JPH04157184A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH04157184A JPH04157184A JP27967190A JP27967190A JPH04157184A JP H04157184 A JPH04157184 A JP H04157184A JP 27967190 A JP27967190 A JP 27967190A JP 27967190 A JP27967190 A JP 27967190A JP H04157184 A JPH04157184 A JP H04157184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- specific gravity
- concentration
- ferrous chloride
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装用リードフレームの製造時のエツチン
グ方法に間する。
グ方法に間する。
（従来の技術）
半導体装用リードフレームは、一般に、４２７０イ等の
鉄系合金を基板として用いるものであり、この基板の表
面にレジストを塗布し、その上に所定のマスクを密着さ
せ、露光し、マスクを除去した後に現像し、次いでエツ
チングすることによって作成されている。
鉄系合金を基板として用いるものであり、この基板の表
面にレジストを塗布し、その上に所定のマスクを密着さ
せ、露光し、マスクを除去した後に現像し、次いでエツ
チングすることによって作成されている。
このエツチング工程では、従来よりＪＩＳ Ｋ１４４
７に規定されている塩化第二鉄溶液が準用されている。
７に規定されている塩化第二鉄溶液が準用されている。
ＪＩＳ Ｋ １４４７の規格は、工業薬品としての
塩化第二鉄とその組成分析法を規定したものであり、そ
れぞれ組成に応じて１種、２種、３種と区分されている
。１種とは、比重す）が１．３８４以上、塩化第二鉄３
７％以上、塩化第二鉄０．３０％以下、遊Ｊｌ＃（ＭＣ
Ｉ）０．５０以下のものを指し、２種とは、比重１．４
５３以上、塩化第二鉄４１％以上、塩化第一鉄０．２５
％以下、遊離酸（ＨＣ１） ０．２５％以下のものを指
し、３種とは、比重１．４９８以上、塩化第二鉄４４％
以上、塩化第一鉄０．２０以下、遊離酸（ＨＣＩ）０．
２５％以下のものを指す。
塩化第二鉄とその組成分析法を規定したものであり、そ
れぞれ組成に応じて１種、２種、３種と区分されている
。１種とは、比重す）が１．３８４以上、塩化第二鉄３
７％以上、塩化第二鉄０．３０％以下、遊Ｊｌ＃（ＭＣ
Ｉ）０．５０以下のものを指し、２種とは、比重１．４
５３以上、塩化第二鉄４１％以上、塩化第一鉄０．２５
％以下、遊離酸（ＨＣ１） ０．２５％以下のものを指
し、３種とは、比重１．４９８以上、塩化第二鉄４４％
以上、塩化第一鉄０．２０以下、遊離酸（ＨＣＩ）０．
２５％以下のものを指す。
鉄系合金のエツチングに使用される塩化第二鉄溶液は、
これに準じたものであり、エツチング速度、冬季の氷結
防止、そして取扱い易さという観点から一般に液温５０
℃での比重が１．４３２〜１．４６１の範囲のものが使
用されている。
これに準じたものであり、エツチング速度、冬季の氷結
防止、そして取扱い易さという観点から一般に液温５０
℃での比重が１．４３２〜１．４６１の範囲のものが使
用されている。
（発明が解決しようとする課題）
近年の半導体チップの高集積化及び多用化の要求は目ざ
ましく、リードフレームにおいても常に一層の多ビン化
や小型化が求められている。一般にリードの幅はボンデ
ィングワイヤの直径の約３倍が必要とされ、その結果、
少なくとも１００μｍ程度が必要とされている。よって
、−層の多ピン化を図るためにはリード間の間隔を狭め
ることが必要となり、具体的にはリードフレーム先端部
のリード間の間隔を２００μｍ以内にすることが求めら
れている。
ましく、リードフレームにおいても常に一層の多ビン化
や小型化が求められている。一般にリードの幅はボンデ
ィングワイヤの直径の約３倍が必要とされ、その結果、
少なくとも１００μｍ程度が必要とされている。よって
、−層の多ピン化を図るためにはリード間の間隔を狭め
ることが必要となり、具体的にはリードフレーム先端部
のリード間の間隔を２００μｍ以内にすることが求めら
れている。
しかし、ごく一般に使用される厚さ１５０μｍの４２７
０イを基板として用いた場合、従来のエツチング方法を
用いてリードフレーム先端部のリード間の間隔を２００
μｍ以内に加工するという要求を満足することはできな
い。その理由は、この要求を満足させるには、レジスト
