JPH04145761A - 読み取り装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は読み取り装置に関し、特にファクシミリやイメ
ージスキャナなどに用いられている密着型イメージセン
サなどの読み取り装置に関する。

〔従来の技術］ 原稿と実質的に１対１の読み取り幅ををし、原稿にほぼ
密着して読み取る密着型イメージセンサは、縮小光学系
を必要としないため、それを必要とする装置と比べて装
置の小型化ができるという利点がある。このため近年、
密着型イメージセンサや完全密着型イメージセンサが主
流になりつつある。

従来の密着型イメージセンサは第１１図に示すように、
照明源としてＬＥＤアレイ１００を用い、このＬＥＤア
レイ１００から発せられた光を原稿１０２の表面で反射
させ、その反射光をロッドレンズアレイ１０４により導
いて密着型イメージセンサアレイ１０６の受光部上に画
像を結像させるように構成されている。

一方、完全密着型イメージセンサは第１２図に示すよう
に、基板１０８上に共通電極１１０と光電変換層１１２
と個別電極１１４が積層形成された光電変換素子１１６
が多数一次元に配列形成されていて、またこの基板１０
８の光電変換素子１１６と反対側にはＬＥＤアレイ１１
８が配設されている。この完全密着型イメージセンサに
はＬＥＤアレイ１１８からの光が基板１０８を通して光
電変換素子１１６側へ透過させられる照明窓１２０が備
えられ、これら光電変換素子１１６などを保護する絶縁
性透明保護膜１２２に接して原稿１２４が送りローラ１
２６によって送られるように構成されている。この密着
型イメージセンサにおいては、照明窓１２０から絶縁性
透明保護膜１２２を通してＬＥＤアレイ１１８からの光
が原稿１２４に照射され、その反射光を光電変換素子１
１６により読み取るようにされている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記第１１図に示す密着型イメージセンサは縮小光学系
が用いられていないがロッドレンズアレイ１０４が用い
られているため、その高さを約２０ａｌｌ程度必要とし
、それ以上に小型化することはできなかった。しかも、
口７ドレンズアレイ１０４やＬＥＤアレイ１００など部
品の位置決めと組立てが困難であり、製造コストが高く
付（という問題があった。

一方、第１２図に示す完全密着型イメージセンサはロッ
ドレンズアレイを用いていないため、小型化ができ、ま
た組立てが容易になる。しかし、個別電極１１４と駆動
用ＩＣが１対１の対応で使用されるため、ＩＣの数はＡ
４版のサイズで少なくとも２７個必要とする。このため
、低価格化を図るには限界があった。

そこで、本発明者らはこれらの問題を解決するため鋭意
研究を重ねた結果、本発明に至った。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る読み取り装置の要旨とするところは、透光
性媒体を介して原稿面に接するように一次元に配列させ
られたフォトダイオード群を有する読み取り装置におい
て、（１）光学的に透明な透光性基板と、（２）前記透
光性基板上に一次元に分離して形成された、不透明個別
＠Ｆｊｔと光電変換層と透明電極が順次積層されて成る
複数のフォトダイオードと、（３）前記透光性基板とフ
ォトダイオードとの間に、少なくとも該一次元に形成さ
れた複数のフォトダイオードを含む領域に形成された光
学的に不透明な遮光膜と、（４）前記フォトダイオード
のほぼ中央部又はフォトダイオードに隣接する前記遮光
膜に形成され、少なくとも前記透光性基板及び遮光膜を
通して光が透過させられる光入射窓と、（５）前記フォ
トダイオードに相対応して一次元に並行して形成され、
前記透光性基板上に形成された共通をなす不透明共通電
極と、該不透明共通電極上に個別に分離された光電変換
層と電極が順次積層されて成るブロッキングダイオード
と、（６）少なくとも前記フォトダイオード及びブロッ
キングダイオードを覆う透明層間絶縁膜と、（７）前記
透明層間絶縁膜を介して前記フォトダイオードの透明電
極とブロンキングダイオードの電極とを接続する接続電
極と、（８）層間絶縁膜を介して多層配線されたマトリ
ックス配線部とを備えて構成されたことにある。

