JPH04155918A - 半導体成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 半導体を気相成長させるだの装置に関し。

急峻なヘテロ界面を有する半導体層をＭＯＶＰＥ法によ
って成長可能とすることを目的とし。

上下の内壁が互いに水平且つ平行に設けられて成る反応
室と、基板を、その成長面を下方に向けて該反応室内中
央に支持する基板支持手段と、該基板の成長面に対向し
且つ該反応室の下方から鉛直方向上方に成長原料ガスを
導入するように設けられたガス導入口と、該反応室内に
導入された前記成長原料ガスを該基板表面に対して平行
な方向に排出するために設けられた排気口とを備えるよ
うに構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体を気相成長させるための装置とくに有
機金属気相成長（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｖａｐ
ｏｒＰｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ；　ＭＯＶＰＥ）法の
実施に適した装置に関する。

半導体レーザやＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
　ＭｏｂｉｌｉｔｙＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と呼ばれる
高速トランジスタ等のような、バンドギャップの異なる
半導体層を積層して成る量子井戸構造を利用した半導体
装置が実用化されている。一般に、これらの半導体層は
ＧａＡｓやＩｎＰをはじめとする化合物半導体から成り
、量子井戸を構成するヘテロ界面か急峻であることか素
子特性上からみて望ましい。

一方、上記のようなヘテロ界面を構成する化合物半導体
の成長法としては、有機金属化合物を成長原料ガスとし
て用いるＭＯＶＰＥ法が有望視されている。これは、成
長可能な化合物半導体の種類の多様性や大面積の基板全
面に厚さや組成が均一な結晶を成長可能であり、量産性
の点でＭＯＶＰＥ法が優れているためである。

一方、急峻なヘテロ界面を有する半導体層を成長させる
ためには、成長室内部における成長原料ガスの切り替え
を急速に行うことか必要であり。

また、成長室の壁面に付着した。原料ガスの熱分解生成
物が剥離して生じた塵埃による汚染から基板表面を保護
することが必要である。

〔従来の技術〕

第６図は従来のＭＯＶＰＥ装置の構造の一例を示し。

反応室１内には２例えば、　ＧａＡｓ結晶等から成る基
板７が、グラファイトから成る基板支持体４上に載置さ
れており、基板支持体４を高周波コイル６によって誘導
加熱して基板７を所定温度に保持する。そして９図示し
ない排気系に接続された排気口３を通じて反応室１内を
排気しながら、ガス導入口２から成長原料ガスを導入し
９反応室１内を所定圧力に維持することにより、基板７
上に所望の半導体を成長させる。なお９図において、符
号５は基板支持体４を回転させるための回転軸である。

第６図の装置では９反応室１の上方から導入された成長
原料ガス８は、基板７に向かって下方に流れ１例えば６
００〜７００℃に加熱された基板７の近傍で分解し、そ
の一部がガスの流れと拡散によって基板７表面に到達し
て半導体の成長に与かる。

残りの分解ガスは、未分解の成長原料ガスとともに、排
気口３から反応室ｌ外へ排出されるのであるが、基板７
の近傍で温度上昇した分解ガスの−１部が、熱対流によ
って反応室ｌの上方に巻き上げられる現象が生じていた
。この熱対流は、基板７上方に強い渦流８□を発生し、
成長原料ガスが、その導入を停止したのちも、長時間に
わたって反応室１内に残留する原因となる。その結果、
急峻なヘテロ界面を形成する妨げとなっていた。

なお、異なる半導体を成長させるために成長原料ガスの
切り替えを行う際には９例えば■−ｖ族化合物半導体の
場合には１通常、■族の成長原料ガスが先に導入される
のであるが、上記のような渦流８１による残留ガスを除
去するために、後続する成長におけるＶ族の成長原料ガ
スを長時間流すのは好ましくない。これは、基板７がこ
のような雰囲気に長時間曝されると、先行して成長した
半導体の表面が損傷を受けるためである。詳細は後述す
る。

〔発明か解決しようとする課題〕

上記のような渦流８．の滞留を回避するために。

第７図に示すような、ガス導入口２と基板７との配置を
上下逆にした構造の、いわゆるチムニ−型のＭＯＶＰＥ
長装置が詰装置れた。同図における符号は、第６図にお
ける対応部分と同一である。

