JPH04155642A - 光磁気ディスク記録装置 - Google Patents
光磁気ディスク記録装置Info
- Publication number
- JPH04155642A JPH04155642A JP28045090A JP28045090A JPH04155642A JP H04155642 A JPH04155642 A JP H04155642A JP 28045090 A JP28045090 A JP 28045090A JP 28045090 A JP28045090 A JP 28045090A JP H04155642 A JPH04155642 A JP H04155642A
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- Japan
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- magneto
- temperature
- auxiliary layer
- optical disk
- recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
記録層及び補助層を設けられた光磁気ディスク（記録補
助層の補償温度が室温とキュリー温度との間にあるもの
）に記録を行なうに際し、記録直前に補助層を初期化磁
場で初期化する構造の光磁気ディスク記録装置に関し、 装置内温度か上昇しても補助層を確実に初期化し、ＣＮ
比（信号品質）の劣化を少なくすることを目的とし、 光磁気ディスクを冷却する冷却手段を設けた構成とする
。
助層の補償温度が室温とキュリー温度との間にあるもの
）に記録を行なうに際し、記録直前に補助層を初期化磁
場で初期化する構造の光磁気ディスク記録装置に関し、 装置内温度か上昇しても補助層を確実に初期化し、ＣＮ
比（信号品質）の劣化を少なくすることを目的とし、 光磁気ディスクを冷却する冷却手段を設けた構成とする
。
本発明は、記録層及び補助層を設けられた光磁気ディス
ク（補助層の補償温度か室温とキュリー温度との間にあ
るもの）に記録を行なうに際し、記録直前に補助層を初
期化磁場で初期化する構造の光磁気ディスク記録装置に
関する。
ク（補助層の補償温度か室温とキュリー温度との間にあ
るもの）に記録を行なうに際し、記録直前に補助層を初
期化磁場で初期化する構造の光磁気ディスク記録装置に
関する。
上記構成になる光磁気ディスクは例えば特開昭６２−１
７５９４８号公報において提案されており、記録磁界を
オン、オフすることなく、又、記録磁界の向きを変える
ことなく、オーバライド（ｏｖｅｒ ｗｒ−ｉｔｅ ）
を行なう。このものは、後述のように記録層及び補助層
の２層構造とされており、記録を行なう直前に補助層を
初期化する。このような初期化は、記録済み光磁気ディ
スクに新たな情報を書込み、再使用する場合なとに必要
である。
７５９４８号公報において提案されており、記録磁界を
オン、オフすることなく、又、記録磁界の向きを変える
ことなく、オーバライド（ｏｖｅｒ ｗｒ−ｉｔｅ ）
を行なう。このものは、後述のように記録層及び補助層
の２層構造とされており、記録を行なう直前に補助層を
初期化する。このような初期化は、記録済み光磁気ディ
スクに新たな情報を書込み、再使用する場合なとに必要
である。
第５図は従来の一例の構成図を示す。同図において、光
磁気ディスク１は表面側に記録層（ＴｂＦｅＣｏ膜）１
ａ、裏面側に補助層（ＤｙＦｅＣ０膜）ｌｂを形成され
ており、スピンドルモータ２にて回転される。光磁気デ
ィスク１は具体的には第６図に示す如く、ガラス基板１
ｃ、保護層ｌｄ、記録層１ａ、補助層】ｂよりなる。３
は記録用磁石で、ディスク１の表面側に設けられたヘッ
ド４と対向する位置のディスク１の裏面側に設けられて
おり、例えば ３０００ｅの磁場をもつ。５は初期化用
磁石で、ディスクｌの裏面側に設けられており、例えば
３ｋＯｅの磁場をもつ。この場合、室温における、補助
層１ｂの保磁力、初期化用磁石５の磁場、記録層１ａの
保磁力の関係は、（記録補助層の保磁力）〈（初期化
磁場）く（記録・再生層の保磁力）のように定められて
おり、又、キュリー温度の関係は、 （記録・再生層のキュリー温度）＜（記録補助層のキュ
リー温度） のように定められている。これらの関係を第７図に示す
。６は排気用ファンで、筐体７の側面に設けられており
、筺体７内の排気を行なう。
磁気ディスク１は表面側に記録層（ＴｂＦｅＣｏ膜）１
ａ、裏面側に補助層（ＤｙＦｅＣ０膜）ｌｂを形成され
ており、スピンドルモータ２にて回転される。光磁気デ
ィスク１は具体的には第６図に示す如く、ガラス基板１
ｃ、保護層ｌｄ、記録層１ａ、補助層】ｂよりなる。３
は記録用磁石で、ディスク１の表面側に設けられたヘッ
ド４と対向する位置のディスク１の裏面側に設けられて
おり、例えば ３０００ｅの磁場をもつ。５は初期化用
磁石で、ディスクｌの裏面側に設けられており、例えば
３ｋＯｅの磁場をもつ。この場合、室温における、補助
層１ｂの保磁力、初期化用磁石５の磁場、記録層１ａの
保磁力の関係は、（記録補助層の保磁力）〈（初期化
磁場）く（記録・再生層の保磁力）のように定められて
おり、又、キュリー温度の関係は、 （記録・再生層のキュリー温度）＜（記録補助層のキュ
リー温度） のように定められている。これらの関係を第７図に示す
。６は排気用ファンで、筐体７の側面に設けられており
、筺体７内の排気を行なう。
ここで、補助層１ｂか希土類−遷移金属系の磁性体て、
その補償温度か室温とキュリー温度との間にある光磁気
ディスク１に記録を行なうに際し、第８図に示す如く、
先ず、初期化用磁石５にて補助層１ｂの数トラック分の
磁化方向が例えば上向きに揃えられて次に、記録用磁石
３の磁場及びヘット４の記録情報に応じたビーム加熱に
て補助層１ｂの所定トラックの磁化方向が情報に応じて
反転され（ビーム加熱によって補助層１ｂの保磁力が上
昇することによる）、冷却過程において補助層１ｂの磁
化か記録層１ａに転写されて記録か行なわれる。なお、
初期化が行なわれる室温状態では、補助層ｉｂの磁化方
向が反転しても記録層１ａの磁化方向は反転されない。
その補償温度か室温とキュリー温度との間にある光磁気
ディスク１に記録を行なうに際し、第８図に示す如く、
先ず、初期化用磁石５にて補助層１ｂの数トラック分の
磁化方向が例えば上向きに揃えられて次に、記録用磁石
３の磁場及びヘット４の記録情報に応じたビーム加熱に
て補助層１ｂの所定トラックの磁化方向が情報に応じて
反転され（ビーム加熱によって補助層１ｂの保磁力が上
昇することによる）、冷却過程において補助層１ｂの磁
化か記録層１ａに転写されて記録か行なわれる。なお、
初期化が行なわれる室温状態では、補助層ｉｂの磁化方
向が反転しても記録層１ａの磁化方向は反転されない。
このように、初期化用磁石５にて数トラック分初期化を
行なった直後にヘッド４及び記録用磁石３にて所定トラ
ックの書込み（オーバライド）を行ない、例えばトラッ
ク１周分の初期化工程を設けることなく、又、記録磁界
をオン、オフすることなく、更に、記録磁界の向きを変
えることなく、その場において新たな情報書込みを行う
ものである。
行なった直後にヘッド４及び記録用磁石３にて所定トラ
ックの書込み（オーバライド）を行ない、例えばトラッ
ク１周分の初期化工程を設けることなく、又、記録磁界
をオン、オフすることなく、更に、記録磁界の向きを変
えることなく、その場において新たな情報書込みを行う
ものである。
ところて、補助層１ｂ及び記録層１ａが希土類−遷移金
属系の磁性体で、補助層１ｂの補償温度か室温とキュリ
ー温度との間にある光磁気ディスク１は、第７図からも
明らかな如く、装置内温度が室温付近にあるうちは補助
層１ｂの保磁力か初期化磁場以下（前述の条件式を満足
）であるため、補助層１ｂを確実に初期化することかで
き、特に問題はない。
属系の磁性体で、補助層１ｂの補償温度か室温とキュリ
ー温度との間にある光磁気ディスク１は、第７図からも
明らかな如く、装置内温度が室温付近にあるうちは補助
層１ｂの保磁力か初期化磁場以下（前述の条件式を満足
）であるため、補助層１ｂを確実に初期化することかで
き、特に問題はない。
然るに、動作を繰返すうちに装置内温度か室温以上に上
昇してくると、記録補助層１ｂの保磁力が初期化磁場以
上（前述の条件式を満足しない）となり、補助層１ｂを
初期化することができなくなり、温度上昇と共にＣＮ比
（信号品質）が劣化してくるという問題点かあった。前
述の構成になる光磁気ディスク】を線速度１０．６ｍ／
ｓｅｃで回転させ、初期化を行ないヘッド４のレーザビ
ームを高レベル時９ｍＷ、低レベル時４ｍＷの各出力で
情報に応じてパルス変調して２μｍのヒツトとして書込
み（オーバライド）を行なう動作を繰返す実験の結果、
アクセス時間に従い、装置内温度は第９図に示すように
上昇しく１３°Ｃの変化）、これに伴ってＣＮ比（信号
品質）は第１０図に示すように低くなり（１５ｄＢの変
化）、８０時間でオーバライト不可能となった。
昇してくると、記録補助層１ｂの保磁力が初期化磁場以
上（前述の条件式を満足しない）となり、補助層１ｂを
初期化することができなくなり、温度上昇と共にＣＮ比
（信号品質）が劣化してくるという問題点かあった。前
述の構成になる光磁気ディスク】を線速度１０．６ｍ／
ｓｅｃで回転させ、初期化を行ないヘッド４のレーザビ
ームを高レベル時９ｍＷ、低レベル時４ｍＷの各出力で
情報に応じてパルス変調して２μｍのヒツトとして書込
み（オーバライド）を行なう動作を繰返す実験の結果、
アクセス時間に従い、装置内温度は第９図に示すように
上昇しく１３°Ｃの変化）、これに伴ってＣＮ比（信号
品質）は第１０図に示すように低くなり（１５ｄＢの変
化）、８０時間でオーバライト不可能となった。
本発明は、装置内温度が上昇しても補助層を確実に初期
化でき、ＣＮ比の劣化の少ない光磁気ディスク記録装置
を提供することを目的とする。
化でき、ＣＮ比の劣化の少ない光磁気ディスク記録装置
を提供することを目的とする。
第１図は本発明の原理図を示す。同図中、２０は光磁気
ディスクで、記録層２０ａ及び補助層２０ｂを重ねて設
けられ、補助層２０ｂの補償温度が室温とキュリー温度
との間にあり、記録用磁場２１で記録されるに際し、記
録直前に記録補助層２０ｂを初期化用磁場２２て初期化
される。
ディスクで、記録層２０ａ及び補助層２０ｂを重ねて設
けられ、補助層２０ｂの補償温度が室温とキュリー温度
との間にあり、記録用磁場２１で記録されるに際し、記
録直前に記録補助層２０ｂを初期化用磁場２２て初期化
される。
２３は冷却手段で、光磁気ディスク２０を冷却する。２
４は温度検出手段で、装置内温度を検出する。
４は温度検出手段で、装置内温度を検出する。
本発明では、冷却手段２３にて光磁気ディスク２０を冷
却する。これにより、装置内温度か上昇しても補助層２
０ｂの保磁力を初期化磁場以下に保つことかでき、補助
層２０ｂを初期化用磁場２２にて確実に初期化でき、Ｃ
Ｎ比の劣化を抑えることかてきる。この場合、温度検出
手段２４にて装置内温度を検出しており、装置内温度か
室温以上になると冷却手段２３を作動させる。
却する。これにより、装置内温度か上昇しても補助層２
０ｂの保磁力を初期化磁場以下に保つことかでき、補助
層２０ｂを初期化用磁場２２にて確実に初期化でき、Ｃ
Ｎ比の劣化を抑えることかてきる。この場合、温度検出
手段２４にて装置内温度を検出しており、装置内温度か
室温以上になると冷却手段２３を作動させる。
第２図は本発明の一実施例の構成図を示し、同図中、第
５図と同一構成部分には同一番号を付してその説明を省
略する。第２図中、ｌＯは冷却用ファンで、排気用ファ
ン６の反対側の筐体７の側面に、光磁気ディスク１より
も低い位置に設けられている。１）は仕切板で、冷却用
ファン１０の上部に取付けられており、冷却用ファン１
０から噴出される空気をディスクｌの裏面に導く。１２
は温度センサで、例えばディスク１の裏面側に設けられ
ており、装置内温度を検出する。１３はファン制御装置
で、温度センサ１２の検出出力に応じて冷却用ファン１
０を作動制御する。
５図と同一構成部分には同一番号を付してその説明を省
略する。第２図中、ｌＯは冷却用ファンで、排気用ファ
ン６の反対側の筐体７の側面に、光磁気ディスク１より
も低い位置に設けられている。１）は仕切板で、冷却用
ファン１０の上部に取付けられており、冷却用ファン１
０から噴出される空気をディスクｌの裏面に導く。１２
は温度センサで、例えばディスク１の裏面側に設けられ
ており、装置内温度を検出する。１３はファン制御装置
で、温度センサ１２の検出出力に応じて冷却用ファン１
０を作動制御する。
ここて、温度センサ１２によって装置内温度か検出され
、これか予め定められた閾値温度よりも低い場合には冷
却用ファン１０は停止されている。
、これか予め定められた閾値温度よりも低い場合には冷
却用ファン１０は停止されている。
動作を繰り返すうちに装置内温度が室温以上に上昇して
これが閾値温度を越えた場合、ファン制御装置１３の制
御によって冷却用ファン１０が作動されて空気か噴出さ
れる。この噴出された空気は仕切板１）に沿ってディス
ク１の裏面に導かれ、これにより、ディスクｌの裏面の
補助層１ｂか冷却される。温められた空気は排気用ファ
ン６によって外部に排出される。
これが閾値温度を越えた場合、ファン制御装置１３の制
御によって冷却用ファン１０が作動されて空気か噴出さ
れる。この噴出された空気は仕切板１）に沿ってディス
ク１の裏面に導かれ、これにより、ディスクｌの裏面の
補助層１ｂか冷却される。温められた空気は排気用ファ
ン６によって外部に排出される。
このように、装置内温度か室温以上に上昇すると補助層
１ｂが冷却されるので、補助層１ｂの保磁力を初期化磁
場以下に保つことができる。これにより、装置内温度に
拘らず記録補助層１ｂを初期化用磁石５にて確実に初期
化できる。前述の従来例と全く同じ条件で実験を行なっ
たところ、装置内温度は第３図に示すように５°Ｃ上昇
しただけであり、又、ＣＮ比は第４図に示すように０．
．５ ｄＢ変化しただけで信号品質の劣化か少ないこと
かわかる。
１ｂが冷却されるので、補助層１ｂの保磁力を初期化磁
場以下に保つことができる。これにより、装置内温度に
拘らず記録補助層１ｂを初期化用磁石５にて確実に初期
化できる。前述の従来例と全く同じ条件で実験を行なっ
たところ、装置内温度は第３図に示すように５°Ｃ上昇
しただけであり、又、ＣＮ比は第４図に示すように０．
．５ ｄＢ変化しただけで信号品質の劣化か少ないこと
かわかる。
なお、上記実施例は冷却用ファン１０によってディスク
ｌをその裏面側から冷却したか、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、その表面側から冷却するようにして
もよい。
ｌをその裏面側から冷却したか、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、その表面側から冷却するようにして
もよい。
又、上記実施例は記録用磁石３と初期化用磁石５とを別
個に構成したか、これらの磁場の方向か同じであるので
、記録用磁石と初期化用磁石とを同一の磁石で構成する
ことも可能であり、このようにしてもよい。
個に構成したか、これらの磁場の方向か同じであるので
、記録用磁石と初期化用磁石とを同一の磁石で構成する
ことも可能であり、このようにしてもよい。
更に、筐体内に収納する光磁気ディスクとしては上記実
施例のように１枚に限定されるものではなく、例えば大
形コンピュータに適用する場合のように複数枚でもよい
。
施例のように１枚に限定されるものではなく、例えば大
形コンピュータに適用する場合のように複数枚でもよい
。
以上説明した如く、本発明によれば、光磁気ディスクを
冷却する手段を設けたため、装置内温度か上昇しても補
助層を確実に初期化てき、従って、ＣＮ比の劣化を抑え
ることかてき、この場合、冷却手段を補助層側に設けて
いるため、記録補助層を確実に冷却できる。
冷却する手段を設けたため、装置内温度か上昇しても補
助層を確実に初期化てき、従って、ＣＮ比の劣化を抑え
ることかてき、この場合、冷却手段を補助層側に設けて
いるため、記録補助層を確実に冷却できる。
第１図は本発明の原理図、
第２図は本発明の一実施例の構成図、
第３図は本発明における装置内温度特性図、第４図は本
発明におけるＣＮ比特性図、第５図は従来の一例の構成
図、 第６図は光磁気ディスクの断面図、 第７図は光磁気ディスクの温度対保磁力特性図、第８図
はオーバライドの様子を説明する図、第９図は従来例に
おける装置内温度特性図、第１０図は従来例におけるＣ
Ｎ比特性図である。 図において、 ■、２０は光磁気ディスク、 ｌａ、２０はは記録層、 ｉｂは補助層、 ３は記録用磁石、 ４はヘッド、 ５は初期化用磁石、 ６は排気用ファン、 ７は筐体、 １０は冷却ファン、 １）は仕切板、 １２は温度センサ、 １３はファン制御装置、 ２１は記録用磁場、 ２２は初期化用磁場、 ２３は冷却手段、 ２４は温度検出手段 を示す。 本発明の原理図 第１図 本発明の一実施例の構成図 １Ｎ２図 本発明における装置内温度特性図 第３図 アクセス時間（時間）□ 本発明におけるＣＮ比特性図 第４図 従来の一例の構成図 第５図 光磁気ディスクの断面図 第６図 光磁気ディスクの温度対保磁力特性図 第７図 オーバライドの様子を説明する図 第８図 従来例における装置内温度特性図 第９図 アクセス時間（時間）−や 従来例におけるＣＮ比特性図 第１０図
発明におけるＣＮ比特性図、第５図は従来の一例の構成
図、 第６図は光磁気ディスクの断面図、 第７図は光磁気ディスクの温度対保磁力特性図、第８図
はオーバライドの様子を説明する図、第９図は従来例に
おける装置内温度特性図、第１０図は従来例におけるＣ
Ｎ比特性図である。 図において、 ■、２０は光磁気ディスク、 ｌａ、２０はは記録層、 ｉｂは補助層、 ３は記録用磁石、 ４はヘッド、 ５は初期化用磁石、 ６は排気用ファン、 ７は筐体、 １０は冷却ファン、 １）は仕切板、 １２は温度センサ、 １３はファン制御装置、 ２１は記録用磁場、 ２２は初期化用磁場、 ２３は冷却手段、 ２４は温度検出手段 を示す。 本発明の原理図 第１図 本発明の一実施例の構成図 １Ｎ２図 本発明における装置内温度特性図 第３図 アクセス時間（時間）□ 本発明におけるＣＮ比特性図 第４図 従来の一例の構成図 第５図 光磁気ディスクの断面図 第６図 光磁気ディスクの温度対保磁力特性図 第７図 オーバライドの様子を説明する図 第８図 従来例における装置内温度特性図 第９図 アクセス時間（時間）−や 従来例におけるＣＮ比特性図 第１０図
Claims (4)
- （１）記録層（２０ａ）及び補助層（２０ｂ）を重ねて
設けられ、該補助層（２０ｂ）の補償温度が室温とキュ
リー温度との間にある光磁気ディスク（２０）に記録用
磁場（２１）で記録を行なうに際し、記録直前に該補助
層（２０ｂ）を初期化用磁場（２２）で初期化する光磁
気ディスク記録装置において、 上記光磁気ディスク（２０）を冷却する冷却手段（２３
）を設けてなることを特徴とする光磁気ディスク記録装
置。 - （２）上記冷却手段（２３）による冷却は、上記補助層
（２０ｂ）側から行なうことを特徴とする請求項１記載
の光磁気ディスク記録装置。 - （３）上記冷却手段（２３）による冷却は、装置内温度
を検出する温度検出手段（２４）の検出出力に応じて行
なうことを特徴とする請求項１又は２記載の光磁気ディ
スク記録装置。 - （４）上記温度検出手段（２４）は、上記補助層（２０
ｂ）側に設けてなることを特徴とする請求項３記載の光
磁気ディスク記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28045090A JPH04155642A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 光磁気ディスク記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28045090A JPH04155642A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 光磁気ディスク記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155642A true JPH04155642A (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=17625231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28045090A Pending JPH04155642A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 光磁気ディスク記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04155642A (ja) |
-
1990
- 1990-10-18 JP JP28045090A patent/JPH04155642A/ja active Pending
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