また、かかる読み取り装置において、前記遮光膜が前記
透光性基板上に形成される不透明導電膜と、該不透明導
電膜上に形成される透明絶縁膜とから成ることにある。

更に、かかる読み取り装置において、前記フォトダイオ
ード又はフォトダイオード及び光入射窓の外周部の一部
又は全部を、又は少なくともフォトダイオードの隣接部
を電気的に良導体から成る導電膜によって覆ったことに
ある。

次に、かかる読み取り装置における、前記フォトダイオ
ードのほぼ中央部に形成された光入射窓において、該フ
ォトダイオードを構成する不透明個別電極又は遮光膜に
形成される開口部面積が該光電変換層に形成される開口
部面積より小さいことにある。

かかる読み取り装置において、前記不透明個別電極又は
遮光膜の開口部端部と光電変換層の開口部端部との間隔
を５〜５０μｍ、好ましくは１５〜２０μｍにしたこと
にある。

また、前述の読み取り装置における、前記フォトダイオ
ードに隣接して形成された光入射窓において、該フォト
ダイオードを構成する不透明個別電極又は遮光膜に形成
される開口部端部と該開口部近傍の光電変換層の端部と
の間隔を５〜５０μｍ、特に好ましくは１５〜２０μｍ
にしたことにある。

〔作　用〕

得られた本発明の読み取り装置において、透光性基板の
裏面に配置された光源からの光が個々の光入射窓を通し
て原稿面に照射され、その原稿面で反射させられた反射
光がそれぞれのフォトダイオードによって受光され、バ
イアス電圧が印加されたフォトダイオードに光電変換さ
せられた電気信号が蓄積される０次に、ブロッキングダ
イオードに順バイアス電圧が印加されることによって、
フォトダイオードに蓄積された電気信号がマトリックス
配線部から読み出される。

透光性基板とフォトダイオードとの間の少なくとも一次
元に配列させられた複数のフォトダイオードを含む領域
には遮光膜が設けられていて、透光性基板の裏面に配置
された光源からの光は光入射窓に対応して形成された遮
光膜の開口部のみから入射させられ、光源の光が直接フ
ォトダイオードに入射しないようにされている。したが
って、一次元に分離して形成されたフォトダイオードの
隣合う箇所は遮光膜によって遮光されていて、光源の光
が透光性基板を通し光入射窓板外の箇所から漏れて入射
させられることがなり、読み取り装置のＳ／Ｎ比を最も
大きくすることができる。

ここで、遮光膜を金属などの不透明ｉ電膜と透明層＆ｔ
ｌＩｌとから構成することにより、遮光膜に形成される
光入射窓の開口部が精度良く成形され、Ｓ／Ｎ比の向上
に寄与することとなる。

また、フォトダイオードの隣接部又は外周部の一部や全
部を電気的良導体から成る導電膜によって覆うことによ
って、原稿が接する透光性媒体に発生した静電気を均一
に拡散し、あるいはアースを導電膜に接続して静電気を
除去し、静電気による影響を除くことができる。

更に、フォトダイオードのほぼ中央部に形成された光入
射窓において、不透明個別電極又は遮光膜に形成される
開口部の面積を光電変換層の開口部面積より小さく形成
し、特に、両開口部端部の間隔が５〜５０μｍ、好まし
くは１５〜２０μｍにされることにより、光入射窓から
入射させられた光が開口部側面から光電変換層内に入射
させられるのが防止され、もってＳ／Ｎ比が向上させら
れる。同様に、フォトダイオードに隣接して形成された
光入射窓において、不透明個別電極又は遮光膜に形成さ
れる開口部端部と光電変換層の開口部端部の間隔が５〜
５０μｍ、好ましくは１５〜２０μｍにされることによ
り、光入射窓から入射させられた光が開口部側面から光
電変換層内に入射させられるのが防止され、もってＳ／
Ｎ比が向上させられる。

〔実施例〕

次に、本発明に係る読み取り装置の実施例を図面に基づ
いて詳しく説明する。

第１図及び第２図において、符号１０は透光性基板であ
り、本発明に係る完全密着型イメージセンサにおける読
み取り装置は透光性基板ｌＯ上に遮光１１！１１、フォ
トダイオード１２、光入射窓１４、ブロッキングダイオ
ード１６及びマトリックス配線部１８を備えて構成され
ている。透光性基板１０はたとえばガラスや樹脂など、
光学的に透明な基板が用いられ、特に、完全密着型イメ
ージセンサに用いられる光源光の波長に対して光学的に
透明な材質が選定されるのが好ましい。

