JPH04149016A - ＳｉＣ粉末の精製方法 - Google Patents
ＳｉＣ粉末の精製方法Info
- Publication number
- JPH04149016A JPH04149016A JP2270590A JP27059090A JPH04149016A JP H04149016 A JPH04149016 A JP H04149016A JP 2270590 A JP2270590 A JP 2270590A JP 27059090 A JP27059090 A JP 27059090A JP H04149016 A JPH04149016 A JP H04149016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- water
- sic powder
- boiling
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は水中で粒子同士の凝集が少なく高度に分散可能
なＳｉＣ粉末の精製方法に関するものである。
なＳｉＣ粉末の精製方法に関するものである。
〔従来の技術］
５ｉＣ（炭化珪素）粉末は高強度ＳｉＣ焼結体の原料や
研磨材として広く用いられている。゛その製造法はいず
れも高温下珪素源化合物と炭素源化合物とを同相または
気相で反応させ、得られた粗製物を粉砕・分級するか、
または解砕によって粉末の凝集を解いて必要な粒度に調
整する方法が用いられている。
研磨材として広く用いられている。゛その製造法はいず
れも高温下珪素源化合物と炭素源化合物とを同相または
気相で反応させ、得られた粗製物を粉砕・分級するか、
または解砕によって粉末の凝集を解いて必要な粒度に調
整する方法が用いられている。
この粉末を高強度焼結体の原料や精密研磨材として用い
るには高純度であることが求められる。
るには高純度であることが求められる。
従来、塩酸、硝酸、リン酸等の酸処理をすることによっ
て金属不純物を溶出させること或いは、フッ酸等で処理
をすることによってシリカを溶出させることの少なくと
もどちらか一つの処理を行う。その後水洗し、引続き乾
燥することによって高純度に精製した製品ＳｉＣ粉末と
している。
て金属不純物を溶出させること或いは、フッ酸等で処理
をすることによってシリカを溶出させることの少なくと
もどちらか一つの処理を行う。その後水洗し、引続き乾
燥することによって高純度に精製した製品ＳｉＣ粉末と
している。
上記のようにして得られたＳｉＣ粉末を水溶液に高濃度
に分散しようとしても、粉末粒子間で凝集が生し、その
分散液は高粘度になることがしばしばある。そのため例
えば、鋳込み成形法を利用して複雑形状成形体を作ろう
としても満足な成形体が得られない欠点がある。
に分散しようとしても、粉末粒子間で凝集が生し、その
分散液は高粘度になることがしばしばある。そのため例
えば、鋳込み成形法を利用して複雑形状成形体を作ろう
としても満足な成形体が得られない欠点がある。
また、粉末を精密研磨に用いたとしても水溶液中で粉末
が凝集を生じるため精密な研磨が出来ないことがある。
が凝集を生じるため精密な研磨が出来ないことがある。
本発明の目的は上記のような欠点のない、即ち、水溶液
に高濃度に分散しても粒子同士が凝集し難く、分散液が
高粘度にならないＳｉＣ粉末の精製方法を提供すること
にある。
に高濃度に分散しても粒子同士が凝集し難く、分散液が
高粘度にならないＳｉＣ粉末の精製方法を提供すること
にある。
（課題を解決するための手段〕
本発明者らは上述の欠点のないＳｉＣ粉末を得るために
鋭意各種の検討を行い本発明を完成した。
鋭意各種の検討を行い本発明を完成した。
即ち本発明は、
（１）金属化合物及びソリ力等の不純物を酸処理によっ
て取り除いた５ｉＣＩ３末を水を主体に含有する媒体に
分散し、該分散液の温度を６０°Ｃ以上にして煮沸処理
する事を特徴とするＳｉＣ粉末の精製方法、あるいは、
（２）水を主体に含有する媒体に塩基性化合物を添加し
て該分散液の室温におけるｐＨを８以上にした分散液を
用いる前記第１須記載のＳｉＣ粉末の精製方法である。
て取り除いた５ｉＣＩ３末を水を主体に含有する媒体に
分散し、該分散液の温度を６０°Ｃ以上にして煮沸処理
する事を特徴とするＳｉＣ粉末の精製方法、あるいは、
（２）水を主体に含有する媒体に塩基性化合物を添加し
て該分散液の室温におけるｐＨを８以上にした分散液を
