JPH04146418A - フラッシュ充電回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （以下フラッシュという）の充電回路に関する。

従来の技術 従来、フラッシュの充電回路として、ブロッキング発振
回路を応用した自励式の発振回路を用い４発光用のコン
デンサを充電していた。その従来例を第３図に示す。こ
の回路を簡単に説明する。

Ｊはカメラを制御するためのマイクロコンピュータであ
り、不図示の充電開始スイッチのオンに応じて、フラッ
シュ充電回路１２に充電開始信号を出力する。９はイン
ターフェースとして用いられる部分であり、１０は信号
増幅用のアンプ。ｌｌは出力トランジスタである。１２
はブロッキング発振回路であり前記出力トランジスタ１
１のコレクタ端子に接続されている。

ノイズ吸収用のコンデンサＣ，，Ｃ２，整流用ダイオー
ドＤ□、Ｄ２．昇圧トランスＴ、およびメインコンデン
サＣ１よりなる。インターフェースを介したマイクロコ
ンピュータからの充電開始信号により発振制御トランジ
スタＱ１がオンすると回路は発振を開始し、電源電圧は
トランスＴにおいて昇圧され、ダイオードＤ２で整流さ
れた後、コンデンサＣ３に充電される。

発明が解決しようとする問題点 従来のフラッシュ充電回路には以下の様な問題点が存在
する。

すなわち、従来から用いられているブロッキング発振回
路を応用した充電回路は、自動式の発振を使用する為に
、制御用のマイクロコンピュータｌとの間に充電信号を
増幅するためのインターフェースを設ける必要があり、
そのことによるコストの上昇が避けられなかった。

ラッシュ充電開始信号に応じてパルス列信号を出力する
制御部と、昇圧用のトランスと、そのトランスの１次巻
線に直列接続され前記制御部からのパルス列信号により
オン・オフするスイッチング半導体素子と、前記トラン
スの２次巻線側に接続される発光用コンデンサとから成
ることを特徴とするフラッシュ充電用回路を提供する。

このとき、スイッチング今半導体素子としては電圧制御
素子、詳しくいうならばパワーＭＯＳトランジスタある
いはＩ　Ｇ　Ｂ　Ｔ　（Ｉｎｓｕｌａｌｊｄ　Ｇａｔｅ
Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いるのが
よい。

作　　　用 本発明の構成によると、発光用メインコンデンサ充電の
ための昇圧トランスをマイクロコンピュータから直接制
御することが可能となる。

実施例 本発明の構成を持つ実施例を図を使って説明する。第１
図は、第１実施例のブロック図である。

この実施例ではパワーＭＯ３）ランジスタを使いマイク
ロコンピュータで直接スイッチング制御をしている。第
１図においてｌはマイクロコンピュタであり制御用のパ
ルス列信号を発振回路に出力するとともに、不図示の測
光部や測距部などの情報に基づいて露出制御値を決める
などの機能を持つ。２は、ＮチャンネルのパワーＭＯＳ
トランジスタであり、そのゲートはマイクロコンピュー
タｌが出力するパルス列信号により制御される。

ドレインはトランスの１次巻線を介して直流電源とつな
がっており、ソースは電源につながると供にトランスの
２次巻線につながっている。３はツェナーダイオードで
あり、パワーＭＯＳトランジスタをトランス４の１次巻
線の逆起電力から保護するためのものであり、ドレイン
・ソース間に接続されている。５は整流用のダイオード
であり、６は発光用のメインコンデンサであり、７は直
流電源である。

このような回路は次のように動作する。すなわち、不図
示の７ラツンユ充電開始用のスイッチ手段の閉成に応じ
てマイクロコンピュータｌからパルス列信号が出力され
る。出力されたパルス列信号ハパワーＭＯＳトランジス
タのゲートに入力され該トランジスタを０Ｎ１０ＦＦさ
せる。このスイッチングより電源電圧はトランスにおい
て昇圧され、ダイオード５で整流された後、発光用コン
デンサ６が充電される。

次に第２図は、本発明の構成を持つ第２の実施例のブロ
ック図である。第２図において、ｌは前記実施例と同様
な働きをするマイクロコンピュータであり、パルス列信
号を出力する。８はＩＧＢＴであり、そのゲートにはマ
イクロコンピュータｌが出力するパルス列信号が入力さ
れる。該ＩＧＢＴは昇圧用トランスの１次巻線および直
流電源７と直列に接続されている。２次巻線には整流用
のダイオード５を介してメインコンデンサ６が接続され
ている。

このような回路では次のように動作する。まず、不図示
の７ラツシユ充電開始用スイッチ手段の閉成に応じてマ
イクロコンピュータ１からパルス列信号が出力される。

出力されたパルス列信号はＩＧＢＴのゲートに入力され
て該Ｉ　ＧＢＴを０Ｎ１０ＦＦ動作させる。前記実施例
と同様に電源電圧は昇圧され、ダイオード５で整流され
た後、発光用コンデンサ６が充電される。

このように本発明においては、マイクロコンピュータ１
に接続されたスイッチング半導体素子により、従来まで
使われていたブロッキング発振回路の置き換えをするこ
とが可能となる。

効　　　果 以上、説明したように本発明の構成をもつフラッシュ充
電回路では、制御回路と昇圧用トランスの間に配置され
たスイッチング半導体素子に、パルス列信号を入力する
だけで、これまでの自励式の発振回路に替わる動作を得
ることができる。これにより、構成部品数が減少し、コ
ストダウンが計れるとともに、それら部品の実装のため
に用いられていたスペースをも減少させることができる
。

また、発振回路の制御に従来必要だったインク−フェー
スが電圧Ｍ衛生導体素子を用いることにより不用となり
、それに伴うコストダウンとスペースの減少も可能とな
る。

さらに、上述のように部品点数が減少することにより電
力効率がアップし節電の効果を得ることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の構成をもつフラッシュ充電回路の第１
実施例の回路ブロック図、第２図は本発明の構成を持つ
フラッシュ充電回路の第２実施例の回路ブロック図、第
３図は従来の７ラツシユ充電回路の回路ブロック図であ
る。 ７、電　源 １、制御部 ４、昇圧トランス ２．８スイッチング半導体素子 ６、発光用コンデンサ 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第 図 ジ　　　　） Ｉ３ 図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）電源と、フラッシュ充電開始信号に応じてパルス
   列信号を出力する制御部と、 昇圧用のトランスと、 前記トランスの１次巻線側に接続され前記制御部からの
   パルス列信号によりオン・オフするスイッチング半導体
   素子と、 前記トランスの２次巻線側に接続され前記電源より充電
   される発光用コンデンサと、 から成ることを特徴とするフラッシュ充電用回路。
2. （２）前記スイッチング半導体素子は電圧制御素子であ
   ることを特徴とする第１請求項記載のフラッシュ充電用
   回路。
3. （３）前記電圧制御素子はパワーＭＯＳトランジスタで
   あることを特徴とする第２請求項記載のフラッシュ充電
   用回路。
4. （４）前記電圧制御素子はＩＧＢＴであることを特徴と
   する第２請求項記載のフラッシュ充電回路。