JPH04149553A - 位相シフトマスク - Google Patents
位相シフトマスクInfo
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- JPH04149553A JPH04149553A JP2274703A JP27470390A JPH04149553A JP H04149553 A JPH04149553 A JP H04149553A JP 2274703 A JP2274703 A JP 2274703A JP 27470390 A JP27470390 A JP 27470390A JP H04149553 A JPH04149553 A JP H04149553A
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- phase shift
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＬＳＩの製造に用いられる位相シフトマス
クに関し、特にそのシフタの成膜に関するものである。
クに関し、特にそのシフタの成膜に関するものである。
位相シフトマスクは、ガラス基板上に所要のパターンで
形成した遮光膜の間に、光の位相をシフトするシフタを
形成したもので、リソグラフィーの解像度を高めうえで
有効であり、半導体プロセスをより一層微細化するうえ
での重要な手法の１つとして期待されている。
形成した遮光膜の間に、光の位相をシフトするシフタを
形成したもので、リソグラフィーの解像度を高めうえで
有効であり、半導体プロセスをより一層微細化するうえ
での重要な手法の１つとして期待されている。
第１図は本発明の実施例による位相シフトマスクの製造
工程を示す図であるが、位相シフトマスクの代表的な製
造方法を示すものでもあるので、以下、この第１図を用
いて、従来の位相シフトマスクの製作方法を説明する。
工程を示す図であるが、位相シフトマスクの代表的な製
造方法を示すものでもあるので、以下、この第１図を用
いて、従来の位相シフトマスクの製作方法を説明する。
図において、ｌはマスクのガラス基板、２はＣｒ、Ｍｏ
Ｓｉなどの遮光膜パターン、３はシフタ、４は電子線な
どのレジストパターン、５は位相シフタである。
Ｓｉなどの遮光膜パターン、３はシフタ、４は電子線な
どのレジストパターン、５は位相シフタである。
まず、図中（ａ）に示すように通常のフォトマスクと同
様に、ガラス基板ｌ上にＣｒまたはＭｏＳｉなどの遮光
膜でパターン２を形成する。
様に、ガラス基板ｌ上にＣｒまたはＭｏＳｉなどの遮光
膜でパターン２を形成する。
次に図中（ｂｌに示すようにＳｆＯ□や透明ポリマーな
どのシフタ膜３を遮光膜パターン上に形成する。次に図
中ｆｃ）に示すように、電子ビーム露光などを用いて、
シフタ膜上に所望のレジストパターン４を形成する。最
後に図中（ｄ）に示すように、レジストをマスクにシフ
タ膜をエツチングし、レジストを除去して位相シフトマ
スクか完成する。
どのシフタ膜３を遮光膜パターン上に形成する。次に図
中ｆｃ）に示すように、電子ビーム露光などを用いて、
シフタ膜上に所望のレジストパターン４を形成する。最
後に図中（ｄ）に示すように、レジストをマスクにシフ
タ膜をエツチングし、レジストを除去して位相シフトマ
スクか完成する。
このような位相シフトマスクはその開発段階では、シフ
タ材料として透明ポリマーか使われてきた。ポリマーは
スピンコーティング法で形成できるため、プロセスも簡
易で、さらに低温処理のためマスクの歪みなどが小さい
という利点かある。
タ材料として透明ポリマーか使われてきた。ポリマーは
スピンコーティング法で形成できるため、プロセスも簡
易で、さらに低温処理のためマスクの歪みなどが小さい
という利点かある。
しかし、機械的強度か弱く、マスクの洗浄の際にパター
ンがくずれるという問題があった。
ンがくずれるという問題があった。
これを解決するものとして、機械的強度か強いＳ １０
ｔがシフタ材料として検討され、その形成方法として
ＳＯＧ （スビンオブグラス）法やプラズマＣＶＤ法か
検討されている。
ｔがシフタ材料として検討され、その形成方法として
ＳＯＧ （スビンオブグラス）法やプラズマＣＶＤ法か
検討されている。
上述のように、ＳｉＯ２シフタ膜形成方法としてＳＯＧ
法やプラズマＣＶＤ法が従来より検討されているが、下
記のような問題点がある。
法やプラズマＣＶＤ法が従来より検討されているが、下
記のような問題点がある。
即ち、ＳＯＧ法はスピンコーティング法で形成かでき、
簡易なプロセスで形成できるという特長かあるが、２０
０〜３００°Ｃの熱処理では完全な５ｉＣＬにならず、
レジストよりも強いかまた十分な機械的強度が得られな
いという問題かある。
簡易なプロセスで形成できるという特長かあるが、２０
０〜３００°Ｃの熱処理では完全な５ｉＣＬにならず、
レジストよりも強いかまた十分な機械的強度が得られな
いという問題かある。
一方、プラズマＣＶＤ法による５ｉＣＬシフタは、Ｓ
ｉ Ｈ＜ 十〇□ガスを原料とし、平行平板型電極にＲ
