JPH04159606A - 複合型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH04159606A JPH04159606A JP28687790A JP28687790A JPH04159606A JP H04159606 A JPH04159606 A JP H04159606A JP 28687790 A JP28687790 A JP 28687790A JP 28687790 A JP28687790 A JP 28687790A JP H04159606 A JPH04159606 A JP H04159606A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばハードディスク・ドライブの磁気記録
再生磁気ヘッド等に用いて好適な磁気抵抗効果型の再生
磁気ヘッドと誘導型すなわちインダクティブ型記録磁気
ヘッドとの複合型薄膜磁気ヘッドに係わる。
再生磁気ヘッド等に用いて好適な磁気抵抗効果型の再生
磁気ヘッドと誘導型すなわちインダクティブ型記録磁気
ヘッドとの複合型薄膜磁気ヘッドに係わる。
本発明は複合型薄膜磁気ヘッドに係わり、第１及び第２
の薄膜磁気コアが前方端部間において、磁気記録媒体と
の対接ないしは対向面に臨む磁気ギャップを形成するよ
うに積層され、この磁気ギャップ内から後方に向って磁
気抵抗感磁部が配されると共にその後方部に第１及び第
２の薄膜磁気コアによって形成される磁路に関連してヘ
ッド巻線が配された構成を採り、第１及び第２の薄膜磁
気コアの前方端部間の間隔が磁気抵抗効果感磁部の配置
部において磁気ギャップから後方に向ってそれぞれ磁気
抵抗感磁部とのなす角θ１及びθ２が、θ１ ≠θ２の
関係をもって大とした構成とすることによってヘッド巻
線、すなわち記録用磁気ヘッドの記録用巻線をもって再
生時の磁気抵抗感磁部への所要の外部バイアス磁界を与
えることができるようにして、磁気抵抗感磁部に外部バ
イアス磁界を与えるためのバイアス磁界発生手段を省略
して構成の簡易化、製造の簡易化をはかる。
の薄膜磁気コアが前方端部間において、磁気記録媒体と
の対接ないしは対向面に臨む磁気ギャップを形成するよ
うに積層され、この磁気ギャップ内から後方に向って磁
気抵抗感磁部が配されると共にその後方部に第１及び第
２の薄膜磁気コアによって形成される磁路に関連してヘ
ッド巻線が配された構成を採り、第１及び第２の薄膜磁
気コアの前方端部間の間隔が磁気抵抗効果感磁部の配置
部において磁気ギャップから後方に向ってそれぞれ磁気
抵抗感磁部とのなす角θ１及びθ２が、θ１ ≠θ２の
関係をもって大とした構成とすることによってヘッド巻
線、すなわち記録用磁気ヘッドの記録用巻線をもって再
生時の磁気抵抗感磁部への所要の外部バイアス磁界を与
えることができるようにして、磁気抵抗感磁部に外部バ
イアス磁界を与えるためのバイアス磁界発生手段を省略
して構成の簡易化、製造の簡易化をはかる。
各種の磁気ヘッド、例えばハードディスク・ドライブの
磁気記録再生ヘッドにおいて、その再生磁気ヘッドとし
て短波長感度に優れた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下
ＭＲ磁気ヘッドという）が用いられ、記録磁気ヘッドと
してヘッド巻線を有する誘導型磁気ヘッド構成を採るよ
うにした複合型の薄膜磁気ヘッドが用いられる方向にあ
る。
磁気記録再生ヘッドにおいて、その再生磁気ヘッドとし
て短波長感度に優れた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下
ＭＲ磁気ヘッドという）が用いられ、記録磁気ヘッドと
してヘッド巻線を有する誘導型磁気ヘッド構成を採るよ
うにした複合型の薄膜磁気ヘッドが用いられる方向にあ
る。
この種の複合型薄膜磁気ヘッドは、その路線的断面図を
第５図に示し、その路線的平面図を第６図に示すように
、磁気記録媒体との対接ないしは対向面、例えばハード
ディスクのドライブにおいてはハードディスクの回転の
空気流によって浮上するスライダのいわゆるＡＢＳ面（
エアー・ベアリング・サーフェス）（２）に臨んで、そ
の前方端部間に磁気ギャップｇを形成するように、基板
〔１）例えばスライダ、或いはスライダに取着される基
板上に、第１及び第２の各薄膜磁気コア（１１）及び（
１２）が積層される。そして、ＡＢＳ面（２）に臨んで
磁気抵抗効果感磁部（３）（以下ＭＲ感磁部という）が
、その磁気ギャップｇから後方に延びるように配置形成
される。（４ａ）及び（４ｂ）はそれぞれＭＲ感磁部（
３）の前方及び後方端に被着形成された電極で、両者間
においてＭＲ感磁部（３）にセンス電流１．が通電され
る。
第５図に示し、その路線的平面図を第６図に示すように
、磁気記録媒体との対接ないしは対向面、例えばハード
ディスクのドライブにおいてはハードディスクの回転の
空気流によって浮上するスライダのいわゆるＡＢＳ面（
エアー・ベアリング・サーフェス）（２）に臨んで、そ
の前方端部間に磁気ギャップｇを形成するように、基板
〔１）例えばスライダ、或いはスライダに取着される基
板上に、第１及び第２の各薄膜磁気コア（１１）及び（
１２）が積層される。そして、ＡＢＳ面（２）に臨んで
磁気抵抗効果感磁部（３）（以下ＭＲ感磁部という）が
、その磁気ギャップｇから後方に延びるように配置形成
される。（４ａ）及び（４ｂ）はそれぞれＭＲ感磁部（
３）の前方及び後方端に被着形成された電極で、両者間
においてＭＲ感磁部（３）にセンス電流１．が通電され
る。
このＭＲ感磁Ｂ （３）上には、絶縁層（５）を介して
このＭＲ感磁部（３）を横切って金属薄膜よりなるバイ
アス導体（６）が配置され、これへの通電によってＭＲ
感磁部〔３〕に所要の向きの外部バイアス磁界を与えて
所要の磁化状態となしてその磁気抵抗特性が優れた直線
性と高い感度を示す特性領域で動作するようになされる
。
このＭＲ感磁部（３）を横切って金属薄膜よりなるバイ
アス導体（６）が配置され、これへの通電によってