JPH04158519A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04158519A JPH04158519A JP28405290A JP28405290A JPH04158519A JP H04158519 A JPH04158519 A JP H04158519A JP 28405290 A JP28405290 A JP 28405290A JP 28405290 A JP28405290 A JP 28405290A JP H04158519 A JPH04158519 A JP H04158519A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にサブミク
ロン以下に微細化された金属配線上の、積層構造を持つ
保護絶縁膜の形成に関する。
ロン以下に微細化された金属配線上の、積層構造を持つ
保護絶縁膜の形成に関する。
［従来の技術］
従来、ＬＳＩ等に用いる半導体装置の最終金属配線上の
保護絶縁膜は、物理的損傷、コンタミネーションや水分
の侵入を防ぐ為に、低温で気相成長したプラズマシリコ
ン窒化膜が用いられ、シリコン窒化膜のストレスダメー
ジを緩和する為、その下層には気相成長によるシリコン
酸化膜あるいはそのＰＳＧ膜（リンガラス）を敷いた積
層構造が用いられる。
保護絶縁膜は、物理的損傷、コンタミネーションや水分
の侵入を防ぐ為に、低温で気相成長したプラズマシリコ
ン窒化膜が用いられ、シリコン窒化膜のストレスダメー
ジを緩和する為、その下層には気相成長によるシリコン
酸化膜あるいはそのＰＳＧ膜（リンガラス）を敷いた積
層構造が用いられる。
従来の半導体装置の製造方法は、例えば、第２図に示す
如く半導体素子が作り込まれたシリコン基板１１上のフ
ィールド酸化膜や層間絶縁膜１２を介して、厚みがｌ
Ｏμｍ前後のＡ２合金膜でなる金属配線１３上に、保護
絶縁膜としてまず４００°Ｃ前後の該金属配線１３に損
傷を与えない温度で、Ｓ ｉ Ｈ４と０２あるいはＮ２
０、もしくはこれにＰＨ，を導入し熱あるいはプラズマ
気相反応によって、厚みが０．３μｍ程度のシリコン酸
化膜２０もしくはＰＳＧｌｌＪｊを成長させ、この上に
Ｓ ｉＨ４とＮＨ３もしくはこれにＮ２を導入したプラ
ズマ反応により、厚みが１．Ｏｕｍ程度のシリコン窒化
膜１８を気相成長させ、その後バターニングしたフォト
レジストをマスクに、前記積層膜をドライあるいはウェ
ット方式で選択エツチングし、外部電極取り出し用のポ
ンディングパッド１９を開孔してあり、場合によっては
更にモールド時のストレス緩和の為に、ポリイミド樹脂
等を積層する。
如く半導体素子が作り込まれたシリコン基板１１上のフ
ィールド酸化膜や層間絶縁膜１２を介して、厚みがｌ
Ｏμｍ前後のＡ２合金膜でなる金属配線１３上に、保護
絶縁膜としてまず４００°Ｃ前後の該金属配線１３に損
傷を与えない温度で、Ｓ ｉ Ｈ４と０２あるいはＮ２
０、もしくはこれにＰＨ，を導入し熱あるいはプラズマ
気相反応によって、厚みが０．３μｍ程度のシリコン酸
化膜２０もしくはＰＳＧｌｌＪｊを成長させ、この上に
Ｓ ｉＨ４とＮＨ３もしくはこれにＮ２を導入したプラ
ズマ反応により、厚みが１．Ｏｕｍ程度のシリコン窒化
膜１８を気相成長させ、その後バターニングしたフォト
レジストをマスクに、前記積層膜をドライあるいはウェ
ット方式で選択エツチングし、外部電極取り出し用のポ
ンディングパッド１９を開孔してあり、場合によっては
更にモールド時のストレス緩和の為に、ポリイミド樹脂
等を積層する。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら従来技術では、ＬＳＩの様な半導体装置が