間隔を３０μｍとした場合のエツチングファクタ（エツ
チングの深さ方向と幅方向のエツチング距離の比）を２
．０以上にすることが必要となるが、上記従来の方法で
のエツチングファクタはせいぜい１．５〜１．８の範囲
内にあり、２．０以上にすることができないからである
。
０イを基板として用いた場合、従来のエツチング方法を
用いてリードフレーム先端部のリード間の間隔を２００
μｍ以内に加工するという要求を満足することはできな
い。その理由は、この要求を満足させるには、レジスト
間隔を３０μｍとした場合のエツチングファクタ（エツ
チングの深さ方向と幅方向のエツチング距離の比）を２
．０以上にすることが必要となるが、上記従来の方法で
のエツチングファクタはせいぜい１．５〜１．８の範囲
内にあり、２．０以上にすることができないからである
。
したがって、本発明の目的は、エッチングフクタが２．
０以上であるという上記要求を満足させることができる
エツチング方法を提供することにある。
０以上であるという上記要求を満足させることができる
エツチング方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
前述の目的を達成するために、本発明は、塩化第二鉄溶
液を用いて鉄合金をエツチングする方法において、エツ
チング液として、比重が１．４８４〜１．５５０の範囲
であり、含有される塩化第一鉄の濃度が０．１〜０．５
重量％の範囲であり、かつ液温が５０℃以上の塩化第二
鉄溶液を用いることを特徴とするエツチング方法を採用
するものである。
液を用いて鉄合金をエツチングする方法において、エツ
チング液として、比重が１．４８４〜１．５５０の範囲
であり、含有される塩化第一鉄の濃度が０．１〜０．５
重量％の範囲であり、かつ液温が５０℃以上の塩化第二
鉄溶液を用いることを特徴とするエツチング方法を採用
するものである。
（作用）
エツチングファクタに影響を与える因子としては、エツ
チング液の液温、濃度、組成、エツチング液のスプレ一
方法等がある。しかし、スプレー方法に関しては、通常
使用する装置は一定であり、その都度、特殊なスプレ一
方法を採用することは稀である。
チング液の液温、濃度、組成、エツチング液のスプレ一
方法等がある。しかし、スプレー方法に関しては、通常
使用する装置は一定であり、その都度、特殊なスプレ一
方法を採用することは稀である。
本発明者は、この点を考慮して通常使用する装置を用い
て、即ち、スプレ一方法を一定にして、種々検討した結
果、エツチング液の液温、濃度、組成に対して特定の液
条件を選定することにより、エッチングフクタを２．０
以上にすることが可能であることを見い出したものであ
る。この液条件が、比重が１．４８４〜１．５５０の範
囲であり、含有される塩化第一鉄の濃度が０．１〜０．
５重量％の範囲であり、かつ液温が５０℃以上の塩化第
二鉄溶液を用いるものである。以下に、本発明を導き出
した過程を検討例で説明すると共に、本発明の実施内及
び比較例を説明する。
て、即ち、スプレ一方法を一定にして、種々検討した結
果、エツチング液の液温、濃度、組成に対して特定の液
条件を選定することにより、エッチングフクタを２．０
以上にすることが可能であることを見い出したものであ
る。この液条件が、比重が１．４８４〜１．５５０の範
囲であり、含有される塩化第一鉄の濃度が０．１〜０．
５重量％の範囲であり、かつ液温が５０℃以上の塩化第
二鉄溶液を用いるものである。以下に、本発明を導き出
した過程を検討例で説明すると共に、本発明の実施内及
び比較例を説明する。
（検討例）
エツチング装置として、長さ１５０ｃｍ、有効エツチン
グ幅６０ｃｍのスプレ一方式の装置を用いて検討を行っ
た。まず、厚さ０．２５ｍｍ、幅１８０關、長さ３２０
ｍｍの４２７０イの表面にレジストを塗布し、所定の
マスクを密接し、露光し、マスクを剥離後現像し、幅３
０μｍのスリット状の開口部を持ったパターンを形成し
た。これを前記エツチング装置を用いてエツチング液の
液温を５０℃及び６０℃に設定し、塩化第一鉄の濃度を
０．１〜０．５％として、エツチング時間を４５秒から
４５０秒まで変化させてエツチングを行った。その後、
深さ方向のエツチング距離と幅方向のエツチング距離を
測定し、継軸に深さ方向のエツチング距離をとり、横軸
に幅方向のエツチング距離をとってグラフ（図示せず）
を作成し、その傾きからエツチングファクタを求めた。
グ幅６０ｃｍのスプレ一方式の装置を用いて検討を行っ
た。まず、厚さ０．２５ｍｍ、幅１８０關、長さ３２０
ｍｍの４２７０イの表面にレジストを塗布し、所定の
マスクを密接し、露光し、マスクを剥離後現像し、幅３
０μｍのスリット状の開口部を持ったパターンを形成し
た。これを前記エツチング装置を用いてエツチング液の