第７図に示す装置においては、成長原料ガスは基板７の
下方から反応室１内に導入され９反応室１の上方から排
気されるため、基板７近傍での加熱によってガスに生じ
る浮力の方向は、流れの方向と一致する。したがって、
成長原料ガスは、前記のような渦流８．による滞留を生
じず、急速に切り替えが行われる。その結果、急峻なヘ
テロ界面の形成が可能となった。

しかしながら、第７図に示す装置においては。

反応室ｌの壁面に堆積した反応生成物から成る塵埃によ
る汚染の問題か生じた。すなわち、基板７近傍で熱分解
した成長原料ガスの大部分は９反応室１の上方の排気口
３に向かって流れるが、その過程において９反応室１の
壁面に反応生成物の膜が堆積する。この膜が剥離して微
細な塵埃としてガス導入口２に落下するのであるか、こ
の塵埃は成長原料ガスの流れによって運ばれ、基板７表
面に付着する。このような塵埃によって汚染された表面
に成長した半導体結晶には欠陥密度か大きい。

この問題を解決するために、第８図に示すように２反応
室ｌの下部の形状を修正した気相成長装置を検討した。

同図における符号は、既掲の図における対応部分と同一
である。

第８図に示す装置においては、前記のような反応室１の
壁面からガス導入口２への塵埃の落下か防止されるか１
反応室１内の下部に強制対流による強い渦流８２が発生
し、第６図の装置における熱対流による渦流８１と同様
に、成長原料ガスの滞留を生じる原因となり、急速なガ
スの切り替えができない。したがって、急峻なヘテロ界
面の形成が不可能であった。

上記のように、従来のＭＯＶＰＥ長装置に詰装置は。

■熱対流あるいは強制対流によって反応室内に成長原料
ガスが滞留して急峻なヘテロ界面が形成できない。

■反応室の壁面に堆積した反応生成物の剥離によって生
じた塵埃により基板表面が汚染されるために、成長した
結晶の欠陥密度を低減できない。

等の問題があった。

本発明は、上記のような渦流の発生と反応生成物の塵埃
による汚染とが同時に防止可能な構造を有するＭＯＶＰ
Ｅ装置を提供し、これによって急峻なヘテロ界面を有し
、かつ、欠陥密度の低い半導体の成長を可能とすること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、上下の内壁が互いに水平且つ平行に設けら
れて成る反応室と、基板を、その成長面を下方に向けて
該反応室内中央に支持する基板支持手段と、該基板の成
長面に対向し且つ該反応室の下方から鉛直方向上方に成
長原料ガスを導入するように設けられたガス導入口と、
該反応室内に導入された前記成長原料ガスを該基板表面
に対して平行な方向に排出するために設けられた排気口
とを備えたことを特徴とする本発明に係る半導体成長装
置、または、上記において、前記反応室の前記上下の内
壁間の最大距離は該ガス導入口の口径以下であること、
または、上記において前記排気口は所定の間隔を以て複
数設けられていること。

または、上記において前記基板を前記上下の内壁に平行
に回転させる手段を備えたこと、または。

上記において前記基板の回転手段を含む前記反応室の外
壁を覆う蓋部と、該蓋部内に前記基板の成長に寄与しな
いガスを導入する手段と、該ガスを排出する手段とを備
えたこと、または、上記において前記基板を背面から加
熱するための加熱手段を備えたこと、または、上記にお
いて前記ガス導入口近傍における前記反応室の壁面を冷
却する手段を備えたことのいずれかを特徴とする本発明
に係る半導体成長装置によって達成される。

〔作　用〕

第１図は本発明の原理説明図であって、同図（ａ）は要
部断面を、同図（ｂ）ないしくｄ）は平面配置を示す。

図示のように、ガス導入口２は、成長原料ガスか鉛直方
向上方に吹き出すように１反応室Ｉの下方の中央部に設
けられている。基板支持体４はガス導入口２の直上に配
置され、半導体成長が行われる表面を下方に向けた基板
７を固定する。排気口３は、該反応室内に導入された前
記成長原料ガスの分解ガスおよび未反応ガスを該基板表
面に対して平行な方向に排出するように設けられている
。

