JPH04154259A - 完全密着型イメージセンサ - Google Patents
完全密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH04154259A JPH04154259A JP2278182A JP27818290A JPH04154259A JP H04154259 A JPH04154259 A JP H04154259A JP 2278182 A JP2278182 A JP 2278182A JP 27818290 A JP27818290 A JP 27818290A JP H04154259 A JPH04154259 A JP H04154259A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- image sensor
- light
- light source
- section
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、小型ファクシミリやイメージスキャナ等の読
み取り部として用いられる密着型イメージセンサに関し
、特に原稿と完全に密着する完全密着型イメージセンサ
に関する。
み取り部として用いられる密着型イメージセンサに関し
、特に原稿と完全に密着する完全密着型イメージセンサ
に関する。
従来の完全密着型イメージセンサの原理図（副走査方向
断面図）を第４図に示す。第４図において、１はガラス
基板、２は読み取りセンサ部、４はＬＥＤ （Ｌｉｇｈ
ｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ） 、５は原稿であ
る。このように、ガラス基板１を挟んで原稿５０反対側
にＬＥＤ４を設け、ＬＥＤ４からの光はガラス基板１を
透過して原稿に照射され、その反射光をセンサ部２で読
み取る構造になっている。
断面図）を第４図に示す。第４図において、１はガラス
基板、２は読み取りセンサ部、４はＬＥＤ （Ｌｉｇｈ
ｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ） 、５は原稿であ
る。このように、ガラス基板１を挟んで原稿５０反対側
にＬＥＤ４を設け、ＬＥＤ４からの光はガラス基板１を
透過して原稿に照射され、その反射光をセンサ部２で読
み取る構造になっている。
センサ２、ＬＥＤ４はともに走査方向に１列ずつアレイ
状に配列されている。
状に配列されている。
ここで、ＬＥＤアレイの原稿面での照度には、走査方向
にある程度のばらつき（シェーディング：通常±３０％
程度）が生じるため、これを補正する手段が必要である
。従来のシェーディング補正回路のブロック図を第５図
に示す、従来のシエ−ディング補正方法としては、まず
、白基準（照度を測定するときに、基準として用いる白
板）を読み取ることによって、個々のＬＥＤの原稿面で
の照度ばらつきを検出した後、これを補正する補正係数
をＲＯＭ （Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）また
はＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｓ＋ｏｒ
ｙ） 、本例ではＲＯＭ１２にメモリしておき、積算δ
１３により、これとＡ（Ａｎａｌｏｇ） ／ Ｄ （Ｄ
ｉｇｉ ｔａｌ）変換器１１を介して出力されたセンサ
出力信号との積をとり、出力する方法をとっている。
にある程度のばらつき（シェーディング：通常±３０％
程度）が生じるため、これを補正する手段が必要である
。従来のシェーディング補正回路のブロック図を第５図
に示す、従来のシエ−ディング補正方法としては、まず
、白基準（照度を測定するときに、基準として用いる白
板）を読み取ることによって、個々のＬＥＤの原稿面で
の照度ばらつきを検出した後、これを補正する補正係数
をＲＯＭ （Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）また
はＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｓ＋ｏｒ
ｙ） 、本例ではＲＯＭ１２にメモリしておき、積算δ
１３により、これとＡ（Ａｎａｌｏｇ） ／ Ｄ （Ｄ
ｉｇｉ ｔａｌ）変換器１１を介して出力されたセンサ
出力信号との積をとり、出力する方法をとっている。
この従来のシェーディング補正の方法では、ＬＥＤの照
度ばらつきの補正係数を記憶しておくためのメモリを必
要とし、通常、ＲＯＭを使用しているが、この場合、照
度ばらつきの経時変化には追従できないという問題があ
る。また、ＲＡＭを使用し、随時データの書換え可能と
した場合、毎回、センサと完全密着しながら白基準を読
み取ることによる、白基準の汚れの問題が生じる。さら
に、白基準を内蔵するための、余分なメカ部分が必要と
なる。
度ばらつきの補正係数を記憶しておくためのメモリを必
要とし、通常、ＲＯＭを使用しているが、この場合、照
度ばらつきの経時変化には追従できないという問題があ
る。また、ＲＡＭを使用し、随時データの書換え可能と
した場合、毎回、センサと完全密着しながら白基準を読
み取ることによる、白基準の汚れの問題が生じる。さら
に、白基準を内蔵するための、余分なメカ部分が必要と
なる。
本発明の目的は、このような欠点を除去し、メモリおよ
び白基準を不用とする完全密着型イメージセンサを提供
することにある。
び白基準を不用とする完全密着型イメージセンサを提供
することにある。
〔課題を解決するための手段］
本発明は、ガラス基板の一方の面側に取り付けられた光
源により、ガラス基板を透過して原稿面に光を当て、そ
の反射光を読み取る完全密着型イメージセンサにおいて
、 ガラス基板の他方の面側に設けられ、かつ原稿に密着さ
れ、フォトダイオードによる電荷蓄積形を用い、原稿か
らの反射光を読み取る第１のセンサ部と、 この第１のセンサ部に近接してガラス基板の他方の面側
に設けられ、かつ原稿に密着され、光源からの光を直接
読み取る第２のセンサ部と、第１および第２のセンサ部
からの信号の比をとって出力する出力部とを有すること
を特徴としている。
源により、ガラス基板を透過して原稿面に光を当て、そ
の反射光を読み取る完全密着型イメージセンサにおいて
、 ガラス基板の他方の面側に設けられ、かつ原稿に密着さ
れ、フォトダイオードによる電荷蓄積形を用い、原稿か
らの反射光を読み取る第１のセンサ部と、 この第１のセンサ部に近接してガラス基板の他方の面側
に設けられ、かつ原稿に密着され、光源からの光を直接
読み取る第２のセンサ部と、第１および第２のセンサ部
からの信号の比をとって出力する出力部とを有すること
を特徴としている。
［作用］
本発明は、センサ部にフォトダイオードによる電荷蓄積
形を用い、さらに原稿を読み取るセンサ部とは別に、こ
れと近接してシェーディング補正用の第２のセンサ部を
有している。そして、前者のセンサ部で原稿からの反射
光を読み取ると同時に、後者のセンサ部で光源光のみを
直接読み取って、光源の照度ばらつきを検出し、外部回
路により２つのセンサの出力信号の比をとることによっ
て、シェーディング補正を行うことができる。
形を用い、さらに原稿を読み取るセンサ部とは別に、こ
れと近接してシェーディング補正用の第２のセンサ部を
有している。そして、前者のセンサ部で原稿からの反射
光を読み取ると同時に、後者のセンサ部で光源光のみを
直接読み取って、光源の照度ばらつきを検出し、外部回
路により２つのセンサの出力信号の比をとることによっ
て、シェーディング補正を行うことができる。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例を示す副走査方向断面図で
あり、第２図は、第１図に対するシェーディング補正機
構のブロック図である。なお、第１図は原理図でもある
。
あり、第２図は、第１図に対するシェーディング補正機
構のブロック図である。なお、第１図は原理図でもある
。
この完全密着型イメージセンサは、第１図に示されるよ
うに、ガラス基板１と、センサ部２，３と、ＬＥＤ４と
を備えている。さらに、第２図に示されるように、外部
の回路として、アンプ６Ａ。
うに、ガラス基板１と、センサ部２，３と、ＬＥＤ４と
を備えている。さらに、第２図に示されるように、外部
の回路として、アンプ６Ａ。
６Ｂと、外部回路７とを備えている。
このような完全密着型イメージセンサは、同一基板上に
センサアレイを２列有している。これらのセンサアレイ
すなわちセンサ部２．３にフォトダイオードによる電荷
蓄積形センサを用いることにより、均一性がよく、光強
度に忠実な出力特性が得られる。
センサアレイを２列有している。これらのセンサアレイ
すなわちセンサ部２．３にフォトダイオードによる電荷
蓄積形センサを用いることにより、均一性がよく、光強
度に忠実な出力特性が得られる。
センサ部３は、シェーディング補正用に設けたセンサで
、光源光のみを直接、読み取って、光源の照度ばらつき
を検出する。ここで、２列のセンサアレイを近接して配
置し、しかも、原稿と密着させることにより、原稿面照
度のばらつきと、補正用センサアレイで読み取った照度
ばらつきはほぼ同じと考えることができる。
、光源光のみを直接、読み取って、光源の照度ばらつき
を検出する。ここで、２列のセンサアレイを近接して配
置し、しかも、原稿と密着させることにより、原稿面照
度のばらつきと、補正用センサアレイで読み取った照度
ばらつきはほぼ同じと考えることができる。
センサ部２で原稿からの反射光を読み取ると同時に、セ
ンサ部３で光源光のみを直接読み取って、光源の照度ば
らつきを検出し、外部回路７により２つのセンサの出力
信号の比をとることによって、シェーディング補正を行
うことができる。
ンサ部３で光源光のみを直接読み取って、光源の照度ば
らつきを検出し、外部回路７により２つのセンサの出力
信号の比をとることによって、シェーディング補正を行
うことができる。
外部回路７は、２つのセンサ部２，３のセンサ出力信号
の比をとり、出力する回路である。
の比をとり、出力する回路である。
第３図は、第１図のさらに詳しい副走査方向断面図であ
る。第３図において、１はガラス基板、４はＬＥＤ、５
は原稿である。また、センサ部２゜３は、Ｃｒ８、ａ−
３ｉ：Ｈ９、ＩＴＯＩＯの３層をそれぞれ薄膜で形成し
、ＩＴＯＩＯとａ−３ｉ：Ｈ９とのショットキー接合に
よる、ａ−３ｉフオトダイオードを構成している。
る。第３図において、１はガラス基板、４はＬＥＤ、５
は原稿である。また、センサ部２゜３は、Ｃｒ８、ａ−
３ｉ：Ｈ９、ＩＴＯＩＯの３層をそれぞれ薄膜で形成し
、ＩＴＯＩＯとａ−３ｉ：Ｈ９とのショットキー接合に
よる、ａ−３ｉフオトダイオードを構成している。
原稿読み取り用センサ部２およびシェーディング補正用
センサ部３において、センサの窓（ＩＴＯ）側が光の入
射する方向になるように構成している。
センサ部３において、センサの窓（ＩＴＯ）側が光の入
射する方向になるように構成している。
また、２列のセンサアレイの間隔を１０［μｍ］とし、
さらに、センサアレイと原稿との間隔を５０［μｍ］と
することによって、原稿面照度のばらつきと、補正用セ
ンサアレイで読み取った照度ばらつきとはほぼ同じと考
えることができる。
さらに、センサアレイと原稿との間隔を５０［μｍ］と
することによって、原稿面照度のばらつきと、補正用セ
ンサアレイで読み取った照度ばらつきとはほぼ同じと考
えることができる。
以上の構成によるセンサ部と、２つのセンサの比をとる
外部回路とによって、シェーディング補正を実現するこ
とができる。
外部回路とによって、シェーディング補正を実現するこ
とができる。
以上説明したように、本発明は、センサ面を原稿に密着
させ、ガラス基板を挟んでセンサ面の裏側に取り付けら
れた光源により、ガラス基板を透過して原稿面に光を当
て、その反射光をセンサにより読み取る完全密着型イメ
ージセンサにおいて、センサ部にはフォトダイオードに
よる電荷蓄積形を用い、原稿からの反射光を読み取るセ
ンサの他に、光源からの光を直接読み取る第２のセンサ
を同一基板上に近接して配置し、さらに、外部回路とし
て、両センサ出力信号の比をとり出力する回路を備えて
いる。
させ、ガラス基板を挟んでセンサ面の裏側に取り付けら
れた光源により、ガラス基板を透過して原稿面に光を当
て、その反射光をセンサにより読み取る完全密着型イメ
ージセンサにおいて、センサ部にはフォトダイオードに
よる電荷蓄積形を用い、原稿からの反射光を読み取るセ
ンサの他に、光源からの光を直接読み取る第２のセンサ
を同一基板上に近接して配置し、さらに、外部回路とし
て、両センサ出力信号の比をとり出力する回路を備えて
いる。
これにより、本発明は、ＬＥＤの位置調整が不用、照度
ばらつきの大きい光源も使用可能で、ＬＥＤの仕分けの
工数を減少することが可能等の特長の他に、従来の方法
と比較して、メモリ不用、照度の経時変化にも追従可能
、照度ばらつきを検出する際、白基準を読み取るために
必要な複雑なメカ部分が不用等の利点を有する。
ばらつきの大きい光源も使用可能で、ＬＥＤの仕分けの
工数を減少することが可能等の特長の他に、従来の方法
と比較して、メモリ不用、照度の経時変化にも追従可能
、照度ばらつきを検出する際、白基準を読み取るために
必要な複雑なメカ部分が不用等の利点を有する。
また、本発明では、２つのセンサ部は同一基板上に同時
に形成するので、製作工数を増加することなく、従来の
ものと同様に小型化が可能であるという利点もある。
に形成するので、製作工数を増加することなく、従来の
ものと同様に小型化が可能であるという利点もある。
第１図は本発明の一実施例を示す副走査方向断面図、
第２図は第１図の実施例に対するシェーディング補正機
構のブロック図、 第３図は第１図の実施例のさらに詳しい副走査方向断面
図、 第４図は従来の完全密着型イメージセンサの一例を示す
副走査方向断面図、 第５図は従来のシェーディング補正回路のブロック図で
ある。 １・・・・・ガラス基板 ２・・・・・原稿読み取り用センサ部 ３・・・・・シェーディング補正用センサ部４・・・・
・ＬＥＤ ５・・・・・原稿 ６Ａ、６Ｂ・アンプ ７・・・・・外部回路 ８・・・・・Ｃｒ ９・・・・・ａ−３ｉ：Ｈ １０・・・・・ＩＴＯ
構のブロック図、 第３図は第１図の実施例のさらに詳しい副走査方向断面
図、 第４図は従来の完全密着型イメージセンサの一例を示す
副走査方向断面図、 第５図は従来のシェーディング補正回路のブロック図で
ある。 １・・・・・ガラス基板 ２・・・・・原稿読み取り用センサ部 ３・・・・・シェーディング補正用センサ部４・・・・
・ＬＥＤ ５・・・・・原稿 ６Ａ、６Ｂ・アンプ ７・・・・・外部回路 ８・・・・・Ｃｒ ９・・・・・ａ−３ｉ：Ｈ １０・・・・・ＩＴＯ
Claims (1)
- （１）ガラス基板の一方の面側に取り付けられた光源に
より、ガラス基板を透過して原稿面に光を当て、その反
射光を読み取る完全密着型イメージセンサにおいて、 ガラス基板の他方の面側に設けられ、かつ原稿に密着さ
れ、フォトダイオードによる電荷蓄積形を用い、原稿か
らの反射光を読み取る第１のセンサ部と、 この第１のセンサ部に近接してガラス基板の他方の面側
に設けられ、かつ原稿に密着され、光源からの光を直接
読み取る第２のセンサ部と、第１および第２のセンサ部
からの信号の比をとって出力する出力部とを有すること
を特徴とする完全密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2278182A JPH04154259A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 完全密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2278182A JPH04154259A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 完全密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04154259A true JPH04154259A (ja) | 1992-05-27 |
Family
ID=17593733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2278182A Pending JPH04154259A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 完全密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04154259A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746381A (ja) * | 1993-07-31 | 1995-02-14 | Nec Corp | 密着型イメージセンサ |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP2278182A patent/JPH04154259A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746381A (ja) * | 1993-07-31 | 1995-02-14 | Nec Corp | 密着型イメージセンサ |
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