Ｆを印加するプラズマＣＶＤ方式を用いて形成している
。この方法では、基板温度を４００〜５００℃程度に加
熱しないと、バルクで示されるような光学物性値を持つ
５ｉｎ２膜が得られず、高温処理になるため、マスクに
Ｓ ｉＯ２膜やＣｒ膜などの熱膨張の差による歪みが生
じる問題がある。
ｉ Ｈ＜ 十〇□ガスを原料とし、平行平板型電極にＲ
Ｆを印加するプラズマＣＶＤ方式を用いて形成している
。この方法では、基板温度を４００〜５００℃程度に加
熱しないと、バルクで示されるような光学物性値を持つ
５ｉｎ２膜が得られず、高温処理になるため、マスクに
Ｓ ｉＯ２膜やＣｒ膜などの熱膨張の差による歪みが生
じる問題がある。
一方、上記ＳＯＧ法やプラズマＣＶＤ法では単一材料で
あるため屈折率なとの光学定数のコントロールも難しい
。
あるため屈折率なとの光学定数のコントロールも難しい
。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、機械的強度か強くシフタとしての光学定数
に優れ、さらに定数のコントロールも可能で低温の処理
で成膜か可能な位相シフトマスクを得ることを目的とし
ている。
れたもので、機械的強度か強くシフタとしての光学定数
に優れ、さらに定数のコントロールも可能で低温の処理
で成膜か可能な位相シフトマスクを得ることを目的とし
ている。
この発明に係る位相シフトマスクは、基板を室温の状態
にしてＥＣＲ−ＣＶＤ法でシフタ膜を形成するようにし
たものである。
にしてＥＣＲ−ＣＶＤ法でシフタ膜を形成するようにし
たものである。
また、ＳｉＨ４＋ＣＬの反応ガスにＮ２ガスを加え、そ
の混合比率を適宜変えることて、５ｉＯｆＮＹ膜として
屈折率などの光学定数をコントロールするようにしたも
のである。
の混合比率を適宜変えることて、５ｉＯｆＮＹ膜として
屈折率などの光学定数をコントロールするようにしたも
のである。
この発明においては、シフタ膜を室温基板上にＥＣＲ−
ＣＶＤ法で形成するようにしており、このＥＣＲ−ＣＶ
Ｄ法は低温処理であるため、マスクに生じる熱歪みが小
さく、低温であってもバルクのようなＳ １０ ！膜が
得られる。
ＣＶＤ法で形成するようにしており、このＥＣＲ−ＣＶ
Ｄ法は低温処理であるため、マスクに生じる熱歪みが小
さく、低温であってもバルクのようなＳ １０ ！膜が
得られる。
さらに、ＥＣＲ−ＣＶＤ法の反応ガスにＮ２ガスを加え
ることで、ＳｊＯ，膜にＮか混入する膜（ｓｉｏＸＮＹ
膜、Ｘ＞Ｙ）が得られ、その混入量をコントロールする
ことで、屈折率等の光学定数をコントロールすることか
できる。
ることで、ＳｊＯ，膜にＮか混入する膜（ｓｉｏＸＮＹ
膜、Ｘ＞Ｙ）が得られ、その混入量をコントロールする
ことで、屈折率等の光学定数をコントロールすることか
できる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
この発明の実施例は、第１図（ｂ）に示す、工程におい
て、ＥＣＲ−ＣＶＤ法を用いてシフタ膜を成膜するよう
にしたものである。
て、ＥＣＲ−ＣＶＤ法を用いてシフタ膜を成膜するよう
にしたものである。
第２図はそのシフタ膜の形成に用いるＥＣＲ−ＣＶＤ装
置の断面構造を示す。図において、１０は磁気コイル、
Ｉｌａはプラズマを発生するだめのチャンバ、ｌｌｂは
基板を収容する、真空引きされたチャンバ、１２ａおよ
び１２ｂはそれぞれ反応ガスとしてのＳｉＯ４およびＮ
２．０ ！、１３はマイクロ波、１４は基板である。
置の断面構造を示す。図において、１０は磁気コイル、
Ｉｌａはプラズマを発生するだめのチャンバ、ｌｌｂは
基板を収容する、真空引きされたチャンバ、１２ａおよ
び１２ｂはそれぞれ反応ガスとしてのＳｉＯ４およびＮ
２．０ ！、１３はマイクロ波、１４は基板である。
第３図は反応ガスとしてＳ ｉ Ｈ４、ＣＬ 、Ｎｔを
用いたＥＣＲ−ＣＶＤ法で成膜されたＳ ｉＯｘＮＹ膜
の屈折率と反応ガス中のＮ、濃度の関係を示す。
用いたＥＣＲ−ＣＶＤ法で成膜されたＳ ｉＯｘＮＹ膜
の屈折率と反応ガス中のＮ、濃度の関係を示す。
まず、第２図に示す構造のＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用いて
、室温基板（ガラス）上に５ｉＣ）ｚシフタ膜１５を形
成した。このＥＣＲ−ＣＶＤ装置は、チャンバ１）内に
反応ガス１２を導入してマイクロ波１３を印加すること
により、プラズマを生成し、磁気コイル１０て発生する
直流磁場が発散しているために、このプラズマがチャン
バ１４ａ側からチャ〕／バｌｌｂ側に引き出され、基板
１４上にシフタ膜の堆積が行なわれるものである。
、室温基板（ガラス）上に５ｉＣ）ｚシフタ膜１５を形
成した。このＥＣＲ−ＣＶＤ装置は、チャンバ１）内に
反応ガス１２を導入してマイクロ波１３を印加すること
により、プラズマを生成し、磁気コイル１０て発生する
直流磁場が発散しているために、このプラズマがチャン
バ１４ａ側からチャ〕／バｌｌｂ側に引き出され、基板
１４上にシフタ膜の堆積が行なわれるものである。
そして、その際、反応ガスとして、ＳｉＨ，ガスと０２
ガスを用いたのがこの発明の第１の実施例であり、その