排気口３は、該反応室Ｉ内におけるガスの流れを鉛直線
に関して対称にするために２反応室１の側方に複数設け
られている。同図（ｂ）ないしくｄ）には。

反応室ｌの側方に等角度で２ないし４つの排気口３が配
置された場合が示されている。なお、排気口３の数が２
つの場合には９反応室１のす面形状は、同図（ｂｌに示
すような円形である必要はなく。

排気口３と同軸の直管状であってもよい。

上記のように９本発明のＭＯＶＰＥ装置においては。

成長原料ガス８が１反応室１の下方から鉛直方向上方に
向かって流れる構造になっており、基板７の近傍で加熱
された成長原料ガス８は浮力によって上方に加速を受け
るのみてあり、したかって。

熱対流による渦流（第６図の８１）が生じない。また１
反応室ｌの高さｈ（実際には基板７表面とガス導入口２
の最短距離）とガス導入口２の直径りとをｈ＜Ｄなるよ
うにすれば、ガス導入口２の近傍に強制対流による渦流
（第８図の８□）か生じない。したかって、これら渦流
による成長原料ガスの滞留がなくなり、ガスの高速切り
替えか可能となる。さらに、ガス導入口２の上方には基
板７のみが存在するので９反応室１の壁面に堆積した反
応生成物が剥離してガス導入口２内に落下することがな
い。したかって、この反応生成物による塵埃か成長原料
ガス８によって運ばれて基板７表面に付着する問題か回
避される。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。

以下の図面において、既掲の図面におけるのと同じ部分
には同一符号を付しである。

第２図は、半導体を成長させるための本発明に係るＭＯ
ＶＰＥ装置の概要を示す模式的要部断面図であって、こ
の具体的構成を、直径５０ｍｍの基板７表面に化合物半
導体結晶を成長する場合を前提に説明する。

反応室１は９例えばステンレス鋼または石英から成る円
形の中空体である。その上面には開口が設けられており
、基板支持体４によって支持された基板７がこの開口か
ら反応室１内に表出している。基板支持体４は９例えば
回転円板９に固定されており１回転軸１０により回転円
板９を回転駆動することにより、基板支持体４および基
板７か回転するように構成さ”れている。この回転は、
基板７表面に成長する半導体結晶層の均一性を向上する
ために行われることは言うまでもない。なお。

反応室１の上面と回転円板９との間は、○リング等によ
る周知の封止手段１２によりガス洩れが防がれている。

このガス洩れが完全に防止されない場合を考慮すれば９
反応室ｌの前記開口の直径をできるだけ大きくシ、封止
手段１２を可及的に排気口３に近く設けるのが有利であ
る。また９反応室１の上面に、基板支持体４および回転
円板９を包み込むような蓋部１４を設け９反応室１と蓋
部１４との間の空間に、結晶成長に寄与しないＨ２やＮ
２等のパージガスを流す方法も有効である。同図におい
て。

符号１１は９例えば赤外線ランプのような加熱手段であ
って、これにより基板支持体４を加熱し、基板７を所定
温度に保持する。

基板７表面における結晶成長を均一にするために、ガス
導入口２の直径を、基板７の径にほぼ等しく　５０ｍｍ
程度にするのが望ましい。前述のように。

反応室１の高さり、すなわち、ガス導入口２と基板７間
の距離は、ガス導入口２近傍における強制対流による渦
流の発生を防止するために、ガス導入口２の直径りより
小さくする。ただし、　　ｈ＜Ｄなる条件を満足するた
めに、基板７からの輻射熱により反応室ｌのガス導入口
２近傍における壁面が加熱され、ここに反応生成物が堆
積することを避ける必要がある。結晶成長温度を代表的
な値である６００°Ｃに設定する場合には、ｈの値が４
０ｍｍ程度になるように設計すればよい。また、ガス導
入口２の近傍における反応室ｌの壁面を冷却する手段を
設けることも有効である。