、サブミクロン以下に微細化されてくると金属配線のバ
ターニングはドライエツチング化され、断面形状が急峻
化されると共にアスペクト比（段差／スペース）が大き
くなる為、５ｔＨａを用いたシリコン酸化膜２０やシリ
コン窒化膜１８はカスピングによって付き回りが悪く、
金属配線のスペースにはボイド２１が形成されコンクミ
ネーショントラップとなる上、金属配線の側壁部や底面
部及び溝部コーナーのシリコン窒化膜１８が、金属配線
１３上に比較して極めて薄くなり、この領域から水分や
汚染が侵入することにより、トランジスタ特性やフィー
ルド反転耐圧の変動及び／ｌ配線の腐蝕等に関わる半導
体装置の長期信頼性が問題となっていた。又、ストレス
が３〜９ｘ １０’ ｄｙｎ／ｃｍ”もあるシリコン窒
化膜のストレスを緩和する為、下地シリコン酸化膜やＰ
ＳＧ膜を０３μｍ以上に厚（させたいが、シリコン窒化
膜の付き回りが更に悪く成りボイドも出来やすくなって
しまう。
、サブミクロン以下に微細化されてくると金属配線のバ
ターニングはドライエツチング化され、断面形状が急峻
化されると共にアスペクト比（段差／スペース）が大き
くなる為、５ｔＨａを用いたシリコン酸化膜２０やシリ
コン窒化膜１８はカスピングによって付き回りが悪く、
金属配線のスペースにはボイド２１が形成されコンクミ
ネーショントラップとなる上、金属配線の側壁部や底面
部及び溝部コーナーのシリコン窒化膜１８が、金属配線
１３上に比較して極めて薄くなり、この領域から水分や
汚染が侵入することにより、トランジスタ特性やフィー
ルド反転耐圧の変動及び／ｌ配線の腐蝕等に関わる半導
体装置の長期信頼性が問題となっていた。又、ストレス
が３〜９ｘ １０’ ｄｙｎ／ｃｍ”もあるシリコン窒
化膜のストレスを緩和する為、下地シリコン酸化膜やＰ
ＳＧ膜を０３μｍ以上に厚（させたいが、シリコン窒化
膜の付き回りが更に悪く成りボイドも出来やすくなって
しまう。
しかるに本発明はかかる問題点を解決するもので、１ｉ
ｔｉ性、耐汚染効果や電気特性等の品質に関わる保護絶
縁膜の付き回り、平坦性改善及びストレス緩和を行ない
、より微細化される半導体装置の偏頭性の向上と安定供
給を目的としたものである。
ｔｉ性、耐汚染効果や電気特性等の品質に関わる保護絶
縁膜の付き回り、平坦性改善及びストレス緩和を行ない
、より微細化される半導体装置の偏頭性の向上と安定供
給を目的としたものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の最終金
属配線上の保護絶縁膜形成に於いて、少なくとも、有機
シランと支燃性ガスをプラズマ気相反応させた第１のシ
リコン酸化膜を形成する工程、有機シランとオゾンガス
を熱気相反応させた第２のシリコン酸化膜を積層させる
工程、前記積層シリコン酸化膜の所定膜厚を異方性エッ
チバックする工程、塗布ガラスを積層する工程、該塗布
ガラスの所定膜厚をエッチバックする工程、プラズマ反
応によるシリコン窒化膜を成長させる工程を具備したこ
とを特徴とする。
属配線上の保護絶縁膜形成に於いて、少なくとも、有機
シランと支燃性ガスをプラズマ気相反応させた第１のシ
リコン酸化膜を形成する工程、有機シランとオゾンガス
を熱気相反応させた第２のシリコン酸化膜を積層させる
工程、前記積層シリコン酸化膜の所定膜厚を異方性エッ
チバックする工程、塗布ガラスを積層する工程、該塗布
ガラスの所定膜厚をエッチバックする工程、プラズマ反
応によるシリコン窒化膜を成長させる工程を具備したこ
とを特徴とする。
更に本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の最
終金属配線上の保護絶縁膜形成に於いて、少なくとも、
有機シランと支燃性ガスをプラズマ気相反応させた第１