透光性基板１０の上には遮光膜１１が全領域に又は第１
図に二点鎖線で示すように少な（とも一次元的に複数形
成されるフォトダイオード１２の領域に形成されている
。遮光膜ＩＩはクロムＣｒ、ニッケルＮｉ、アルミニウ
ム＾ｌなどの金属やその合金が真空蒸着法などによって
透光性基板１０上に被着させられた光学的に不透明な不
透明導電膜１３と、その不透明導電膜１３の上にＳｉＯ
ｘ、　ＳｉＮｘ、ＴａＯｘなどの透明な無機質絶縁体な
どからなる透明絶縁ｌＩ！１５とから構成されている。

この不透明導電膜１３には光入射窓Ｉ４の一部を構成す
る開口部１７が一次元に多数形成されていて、開口部１
７はフォトエツチングなどの手法によって所定の寸法形
状に形成されている。他方、透明絶縁膜１５は透光性基
板ｌＯ上に形成された不透明導電膜１３を絶縁化すると
ともに、不透引導１１１ｔ３に形成された開口部１７に
おける透光性を確保するために透明な絶縁体が用いられ
る。

この遮光１１！１１の上には分離された複数のフォトダ
イオード１２が一次元にすなわち直線状に形成されると
ともに、そのフォトダイオード１２に相対応して一次元
に並行して複数のブロッキングダイオード１６が同時に
形成される。先ず、遮光［１１上の所定の位置にフォト
ダイオード１２の不透明個別電極２０と、ブロッキング
ダイオード１６の不透明共通電極２２が形成される。不
透明個別電極２０と不透明共通電極２２はクロムＣｒ、
ニッケルＮｉ、アルミニウムＡＩ、チタンＴｉなどやこ
れらの合金が真空蒸着法などによって被着させられた後
、所定のパターン形状にフォトエツチングされて形成さ
れたり、あるいはマスク法によって所定のパターン形状
に被着させられても良く、なんら限定されない。その際
、光入射窓１４になる開口部２４が同時に形成される。

これら不透明個別電極２０と不透明共通電極２２の上に
はそれぞれアモルファスシリコン系半導体からなる光ｉ
ｉｔ変換層２６．２８がプラズマＣＶＤ法などによって
形成される。アモルファスシリコン系半導体はたとえば
アモルファスシリコンミＳ１１水素化アモルファスシリ
コンａ−５ｉ：Ｈ，水素化アモルファスシリコンカーバ
イドａ−５ＩＣ：Ｆｌ　、アモルファスシリコンナイト
ライドなどの他、シリコンと炭素、ゲルマニウム、スズ
などの他の元素との合金からなるアモルファスシリコン
系半導体の非晶質あるいは微結晶をｐｉｎ型、ｎｉｐ型
、ｎ層型、ｐｎ型、？ｌｒＳ型、ヘテロ接合型、ホモ接
合型、ショットキーバリアー型あるいはこれらを組み合
わせた型などに、単層又は多層に堆積させて用いられ、
特にｐｉｎ型、ｎｉｐ型、ｎ層型が好ましく、更にｎ層
が上層に形成されている型が好ましい。

充電変換層２６．２８が形成された後、それらの上にＩ
　Ｔ　Ｏ、５ｎ０２、ＩＴＯ／ＳｎＯ，などからなる透
明電極３０．３２が真空萎着法やスパンタリング法など
によって形成されて、フォトダイオード１２とプロンキ
ングダイオード１６が形成される。

光電変換層２６．２８及び透明電極３０．３２は所定の
パターン形状にマスク法やフォトエツチング法などの手
法により形成され、また光電変換層２６及び透明電極３
０のほぼ中央部である不透明個別電極２０に設けられた
開口部２４の上には光入射窓１４となる開口部３４が形
成される。ここで、不透明個別電極２０に形成される開
口部２４の面積は光電変換層２６に形成される開口部３
４０面積より小さく設定され、特に開口部２４の端部と
開口部３４の端部との間隔が５〜５０μｍ、好ましくは
１５〜２０μｍになるように開口部２４．３４が形成さ
れる。