ガス導入口２の中心から排気口３までの距離りは２反応
室１に導入される成長原料ガス８の総流量を考慮して決
められる。例えば９反応室１内に導入された■族元素の
成長原料ガスとＶ族元素の成長原料ガスの総流量か、標
準状態のガス量に換算して、毎分５〜５０リツトルであ
るとして、前記距離りは約２００　ｍｍが適当である。

これによって。

排気口３の外側に設けられたバルブ等の形状か。

反応室ｌ内におけるガスの流れに対して与える影響がな
くなり、基板７近傍における成長原料ガス８の流れをよ
り滑らかにすることができる。

上記本発明のＭＯＶＰＥ装置においては、熱対流による
渦流が生じないため２反応室ｌ内における成長原料ガス
８の流れのパターンや濃度分布等は。

反応室ｌ内の圧力に大きくは依存しなくなるため。

結晶成長時における圧力設定の自由度が大きくなる。た
だし９反応室ｌ内における成長原料ガス８の流速を高め
、成長原料ガス８の切り替えるをより高速にするために
は、０．１気圧（７６０Ｔｏｒｒ）程度とするのが好ま
しい。

反応室１の寸法を上記の通りとし、導入する成長原料ガ
ス８の総流量を毎分５リツトルとしたときの成長原料ガ
ス８の流線および流速分布、ならびに、成長原料ガスの
濃度分布をを、第３図および第４図に示す。これらの図
は、流体の運動を記述するナヴイエ・ストークス方程式
や連続方程式。

および、希薄ガスの拡散方程式を有限要素法によって解
いたシミュレーション結果である。第３図（ａ）は流線
を、同図（ｂ）は流速分布を、また、第４図は１反応室
ｌへの成長原料ガス８の導入を停止し。

キャリヤガスである水素のみをパージガスとして導入し
続けたときに残留する成長原料ガスの濃度分布の経時変
化を示し、同図（ａｌは成長原料ガスの導入停止直後（
ｔ＝Ｏｓｅｃ）、同図（ｂ）は導入停止０．２秒後（ｔ
＝０．２ｓｅｃ）　、同図（ｅ）は導入停止０．４秒後
（ｔ＝０．４ｓｅｃ）の様子である。第４図における曲
線は等濃度線であり、成長原料ガス８の初期濃度を１と
したときの濃度分布を０．１きざみで示している。なお
。

上記のような流速分布や濃度分布を実際のガスについて
測定することは困難である。

第３図から９反応室ｌ内に渦流による成長原料ガス８の
滞留の発生がなく、また、第４図から。

反応室１への成長原料ガス８の導入停止してから０．４
秒後には、ガス導入口２から基板７にかけての全領域に
残留する成長原料ガスの濃度（Ｃ）が初期濃度Ｃ０の１
％以下となることが示されている。

これらから、上記本発明の気相成長装置においては、き
わめて高速で成長原料ガスの切り替えが可能となること
が分かる。

第４図を補足的に説明すると、結晶成長時には。

基板７表面で成長原料ガス８が消費されるために。

基板７に近づくほど濃度＜Ｃ＞は低くなり、基板７表面
ではＣ＝０となる。一方、ガス導入口２における濃度（
Ｃ）は、ｔ＝０においてはＣ”Ｃ＠、ガス導入停止直後
以降はＣ：０である。同図（ａ）ないしくＣ）には、　
１＝０において排気口３近傍まで拡がっている高濃度領
域が、ガス導入停止後の時間の経過とともに。

パージガスによって押し流される様子が示されている。

第２図に示す本発明の気相成長装置を用いて。

例えばＩｎＧａＡｓとＩｎＰから成る量子井戸構造を構
成する半導体成長の工程を、第５図を参照して説明する
。

例えばＨ２をキャリヤガスとするＰＨ３雰囲気とされた
反応室ｌ内でＩｎＰ結晶から成る基板７を６００℃に加
熱し、ガス導入口２を通じて、　　Ｉｎの原料ガスであ
るトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を導入してＩｎＰ結
晶を成長させる。ＩｎＰ結晶が所定厚さに達した時点で
、ＴＭＩの導入を停止し、　ＩｎＰ結晶の成長を止める
。ＴＭＩの導入停止してから時間ｔ、経過後にＰＨ，の
導入を停止し、同時にＩｎＧａＡｓのＶ族元素の原料ガ
スであるＡｓＨｓを導入する。ＡｓＨ，を導入開始して
から時間ｔ２経過後に、　ＩｎＧａＡｓの■族元素の原
料ガスであるＴＭＩとトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を
導入する。これにより基板７上に成長したＩｎＰ結晶上
にＩｎＧａＡｓ結晶が成長する。なお１通常、ＩｎＰ結
晶成長用のＴＭＩとＩｎＧａＡｓ結晶成長用のＴＭＩと
は、流量が異なり９個別に制御されるために、第５図に
おいても別々に示しである。