のシリコン酸化膜を形成する工程、有機シランとオゾン
ガスを熱気相反応させた第２のシリコン酸化膜を積層さ
せる工程、前記積層シリコン酸化膜の所定膜厚を異方性
エッチバックする工程、塗布ガラスを積層する工程、該
塗布ガラスの所定膜厚をエッチバックする工程、気相成
長による第３のシリコン酸化膜を形成する工程、プラズ
マ反応によるシリコン窒化膜を成長させる工程を具備し
たことを特徴とする。
終金属配線上の保護絶縁膜形成に於いて、少なくとも、
有機シランと支燃性ガスをプラズマ気相反応させた第１
のシリコン酸化膜を形成する工程、有機シランとオゾン
ガスを熱気相反応させた第２のシリコン酸化膜を積層さ
せる工程、前記積層シリコン酸化膜の所定膜厚を異方性
エッチバックする工程、塗布ガラスを積層する工程、該
塗布ガラスの所定膜厚をエッチバックする工程、気相成
長による第３のシリコン酸化膜を形成する工程、プラズ
マ反応によるシリコン窒化膜を成長させる工程を具備し
たことを特徴とする。
［実 施 例］
第１図は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施例に
ついて説明する為の概略断面図であり、ＳｉゲートＣＭ
ＯＳ−ＬＳＩの絶縁保護膜に適用した場合を示している
。シリコン基板１１には、Ｐ及びＮＭＯＳトランジスタ
、抵抗等の半導体素子が形成され、フィールド酸化膜や
層間絶縁膜１２を介して不純物層等からのコンタクトホ
ールが開孔され、Ｃｕを約０５％含んだへ！合金膜を約
０．８ｔ１ｍと、この上にキャップメタルとしてＴｉＮ
［を６００人積層スパッタリングしてから、）オトリソ
工程で最小間隔が約０．６５ａｍにパターン形成し、フ
レオン系のガスとＣ１２系のガスで該積層膜をドライエ
ツチングし、はぼ垂直な側面形状を持った金属配線１３
を形成した。
ついて説明する為の概略断面図であり、ＳｉゲートＣＭ
ＯＳ−ＬＳＩの絶縁保護膜に適用した場合を示している
。シリコン基板１１には、Ｐ及びＮＭＯＳトランジスタ
、抵抗等の半導体素子が形成され、フィールド酸化膜や
層間絶縁膜１２を介して不純物層等からのコンタクトホ
ールが開孔され、Ｃｕを約０５％含んだへ！合金膜を約
０．８ｔ１ｍと、この上にキャップメタルとしてＴｉＮ
［を６００人積層スパッタリングしてから、）オトリソ
工程で最小間隔が約０．６５ａｍにパターン形成し、フ
レオン系のガスとＣ１２系のガスで該積層膜をドライエ
ツチングし、はぼ垂直な側面形状を持った金属配線１３
を形成した。
次にロードロック付きの平行平板電極を有するチャンバ
ーで、ＴＥＯＳ ［５ｉ （ＯＣ２Ｈ−）−］と０．
を約１０ｔｏｒｒ、３８０℃のプラズマ気相反応により
約０．５μｍの第１のシリコン酸化膜１４を成長させた
。このシリコン酸化膜１４は、均一性も良くち密で圧縮
応力（例えばＳｉウェハーに成長したとき凸形に反る）
を持つが、段差側面への成長割合が低い。又成長速度が
大きい上、ロードロックで減圧時間が短くヒロックの成
長がほとんどない。続いてＴＥＯＳと０２中に５％程度
のオゾン（０３）と４００°Ｃの９０ｔｏｒｒの減圧下
で熱反応させ第２のシリコン酸化膜】５を０４μｍ積層
させた。このシリコン酸化膜１５は段差部での付き回り
がほぼ１００％に近く、溝部への埋まり込みも良好であ
るが、引張り応力を有し、厚くなったり後工程で成膜温
度より高い熱処理がなされるとクラックが入りやすい。
ーで、ＴＥＯＳ ［５ｉ （ＯＣ２Ｈ−）−］と０．
を約１０ｔｏｒｒ、３８０℃のプラズマ気相反応により
約０．５μｍの第１のシリコン酸化膜１４を成長させた
。このシリコン酸化膜１４は、均一性も良くち密で圧縮
応力（例えばＳｉウェハーに成長したとき凸形に反る）
を持つが、段差側面への成長割合が低い。又成長速度が
