JPH04152583A - 半導体レーザ及び光通信システム - Google Patents
半導体レーザ及び光通信システムInfo
- Publication number
- JPH04152583A JPH04152583A JP27629090A JP27629090A JPH04152583A JP H04152583 A JPH04152583 A JP H04152583A JP 27629090 A JP27629090 A JP 27629090A JP 27629090 A JP27629090 A JP 27629090A JP H04152583 A JPH04152583 A JP H04152583A
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- Japan
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- quantum well
- strained quantum
- semiconductor laser
- layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明は、光フアイバ通信用の半導体レーザに係り、特
にポスト１０Ｇｂｉｔ／ｓの超高速光通信、あるいはコ
ヒーレント多重光通信に用いる半導体レーザに関するも
のである。
にポスト１０Ｇｂｉｔ／ｓの超高速光通信、あるいはコ
ヒーレント多重光通信に用いる半導体レーザに関するも
のである。
歪量子井戸半導体レーザは、次次世代光通信応用半導体
レーザの観点で、多重量子井戸（ＭＱＷ）レーザの後継
型として着目されている。特に波長１．５〜１．６μｍ
帯は光ファイバの損失が最も低く長距離化の観点で重要
であり、従来の歪量子井戸レーザの歪量子井戸はＩｎＧ
ａＡｓ三元混晶で形成されていた。例えばエレクトロニ
クス・レターズ第２６巻４６５〜４６７頁（１９９０年
）（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 Ｖｏ
ｌ、２６．Ｐ、４６５−４６７ （１９９０））に開示
されている。
レーザの観点で、多重量子井戸（ＭＱＷ）レーザの後継
型として着目されている。特に波長１．５〜１．６μｍ
帯は光ファイバの損失が最も低く長距離化の観点で重要
であり、従来の歪量子井戸レーザの歪量子井戸はＩｎＧ
ａＡｓ三元混晶で形成されていた。例えばエレクトロニ
クス・レターズ第２６巻４６５〜４６７頁（１９９０年
）（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 Ｖｏ
ｌ、２６．Ｐ、４６５−４６７ （１９９０））に開示
されている。
しかし、上記従来技術では、その歪量子井戸層が、膜厚
２．５ｎｍ のＩｎＧａＡｓで形成され、その歪量は＋
１．５３％であり、この構造の最大の問題として歪量子
井戸層の膜厚が薄すぎて量子サイズ効果が小さくなって
しまうという問題点があった。
２．５ｎｍ のＩｎＧａＡｓで形成され、その歪量は＋
１．５３％であり、この構造の最大の問題として歪量子
井戸層の膜厚が薄すぎて量子サイズ効果が小さくなって
しまうという問題点があった。
第７図を用いて上記問題点をさらに説明する。
同図は量子サイズ効果の指標となる微分利得の平方根の
量子井戸膜厚依存性の計算値である。量子井戸膜厚の低
減とともに、微分利得は増大するが５〜７ｎｍで最大値
をとり、４ｎｍ以下で急激に低下する。これは量子井戸
層膜厚が薄すぎると電子の波動関数がかなリバリャ層に
もれだすために。
量子井戸膜厚依存性の計算値である。量子井戸膜厚の低
減とともに、微分利得は増大するが５〜７ｎｍで最大値
をとり、４ｎｍ以下で急激に低下する。これは量子井戸
層膜厚が薄すぎると電子の波動関数がかなリバリャ層に
もれだすために。
電子の量子井戸層への閉じ込めが悪くなるためである。
従って上記従来技術では約１．５５の歪量を反映して歪
効果は第８図のように発揮されるが、２．５ｎｍ と量
子井戸層膜厚が薄いために量子サイズ効果を十分引き出
すことはできない。
効果は第８図のように発揮されるが、２．５ｎｍ と量
子井戸層膜厚が薄いために量子サイズ効果を十分引き出
すことはできない。