ＩｎＧａＡ３結晶が所定厚さに達した時点で、　ＴＥＧ
の導入を停止し、　ＩｎＧａＡｓ結晶の成長を止める。

ＴＥＧの導入を停止してから時間ｊｓ経過後にＡｓＨｓ
の導入を停止し、同時にＰＨ，を導入する。ＰＨ，を導
入開始してから時間ｔ４経過後に、ＩｎＰ結晶成長用の
ＴＭＩを導入する。これにより、基板７上のＩｎＧａＡ
ｓ結晶上にＩｎＰ結晶が成長する。所定厚さのＩｎＰ結
晶が成長したのち、ＴＭＩの導入を停止する。なお、こ
のＩｎＰ結晶上にさらにＩｎＧａＡｓ結晶を成長させる
場合には、ＴＭＩを導入してから時間ｔ１経過後にｐｔ
＋ａの導入を停止し、同時にＡｓＨｓの導入を開始す等
、上記の手順を繰り返して行う。

上記のようにして、　ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰヘテロ界面
から成る量子井戸構造が形成される。

上記の工程において、　ＩｎＧａＡｓ結晶を成長させる
前にＩｎＰ結晶表面がＡｓＨｓに曝される時間ｔ、およ
びＩｎＰ結晶を成長させる前にＩｎＧａＡｓ結晶表面が
ＰＨ。

に曝される時間ｔ４をできるだけ短縮する必要がある。

これは、前述のように、　ＩｎＰ結晶表面がＡｓＨｆに
曝された場合、また、　ＩｎＧａＡｓ結晶表面がＰＨｓ
に曝された場合には、結晶表面のＰまたはＡｓと気相中
のＡｓまたはＰとの熱的な置換が行われ、結晶表面が損
傷を受けるためである。、二の損傷の実体は現在のとこ
ろ確かめられていないか、上記のような置換の結果生じ
たなんらかの応力歪による結晶欠陥であると考えられる
。このような損傷の影響は、結晶の表面欠陥や、後述す
るように、フォトルミネッセンスのスペクトル幅に現れ
る。

上記の時間ｔ、およびｔ４は、直前の結晶成長における
Ｖ鉄属料ガスを排出するための期間であり。

上記のような損傷を避けるためには、できるだけ短縮す
る必要がある。従来の気相成長装置において、これらの
時間を短くした場合には、直前の結晶成長に用いられた
原料ガスが残留し、気相中には９例えばＰＨｓとＡｓＨ
ｓが混在する期間が生じ、その結果、　ＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＰヘテロ界面近傍にＩｎＧａＡｓＰ混晶から成る遷
移層が形成されてしまう。すなわち。

急峻なヘテロ界面が得られない。なお、第６図に示した
従来の気相成長装置において残留ガスの影響かないよう
にするための最適時間ｔ２およびｔ４は。

１〜２秒程度である。

本発明のＭＯＶＰＥ装置においては、第４図に示したよ
うに、成長原料ガスの切り替え後０．４秒程度で、直前
の原料ガスが基板表面から排気口側に押しやられてしま
うので、その後ただちに結晶成長を開始させることがで
きる。したがって、結晶表面における上記のような損傷
は可及的少なくしつつ、急峻なヘテロ界面が形成可能と
なる。