用いる前記第１須記載のＳｉＣ粉末の精製方法である。
注意すべきことは、酸処理をおこなった粉末に対して本
発明の方法を適用することである。
発明の方法を適用することである。
粗ＳｉＣ粉末を本発明の方法で処理した後に酸処理を行
う逆の工程にすると目的は達成されない。
う逆の工程にすると目的は達成されない。
本発明に用いられる金属化合物及びシリカ等の不純物を
酸処理によって取り除いたＳｉＣ粉末は、アチソン法で
作られたα−３ｉＣ粉末、カーボンとシリカの混合物を
２０００°Ｃ以下の温度で反応させたβ−５ｉＣ粉末、
カーボンと金属珪素とを高温下で反応させて得られたβ
−３ｉＣ粉末やメチルトリクロロシラン等のシラン化合
物をメタンやエチレン等の低分子量の有機化合物と気相
で反応させて得られるβ−３ｉＣ粉末等である。
酸処理によって取り除いたＳｉＣ粉末は、アチソン法で
作られたα−３ｉＣ粉末、カーボンとシリカの混合物を
２０００°Ｃ以下の温度で反応させたβ−５ｉＣ粉末、
カーボンと金属珪素とを高温下で反応させて得られたβ
−３ｉＣ粉末やメチルトリクロロシラン等のシラン化合
物をメタンやエチレン等の低分子量の有機化合物と気相
で反応させて得られるβ−３ｉＣ粉末等である。
水を主体に含有する媒体とは、いわゆる水だけでもよい
が、水の中に塩基性化合物が溶解して室温におけるＰＨ
が８以」二であれば更に好ましい。
が、水の中に塩基性化合物が溶解して室温におけるＰＨ
が８以」二であれば更に好ましい。
本発明に用いる塩基性化合物は水を主体に含有する媒体
に可溶な塩基性化合物であれば何でもよい。そのような
化合物としては苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ、炭
酸カリのようなアルカリ金属化合物である。
に可溶な塩基性化合物であれば何でもよい。そのような
化合物としては苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ、炭
酸カリのようなアルカリ金属化合物である。
また、塩基性化合物は沸点の低い、または加熱によって
分解したり又は揮発する化合物であれば特に好ましい。
分解したり又は揮発する化合物であれば特に好ましい。
そのような化合物としてはアンモニアやエチルアミン、
メチルアミン、プロピルアミン、ｔ−ブチルアミン等の
脂肪族アミン類やエチレンジアミン、ジエチレントリア
ミン、１リエチレンテトラミン等のポリアミン類、エタ
ノールアミン、ジェタノールアミン、トリエタノールア
ミン等のアルカノールアミン類がある。
メチルアミン、プロピルアミン、ｔ−ブチルアミン等の
脂肪族アミン類やエチレンジアミン、ジエチレントリア
ミン、１リエチレンテトラミン等のポリアミン類、エタ
ノールアミン、ジェタノールアミン、トリエタノールア
ミン等のアルカノールアミン類がある。
ＦＲＰなとの容器に金属化合物及びシリカ等の不純物を
酸処理によって取り除いたＳｉＣ粉末を例えば、１００
Ｋｇの投入に対し、水を主体に含有する媒体を１０００
ｆｆｉ注いだ後攪拌し分散液とする。ＳｉＣ粉末と水辺
外に何も添加していなければ、通常、この分散液のｐＨ
は、室温で７未満である。
酸処理によって取り除いたＳｉＣ粉末を例えば、１００
Ｋｇの投入に対し、水を主体に含有する媒体を１０００
ｆｆｉ注いだ後攪拌し分散液とする。ＳｉＣ粉末と水辺
外に何も添加していなければ、通常、この分散液のｐＨ
は、室温で７未満である。
所定の温度まで昇温し、その温度に保ちながら攪拌を続
ける。この煮沸温度は、６０°Ｃ以上であればよく、好
ましくは７０°Ｃ以上、より好ましくは８０°Ｃ以上特
に好ましくは９０°Ｃ以上である。
ける。この煮沸温度は、６０°Ｃ以上であればよく、好
ましくは７０°Ｃ以上、より好ましくは８０°Ｃ以上特
に好ましくは９０°Ｃ以上である。
煮沸時間は高温であるほど短時間で処理がすむので、特
に制限はないが好ましくは３０分以トである。
に制限はないが好ましくは３０分以トである。
また、分散液に塩基性化合物を添加して室温におけるｐ
Ｈを７以上にすると煮沸温度を低く又は煮沸時間を短縮
できるので好ましい。ｐ Ｈは８以上にすると特に好ま
しい。
Ｈを７以上にすると煮沸温度を低く又は煮沸時間を短縮
できるので好ましい。ｐ Ｈは８以上にすると特に好ま
しい。
また、煮沸処理後の粉末水洗時間を短縮するために、煮
沸処理中にＳｉＣ粉末分散液を陰イオン交換樹脂で処理
することも好ましい。