以上の問題点は、歪量子井戸をＩｎＧａＡｓで構成して
いるがゆえに１発光波長を光フアイバ通信に用いる１、
５〜１．６μｍにするために薄い量子井戸層を使わざる
を得なかったことに起因している。
いるがゆえに１発光波長を光フアイバ通信に用いる１、
５〜１．６μｍにするために薄い量子井戸層を使わざる
を得なかったことに起因している。
つまり、歪効果が充分に出る歪量＋１％以上のＩｎＧａ
Ａｓ ３元混晶において、量子効果が十分に出る量子井
戸膜厚５〜７ｎｍに設定すると、その発光波長は１．７
〜１．８μｍと長くなってしまう、従って、従来技術で
は、量子効果と歪効果の両方を備えた歪量子井戸レーザ
の実現は不可能であった。
Ａｓ ３元混晶において、量子効果が十分に出る量子井
戸膜厚５〜７ｎｍに設定すると、その発光波長は１．７
〜１．８μｍと長くなってしまう、従って、従来技術で
は、量子効果と歪効果の両方を備えた歪量子井戸レーザ
の実現は不可能であった。
本発明の目的は、量子サイズ効果と歪効果を両立して発
揮できる歪量子井戸半導体レーザを提供することにある
。
揮できる歪量子井戸半導体レーザを提供することにある
。
上記目的を達成するために、本発明者らは、ＩｎＧａＡ
ｓよりも禁制帯幅の広い、すなわち１発光波長短かいＩ
ｎＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＡ （ｌ Ａｓ ４元混
晶を歪量子井戸層に導入することが極めて有効であるこ
とを見出した。この時、歪効果を十分に得るためにＩｎ
ＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓ ４元混晶歪
量子弁戸層の歪量は少なくとも＋０．８％に設定する必
要があるにれは第８図の微分利得の平方根の歪量依存性
に見られるように、＋０．８％以上において歪効果によ
る微分利得の増大が顕著に現われることに起因している
。さらに量子サイズ効果を十分に引き出すために歪量子
井戸層の膜厚は少なくとも４ｎｍ以上、望ましくは５〜
７ｎｍに設定する。
ｓよりも禁制帯幅の広い、すなわち１発光波長短かいＩ
ｎＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＡ （ｌ Ａｓ ４元混
晶を歪量子井戸層に導入することが極めて有効であるこ
とを見出した。この時、歪効果を十分に得るためにＩｎ
ＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓ ４元混晶歪
量子弁戸層の歪量は少なくとも＋０．８％に設定する必
要があるにれは第８図の微分利得の平方根の歪量依存性
に見られるように、＋０．８％以上において歪効果によ
る微分利得の増大が顕著に現われることに起因している
。さらに量子サイズ効果を十分に引き出すために歪量子
井戸層の膜厚は少なくとも４ｎｍ以上、望ましくは５〜
７ｎｍに設定する。
以上の構成により、波長１．５〜１．６μｍで発光し、
かつ歪量を＋０．８％以上有し、さらには歪量子井戸層
の膜厚として４ｎｍ以上、あるいは５〜７ｎｍからなる
歪量子井戸層を有する歪量子井戸半導体レーザを製作で
きた。これは、禁制帯幅がＩｎＧａＡｓよりも大きい４
元混晶（ＩｎＧａＡｓＰ 。
かつ歪量を＋０．８％以上有し、さらには歪量子井戸層
の膜厚として４ｎｍ以上、あるいは５〜７ｎｍからなる
歪量子井戸層を有する歪量子井戸半導体レーザを製作で
きた。これは、禁制帯幅がＩｎＧａＡｓよりも大きい４
元混晶（ＩｎＧａＡｓＰ 。
ＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓ ）を採用したために、その材料
自体の発光波長がＩｎＧａＡｓよりも短いために、ある
程度厚い（５〜７ｎｍ）歪量子井戸層において発光波長
１．５〜１．６μｍを実現することが可能となった。
自体の発光波長がＩｎＧａＡｓよりも短いために、ある
程度厚い（５〜７ｎｍ）歪量子井戸層において発光波長
１．５〜１．６μｍを実現することが可能となった。
本発明における歪量子井戸層へのＩｎＧａＡｓＰ 、お
よびＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓ ４元混晶の適用範囲を第４
図、第５図の４元混晶相図に示した。まず Ｉｎ、 −ｘＧａｘＡｓ、−ｙＰｙではＯ＜ｘ＜０．２