透光性基板１０上に光入射窓１４を備えたフォトダイオ
ード１２とブロッキングダイオード１６が形成された後
、これらを覆うように透明層間絶縁膜３６が被着させら
れる。透明層間絶縁膜３６にはＳｉＯｘ、　ＳｉＮｘ、
　ＴａＯｘなどが用いられ、フォトダイオード１２及び
プロ、キングダイオード１６が絶縁処理されるとともに
、光入射窓１４における光の透過が確保されている。

透明層間絶縁膜３６によって絶縁されたフォトダイオー
ドＩ２とフ゛ロッキングダイオード１６はそれらの所定
の位置にある透明層間絶縁膜３６にコンタクトホールが
設けられて、そのコンタクトホールを介してフォトダイ
オード１２の透明電極３０とブロッキングダイオード１
６の透明電極３２が接続電極３８によって接続される。

接続電極３８はクロムＣｒ、ニッケルＮ１１アルミニウ
ムＡｔ。

チタンＴｉなどやこれらの合金が真空蒸着法やスパンタ
リング法などによって被着させられて形成されている。

一方、フォトダイオード１２の不透明個別電極２０に一
体的に設けられた取出し電極部４０の所定の位置にある
透明層間絶縁ＩＩ！３６にコンタクトホールが形成され
、そのコンタクトホルを介して不透明個別電極２０に接
続される配線４２が接続電極３８と同様にして形成され
、マトリックス配線部１日が形成される。

接続電極３８及びマトリックス配線部１８が形成された
後、これらを絶縁するとともにフォトダイオード１２な
どを保護し、更に原稿面と接触させられたとき摩耗から
防止するため、図示しない薄ガラス（たとえば厚さ５０
μｍ程度）がエボキン樹脂など透明な樹脂によって貼着
される。なお、薄ガラスに代えてＳｉＯｘ、　ＳｉＮｘ
、　ＴａＯｘなどからなる耐摩耗性保護層が形成されて
も良い。

かかる構成の読み取り装置は完全密着型イメージセンサ
に用いられ、透光性基板１０の背面に設けられたＬＥＤ
アレイなどの光源から光が照射される。照射された光は
光入射窓１４を通して光がフォトダイオード１２側に入
射させられ、その他の光は遮光膜１１によって遮光され
る。光入射窓１４は不透明個別電極２０に形成された開
口部２４の面積が光電変換層２６に形成された開口部３
４の面積より小さくされているため、光入射窓１４を透
過させられる光が直接光電変換層２６に入射させられる
ことはほとんどなくなり、フォトダイオード１２のＳ／
Ｎ比が大きくなって、読み取り装置の解像度が向上させ
られる。特に、不透明個別電極２０に形成された開口部
２４の端部と光電変換層２６に形成された開口部３４の
端部の間隔が５〜５０μｍ、好ましくは１５〜２０μｍ
に有る時、光入射窓１４における光の漏れを少なくする
ことができるとともに、光電変換領域を最大限確保する
ことができて好ましい。

一方、フォトダイオード１２側の図示しない薄ガラスの
面には送りローラにより原稿が送られてきて、その原稿
の面に光入射窓１４から光が照射される。光は原稿の面
で反射させられ、その反射光がフォトダイオード１２に
入射させられ、光電変換させられた電気信号がフォトダ
イオード１２に蓄積される。他方、一定個数のブロッキ
ングダイオード１６は不透明共通電極２２によって−っ
にまとめられていて、その一定個数のブロッキングダイ
オード１６に不透明共通電極２２を介して一つの駆動用
ＩＣから電気信号が送られ、そのブロンキングダイオー
ド１６に対応するフォトダイオード１２から蓄積された
電気信号が出力され、マトリックス配線部１日を介して
外部に出力させられる。

以上、説明したところから明らかなように、ブロッキン
グダイオード１６はフォトダイオード１２を形成する時
に同時に特段コストを要せずに形成でき、ブロッキング
ダイオード１６を用いることにより複数のフォトダイオ
ード１２を一つの駆動用ＩＣによって駆動させることが
可能となり、ＩＣの使用個数を減らすことによってコス
トダウンが達成できた。また、光入射窓１４の開口部を
不透明個別電極２０の開口部２４面積を光電変換層２６
の開口部３４面積より小さくすることによって光の漏れ
を少なくし、Ｓ／Ｎ比を大きくすることができ、読み取
り装置の解像度を向上させることが可能になった。

