JPH04156533A - 放射線画像消去方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は蓄積性蛍光体シートに蓄積記録された放射線画
像を励起光照射により読み取った後、該蓄積性蛍光体シ
ートに消去光を照射して残留画像を消去する方法および
装置、特に、式ＬｎＯＸ：ｘＣｅ　（ただし、Ｌｎは、
ＹＳＬａ、ＧｄおよびＬｕからなる群より選ばれる少な
くとも一種の希土類元素であり、ＸはＣ１、Ｂｒおよび
１からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンで
あり、Ｘは０くＸ≦０．２の範囲の数値である）で表わ
されるセリウム付活希土類オキシハロゲン化物蛍光体を
蛍光体層とした蓄積性蛍光体ンー、トに蓄積記録された
放射線画像を励起光照射により読み取った後、該蓄積性
蛍光体シートに消去光を照射して残留画像を消去する方
法および装置に関するものである。

（従来の技術） ある種の蛍光体に放射線（Ｘ線、ａ線、β線。

γ線、紫外線、電子線等）を照射すると、この放射線の
エネルギーの一部がその蛍光体中に蓄積され、その後そ
の蛍光体に可視光等の励起光を照射すると、蓄積された
エネルギーに応じて蛍光体か輝尽発光を示す。このよう
な性質を示す蛍光体を蓄積性蛍光体と言う。

この蓄積性蛍光体を利用して、人体等の放射線画像情報
を一旦蓄積性蛍光体のシートに記録し５、これを励起光
で走査して輝尽発光させ、この輝尽発光を光電的に読み
出して画像信号を得、この画像信号を処理して診断適性
の良い画像を得る方法が提案されている。（例えば特開
昭５５−１２４２９号。

同５Ｂ−１１３９５号、同５５−１６３４７２号、同５
６−１０４６４５号。

同５５−０６３４０号公報など）この方法においては、
励起光と輝尽発光光の波長域を分離し、きわめて微弱な
輝尽発光光を効率良く検出するために、６００〜７００
ｎｍの波長域の励起光により３００〜５００ｎｍの輝尽
発光光を検出することか好ましく、蓄積性蛍光体として
も６００〜７００ｎｌＩの光で励起すると３００〜５０
０ｎｍの輝尽発光光を発するものか好ましいとされてい
る。（特開昭５５−１２４．２９号）二の最終的な画像
はハードコピーとして再生したものでもよいし、ＣＲＴ
上に再生したものでもよい。

このような放射線画像記録再生方法においては、蓄積性
蛍光体シート（これは厳密にはパネル状のものあるいは
ドラム状のもの等、種々の形態を取ることかできるが、
総称して「シート」と言うこととする。）は、繰返し使
用することか経済的である。

読出し時に、十分な強度の励起光を照射すれば記録され
ていた放射線画像情報に起因する蓄積放射線エネルギー
は消滅するはずであるが、実際には読出し時に照射する
励起光のみでは完全な消去はできない。したがって、蓄
積性蛍光体シートを繰返し使用するときは前回の撮影像
が残って次回の撮影像のノイズとなるという問題がある
。

他方、蓄積性蛍光体中に２２５　Ｒａや４０に等の放射
性同位元素が微量混入しているため、これらの放射性同
位元素から放射される放射線によって、蓄積性蛍光体シ
ートは放置しておいても放射線エネルギーを蓄積し、こ
れもノイズの原因となる。さらに宇宙線や環境中の放射
性同位体からの放射線等の環境放射線によってもエネル
ギーか蓄積される。これらの放置間に蓄積される放射線
エネルギー（以下これを「カブリ」という）もまた次回
の撮影像に対してノイズとなるものであるから、このカ
ブリも撮影前には消去しなければならない。

本出願人は、かかるシステムにおける前回の撮影像に起
因するノイズおよびカブリに起因するノイズの発生を防
止するために、蓄積性蛍光体シートに放射線画像情報を
記録する前に、該蛍光体の励起光波長領域の光を含む波
長の光で蓄積性蛍光体シートを励起せしめて、蓄積され
た放射線エネルギーを十分に放出させる方法を提案した
。