５，０．１５゜ｙ＜０．５５の範囲、また（Ａ Ｑ ｖ
Ｇａｌ−Ｖ）ＷＩｎ１−ｗＡｓではＶ＞０．２、０．２
＜Ｗ＜０．４ の範囲が本発明の４元組成である。
よびＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓ ４元混晶の適用範囲を第４
図、第５図の４元混晶相図に示した。まず Ｉｎ、 −ｘＧａｘＡｓ、−ｙＰｙではＯ＜ｘ＜０．２
５，０．１５゜ｙ＜０．５５の範囲、また（Ａ Ｑ ｖ
Ｇａｌ−Ｖ）ＷＩｎ１−ｗＡｓではＶ＞０．２、０．２
＜Ｗ＜０．４ の範囲が本発明の４元組成である。
以上の如く量子サイズ効果と歪効果を両立した歪量子井
戸半導体レーザを実現できた。
戸半導体レーザを実現できた。
さらに、この歪量子井戸への変調ドーピング（Ｐ、ある
いはｎ型）も極めて有効であり、歪効果、量子サイズ効
果、変調ドープ効果の３効果を同時に引き出すことに成
功した。
いはｎ型）も極めて有効であり、歪効果、量子サイズ効
果、変調ドープ効果の３効果を同時に引き出すことに成
功した。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
実施例１
第１図は本発明による歪量子井戸半導体レーザの断面図
である。ｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板１上にＭＯＣＶＤ法によ
り、歪量子井戸活性層２、ｐ−ＩｎＰ層３を順次成長し
た。ここで歪量子井戸活性層２は円内に拡大図示したよ
うに膜厚６ｎｍの Ｉｎ、 、−５Ｇａｏ 、□Ａｓ、−７ｐｌＩ ｎ３歪
量子井戸層２ａ（歪量＋１．８％）と膜厚１５ｎｍの無
歪のＩｎＧａＡｓＰバリヤ層２ｂ（１５〜１．３２ｍ）
の４周期構造である。
である。ｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板１上にＭＯＣＶＤ法によ
り、歪量子井戸活性層２、ｐ−ＩｎＰ層３を順次成長し
た。ここで歪量子井戸活性層２は円内に拡大図示したよ
うに膜厚６ｎｍの Ｉｎ、 、−５Ｇａｏ 、□Ａｓ、−７ｐｌＩ ｎ３歪
量子井戸層２ａ（歪量＋１．８％）と膜厚１５ｎｍの無
歪のＩｎＧａＡｓＰバリヤ層２ｂ（１５〜１．３２ｍ）
の４周期構造である。
その後、活性層幅が１μｍ程度になるように、逆メサ状
のメサストライプを形成し、ｐ−ＩｎＰ層４、ｎ−Ｉｎ
Ｐ層５で埋めこみ、ＢＨ構造とした。さらにｐ電極６．
ｎ電極７を形成し、共振器長約３００μｍにへき関した
。
のメサストライプを形成し、ｐ−ＩｎＰ層４、ｎ−Ｉｎ
Ｐ層５で埋めこみ、ＢＨ構造とした。さらにｐ電極６．
ｎ電極７を形成し、共振器長約３００μｍにへき関した
。
試作した素子は十分な歪効果と量子サイズ効果を反映し
て約２ｍＡと極めて小さいしきい電流で発振し、また光
出力１０ｍＷ時の緩和振動周波数は３０ＧＨｚと極めて
高い値を示した。
て約２ｍＡと極めて小さいしきい電流で発振し、また光
出力１０ｍＷ時の緩和振動周波数は３０ＧＨｚと極めて
高い値を示した。
実施例２
本発明による別の実施例を第２図（ａ）の断面図、第２
図（ｂ）の断面図（（ａ）のＡ−Ａ’線）を用いて説明
する。周期的２４０ｎｍの回折格子８を有したｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１上に、ｎ −ＩｎＧｓＡｓＰ（無歪、１８〜１
．２μｍ）光ガイド層、膜厚５．５ｎｍのＩｎ、 −９
２ＧａＤ−ａｓＡｓｏ ＋５ＳＰＤ ＋３Ｓ歪量子井戸
層（歪量：＋１．５％）と膜厚１０ｎｍのＩｎＧａＡｓ
Ｐバリヤ層（無歪、λｔ〜１．２５μｍ）の２〜１０周
期構造からなる歪量子井戸活性層２、ｐ−ＩｎＰ層３を
順次、ガスソースＭＢＥ法により成長した。
図（ｂ）の断面図（（ａ）のＡ−Ａ’線）を用いて説明
する。周期的２４０ｎｍの回折格子８を有したｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１上に、ｎ −ＩｎＧｓＡｓＰ（無歪、１８〜１
．２μｍ）光ガイド層、膜厚５．５ｎｍのＩｎ、 −９
２ＧａＤ−ａｓＡｓｏ ＋５ＳＰＤ ＋３Ｓ歪量子井戸
層（歪量：＋１．５％）と膜厚１０ｎｍのＩｎＧａＡｓ
Ｐバリヤ層（無歪、λｔ〜１．２５μｍ）の２〜１０周
期構造からなる歪量子井戸活性層２、ｐ−ＩｎＰ層３を
順次、ガスソースＭＢＥ法により成長した。
次に活性層幅的１μｍの逆メサストライプを形成後、Ｆ
ｅドープＩｎＰ層（膜厚〜４μｍ）１０をＭＯＣＶＤ法
により埋め込み成長した。最後にｐ電極６．ｎ電極７を
形成後、共振器長約２００μｍにへき関した。
ｅドープＩｎＰ層（膜厚〜４μｍ）１０をＭＯＣＶＤ法
により埋め込み成長した。最後にｐ電極６．ｎ電極７を
形成後、共振器長約２００μｍにへき関した。
試作した素子は約１．５ｍＡ で発振し、回折格子によ
るＤＦＢ構造を反映して波長１．５５μｍで幅モード抑
圧比４０ｄＢ以上の単一スペクトルを得た。また、十分
な量子効果と歪効果を反映して、光出力１０ｍＷ時の緩
和振動周波数は約３０ＧＨｚであり、ＦｅドープＩｎＰ
埋め込みによる低容量化構造をも反映して、３００ｂｉ
ｔ／ｓの超高速動作が可能となった。また、その時の２
０ｄＢダウンのチャーピング量は約２人と従来を１桁下
まわる値であった。さらに光出力２０ｍＷ時のスペクト
ル線幅は５０ｋＨｚと極めて小さい値を示した。
るＤＦＢ構造を反映して波長１．５５μｍで幅モード抑
圧比４０ｄＢ以上の単一スペクトルを得た。また、十分
な量子効果と歪効果を反映して、光出力１０ｍＷ時の緩
和振動周波数は約３０ＧＨｚであり、ＦｅドープＩｎＰ
埋め込みによる低容量化構造をも反映して、３００ｂｉ
ｔ／ｓの超高速動作が可能となった。また、その時の２
０ｄＢダウンのチャーピング量は約２人と従来を１桁下
まわる値であった。さらに光出力２０ｍＷ時のスペクト
ル線幅は５０ｋＨｚと極めて小さい値を示した。
実施例３
第３図は本発明による別の実施例であり、ＩｎＧａＡ
Ｑ Ａｓを用い、さらに変調ドープを行ったものである
。ｎ−１ｎＰ基板１上に膜厚４〜７ｎｍの（Ａ Ｑ０．
、Ｇ ａｗ、ｓ）。、３ Ｉ ｎａｗ７Ａ Ｓ 歪量
子井戸層１１ａ（歪量：＋１．２％）と膜厚２０ｎｍの
ＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓバリヤ層１１ｂ（無歪、λｇ＝１
．２μｍ）の２〜８周期構造からなる変調ドープ歪量子
井戸活性層１１、ｐ −Ｉ ｎ Ｐクラッド層３、ｎ−
ＩｎＰ層１２を順次ＭＯＣＶＤ法により成長した。この
時、バリヤ層には、ＭｇあるいはＢｅいずれかを２ Ｘ
１０”ａｎ−３ドーピングした。この後Ｓ ｉ Ｏ２
膜１３を形成し、選択的に５ｉｎ２を除去し、Ｚｎ拡散
領域１４を設け、ｐ電極６．ｎ電極７を形成した利得導
波ストライプ型とした。
Ｑ Ａｓを用い、さらに変調ドープを行ったものである
。ｎ−１ｎＰ基板１上に膜厚４〜７ｎｍの（Ａ Ｑ０．
、Ｇ ａｗ、ｓ）。、３ Ｉ ｎａｗ７Ａ Ｓ 歪量
子井戸層１１ａ（歪量：＋１．２％）と膜厚２０ｎｍの
ＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓバリヤ層１１ｂ（無歪、λｇ＝１
．２μｍ）の２〜８周期構造からなる変調ドープ歪量子
井戸活性層１１、ｐ −Ｉ ｎ Ｐクラッド層３、ｎ−
ＩｎＰ層１２を順次ＭＯＣＶＤ法により成長した。この
時、バリヤ層には、ＭｇあるいはＢｅいずれかを２ Ｘ
１０”ａｎ−３ドーピングした。この後Ｓ ｉ Ｏ２
膜１３を形成し、選択的に５ｉｎ２を除去し、Ｚｎ拡散
領域１４を設け、ｐ電極６．ｎ電極７を形成した利得導
波ストライプ型とした。
試作した素子では、歪素子、量子サイズ効果、変調ドー
プ効果の３者を同時に反映した効果が顕著であり、光出
力１０ｍＷで、緩和振動周波数は５０ Ｇ Ｈｚと大き
な値を示した。
プ効果の３者を同時に反映した効果が顕著であり、光出
力１０ｍＷで、緩和振動周波数は５０ Ｇ Ｈｚと大き
な値を示した。
実施例４
第６図は本発明の歪量子井戸半導体レーザを光通信に応
用した実施例の模式図である。歪量子井戸半導体レーザ
１５にはパイアイ電源１５と信号源１７がつながってお
り、これによりレーザ光が変調される。レーザ光２２は
光ファイバ１８を通り、その出射光１９は光検出器２０
により電気信号に変換され、復号器２１で処理される。
用した実施例の模式図である。歪量子井戸半導体レーザ
１５にはパイアイ電源１５と信号源１７がつながってお
り、これによりレーザ光が変調される。レーザ光２２は
光ファイバ１８を通り、その出射光１９は光検出器２０