大きい上、ロードロックで減圧時間が短くヒロックの成
長がほとんどない。続いてＴＥＯＳと０２中に５％程度
のオゾン（０３）と４００°Ｃの９０ｔｏｒｒの減圧下
で熱反応させ第２のシリコン酸化膜】５を０４μｍ積層
させた。このシリコン酸化膜１５は段差部での付き回り
がほぼ１００％に近く、溝部への埋まり込みも良好であ
るが、引張り応力を有し、厚くなったり後工程で成膜温
度より高い熱処理がなされるとクラックが入りやすい。
ＴＥＯＳを用いたシリコン酸化膜１４．１５は、いずれ
も従来のＳｉＨ，を用いたものと違ってカスピングが極
めて少ないことが大きな特徴である（第１図−ａ）。続
いて、ＳＨＦ、、ＳＦ、とＡｒ等によるドライエツチャ
ーを用い０．４５μｍ程度異方性エッチバックし、平坦
部の第２のシリコン酸化膜１５を除去し、金属配線１３
のスペースに側壁として残す、このエッチバックの時、
第２のシリコン酸化膜１５が全面に残った形にすると、
後工程で形成されるシリコン窒化膜等のストレスが大き
く圧縮応力を持つ時、各々にクラックが入ることがある
。続いて塗布ガラス１６をスピンコードしてから約４０
０℃の３，５％Ｈ２／ Ａ ｒ雰囲気で３０分のシンタ
ーを兼ねキュアーすると、第１の金属配！ｌ１ｌｌＢ上
やフィールド等の広域平坦部には約５〜７００人、段差
部や溝部には０．４μｍ程度の塗布ガラス１６が溜まり
平坦化される（第１図−ｂ）、塗布ガラスを全面に残し
ておくと、後工程で成膜温度より高い熱処理がなされた
場合ストレスバランスの変化でクラックが入りやすいこ
とや、ポンディングパッドの開孔部側面に塗布ガラスが
露出し吸湿による不良が生じる為、これを回避する目的
で、次に１×ｌＯ−→ｔｏｒｒ程度のＡｒ雰囲気中で４
００Ｗの高周波バイアスをかけスパッタエッチバックし
、広域平坦部の塗布ガラス１６は除去する。この塗布ガ
ラス１６を除去する工程に於いては、反応性イオンエツ
チャー（ＲＩ Ｅ）等を用いても良いが、塗布ガラスの
エツチング速度が気相成長のシリコン酸化膜よりかなり
大きく平坦性が改善されない為、スパッタエツチングや
イオンミーリングの様な物理的に除去出来るものか、選
択性の低いエツチャーが好しい、続いて、塗布ガラスと
シリコン窒化膜の密着性やストレス緩和効果を更に向上
させる為に第１のシリコン酸化膜１４と同じ方法により
約２０００人の厚みで第３のシリコン酸化膜１７を成長
させた。更に約３６０℃でＮ２をキャリアーとしＳ Ｉ
Ｈ４とＮＨ３をプラズマ反応させたシリコン窒化膜１８
を１０μｍ成長させた。最後にバターニングされたフォ
トレジストをマスクにして、まずシリコン窒化１ｉ１８
はＣＦ４と０□の混合ガスで、又シリコン酸化膜１７．
１４はＣＦ、とＣ，ＨＦ３を含む混合ガスで選択ドライ
エツチングし、外部電極取り出し用のポンディングパッ
ド１９を開孔した（第１図−Ｃ）、この様にしてなる半
導体装置は、金属配線のスペースには保護絶縁膜のボイ
ドが発生せず、シリコン窒化膜１８の付き回り、平坦性
も従来に比べ大幅に改善された。この結果、１ｌＴｔｆ
ｆｉ性やコンタミネーションに対する遮薮効果による信
頼性向上が図れた。
も従来のＳｉＨ，を用いたものと違ってカスピングが極
めて少ないことが大きな特徴である（第１図−ａ）。続
いて、ＳＨＦ、、ＳＦ、とＡｒ等によるドライエツチャ
ーを用い０．４５μｍ程度異方性エッチバックし、平坦
部の第２のシリコン酸化膜１５を除去し、金属配線１３
のスペースに側壁として残す、このエッチバックの時、
第２のシリコン酸化膜１５が全面に残った形にすると、
後工程で形成されるシリコン窒化膜等のストレスが大き
く圧縮応力を持つ時、各々にクラックが入ることがある
。続いて塗布ガラス１６をスピンコードしてから約４０
