウエーハの自転を示す矢印し、
msは洗浄ブラシの移動を示す矢印し、Owは被処
理ウエーハの中心、Osは回転基板の回転中心、
x2は前進時のブラシ先端位置を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 軸が互いにほゞ平行である一対の円筒状ブラ
シの間に被処理ウエーハを挾み、前記ブラシから
前記ウエーハに加えられる摩擦力によつて前記ウ
エーハを回転せしめながら、前記ウエーハの両面
を同時にスクラブし、 前記スクラブ処理中前記ウエーハは、流体を噴
出させて板状物体を保持する保持装置によつて前
記ウエーハの表面及び背面には前記ブラシ以外の
固体が接触しない状態で保持されており、 前記一対のブラシの回転駆動は、前記ウエーハ
との間に生ずる摩擦力が互いに反対方向で且つそ
の絶対値が異なるように行い、 前記スクラブ処理終了後、前記ブラシを退避さ
せ、前記保持装置によつて前記ウエーハの表面及
び背面には固体が接触しない状態で前記ウエーハ
を保持し、該ウエーハを前記保持装置に連結され
た回転駆動装置によつて回転させながら、 前記ウエーハの表面或いは背面に付着した異物
を流し去るための流体を送吹することを特徴とす
るウエーハ処理方法。 ２ 被処理ウエーハの表面及び背面をスクラブす
る一対の円筒状ブラシであつて、前記ウエーハと
の間に生ずる摩擦力が互いに反対方向であり、且
つその絶対値が異なるように回転するウエーハス
クラブ手段と、 流体の噴出によつて前記ウエーハを非接触的に
保持するウエーハ保持手段と、 該ウエーハ保持手段に保持された状態のウエー
ハを、前記ウエーハ保持手段に連結された回転駆
動装置によつて回転させる手段と、 前記回転動作中のウエーハに、該ウエーハの表
面或いは背面に付着した異物を流し去るための流
体を送吹する手段と、 前記ブラシを前記回転動作を妨げない位置に退
避させる手段とを 包含して成ることを特徴とするウエーハ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58248427A JPS60143634A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | ウエ−ハ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58248427A JPS60143634A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | ウエ−ハ処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143634A JPS60143634A (ja) | 1985-07-29 |
| JPH0414494B2 true JPH0414494B2 (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=17177959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58248427A Granted JPS60143634A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | ウエ−ハ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143634A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6260225A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハの洗浄方法 |
| JPS62121098U (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-31 | ||
| JPS6310548U (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | ||
| JPH0795540B2 (ja) * | 1988-04-11 | 1995-10-11 | 株式会社日立製作所 | 超音波洗浄スプレイノズルを用いた基板両面の洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP2890915B2 (ja) * | 1991-08-13 | 1999-05-17 | 信越半導体株式会社 | ウエーハのブラシ洗浄装置 |
| JP2767165B2 (ja) * | 1991-07-31 | 1998-06-18 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ洗浄槽 |
| US6003185A (en) * | 1994-07-15 | 1999-12-21 | Ontrak Systems, Inc. | Hesitation free roller |
| JPH08188249A (ja) * | 1995-01-05 | 1996-07-23 | Murata Mach Ltd | パレットへの物品の段積装置 |
| JP2564661Y2 (ja) * | 1995-01-11 | 1998-03-09 | 株式会社エンヤシステム | 貼付板洗浄装置 |
| US5675856A (en) * | 1996-06-14 | 1997-10-14 | Solid State Equipment Corp. | Wafer scrubbing device |
| US5862560A (en) * | 1996-08-29 | 1999-01-26 | Ontrak Systems, Inc. | Roller with treading and system including the same |
| EP0837493B8 (en) * | 1996-10-21 | 2007-11-07 | Ebara Corporation | Cleaning apparatus |
| US5868857A (en) | 1996-12-30 | 1999-02-09 | Intel Corporation | Rotating belt wafer edge cleaning apparatus |
| US5901399A (en) * | 1996-12-30 | 1999-05-11 | Intel Corporation | Flexible-leaf substrate edge cleaning apparatus |
| JPH10321572A (ja) | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法 |
| JP2000176386A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-27 | Ebara Corp | 基板洗浄装置 |
| US6711775B2 (en) * | 1999-06-10 | 2004-03-30 | Lam Research Corporation | System for cleaning a semiconductor wafer |
| KR20010037210A (ko) * | 1999-10-14 | 2001-05-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 |
| JP6145334B2 (ja) | 2013-06-28 | 2017-06-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5184371U (ja) * | 1974-12-26 | 1976-07-06 |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP58248427A patent/JPS60143634A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60143634A (ja) | 1985-07-29 |
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