により電気信号に変換され、復号器２１で処理される。
本実施例では４００ｂｉｔ／ ｓ 、ファイバ長４０
ｋｍとした６ 〔発明の効果〕 本発明によれば、歪量子井戸半導体レーザの歪効果と量
子サイズ効果を同時に引き出すことができ、半導体レー
ザの超高速化ができるので、超高速（大容量）光通信の
光源として、大いなる効果があった。
ｋｍとした６ 〔発明の効果〕 本発明によれば、歪量子井戸半導体レーザの歪効果と量
子サイズ効果を同時に引き出すことができ、半導体レー
ザの超高速化ができるので、超高速（大容量）光通信の
光源として、大いなる効果があった。
第１図ないし第３図は本発明の実施例のレーザ素子の断
面図、第４図、第５図は本発明による４元混晶歪量子弁
戸層の組成領域を示す図、第６図は本発明の光通信シス
テムの一実施例の模式図、第７図、第８図は本発明の詳
細な説明する特性図である。 ２・・・歪量子井戸活性層、８・・・回折格子、１１・
・・変第 区 第 築 図 １遍−χ ｃｒ久χ Ａ、５ｌ−ｙ ｆメ 図 第 乙 図 １’７ 拓 図 童）神戸層Ｆ４に厚（ガザン 烹 区 歪量 （忰）
面図、第４図、第５図は本発明による４元混晶歪量子弁
戸層の組成領域を示す図、第６図は本発明の光通信シス
テムの一実施例の模式図、第７図、第８図は本発明の詳
細な説明する特性図である。 ２・・・歪量子井戸活性層、８・・・回折格子、１１・
・・変第 区 第 築 図 １遍−χ ｃｒ久χ Ａ、５ｌ−ｙ ｆメ 図 第 乙 図 １’７ 拓 図 童）神戸層Ｆ４に厚（ガザン 烹 区 歪量 （忰）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に、少なくとも光を発生する活性層と
光を閉込めるクラッド層を有する半導体レーザにおいて
、上記活性層が少なくとも一層の歪量子井戸層を有し、
該歪量子井戸層の格子定数ａ＿ｗと上記半導体基板の格
子定数ａ＿ｓとの間に（ａ＿ｗ−ａ＿ｓ）／ａ＿ｓ≧０
．８％の関係があり、かつ歪量子井戸層が四元混晶で形
成されていることを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ
。 ２、発光波長が１．５〜１．６μｍの範囲のいずれかで
ある請求項１記載の歪量子井戸半導体レーザ。 ３、半導体基板上に、少なくとも光を発生する活性層と
光を閉じ込めるクラッド層を有する半導体レーザにおい
て、波長１．５〜１．６μｍの範囲で発光し、その活性
層が少なくとも１層の歪量子井戸から成り該歪量子井戸
層の格子定数ａ＿ｗと上記半導体基板の格子定数ａ＿ｓ
との間に（ａ＿ｗ−ａ＿ｓ）／ａ＿ｓ≧０．８％の関係
があり、かつ歪量子井戸層の膜厚が４ｎｍ以上であるこ
とを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ。 ４、特に歪量子井戸層の膜厚が５〜７ｎｍの範囲にある
請求項３記載の歪量子井戸半導体レーザ。 ５、請求項１ないし４記載のレーザにおいて、歪量子井
戸層に隣接するバリヤ層が、１×１０＾１＾０ｃｍ＾−
＾３以上の密度で導電型不純物をドーピングした領域を
有することを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ。 ６、請求項１ないし５記載のレーザにおいて、光を帰還
させるための共振器として、へき開面からなる反射面を
有するか、あるいは上記活性層上下の少なくとも一方側
に隣接する光ガイド層上に形成した回折格子を有するこ
とを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ。 ７、請求項１ないし６記載のレーザにおいて、上記半導
体基板がＩｎＰ、かつ歪量子井戸層がＩｎＧａＡｓＰあ
るいはＩｎＧａＡｌＡｓであることを特徴とする歪量子
井戸半導体レーザ。 ８、請求項７記載のＩｎＧａＡｓＰの４元組成を、Ｉｎ
＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１＿−＿ｙＰ＿ｙとした時
に、ｘ、ｙが０＜ｘ＜０．２５、０．１５＜ｙ＜０．５
５の範囲を満足することを特徴とする歪量子井戸半導体
レーザ。 ９、請求項７記載のＩｎＧａＡｌＡｓの４元組成を（Ａ
ｌ＿ＶＧａ＿１＿−＿Ｖ）＿ＷＩｎ＿１＿−＿ＷＡｓと
した時に、Ｖ、ＷがＶ＞０．２、０．２＜Ｗ０．４の範
囲を満足することを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ
。 １０、請求項１ないし９までのいずれかに記載の歪量子
井戸半導体レーザと、該歪量子井戸半導体レーザに電気
信号を入力する手段と、該歪量子井戸半導体レーザから
のレーザ光を伝送する手段と、該レーザ光を受信する受
信部を有することを特徴とする光通信システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27629090A JP3204969B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 半導体レーザ及び光通信システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27629090A JP3204969B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 半導体レーザ及び光通信システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152583A true JPH04152583A (ja) | 1992-05-26 |
| JP3204969B2 JP3204969B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=17567392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27629090A Expired - Lifetime JP3204969B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 半導体レーザ及び光通信システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3204969B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042685A1 (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | n-TYPE MODULATION DOPE MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER |
| US6396861B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-05-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | N-type modulation-doped multi quantum well semiconductor laser device |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP27629090A patent/JP3204969B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042685A1 (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | n-TYPE MODULATION DOPE MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER |
| US6396861B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-05-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | N-type modulation-doped multi quantum well semiconductor laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3204969B2 (ja) | 2001-09-04 |
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