０℃の３，５％Ｈ２／ Ａ ｒ雰囲気で３０分のシンタ
ーを兼ねキュアーすると、第１の金属配！ｌ１ｌｌＢ上
やフィールド等の広域平坦部には約５〜７００人、段差
部や溝部には０．４μｍ程度の塗布ガラス１６が溜まり
平坦化される（第１図−ｂ）、塗布ガラスを全面に残し
ておくと、後工程で成膜温度より高い熱処理がなされた
場合ストレスバランスの変化でクラックが入りやすいこ
とや、ポンディングパッドの開孔部側面に塗布ガラスが
露出し吸湿による不良が生じる為、これを回避する目的
で、次に１×ｌＯ−→ｔｏｒｒ程度のＡｒ雰囲気中で４
００Ｗの高周波バイアスをかけスパッタエッチバックし
、広域平坦部の塗布ガラス１６は除去する。この塗布ガ
ラス１６を除去する工程に於いては、反応性イオンエツ
チャー（ＲＩ Ｅ）等を用いても良いが、塗布ガラスの
エツチング速度が気相成長のシリコン酸化膜よりかなり
大きく平坦性が改善されない為、スパッタエツチングや
イオンミーリングの様な物理的に除去出来るものか、選
択性の低いエツチャーが好しい、続いて、塗布ガラスと
シリコン窒化膜の密着性やストレス緩和効果を更に向上
させる為に第１のシリコン酸化膜１４と同じ方法により
約２０００人の厚みで第３のシリコン酸化膜１７を成長
させた。更に約３６０℃でＮ２をキャリアーとしＳ Ｉ
Ｈ４とＮＨ３をプラズマ反応させたシリコン窒化膜１８
を１０μｍ成長させた。最後にバターニングされたフォ
トレジストをマスクにして、まずシリコン窒化１ｉ１８
はＣＦ４と０□の混合ガスで、又シリコン酸化膜１７．
１４はＣＦ、とＣ，ＨＦ３を含む混合ガスで選択ドライ
エツチングし、外部電極取り出し用のポンディングパッ
ド１９を開孔した（第１図−Ｃ）、この様にしてなる半
導体装置は、金属配線のスペースには保護絶縁膜のボイ
ドが発生せず、シリコン窒化膜１８の付き回り、平坦性
も従来に比べ大幅に改善された。この結果、１ｌＴｔｆ
ｆｉ性やコンタミネーションに対する遮薮効果による信
頼性向上が図れた。
この他、第１〜第３シリコン酸化膜の気相成長時に、Ｐ
（ＱＣｓ Ｈｓ ） ４やＰＯ（ＱＣ２Ｈ６）４を添
加して０．５＋−４，０ｍｏ１％のＰ２Ｏ，を含むＰＳ
Ｇｌｉとしたものも試作したが、前記実施例と同様な改
善効果と、より一層のストレス緩和と、プラズマによる
電荷ダメージ緩和効果も認められた。尚、第１のシリコ
ン酸化膜１４の気相反応時の０２に替えＮｚＯや０３で
も、第２のシリコン酸化膜１５は減圧反応によらず常圧
に近い反応圧で気相成長したものでも良くこの他、ＴＥ
０１に替えてもＳｊ （ＯＣＨ−） ４等の有機シラ
ンも応用可能である。又第３のシリコン酸化膜１７は、
塗布ガラス等で平坦化してから成長する為、ＴＥ０１の
気相成長膜の他に、５ＩＨ４を用いたシリコン酸化膜、
あるいはこれにＰＨ，を添加したＰＳＧ膜による従来膜
も適用出来る。但し、塗布ガラス１６は、第２のシリコ
ン酸化膜１５の異方性エッチバック工程後に塗布しない
と、特定寸法の金属配線スペースに大きな液溜まりがで
きクラックとなってしまう。
（ＱＣｓ Ｈｓ ） ４やＰＯ（ＱＣ２Ｈ６）４を添
加して０．５＋−４，０ｍｏ１％のＰ２Ｏ，を含むＰＳ
Ｇｌｉとしたものも試作したが、前記実施例と同様な改
善効果と、より一層のストレス緩和と、プラズマによる
電荷ダメージ緩和効果も認められた。尚、第１のシリコ
ン酸化膜１４の気相反応時の０２に替えＮｚＯや０３で
も、第２のシリコン酸化膜１５は減圧反応によらず常圧
に近い反応圧で気相成長したものでも良くこの他、ＴＥ
０１に替えてもＳｊ （ＯＣＨ−） ４等の有機シラ
ンも応用可能である。又第３のシリコン酸化膜１７は、
塗布ガラス等で平坦化してから成長する為、ＴＥ０１の
気相成長膜の他に、５ＩＨ４を用いたシリコン酸化膜、
あるいはこれにＰＨ，を添加したＰＳＧ膜による従来膜