この消去方法としては、可視光乃至赤外線を放射するタ
ングステンランプ、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
比較的長い波長の光源を使ったもの（特開昭５６−Ｊ、
１３９２号）、蛍光灯、レーザ光源。

Ｎａランプ、Ｎｅランプ、メタルハライドランプ。

Ｘｅランプ等の比較的短い４００〜６００ｎｍ程度の波
長の光源を使ったもの（特開昭５８−８３８３９号）、
１回消去をした蓄積性蛍光体シートに、１回目の消去に
比してその１７５〜３／１００００の照射量で２回目の
消去を蓄積性蛍光体シートの再使用直前に行なうもの（
特開昭５７−１１８３００号）等が知られている。そし
て、特に可視光領域での消去が効率がよいとされている
。

一方、式ＬｎＯＸ：ｘＣｅ　（ただし、Ｌｎは、Ｙ　Ｓ
Ｌ　ａ　ＳＧ　ｄおよびＬｕからなる群より選ばれる少
なくとも一種の希土類元素であり、ＸはＣＩ、Ｂｒおよ
び１からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲン
であり、Ｘは０くＸ≦０，２の範囲の数値である）で表
わされるセリウム付活希土類オキシハロゲン化物蛍光体
は、Ｘ線などの放射線を照射すると３８０〜４４Ｏｎｍ
付近に発光極大を有する青色発光（瞬時発光）を示すの
で、放射線増感スクリーン（放射線増感紙）用の蛍光体
として使用することかできることが知られている。近年
になって、このセリウム付活希土類オキシハロゲン化物
蛍光体は、Ｘ線などの放射線を照射した後４５０〜９０
０ｎｍの波長領域の電磁波で励起すると青色発光を示す
こと、すなわち該蛍光体は輝尽発光光を示すことが見出
されており、したがって、前述のような蛍光体の輝尽性
を利用する放射線像変換方法に用いられる前記蓄積性蛍
光体シート用の蛍光体としても非常に注目されている。

（特公昭５９−４４３３９号公報参照） 蓄積性蛍光体シートが医療診断を目的とするＸ線写真撮
影などの放射線写真撮影に使用される場合には、人体の
被曝線量を軽減させ、あるいはその後の画像処理を容易
にする必要から、シートの感度はできるたけ高いことが
望まれる。したがって、蓄積性蛍光体シートに用いられ
る蛍光体はその輝尽発光の輝度か高いことが望ましい。

上記セリウム付活希土類オキシハロゲン化物蛍光体の輝
尽発光輝度を向上させることを目的として、該蛍光体を
製造するに際して、蛍光体原料混合物あるいはその熱処
理物に、テトラフルオロホウ酸化合物、ヘキサフルオロ
ケイ酸化合物あるいは金属フッ化物などを添加すること
が提案されている。（特開昭６０−９０２８８号公報、
特開昭６０−１０１１７８号公報、特開昭［１ｉ０−１
．０１１７９号公報参照）また、上記組成式で表わされ
る蛍光体のうち特に、Ｌｎ−ＧｄＳＸ−ＣＩである蛍光
体：Ｃｄ０Ｃ１：　ｘＣｅ （ただし、Ｘは０≦Ｘ≦０．２の範囲の数値である） は、他のセリウム付活希土類オキシハロゲン化物蛍光体
に比べてＸ線吸収量が多い上に輝度の高い輝尽発光を示
す。（特開平１−９５１８３号公報参照）また、本出願
人は、輝尽発光輝度の高いセリウム付活希土類オキシハ
ロゲン化物蛍光体を製造することができる蛍光体の製造
法として、高圧下で焼成することを特徴とする蛍光体の
製造法についてもすでに出願している。（特願昭１１ｉ
３−５８５１号）ところで、上記したセリウム付活希土
類オキシハロゲン化物蛍光体は、式（１）に示したよう
な希土類元素Ｌｎと酸素ＯとハロゲンＸとが構成するＬ
ｎＯＸというＰｂＦＣ１型の結晶構造を持つ母体結晶に
セリウムが付活されたものであるが、上記の式（Ｉ）に
おけるＬｎＯＸという表記は希土類元素Ｌｎの酸素Ｏと
ハロゲンＸがＰｂＦＣｌ型の結晶構造を持つ母体結晶を
構成していることを示すものであり、これら３つの元素
が常に１：１：１の原子比で蛍光体中に含有されている
ことを示しているものではない。