比率をｌ ： ２ （ＳｉＨ４：０２）、ガス圧力をＩ
Ｘ １０−３ｔｏｒｒとし、かつマイクロ波パワーを
８００Ｗの条件で成膜を行った。
ガスを用いたのがこの発明の第１の実施例であり、その
比率をｌ ： ２ （ＳｉＨ４：０２）、ガス圧力をＩ
Ｘ １０−３ｔｏｒｒとし、かつマイクロ波パワーを
８００Ｗの条件で成膜を行った。
成膜した膜１５の屈折率を測定したところｎ＝１．４７
になり、Ｓｉの熱酸化膜の屈折率ｎ＝１゜４６とほぼ同
じであった。
になり、Ｓｉの熱酸化膜の屈折率ｎ＝１゜４６とほぼ同
じであった。
一方、膜の緻密さを示すフッ酸によるエッチレートを測
定したところ熱酸化膜と同等（約５００人／ｍ１ｎ）で
あった。
定したところ熱酸化膜と同等（約５００人／ｍ１ｎ）で
あった。
このように本実施例によれば、基板が低温でもバルクの
ガラスのようなＳ ｉ Ｏ２膜が得られている。
ガラスのようなＳ ｉ Ｏ２膜が得られている。
これに対し、この発明の第２の実施例ではＮ２を反応ガ
スに加えるようにしており、これによりシフタ膜として
５ｉＯＸＮＹ膜が形成された。
スに加えるようにしており、これによりシフタ膜として
５ｉＯＸＮＹ膜が形成された。
第３図はＳｉＯｘＮｙ膜の屈折率とＮ２濃度の関係を示
す図で、Ｎ２濃度が高くなると共に屈折率か高くなるが
、この膜もＳｉｎ、膜と同様に緻密な膜かできているこ
とが確認された。この関係を用いれば、シフタ膜の屈折
率のコントロールが可能である。なお、他の光学定数と
して透過率のコントロールも可能である。
す図で、Ｎ２濃度が高くなると共に屈折率か高くなるが
、この膜もＳｉｎ、膜と同様に緻密な膜かできているこ
とが確認された。この関係を用いれば、シフタ膜の屈折
率のコントロールが可能である。なお、他の光学定数と
して透過率のコントロールも可能である。
なお、低温プラズマで成膜する従来の平行平板型電極、
ＲＦ放電型のプラズマＣＶＤ法でも反応ガスにＮ、を混
入してＳｉＯ工ＮＹ膜を形成することは可能であるが、
低温プラズマであるため成膜される膜の構造は不安定で
、光照射や熱などで光学定数が変化する膜になってしま
う。これに対し本発明ではこうした問題は生じないもの
である。
ＲＦ放電型のプラズマＣＶＤ法でも反応ガスにＮ、を混
入してＳｉＯ工ＮＹ膜を形成することは可能であるが、
低温プラズマであるため成膜される膜の構造は不安定で
、光照射や熱などで光学定数が変化する膜になってしま
う。これに対し本発明ではこうした問題は生じないもの
である。
なお、上記実施例では反応ガスとしてＳ Ｉ Ｈ４。
０□ＩＮ２などを用いたか、位相シフタとして機能する
膜かできるのであれば、５ｉｃｚ！Ｆ（２゜ＮＯ，ＨＮ
、などの反応ガスを用いることもてきる。
膜かできるのであれば、５ｉｃｚ！Ｆ（２゜ＮＯ，ＨＮ
、などの反応ガスを用いることもてきる。
また、成膜の際の基板温度として室温（２０〜３０°Ｃ
）にしたが、ＣＶＤとしては低温領域と呼ばれる２００
°Ｃまでの温度であってもよい。
）にしたが、ＣＶＤとしては低温領域と呼ばれる２００
°Ｃまでの温度であってもよい。
以上のように、この発明に係る位相シフトマスクによれ
ば、シフタの製作に基板温度か低温でも優れた膜が得ら
れるＥＣＲ−ＣＶＤ法を適用したので、機械的強度が強
く、熱歪みが小さい位相シフトマスクのシフタが得られ
る効果がある。
ば、シフタの製作に基板温度か低温でも優れた膜が得ら
れるＥＣＲ−ＣＶＤ法を適用したので、機械的強度が強
く、熱歪みが小さい位相シフトマスクのシフタが得られ
る効果がある。
また、反応ガスとしてＮ２を加えるようにしたので、屈
折率をコントロールでき、所要の光学定数を持つシフタ
膜が得られる効果がある。
折率をコントロールでき、所要の光学定数を持つシフタ
膜が得られる効果がある。
第１図は従来およびこの本発明の第１．第２の実施例に
よる位相シフトマスクの製作工程を示す断面図、第２図
は本発明の第１．第２の実施例で用いたＥＣＲ−ＣＶＤ
装置の構造を示す断面図、第３図は本発明の第２の実施
例によるＥＣＲ−ＣＶＤ法で成膜したＳｉＯｘＮｙ膜の
屈折率と反応ガス中のＮ２濃度との関係を示す図である
。 図において、１はガラス基板、２はＣｒまたはＭｏＳｉ
などの遮光パターン、３はシフタ膜、４はレジスト、５
は位相シフタ、１０は磁気コイル、１）ａ、１）ｂはチ
ャンバ １２ａ、１２ｂは反応ガス、１３はマイクロ波
、１４は基板、１５はシフタ膜である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
よる位相シフトマスクの製作工程を示す断面図、第２図
は本発明の第１．第２の実施例で用いたＥＣＲ−ＣＶＤ
装置の構造を示す断面図、第３図は本発明の第２の実施
例によるＥＣＲ−ＣＶＤ法で成膜したＳｉＯｘＮｙ膜の
屈折率と反応ガス中のＮ２濃度との関係を示す図である
。 図において、１はガラス基板、２はＣｒまたはＭｏＳｉ
などの遮光パターン、３はシフタ膜、４はレジスト、５
は位相シフタ、１０は磁気コイル、１）ａ、１）ｂはチ
ャンバ １２ａ、１２ｂは反応ガス、１３はマイクロ波
、１４は基板、１５はシフタ膜である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）無機膜をシフタとして使用する位相シフトマスク
において、 基板温度を低温にしたＥＣＲ−ＣＶＤ法を用いて形成し
たシフタ膜を有することを特徴とする位相シフトマスク
。 - （２）上記無機膜は、ＥＣＲ−ＣＶＤ法でＳｉＯ＿２の
形成反応ガスにＮ＿２を加えて形成したＳｉＯ＿ｘＮ＿
ｙ膜であり、 その際、Ｎ＿２の混入量をコントロールすることで所要
の屈折率のシフタ膜を得ることを特徴とする請求項１記
載の位相シフトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470390A JP2957000B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 位相シフトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470390A JP2957000B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 位相シフトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04149553A true JPH04149553A (ja) | 1992-05-22 |
| JP2957000B2 JP2957000B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=17545385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27470390A Expired - Lifetime JP2957000B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 位相シフトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2957000B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0876351A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Nec Corp | 位相シフトマスクおよびその作製方法 |
| WO1997013245A1 (fr) * | 1995-10-03 | 1997-04-10 | Asahi Glass Company Ltd. | Dispositif tete optique et procede de fabrication associe |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63249337A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスクの製造方法 |
| JPH02211450A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP27470390A patent/JP2957000B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63249337A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスクの製造方法 |
| JPH02211450A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0876351A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Nec Corp | 位相シフトマスクおよびその作製方法 |
| WO1997013245A1 (fr) * | 1995-10-03 | 1997-04-10 | Asahi Glass Company Ltd. | Dispositif tete optique et procede de fabrication associe |
| US6271966B1 (en) | 1995-10-03 | 2001-08-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Optical head device including an optically anisotropic diffraction grating and process for its production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2957000B2 (ja) | 1999-10-04 |
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|---|---|---|---|
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