本発明の気相成長装置により上記時間ｔ、およびｔ４を
０．２〜０．５秒の間で設定して形成された厚さ１０ｎ
ｆｆｌのＩｎＧａＡｓ量子井戸を有するｌｎＰ／　Ｉｎ
ＧａＡｓＰ　ｒｎＰ構造のフォトルミネッセンスを４．
２にで測定したところ、その発光スペクトルの全半値幅
は約４　ｍｅＶであった。これに対して、上記従来の気
相成長装置において時間ｔ、およびｔ４を１〜２秒に設
定して形成された同様のＩｎＧａＡｓ量子井戸構造のフ
ォトルミネッセンススペクトルの全半値幅は約５　ｍｅ
Ｖと若干ブロードであった。これは、ヘテロ界面に前記
のような欠陥が生じたためである。

なお、上記本発明のＭＯＶＰＥ装置は結晶の成長のみな
らず非結晶半導体の成長や絶縁層の形成にも適用できる
ことは言うまでもない。

〔発明の効果〕

上記のように９本発明によれば、化合物半導体から成る
ヘテロ界面を急峻かつ界面における結晶表面の損傷を可
及的少なく形成可能とし、量子井戸構造を利用して成る
半導体レーザやＨＥＭＴ等の素子の性能向上および開発
促進を可能とする効果がある。さらに、これら素子の製
造にＭＯＶＰＥ法のような気相成長法を適用可能とし、
また、成長原料ガスの急速な切り替えにより製造工程が
効率化され、その結果、量産性の向上ならびにコスト低
減を可能とする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図。 第２図は本発明のＭＯＶＰＥ装置の実施例説明図。 第３図は本発明のＭＯＶＰＥ装置における成長原料ガス
の流れの解析データ。 第４図は本発明のＭＯＶＰＥ装置における成長原料ガス
の濃度分布。 第５図は本発明のＭＯＶＰＥ装置によりＩｎＧａＡｓ／
　ＩｎＰヘテロ界面を形成する際の成長原料ガス導入タ
イミングチャート。 第６図ないし第８図は従来のＭＯＶＰＥ装置における問
題点説明図 である。 図において。 ｌは反応室、　　２はガス導入口。 ３は排気口、　　４は基板支持体。 ５は回転軸、　　６は高周波コイル。 ７は基板、　　８は成長原料ガス。 ８□と８２は渦流、　　９は回転円板。 １０は回転軸、　　１１は加熱手段。 １２は封止手段、１４は蓋部 である。 づ ／ｆ者明の厚理１兎明図 第　１　図 ＜ａ） 第　３　図 導入停Ｌｆｉｔ　’）　Ｊ　ｌ！Ｊ、　ａ　４　／）Ｍ
−ａｌ　を化第　４　図 第　　５　　図 づ（来１１）Ｍ０ＶＰＥ麗イ【にあけ５問題点説明図（
でｔｙ＞７）第　６　　図 イ尤釆のｌ’／ｌ０ＶＰＥ衰Ｌｌ二♂（す５闇題声、言
楚朗図（ぞの２）第　　７　　図

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）上下の内壁が互いに水平且つ平行に設けられて成
   る反応室と、 基板を、その成長面を下方に向けて該反応室内中央に支
   持する基板支持手段と、 該基板の成長面に対向し且つ該反応室の下方から鉛直方
   向上方に成長原料ガスを導入するように設けられたガス
   導入口と、 該反応室内に導入された前記成長原料ガスを該基板表面
   に対して平行な方向に排出するために設けられた排気口 とを備えたことを特徴とする半導体成長装置。
2. （２）前記反応室の前記上下の内壁間の最大距離は該ガ
   ス導入口の口径以下であることを特徴とする請求項１記
   載の半導体成長装置。
3. （３）前記排気口は所定の間隔を以て複数設けられてい
   ることを特徴とする請求項１記載の半導体成長装置。
4. （４）前記基板を前記上下の内壁に平行に回転させる手
   段を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体成長
   装置。
5. （５）前記基板の回転手段を含む前記反応室の外壁を覆
   う蓋部と、 該蓋部内に前記基板の成長に寄与しないガスを導入する
   手段と、 該ガスを排出する手段 とを備えたことを特徴とする請求項４記載の半導体成長
   装置。
6. （６）前記基板を背面から加熱するための加熱手段を備
   えたことを特徴とする請求項１記載の半導体成長装置。
7. （７）前記ガス導入口近傍における前記反応室の壁面を
   冷却する手段を備えたことを特徴とする請求項１または
   ６記載の半導体成長装置。