沸処理中にＳｉＣ粉末分散液を陰イオン交換樹脂で処理
することも好ましい。
上述の処理が行われた粉末は通常、水洗後乾燥されて精
製粉末として使用される。
製粉末として使用される。
この精製粉末が、水を主体に含有する媒体に高濃度に分
散しても粒子同士が凝集し難く、分散液が高粘度になら
ないＳｉＣ粉末であることを評価するには、次のような
方法が採用されている。
散しても粒子同士が凝集し難く、分散液が高粘度になら
ないＳｉＣ粉末であることを評価するには、次のような
方法が採用されている。
即ち、本発明の方法により処理された分散液を濾過後得
られた粉末を水洗後１００〜１５０°Ｃで水分含有率カ
月％以下になるまで乾燥する。
られた粉末を水洗後１００〜１５０°Ｃで水分含有率カ
月％以下になるまで乾燥する。
この乾燥粉末６０〜７５重量部に水を添加して１００重
量部とし、更に微量のエチルアミンと縮合ナフタレンス
ルホン酸系の界面活性剤を添加して、ボールミルにて攪
拌混合したものがいわゆるＳｉＣスリップである。
量部とし、更に微量のエチルアミンと縮合ナフタレンス
ルホン酸系の界面活性剤を添加して、ボールミルにて攪
拌混合したものがいわゆるＳｉＣスリップである。
このスリップをサンプリングしてＢ型粘度計を用いて室
温において粘度を測定する。
温において粘度を測定する。
例えば、排泥鋳込成形用のスリップに適した粘度は、１
０００ｃｐｓ以下であること、好ましくは５００ｃｐｓ
以下である。
０００ｃｐｓ以下であること、好ましくは５００ｃｐｓ
以下である。
［実施例］
実施例 １
アチソン法で作られたα−３ｉＣ粉末（８０メツシュ篩
通過品）を振動ミル（ボール、ボット共に炭素網製）で
４０時間粉砕して比表面積約１８ｍ”／Ｈの粉末を作っ
た。この粉末からフリーのシリカと金属不純物を除去す
るために、粉末を塩酸とフッ酸の混合水溶液中に２昼夜
浸漬した。その後この浸漬液をろ過し、ろ液のｐＨが約
６になるまで水洗した。
通過品）を振動ミル（ボール、ボット共に炭素網製）で
４０時間粉砕して比表面積約１８ｍ”／Ｈの粉末を作っ
た。この粉末からフリーのシリカと金属不純物を除去す
るために、粉末を塩酸とフッ酸の混合水溶液中に２昼夜
浸漬した。その後この浸漬液をろ過し、ろ液のｐＨが約
６になるまで水洗した。
水洗された上記粉末を８０″Ｃの脱イオン水に分散させ
、８０°Ｃに保ちなから１昼夜撹拌して煮沸処理をした
。この煮沸処理品を再びろ過した後、１１０”Ｃで５時
間乾燥した。
、８０°Ｃに保ちなから１昼夜撹拌して煮沸処理をした
。この煮沸処理品を再びろ過した後、１１０”Ｃで５時
間乾燥した。
上記煮沸処理乾燥α−３ｉＣ粉末６５重量部を３５重量
部の脱イオン水に投入し、微量のエチルアミンと縮合ナ
フタレンスルホン酸系界面活性側を添加して１曽夜ボー
ルミル（樹脂製のポンドとボールを使用）で混合分散し
て排泥鋳込み成形用のスリップを作った。
部の脱イオン水に投入し、微量のエチルアミンと縮合ナ
フタレンスルホン酸系界面活性側を添加して１曽夜ボー
ルミル（樹脂製のポンドとボールを使用）で混合分散し
て排泥鋳込み成形用のスリップを作った。
このスリップの粘度をＢ型粘度計で測定したところ（Ｎ
ｏ、２０−タ使用、ロータ回転数６０ｒｐｍ）約２５０
ｃｐｓと低粘度であり、排泥鋳込成形に適したものであ
った。
ｏ、２０−タ使用、ロータ回転数６０ｒｐｍ）約２５０
ｃｐｓと低粘度であり、排泥鋳込成形に適したものであ
った。
比較例 １
８０゛Ｃの脱イオン水に分散させ、８０’Ｃに保ぢなが
ら１昼夜撹拌して煮沸処理をする替わりに、室温の脱イ
オン水に分散し１昼夜撹拌処理した以外は、実施例１と
全く同様にしたα−３ｉＣ粉末を得た。
ら１昼夜撹拌して煮沸処理をする替わりに、室温の脱イ
オン水に分散し１昼夜撹拌処理した以外は、実施例１と
全く同様にしたα−３ｉＣ粉末を得た。
この煮沸処理をしていないα−３ｉＣ粉末を用いて実施
例１と全く同様にした排泥鋳込成形用のスリップを作っ
た。
例１と全く同様にした排泥鋳込成形用のスリップを作っ
た。
このスリップの粘度を実施例１と全く同様にしてＢ型粘
度計で測定したところ２０００ｃｐｓ以上の高粘度であ
り、排泥鋳込成形には適さないス１．１ノブであった。
度計で測定したところ２０００ｃｐｓ以上の高粘度であ
り、排泥鋳込成形には適さないス１．１ノブであった。
実施例 ２〜４、
者：沸処理の温度を６０．７０．９０°Ｃとし、者沸時
間を変えた以外は実施例１と全く同様にした煮沸処理乾