液温を５０℃及び６０℃に設定し、塩化第一鉄の濃度を
０．１〜０．５％として、エツチング時間を４５秒から
４５０秒まで変化させてエツチングを行った。その後、
深さ方向のエツチング距離と幅方向のエツチング距離を
測定し、継軸に深さ方向のエツチング距離をとり、横軸
に幅方向のエツチング距離をとってグラフ（図示せず）
を作成し、その傾きからエツチングファクタを求めた。
さらに、エツチング量より、エツチング速度を求めた。
なお、用いたエツチング液は、市販の４７度ボーメのも
のを希釈しあるいは濃縮して作成した。得られた結果を
整理すると、エツチングファクタと比重の関係は第１図
に示すようになり、エツチング速度と比重の関係は第２
図に示すようになった。
のを希釈しあるいは濃縮して作成した。得られた結果を
整理すると、エツチングファクタと比重の関係は第１図
に示すようになり、エツチング速度と比重の関係は第２
図に示すようになった。
なお、図中、白丸で示すデータは５０℃の液温の場合で
あり、黒丸で示すデータは６０℃の液温の場合である。
あり、黒丸で示すデータは６０℃の液温の場合である。
第１図より、エツチングファクタを２．０以上とするた
めには、エツチング液の比重を１．４８４〜１．５５０
とすることが必要であることがわかる。また、第２図よ
り、この比重の範囲内のエツチング速度は、エツチング
温度を５０℃以上とすれば支障がないものの、６０℃以
上とすることが好ましいことがわかる。
めには、エツチング液の比重を１．４８４〜１．５５０
とすることが必要であることがわかる。また、第２図よ
り、この比重の範囲内のエツチング速度は、エツチング
温度を５０℃以上とすれば支障がないものの、６０℃以
上とすることが好ましいことがわかる。
本発明において、エツチングファクタを２．０以上とす
るための塩化第一鉄の濃度は、０．５％以下であればよ
い。このような濃度の塩化第一鉄を含有するエツチング
を用いてエツチングを行うと、作業時間の経過と共に塩
化第一鉄の濃度が上昇し、０．５％を越えることになる
。このため、５％を越えるのを防ぐために、塩素ガス等
の酸化剤を用いて塩化第一鉄を塩化第二鉄に酸化して塩
化第一鉄の濃度を低下させることを行うが、塩化第一鉄
の濃度を０．１％より小さくするためには多量の塩素ガ
スが必要となり、コストの悪化を招く。このため、経済
的な観点から塩化第一鉄の濃度は０．１〜０．５％の範
囲内とすることが好ましい、なお、作業中の塩化第一鉄
の濃度の測定はＪＩＳの規格に基づいて行う。
るための塩化第一鉄の濃度は、０．５％以下であればよ
い。このような濃度の塩化第一鉄を含有するエツチング
を用いてエツチングを行うと、作業時間の経過と共に塩
化第一鉄の濃度が上昇し、０．５％を越えることになる
。このため、５％を越えるのを防ぐために、塩素ガス等
の酸化剤を用いて塩化第一鉄を塩化第二鉄に酸化して塩
化第一鉄の濃度を低下させることを行うが、塩化第一鉄
の濃度を０．１％より小さくするためには多量の塩素ガ
スが必要となり、コストの悪化を招く。このため、経済
的な観点から塩化第一鉄の濃度は０．１〜０．５％の範
囲内とすることが好ましい、なお、作業中の塩化第一鉄
の濃度の測定はＪＩＳの規格に基づいて行う。
（実施例）
エツチング装置として、検討例で用いた装置を用い、０
．３％濃度の塩化第一鉄を含有する、比重１．５２０、
温度６０℃のエツチング液を用いて厚さ１５０μｍ、幅
１８０ ａｍ、長さ３２０ ＋ｎの４２７０イから多ピ
ンリードフレームを作成した。
．３％濃度の塩化第一鉄を含有する、比重１．５２０、
温度６０℃のエツチング液を用いて厚さ１５０μｍ、幅
１８０ ａｍ、長さ３２０ ＋ｎの４２７０イから多ピ
ンリードフレームを作成した。
作成に際して、このアロイの表面にレジストを塗布し、
多ビン用のマスクを密接し、露光し、マスクの剥離後現
像して、パターンを形成した。これを前記エツチング装
置を用いて、エツチング時間を５５０秒としてエツチン
グを行った。その後リードフレーム先端部の状態を観察
したところ、リード間隔は１００μｍであり、リード形
状は良好であった。
多ビン用のマスクを密接し、露光し、マスクの剥離後現
像して、パターンを形成した。これを前記エツチング装
置を用いて、エツチング時間を５５０秒としてエツチン
グを行った。その後リードフレーム先端部の状態を観察
したところ、リード間隔は１００μｍであり、リード形
状は良好であった。
（比較例）
実施例で用いた装置と同じ装置を用い、０．３％濃度の
塩化第一鉄を含有する、比重１．４６１、温度６０℃の
エツチング液（実施例のエツチング液とは比重だけが異
なる）を用いて厚さ１５０μｍ、幅１８０ ａｍ、長さ
３２０龍の４２アロイから多ビンリードフレームを作成