上記（Ｉ）で表わされるセリウム付活希土類オキシハロ
ゲン化物蛍光体のうち、特に、前記Ｌｎと前記Ｘとの比
率Ｘ　／　Ｌ　ｎが原子比で、０．５００＜Ｘ／Ｌｎ≦
０．９９８であり、かっ輝尽励起スペクトルの極大波長
λが、５５０ｎｍ　＜λ＜　７００ｎｉで、しかも３５
０ｒ＋ｍから４５０ｎｍの波長領域で輝尽発光を示すセ
リウム付活希土類オキシハロゲン化物蛍光体は、輝尽励
起スペクトルの極大波長が長波長側にあり、輝尽励起光
光源として用いられているＨｅ−Ｎｅレーザの半導体レ
ーザの発振波長と合致しているため、これらから発せら
れる励起光を充分吸収することができ、高い輝尽発光輝
度を示すことを本願出願人は見出した。この知見に基づ
き、本願出願人は上記の蛍光体および上記の蛍光体を用
いた放射線像変換方法、放射線像変換バネルをすでに特
許出願している。（特願平１−１．４３６４４号）。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記セリウム付活希土類オキシハロゲン
化物蛍光体を蛍光体層とした蓄積性蛍光体シートに蓄積
記録された画像の消去に際して、ＵＶ領域の波長成分を
含まず、可視域以上の波長成分を含む消去光で消去を行
なうと、その消去光の中の可視光成分により蛍光体にカ
ブリが生じ、このカブリが消去後に残ってしまうという
問題がある。

また、可視光以外にＵＶ領域の波長を多く含む消去光で
消去を行なうと、ＵＶ領域の波長の消去光自身で新たな
トラップ電子を形成してしまい、完全な残留画像の消去
を行なうことができないという問題がある。

したがって、式 ％式％： （ただし、Ｌｎは、Ｙ　ｓ　Ｌ　ａ　ＳＧ　ｄおよびＬ
ｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素
であり、ＸはＣｌ　−、Ｂ　ｒおよびＩからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ｘは０くＸ
≦０．２の範囲の数値である）で表わされるセリウム付
活希土類オキシノ１０ゲン化物蛍光体を蛍光体層とした
蓄積性蛍光体シートに蓄積記録された放射線画像を、励
起光照射により読み取った後、消去光を照射して消去す
る際、カブリを生ずることなく、シかも通常のトラップ
および深いトラップによる画像を同時に消去し、効率の
よい完全な消去を行なうことは非常に難しい。

そこで本発明は、前記式ＬｎＯＸ：ｘＣｅで表わされる
セリウム例活希土類オキシノ１０ゲン化物蛍光体を蛍光
体層とした蓄積性蛍光体シートに蓄積記録された放射線
画像を、カブリを生ずることなく効率よく完全に消去す
る残留画像の消去方法および装置を提供することを目的
とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明による消去方法は、放射線画像を蓄積記録した、
上記セリウム付活希土類オキシハロゲン化物蛍光体を蛍
光体層とした蓄積性蛍光体シートに、ＵＶ領域の波長成
分を含まず、可視域以上の波長成分を含む第１の消去光
で消去を行なった後、前記第１の消去光の短波長側をカ
ットした第２の消去光で消去することを特徴とするもの
である。

また、本発明による消去装置は、ＵＶ領域の波長成分を
含まず可視域以上の波長成分を含む第１の消去光を発光
する第１の消去光源と、前記第１の消去光の短波長側を
カットした第２の消去光を発光する第２の消去光源と、
放射線画像の読取りの終了した蓄積性蛍光体シートに、
前記第１の消去光を照射した後、前記第２の消去光を照
射するよう前記２つの消去光源を制御する制御手段とか
らなることを特徴とするものである。