燥α−３ｉＣ粉末を得た。この粉末を用いて実施例１と
全く同様にし、た排泥鋳込成形用のスリップを作った。
間を変えた以外は実施例１と全く同様にした煮沸処理乾
燥α−３ｉＣ粉末を得た。この粉末を用いて実施例１と
全く同様にし、た排泥鋳込成形用のスリップを作った。
このスリップの粘度を実施例１と全（同様にしてＢ型粘
度計で測定した。結果を表−１に示す。
度計で測定した。結果を表−１に示す。
比較例 ２〜３
者沸処理の温度を５０゛Ｃとし、煮沸時間を２４又は４
８時間に変えた以外は実施例１と全く同様にしたく沸処
理乾燥α−３ｉＣ粉末を得た。この粉末を用いて実施例
１と全く同様にした排泥鋳込成形用のスリップを作った
。
８時間に変えた以外は実施例１と全く同様にしたく沸処
理乾燥α−３ｉＣ粉末を得た。この粉末を用いて実施例
１と全く同様にした排泥鋳込成形用のスリップを作った
。
このスリップの粘度を実施例１と全く同様にしてＢ型粘
度計で測定した。結果を表−１に示す。
度計で測定した。結果を表−１に示す。
実施例 ５
煮沸処理をする時に分散液中に陰イオン交換樹脂を同時
に添加した以外は実施例１と全く同様にして煮沸処理乾
燥α−３ｉＣ粉末を得た。この粉末を実施例１と全く同
様にして排泥鋳込み成形用のスリップを作り、このスリ
ップの粘度を実施例１と全く同様にしてＢ型粘度計で測
定したところ２１０ｃｐｓであった。
に添加した以外は実施例１と全く同様にして煮沸処理乾
燥α−３ｉＣ粉末を得た。この粉末を実施例１と全く同
様にして排泥鋳込み成形用のスリップを作り、このスリ
ップの粘度を実施例１と全く同様にしてＢ型粘度計で測
定したところ２１０ｃｐｓであった。
実施例 ６
シリカとカーボンのモル比が５になるように配合された
混合物を打錠してベレットにしたものを不活性ガス雰囲
気中で１７５０°Ｃ１１時間加熱してβ−３ｉＣ粉末を
合成した。この粉末は微細な一次粒子の凝集物であり、
比表面積は約１０ｍ”／ｇであった。二の凝集を解くた
めにボールミル（ボール、ボンド共番ご炭素鋼製）で５
時間解砕して比表面積約１６ｍ２／ｇの粉末を作った。
混合物を打錠してベレットにしたものを不活性ガス雰囲
気中で１７５０°Ｃ１１時間加熱してβ−３ｉＣ粉末を
合成した。この粉末は微細な一次粒子の凝集物であり、
比表面積は約１０ｍ”／ｇであった。二の凝集を解くた
めにボールミル（ボール、ボンド共番ご炭素鋼製）で５
時間解砕して比表面積約１６ｍ２／ｇの粉末を作った。
表
兼沸処理
温度（’Ｃ） 時間（Ｈｒ、）
スリップ粘度
（ｃｐｓ）
排泥鋳込み性
実施例２
実施例３
実施例４
比較例２
比較例３
表−２
実施例 分散液の
ｐＨ
煮沸処理
Ｍ（℃） 時間（Ｈｒ、）
スリップ粘度
（ｃｐｓ）
排泥鋳込み性
６．５
この粉末からフリーのシリカと金属不純物を除去するた
めに、粉末を塩酸とフン酸の混合水溶液中に２昼夜浸漬
した。その後この浸漬液をろ過し、ろ液のｐＨが５．５
になるまで水洗し、ついで得られた粉末を乾燥した。
めに、粉末を塩酸とフン酸の混合水溶液中に２昼夜浸漬
した。その後この浸漬液をろ過し、ろ液のｐＨが５．５
になるまで水洗し、ついで得られた粉末を乾燥した。
上記乾燥された粉末を脱イオン水に投入した後、アンモ
ニア水を添加して室温におけるｐ）ｌが約９になるよう
に調製し、その後９０°Ｃに保って３時間撹拌、分散し
ながら煮沸処理をした。この音溝処理品を再びろ過、水
洗した後１１０℃で５時間乾燥した。
ニア水を添加して室温におけるｐ）ｌが約９になるよう
に調製し、その後９０°Ｃに保って３時間撹拌、分散し
ながら煮沸処理をした。この音溝処理品を再びろ過、水
洗した後１１０℃で５時間乾燥した。
上記煮沸処理乾燥β−５ｉＣ粉末７０重量部を３０重量
部の脱イオン水に投入し、微量のエチルアミンと縮合ナ
フタレンスルホン酸系界面活性剤を添加して１昼夜ボー
ルミル（樹脂製のポットとボールを使用）で混合分散し
て排泥鋳込み成形用のスリップを作った。
部の脱イオン水に投入し、微量のエチルアミンと縮合ナ
フタレンスルホン酸系界面活性剤を添加して１昼夜ボー
ルミル（樹脂製のポットとボールを使用）で混合分散し
て排泥鋳込み成形用のスリップを作った。
このスリップの粘度をＢ型粘度計で測定したところ（Ｎ
ｏ、２０−タ使用、ロータ回転数６０ｒｐｍ）約１４０
ｃｐｓと低粘度であり、排泥鋳込成形に適したものであ
った。
ｏ、２０−タ使用、ロータ回転数６０ｒｐｍ）約１４０
ｃｐｓと低粘度であり、排泥鋳込成形に適したものであ