以上、本発明に係る読み取り装置の実施例を詳述したが
、本発明はその他の態様でも実施し得るものである。

たとえば、第３図及び第４図に示すように、光入射窓４
４がフォトダイオード４６に隣接して形成された形成の
読み取り装置に対しても本発明が通用される。本実施例
に係る読み取り装置は上記実施例と同様に透光性基板１
０上に遮光Ｗ！４８、フォトダイオード４６、光入射窓
４４、ブロッキングダイオード１６及びマトリックス配
線部１８を備えて構成されている。遮光膜４日は不透明
導電膜４９と透明′Ｉ！Ａ縁膜５０とから構成され、不
透明ｉ！膜４９には光入射窓４４になる開口部５２が一
次元に複数形成されている。この遮光膜４８の上にはフ
ォトダイオード４６を構成する不透明個別電極５４と光
電変換層５６及び透明電極５８が順次積層されていて、
光電変換層５６に隣接する不透明個別電極５４が延長し
て形成された箇所には光入射窓４４になる開口部６０が
形成されている。

不透明個別電極５４の開口部６０の大きさは遮光膜４８
の開口部５２より小さく形成されていて、開口部５２を
透過させられた光が不透明個別電極５４の開口部６０外
周部によって若干遮光させられるように構成されている
。これにより、各光入射窓４４から入射させられる光電
が均等になるように設定されている。

方、隣接して形成されている光入射窓４４とフォトダイ
オード４６において、光入射窓４４の開口部６０端部と
フォトダイオード４６の光電変換層５６の端部との間に
不透明個別電極５４による一定幅の遮光部６２が設けら
れていて、光入射窓４４から入射させられた光が光電変
換層５６の側面から直接、光電変換部に入射しないよう
にされている。この遮光部６２の幅は挟すぎるときは遮
光の効果がなく、また、広すぎるときは光入射窓４４か
ら入射させられた光が原稿面で反射させられてその反射
光がフォトダイオード４６に入射させられるまでの距離
や角度などが大きくなり、フォトダイオード４６の光電
変換効率が低下させられることになる。このため、遮光
部６２の幅が特に５〜５０μｍ、より好ましくは１５〜
２０μｍになるように光入射窓４４とフォトダイオード
４６が形成されるのが好ましい。

本実施例において、他の構成は前述の実施例と同様であ
り、本実施例に係る読み取り装置の作動も前述の実施例
と同様である。

次に、第５図又は第６図に二点鎖線で示すように、フォ
トダイオード１２又はフォトダイオード４６及び光入射
窓４４の外周部の一部あるいは全部、又はフォトダイオ
ード１２．４６の隣接部などを電気的に良導体から成る
導電膜６４で覆うのが好ましい。導電＃６４はフォトダ
イオード１２゜４６の透明電極３０．５８とは透明層間
絶縁膜３６や図示しないエポキン樹脂などの絶縁体によ
って絶縁されていて、導電＃６４はクロムやアルミニウ
ムなど金属やその合金などが用いられ、真空蒸着法など
によって形成される。

このようにフォトダイオード１２．４６を取り囲む電気
的良導体からなる導電膜６４を設けることによって、原
稿が読み取り装置の薄ガラスなどの保ｆｉ膜の表面を摺
接させられることによって生ずる静電気を均一化するこ
とができ、大きさの異なる静電気の分布が存在すること
によって生ずる影響を排除することができる。

また、かかる導電膜６４をアースし、原稿との摩擦によ
って生した静電気を直ちに取り除くように構成しても良
い。

更に、第７図に示すように、フォトダイオード６６のほ
ぼ中央部に形成された光入射窓６８において、不透明個
別電極７０に設けられる開口部７２の大きさを光電変換
Ｊ！７４に設けられる開口部７６の大きさとほぼ同しに
形成するとともに、遮光１１１７８の不透明導電膜８０
に形成される開口部８２の大きさを光電変換層７４の開
口部７６の大きさより小さく形成するのも良い。本例に
おいては、不透明導電膜８０の開口部８２の外周によっ
て光電変換層７４に光入射窓６８から直接入射させられ
る光が遮光される。

また、第８図に示すように、透光性基板１０上に形成さ
れる遮光膜８４は単一の材料から成る不透明絶縁膜によ
って構成することも可能である。

本例においては、透光性基板１０側に配設された光源か
らの光が光入射窓６８に入射させられたとき、不透明絶
縁膜である遮光膜８４に形成された開口部８６によって
光電変換Ｎ７４に直接入射させられる光が遮断されるこ
とになる。