ここで、ＵＶ領域の波長成分を含まず、可視域以上の波
長成分を含む第１の消去光というのは、約４０００脂以
上の波長成分からなる光で、必ずしも光源単独でその波
長領域を得なくても、シャープカットフィルタ等との組
合せで得たものも含むものとする。

また、前記第１の消去光の短波長側をカットした第２の
消去光というのは、第１の消去光の波長成分のうち約８
００ｎｍ　　（あるいはときには６５０ｎｍ〜７００ｎ
ｓ程度）の波長より短い波長成分をカットした光で、こ
れも、必ずしも光源単独でその波長領域を得なくても、
シャープカットフィルタ等との組合せで得たものも含む
ものとする。

なお、本発明の方法においては、第１の消去光で消去し
、次いで第２の消去光で消去した後、さらに第２の消去
光より下限波長の長い波長成分の第３、あるいはさらに
下限波長の長い波長成分の第４、第５等の消去光により
消去するようにしていもよい。

（作用および効果） 本発明による残留画像の消去方法および装置は、上記セ
リウム付活希土類オキシハロゲン化物蛍光体を蛍光体層
とした蓄積性蛍光体シートに、ＵＶ領域の波長成分を含
まず、可視域以上の波長成分を含む第１の消去光で消去
を行なうことにより、先ず全体的に効率よく消去を行な
うことができる。

すなわち、このセリウム付活希土類オキシハロゲン化物
蛍光体は、可視光以外にＵＶ領域の波長を多く含む消去
光で消去を行なうと、ＵＶ領域の波長の消去光自身で新
たなトラップ電子を形成してしまうので、このようにＵ
Ｖ領域の波長成分を含まず、可視域以上の波長成分を含
む消去光で消去することにより、新たなトラップ電子を
形成することなく、有効に消去することができる。

しかしこのとき、その消去光の中の可視光成分により蛍
光体にカブリか生じ、このカブリが消去後に残ってしま
うので、これを前記第１の消去光の短波長側をカットし
た第２の消去光で消去することにより、消去することが
できる。カブリは、浅いトラップの電子を放出させるこ
とにより消去することかできるので、この長い波長成分
からなる第２の消去光によっても十分消去することがで
きる。

（実　施　例） 以下、図面により本発明の実施例を詳細に説明する。

第１図は本発明の方法を実施する装置の一例を示すもの
で、読取りの終了した蓄積性蛍光体シート２が搬送ベル
ト４により第１の消去光源１０の下に送り込まれる。こ
こで蓄積性蛍光体シート２はエンドレスベルト６により
矢印の方向に搬送されつつ、第１の消去光源１０による
消去が終ると第２の消去光源１２の下に送られる。ここ
で蓄積性蛍光体シート２はエンドレスベルト８によりさ
らに矢印の方向に搬送されつつ、第２の消去光源１２に
よる消去が行なわれる。

第１の消去光源１０としては、ＵＶ領域の波長成分を含
む消去光を発光するランプＩＯＡが使用される。その例
としては、各種の蛍光ランプ、水銀ランプ、メタルハラ
イドランプ、ハロゲンランプ等がシャープカットフィル
タ１３と組み合わせることにより使用される。効率のよ
い消去を行なうためには、この第１の消去光源に可視光
を多く含むものを使う方が望ましく、そのためには、上
記ランプに高圧あるいは低圧ナトリウムランプの組合せ
を使用してもよい。

蛍光灯には各種のものがあり、白色（Ｗ）、温白色（Ｗ
Ｗ）、昼光色（Ｄ）１白熱型球色、高演色形白色（Ｗ−
ＤＬ）、　　（Ｗ−ＳＤＬ）、　　（Ｗ−ＥＤＬ）等の
通常の蛍光灯の他、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、高演色性白色
（ＬＣＤ）等の冷陰極蛍光灯があるが、いずれも約３０
０ｎｉから７５０ｎｍに亘る広いバンドスペクトルを有
しており、特に８００ｎ＋ｇを中心として幅の広い高い
発光分布を有し、さらに通常の蛍光灯は４５ｏｎｍ付近
と５５０ｎｍ付近に高い輝度のラインスペクトルを有し
、これに約４００ｎｍ以下の短波長をカットするシャー
プカットフィルタ１４を組み合わせて使用することによ
り、また、ＵＶ領域およびこれより短波長の成分の光を
発光しないもの（例えば低圧ナトリウムランプ）はその
まま使用することにより、第１の消去光源１ｏとして使
用することができる。