った。
実施例 ７．８
実施例６と全く同様にして、凝集状のβ−３ｉＣ粉末を
得、解砕し、塩酸とフッ酸の混酸水溶液で処理後ろ過・
洗浄、乾燥してβ−３ｉＣ粉末をえた。
得、解砕し、塩酸とフッ酸の混酸水溶液で処理後ろ過・
洗浄、乾燥してβ−３ｉＣ粉末をえた。
上記乾燥された粉末を脱イオン水に投入しくこの分散液
の室温におけるｐＨは約６．５であった）、その後９０
℃に保って３時間撹拌（実施例７）または、１２時間撹
拌（実施例８）分散しながら煮沸処理をした。この煮沸
処理品を再びろ過した後１１０″Ｃで５時間乾燥した。
の室温におけるｐＨは約６．５であった）、その後９０
℃に保って３時間撹拌（実施例７）または、１２時間撹
拌（実施例８）分散しながら煮沸処理をした。この煮沸
処理品を再びろ過した後１１０″Ｃで５時間乾燥した。
上記賞沸処理乾燥β−５ｉＣ粉末を用いて実施例６と全
く同様にして排泥鋳込み成形用のスリップを作り、実施
例６と全く同様にしてスリップの粘度を測定した。結果
を表−２に示す。
く同様にして排泥鋳込み成形用のスリップを作り、実施
例６と全く同様にしてスリップの粘度を測定した。結果
を表−２に示す。
上述の実施例からも明かなように、酸処理のすんだＳｉ
Ｃ粉末を煮沸処理することにより通常の水洗処理では得
られない水または水溶液に分散性のよい粉末にすること
ができる。また、煮沸処理時に塩基性化合物を添加して
粉末分散液のｐ Ｈを８以上にすれば更に効率よく水ま
たは水溶液に分散性のよいＳｉＣ粉末を得ることが出来
る。更に、煮沸処理時に陰イオン交換樹脂を併用しても
効率よく水または水溶液に分散性のよいＳｉＣ粉末を得
ることが出来る。
Ｃ粉末を煮沸処理することにより通常の水洗処理では得
られない水または水溶液に分散性のよい粉末にすること
ができる。また、煮沸処理時に塩基性化合物を添加して
粉末分散液のｐ Ｈを８以上にすれば更に効率よく水ま
たは水溶液に分散性のよいＳｉＣ粉末を得ることが出来
る。更に、煮沸処理時に陰イオン交換樹脂を併用しても
効率よく水または水溶液に分散性のよいＳｉＣ粉末を得
ることが出来る。
出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (2)
- （１）金属化合物及びシリカ等の不純物を酸処理によっ
て取り除いたＳｉＣ粉末を水を主体に含有する媒体に分
散し、該分散液の温度を６０℃以上にして煮沸処理する
事を特徴とするＳｉＣ粉末の精製方法。 - （２）水を主体に含有する媒体に塩基性化合物を添加し
て、該分散液の室温におけるｐＨを８以上にした分散液
を用いる特許請求の範囲第１項記載のＳｉＣ粉末の精製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2270590A JPH04149016A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | ＳｉＣ粉末の精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2270590A JPH04149016A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | ＳｉＣ粉末の精製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04149016A true JPH04149016A (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=17488234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2270590A Pending JPH04149016A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | ＳｉＣ粉末の精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04149016A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922300A (en) * | 1997-01-23 | 1999-07-13 | Oji Paper Co., Ltd. | Process for producing silicon carbide fibers |