も適用出来る。但し、塗布ガラス１６は、第２のシリコ
ン酸化膜１５の異方性エッチバック工程後に塗布しない
と、特定寸法の金属配線スペースに大きな液溜まりがで
きクラックとなってしまう。
更に工程途中に於ける気相成長、エツチング処理のプラ
ズマ装置等から発生する電荷ダメージを消去する紫外線
照射処理を各工程間で施しても良いし、ポンディングパ
ッドの開孔は、シリコン窒化膜１８形成後に行なうだけ
ではなく、下地シリコン酸化膜と分けて行なう複数工程
によっても問題ないし、トランジスタ等の電気特性安定
化の為のシンク−処理は、塗布ガラスのキュアー処理と
別に行なっても良く回数も限定されない、更にシリコン
窒化股上にモールドストレス緩和の為にポリイミド樹脂
等を積層したものにも応用出来る。
ズマ装置等から発生する電荷ダメージを消去する紫外線
照射処理を各工程間で施しても良いし、ポンディングパ
ッドの開孔は、シリコン窒化膜１８形成後に行なうだけ
ではなく、下地シリコン酸化膜と分けて行なう複数工程
によっても問題ないし、トランジスタ等の電気特性安定
化の為のシンク−処理は、塗布ガラスのキュアー処理と
別に行なっても良く回数も限定されない、更にシリコン
窒化股上にモールドストレス緩和の為にポリイミド樹脂
等を積層したものにも応用出来る。
又本発明は、ＭＯＳ−ＬＳＩの他に、バイポーラ、ＤＭ
ＯＳ及びこれらを組み合わせたＬＳＩ等や多層配線の半
導体装置にも適用でき、金属配線としてはＡβにＳｌ、
Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｇ等を含むものや、ヒロック、コンタク
トバリヤーとしてＴｉＮの他に、高融点金属や窒化物、
ケイ化物あるいはこれらの合金を上あるいは下に積層構
造となったものにも適用出来る。
ＯＳ及びこれらを組み合わせたＬＳＩ等や多層配線の半
導体装置にも適用でき、金属配線としてはＡβにＳｌ、
Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｇ等を含むものや、ヒロック、コンタク
トバリヤーとしてＴｉＮの他に、高融点金属や窒化物、
ケイ化物あるいはこれらの合金を上あるいは下に積層構
造となったものにも適用出来る。
［発明の効果］
以上本発明によれば、最終保護絶縁膜の構成を積層とし
、特にプラズマシリコン窒化膜の下地膜を、気相成長条
件を異にしたＴＥ０１による気相成長シリコン酸化膜と
塗布ガラスとエッチバックの組み合わせ工程によって形
成し、微細化されたＭＯ３ＬＳＩ等の半導体装１に於け
る保護絶縁膜の付き回り不具合を改善し、耐温性、耐汚
染効果の向上により、電気特性を含めた長期信頼性に関
わる品質改善効果があり、半導体装置の更なる微細化と
安定供給を可能にするものである。
、特にプラズマシリコン窒化膜の下地膜を、気相成長条
件を異にしたＴＥ０１による気相成長シリコン酸化膜と
塗布ガラスとエッチバックの組み合わせ工程によって形
成し、微細化されたＭＯ３ＬＳＩ等の半導体装１に於け
る保護絶縁膜の付き回り不具合を改善し、耐温性、耐汚
染効果の向上により、電気特性を含めた長期信頼性に関
わる品質改善効果があり、半導体装置の更なる微細化と
安定供給を可能にするものである。
第１図−ａ〜第１図−Ｃは本発明による半導体装置の製
造方法の実施例を示す概略断面図である。 第２図は、従来の半導体装置の製造方法に係る概略断面
図である。 １１・・・シリコン基板 １２・・・層間絶縁膜 １３・・・金属配線 １４・・・第１のシリコン酸化膜 １５・・・第２のシリコン酸化膜 １６・・・塗布ガラス １７・・・第３のシリコン酸化膜 １８・・・シリコン窒化膜 １９・・・ポンディングパッド ２０・・・シリコン酸化膜 ２１・・ ・ボイド 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