本例に示すように、遮光１！Ｗ８４は不透明絶縁膜から
なる単一の層によって構成されても良い。また、遮光１
１（８４に形成された開口部８６により光入射窓６８に
おいて光電変換層７４に直接入射させられる光を遮光す
るようにしても良く、あるいは前述の実施例のように、
不透明個別電極７０に形成された開口部７２によりその
光を遮光するように構成しても良い。

更に、第９図及び第１０図に示すように、光入射窓８８
を透光性基板１０上の遮光膜９０に設けられる開口部９
２によって構成しても良い。本実施例において、光入射
窓８８に入射させられた光が光電変換層９４に直接入射
させられるのを防ぐため、遮光膜９０の開口部９２端部
と光電変換層９４の端部との間に一定幅の遮光部９６が
設けられるのが好ましい。なお本実施例において、遮光
部９６の幅を不透明個別電極９８の端部によって調整し
得るように構成することも可能である。

その他、−々図示するのは省略するが、本発明に係る読
み取り装置はたとえばマトリックス配線部１８に形成さ
れる層間絶縁膜は必ずしも透明である必要はなく、また
、光入射窓１４の底面に被着させられた透明層間絶縁膜
３６は入射光を減衰させないように取り除くのが好まし
い。

また、ブロッキングダイオードの機能を向上させるため
、光電変換層にｎｉ型のアモルファスシリコンを形成す
るのが好ましい、ｎｉ型の光電変換層はブロッキングダ
イオードの定電流における立ち上がり電圧がｐｉｎ型や
ｎｉｐ型の光電変換層に比べて小さくなるため、フォト
ダイオードに蓄積された電荷を速く読み出すことができ
、読み取り速度を改善することが可能となり好ましい。

更に、ブロッキングダイオード１６において、光電変換
層２８の上に形成される電極は透明電極３２であるのが
製造上、最も好ましいが、金属電極などの不透明導電体
から成るｔＩｆｉｌであっても良いのは勿論である。ま
た、フォトダイオードの光電変換層とブロッキングダイ
オードの充電変換層とを異なる材料、形式などに適宜変
えて被着させることも当然可能である。その他、上述の
実施例を適宜組み合わせて実施し得るなど、本発明はそ
の趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の知識に基づき種
々なる改良、修正、変形を加えた態様で実施し得るもの
である。

〔発明の効果〕

かかる本発明の読み取り装置は透光性基板上にフォトダ
イオードと、そのフォトダイオードと原則として同一の
材料により相対応してプロンキングダイオードが形成さ
れていて、一定個数のブロッキングダイオードが不透明
共通電極により同時に駆動させられるように構成されて
いるため、つの駆動用ＩＣによってプロンキングダイオ
ードに相対応するフォトダイオードを複数駆動させるこ
とができ、使用するＩＣの個数を大幅に減少させること
ができ、読み取り装置のコストを下げることが可能にな
った。また、本発明の読み取り装置はマトリックス配線
化されているため、装置の小型化が更に実現できること
となった。

また、光入射窓における不透明個別電極又は遮光膜の開
口部面積を光電変換層の開口部面積より小さくしたこと
によって、光入射窓において光が直接光電変換層に入射
する現象が抑制され、Ｓ／Ｎ比を大きくすることができ
て、読み取り装置の解像度を向上させることが可能とな
った。特に、不透明個別電極又は遮光膜の開口部端部と
光電変換層の開口部端部との間隔、すなわち不透明個別
電極又は遮光膜による遮光部の幅が５μｍ以上、好まし
くは１５μｍ以上あればＳ／Ｎ比が効果的に改善される
ことになる。