| JP2009179726A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tkx:Kk | 研削・研磨用炭化珪素粉末の製造方法及び研削・研磨用炭化珪素粉末並びに研削・研磨用スラリー |
| JP2015199066A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 内燃機関の排ガス浄化装置及びその製造方法、並びに排ガス浄化装置作製用塗料 |
-
1990
- 1990-10-11 JP JP2270590A patent/JPH04149016A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922300A (en) * | 1997-01-23 | 1999-07-13 | Oji Paper Co., Ltd. | Process for producing silicon carbide fibers |
| JP2009179726A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tkx:Kk | 研削・研磨用炭化珪素粉末の製造方法及び研削・研磨用炭化珪素粉末並びに研削・研磨用スラリー |
| JP2015199066A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 内燃機関の排ガス浄化装置及びその製造方法、並びに排ガス浄化装置作製用塗料 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110510620A (zh) | 高纯石英砂尾矿的提纯方法 | |
| CN107473231B (zh) | 一种对高纯石英砂尾矿的加工提纯工艺 | |
| NO175774B (no) | Aluminiumoksidbaserte slipekorn, fremgangsmåte til deres fremstilling samt slipende gjenstand | |
| CN111269606B (zh) | 一种用于水性涂料领域的高纯高增稠易分散纳米蒙脱石及其制备方法 | |
| CN106966705A (zh) | 一种含有复相添加剂的纳米晶陶瓷刚玉磨料 | |
| CN103803981B (zh) | 一种制备亚微米级碳化硅粉体的方法 | |
| JP2542797B2 (ja) | 高純度シリカの製造方法 | |
| JPS61158810A (ja) | 高純度シリカゾルの製造法 | |
| JPH04149016A (ja) | ＳｉＣ粉末の精製方法 | |
| JP4537857B2 (ja) | カンラン石からシリカを製造する方法 | |
| CN115893461A (zh) | 一种纳米氧化铝抛光粉的生产工艺 | |
| KR20010046015A (ko) | 알루미나 분말의 제조방법 | |
| CN110922176A (zh) | 一种石英陶瓷坩锅材料的生产工艺 | |
| CN114684827B (zh) | 一种高品质改性白炭黑及其制备方法 | |
| CN101873999B (zh) | 高纯氧化铈粉制备方法及包含其的cmp研磨浆 | |
| JP5484039B2 (ja) | 高純度シリカの製造方法 | |
| CN106903559A (zh) | 一种蓝宝石基片制作方法 | |
| KR102599442B1 (ko) | 어스펙트비가 우수하고 중금속이 프리한 알파알루미나와 그 제조방법 | |
| RU2261840C1 (ru) | Способ получения аморфного диоксида кремния | |
| CN105776270B (zh) | 一种铝质岩中纳米氢氧化铝的制备方法 | |
| CN113321221A (zh) | 一种利用铁尾矿制备白炭黑的方法 | |
| JP2006044978A (ja) | アルミニウム製造工程において排出される含水アルミニウムスラッジを用いたゼオライトの製造方法 | |
| JPH051208B2 (ja) | ||
| JPH09268008A (ja) | シリカ粉末の精製方法 | |
| RU2480409C1 (ru) | Способ получения жидкого стекла |