した０作成は実施例と同一の工程で行った。即ち、この
アロイの表面にレジストを塗布し、多ビン用のマスクを
密接し、露光し、マスクの剥離後現像して、パターンを
形成した。これを前記エツチング装置を用いて、エツチ
ング時間を５５０秒としてエツチングを行った。その後
リードフレーム先端部の状態を観察したところ、リード
間隔は２００μｍであり、所望のリード間隔は得られな
かった。
塩化第一鉄を含有する、比重１．４６１、温度６０℃の
エツチング液（実施例のエツチング液とは比重だけが異
なる）を用いて厚さ１５０μｍ、幅１８０ ａｍ、長さ
３２０龍の４２アロイから多ビンリードフレームを作成
した０作成は実施例と同一の工程で行った。即ち、この
アロイの表面にレジストを塗布し、多ビン用のマスクを
密接し、露光し、マスクの剥離後現像して、パターンを
形成した。これを前記エツチング装置を用いて、エツチ
ング時間を５５０秒としてエツチングを行った。その後
リードフレーム先端部の状態を観察したところ、リード
間隔は２００μｍであり、所望のリード間隔は得られな
かった。
（発明の効果）
本発明の方法により、エツチングファクタを２．０以上
とすることが可能となり、リード先端部のリード間隔を
２００μｍ以下とすることができ、その結果多ピンリー
ドフレームの作成が可能になった。
とすることが可能となり、リード先端部のリード間隔を
２００μｍ以下とすることができ、その結果多ピンリー
ドフレームの作成が可能になった。
第１図は、本発明の検討例で得られたエツチングファク
タと比重との関係を示すグラフである。 第２図は、エツチング速度と比重との関係を示すグラフ
である。 第１図 第２図
タと比重との関係を示すグラフである。 第２図は、エツチング速度と比重との関係を示すグラフ
である。 第１図 第２図
Claims (1)
- 塩化第二鉄溶液を用いて鉄合金をエッチングする方法
において、エッチング液として、比重が１．４８４〜１
．５５０の範囲であり、含有される塩化第一鉄の濃度が
０．１〜０．５重量％の範囲であり、かつ液温が５０℃
以上の塩化第二鉄溶液を用いることを特徴とするエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27967190A JPH04157184A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27967190A JPH04157184A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04157184A true JPH04157184A (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=17614242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27967190A Pending JPH04157184A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04157184A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011082290A1 (de) | 2010-09-09 | 2012-04-05 | Denso Corporation | Lateraler bipolartransistor mit isolierter gate-elektrode |
| JP2014223594A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 大日本印刷株式会社 | フィルターおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-10-18 JP JP27967190A patent/JPH04157184A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011082290A1 (de) | 2010-09-09 | 2012-04-05 | Denso Corporation | Lateraler bipolartransistor mit isolierter gate-elektrode |
| JP2014223594A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 大日本印刷株式会社 | フィルターおよびその製造方法 |
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