更に、フォトダイオードあるいはフォトダイオードと光
入射窓の隣接部や外周部の一部又は全部に電気的良導体
からなる導ｉｉｔ膜を設けることによって、原稿が摺接
させられることによって生ずる静電気を均一化し、ある
いはアースによって取り除くことができ、静電気による
影響を除去することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る読み取り装置の要部説明平面図で
あり、第２図は第１図に示す読み取り装置の断面説明図
である。第３図及び第４図は本発明に係る読み取り装置
の他の形態の実施例を示す図であり、第３図は要部説明
平面図であり、第４図は第３図に示す装置の断面説明図
である。第５図乃至第１０図はいずれも本発明に係る読
み取り装置の他の実施例を示す図であり、第５図及び第
６図は要部説明平面図であり、第７図及び第８図は要部
断面図であり、第９図は要部説明平面図であり、第１０
図は第９図に示す装置の要部断面図である。 第１１図は従来の密着型イメージセンサを説明するため
の斜視図であり、第１２図は従来の完全密着型イメージ
センサを説明するための断面説明図である。 １０；透光性基板 １１．４Ｂ、７８．８４．９０；遮光膜１３．４９．８
０；不透明導電膜 １５．５０；透明絶縁膜 １７　５２．８２．８６，９２；開口部１２．４６．６
６；フォトダイオード ２０　５４．７０．９８；不透明個別電極２６　５６　
７４．９４；光電変換層 ３０．５８；透明電極 １４．４４．６８，８８；光入射窓 １６；ブロッキングダイオード ２２；不透明共通電極 ２８；光電変換層 ３２：透明電極（電極） １８：マトリックス配線部 ２４　３４．６０，７２，７６；開口部３６；透明層間
絶縁膜 ３８；接続電極 ６２．９６；遮光部 ６４；導電膜 特許出願人　鐘淵化学工業株式会社 第 図 Ｕ ｌ 第 図 第 因 ｂノ 第 図 第 図 第 図 第１θ図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性媒体を介して原稿面に接するように一次元
   に配列させられたフォトダイオード群を有する読み取り
   装置において、 光学的に透明な透光性基板と、 前記透光性基板上に一次元に分離して形成された、不透
   明個別電極と光電変換層と透明電極が順次積層されて成
   る複数のフォトダイオードと、前記透光性基板とフォト
   ダイオードとの間に、少なくとも該一次元に形成された
   複数のフォトダイオードを含む領域に形成された光学的
   に不透明な遮光膜と、 前記フォトダイオードのほぼ中央部又はフォトダイオー
   ドに隣接する前記遮光膜に形成され、少なくとも前記透
   光性基板及び遮光膜を通して光が透過させられる光入射
   窓と、 前記フォトダイオードに相対応して一次元に並行して形
   成され、前記透光性基板上に形成された共通をなす不透
   明共通電極と、該不透明共通電極上に個別に分離された
   光電変換層と電極が順次積層されて成るブロッキングダ
   イオードと、 少なくとも前記フォトダイオード及びブロッキングダイ
   オードを覆う透明層間絶縁膜と、前記透明層間絶縁膜を
   介して前記フォトダイオードの透明電極とブロッキング
   ダイオードの電極とを接続する接続電極と、 層間絶縁膜を介して多層配線されたマトリックス配線部
   と を備えて構成されたことを特徴とする読み取り装置。
2. （２）前記遮光膜が前記透光性基板上に形成される不透
   明導電膜と、該不透明導電膜上に形成される透明絶縁膜
   とから成ることを特徴とする請求項第１項に記載する読
   み取り装置。
3. （３）前記フォトダイオード又はフォトダイオード及び
   光入射窓の外周部の一部又は全部を、又は少なくともフ
   ォトダイオードの隣接部を電気的に良導体から成る導電
   膜によって覆ったことを特徴とする請求項第１項又は第
   ２項に記載する読み取り装置。
4. （４）前記フォトダイオードのほぼ中央部に形成された
   光入射窓において、該フォトダイオードを構成する不透
   明個別電極又は遮光膜に形成される開口部面積が該光電
   変換層に形成される開口部面積より小さいことを特徴と
   する請求項第１項乃至第３項のいずれかに記載する読み
   取り装置。
5. （５）前記不透明個別電極又は遮光膜の開口部端部と光
   電変換層の開口部端部との間隔が５〜５０μｍ、好まし
   くは１５〜２０μｍであることを特徴とする請求項第４
   項に記載する読み取り装置。
6. （６）前記フォトダイオードに隣接して形成された光入
   射窓において、該フォトダイオードを構成する不透明個
   別電極又は遮光膜に形成される開口部端部と該開口部近
   傍の光電変換層の端部との間隔が５〜５０μｍ、好まし
   くは１５〜２０μｍであることを特徴とする請求項第１
   項乃至第３項のいずれかに記載する読み取り装置。