カットフィルタ１３としては、約４２０ｎｍ以上の光の
み透過する（株）ＨＯＹＡのシャープカットフィルタ“
Ｌ−４２”等が好適なものとして使用することができる
。また、約８９０ｎｍから４１ｏｎ−を境にして、これ
より長い波長の光のみを透過する“Ｌ−４０”等も使用
することができる。

また、水銀ランプは３５０ｎｓから［ｉ１００ｎ付近に
かけて数本の高い輝度のラインスペクトルを有するので
、これにもシャープカットフィルタ１３を組み合わせる
ことにより第１の消去光源として使うことができる。

なお、高圧ナトリウムランプは５００〜７０００ｍにか
けて広いバンドスペクトルを有し、ＵＶ領域の光は比較
的少ないので第１の消去光源として適している。

また、低圧ナトリウムランプは５ｇ０ｎｍ付近に高い輝
度のラインスペクトルを有し、ＵＶ領域の光は比較的少
ないので、これも第１の消去光源として使うことができ
る。

第２の消去光源１２としては、上記第１の消去光源とし
て使用可能な全てのランプが、約８００ｎｗ以下の短波
長をカットするシャープカットフィルタ１４を組み合わ
せることにより使用することができる。

この第２の消去光を得るためのカットフィルタ１４とし
ては、約８２０ｎａ以上の光のみ透過する（株）ＨＯＹ
Ａのシャープカットフィルタ“Ｒ−６２”等が好適なも
のとして使用することができる。

第２消去光源の発光分布の中に、約６００ｎｍ以下の波
長の成分がなければ、新たなトラップ電子を形成するこ
とも、カブリを生ずることもないので、本発明の所期の
目的を達成することができる。

（実　施　例） 上記各種構成の例のうち、第１消去光源１０として、１
５０　Ｗのハロゲンランプにカットフィルタ（Ｌ　−４
２）を組み合わせたものを採用し、第２消去光源１２と
してハロゲンランプにカットフィルタ（Ｒ−８２）を組
み合わせたものを採用して、消去したところ、第３図に
示すように、第１消去光源１０のみの場合は残留画像に
よる発光レベル（未消去の画像の発光レベルに対する比
率）か３ｘ１ｏ−’であり、第２消去光源１２のみの場
合は残留画像による発光レベルが２Ｘ１０−４であった
のが、第１消去光源１０で消去したのち第２消去光源で
消去したところ、残留画像の発光レベルは３×１０°５
にまで低下した。

すなわち、従来の消去方法の１種である、第１消去光源
あるいは第２消去光源のみによる消去に比べて、本発明
により第１消去光源の後に第２消去光源を使って消去し
た場合は、残留画像のレベルが約７分の１から１０分の
１にまで低下した。

なお、このとき、前記セリウム付活希土類オキシハロゲ
ン化物蛍光体を蛍光体層とした蓄積性蛍光体シートとし
ては、セリウム付活ガドリニウムオキシクロライド蛍光
体を蛍光体層とした蓄積性蛍光体シートを使用した。

この、セリウム付活ガドリニウムオキシクロライド蛍光
体は、次のようにして製造した。

酸化ガドリニウム（Ｇ　ｄｚ　０３　）　］、、４５ｇ
　（０，４モル）、塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃ１）　
５］、、４ｇ（１モル）および塩化セリウム（ＣｅＣ１
３・７Ｈｚ　Ｏ）　０．２９９ｇ　（０，８ＸＩＤ’モ
ル）を、乾式混合した。

次に、得られた蛍光体原料混合物をアルミナルツボに充
填し、これを電気炉に入れて焼成を行なった。焼成は、
−酸化炭素の弱還元性雰囲気中で５００℃の温度で３時
間かけて行なった。

得られた熱処理物を冷却後、メタノール１００１中に分
散させ、３０分間撹拌して洗浄した。口過後、１５０℃
で３時間乾燥した。再びアルミナルツボに充填し、電気
炉に入れて本焼成を行なった。本焼成は、−酸化炭素の
弱還元性雰囲気中で１１００℃の温度で２時間かけて行
なった。