造方法の実施例を示す概略断面図である。 第２図は、従来の半導体装置の製造方法に係る概略断面
図である。 １１・・・シリコン基板 １２・・・層間絶縁膜 １３・・・金属配線 １４・・・第１のシリコン酸化膜 １５・・・第２のシリコン酸化膜 １６・・・塗布ガラス １７・・・第３のシリコン酸化膜 １８・・・シリコン窒化膜 １９・・・ポンディングパッド ２０・・・シリコン酸化膜 ２１・・ ・ボイド 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (2)
- （１）半導体装置の最終金属配線上の保護絶縁膜形成に
於いて、少なくとも、有機シランと支燃性ガスをプラズ
マ気相反応させた第１のシリコン酸化膜を形成する工程
、有機シランとオゾンガスを熱気相反応させた第２のシ
リコン酸化膜を積層させる工程、前記積層シリコン酸化
膜の所定膜厚を異方性エッチバックする工程、塗布ガラ
スを積層する工程、該塗布ガラスの所定膜厚をエッチバ
ックする工程、プラズマ反応によるシリコン窒化膜を成
長させる工程を具備したことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - （２）半導体装置の最終金属配線上の保護絶縁膜形成に
於いて、少なくとも、有機シランと支燃性ガスをプラズ
マ気相反応させた第１のシリコン酸化膜を形成する工程
、有機シランとオゾンガスを熱気相反応させた第２のシ
リコン酸化膜を積層させる工程、前記積層シリコン酸化
膜の所定膜厚を異方性エッチバックする工程、塗布ガラ
スを積層する工程、該塗布ガラスの所定膜厚をエッチバ
ックする工程、気相成長による第３のシリコン酸化膜口
を形成する工程、プラズマ反応によるシリコン窒化膜を
成長させる工程を具備したことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28405290A JPH04158519A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28405290A JPH04158519A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158519A true JPH04158519A (ja) | 1992-06-01 |
Family
ID=17673671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28405290A Pending JPH04158519A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04158519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1076869C (zh) * | 1995-05-22 | 2001-12-26 | 现代电子产业株式会社 | 形成半导体器件的旋涂玻璃膜的方法 |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP28405290A patent/JPH04158519A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1076869C (zh) * | 1995-05-22 | 2001-12-26 | 现代电子产业株式会社 | 形成半导体器件的旋涂玻璃膜的方法 |
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