焼成か完了した後、焼成物を炉外に取り出して冷却し、
はぐした後、メタノールで洗浄した。

このようにして、粉末状のセリウム付活ガドリニウムオ
キシクロライド蛍光体（ＧｄＯＣｌ：１０’　Ｃｅ　”
）を得た。

そして、そのセリウム付活希土類オキシハロゲン化物蛍
光体を蛍光体層とした蓄積性蛍光体シートの輝尽発光量
は、次のようにして測定した。

すなわち、測定は、管電圧４０ＫＶｐのＸ線を照射した
後、５分後にＨｅ−Ｎｅレーザ光（６３３ｎｗ）で励起
し、放射される輝尽発光光をフィルタを通して受光器（
分光感度Ｓ−５の光電子増倍管：電圧６００　Ｖ）で受
光することにより行なった。

なお、前述の第１図により説明した実施例では、第１の
消去光源１０と第２の消去光源１２を直列に並べて蓄積
性蛍光体シート２を第１の消去光源１０で消去した後、
蓄積性蛍光体シート２を第２の消去光源１２の下へ移動
させて第２の消去光源１２で消去しているが、これは、
第１の消去光源１０と第２の消去光源１２を混在させた
光源を用意し、この下に蓄積性蛍光体シート１を置いた
まま最初に第１の消去光源１０のみ点灯し、次に第２の
消去光源１２のみ点灯するようにしてもよいことは勿論
である。

また、第２図に示すように、約４００ｒ＋ａ＋より長く
約ＢＯＯｎ１１より短い波長成分と、約６００ｎｍより
長い波長成分の両方を含むランプ１６の下に、約６００
ｎｍ以下の波長成分をカットするカットフィルタ１８を
出入自在に設け、最初カットフィルタ１８を外した状態
でランプ１６を点灯し、次いでカットフィルタ１８をラ
ンプ１６の下に移動した後、再びランプ１６を点灯する
ようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の消去方法を実施する装置の一例を示す
側面図、 第２図は他側を示す側面図、 第３図は本発明の消去方法により消去したときの蓄積性
蛍光体シートの残留画像から発光される輝尽発光光の発
光レベルを示すグラフである。 ２・・・蓄積性蛍光体シート ４．６．８・・・エンドレスベル １０・・・第１の消去光源　　　１２・・・第２の消去
光源１．４　、１３　、１．８・・・カットフィルタ第
１図 第２図 １武 １日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）放射線画像を蓄積記録した、式 ＬｎＯＸ：ｘＣｅ （ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群
   より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、Ｘは
   Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも
   一種のハロゲンであり、ｘは０＜Ｘ≦０．２の範囲の数
   値である）で表わされるセリウム付活希土類オキシハロ
   ゲン化物蛍光体を蛍光体層とした蓄積性蛍光体シートか
   ら、励起光照射により放射線画像を読み取った後、前記
   シートに消去光を照射して残留画像を消去する方法にお
   いて、ＵＶ領域の波長成分を含まず、可視域以上の波長
   成分を含む第１の消去光で消去を行なった後、前記第１
   の消去光の短波長側をカットした第２の消去光で消去す
   ることを特徴とする放射線画像消去方法。 ２）　ＵＶ領域の波長成分を含まず、可視域以上の波長
   成分を含む第１の消去光を発光する第１の消去光源と、
   前記第１の消去光の短波長側をカットした第２の消去光
   を発光する第２の消去光源と、放射線画像の読取りの終
   了した蓄積性蛍光体シートに、前記第１の消去光を照射
   した後、前記第２の消去光を照射するよう前記２つの消
   去光源を制御する制御手段とからなる、式 ＬｎＯＸ：ｘＣｅ （ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群
   より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、Ｘは
   Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも
   一種のハロゲンであり、ｘは０＜Ｘ≦０．２の範囲の数
   値である）で表わされるセリウム付活希土類オキシハロ
   ゲン化物蛍光体を蛍光体層とした蓄積性蛍光体シート用
   放射線画像消去装置。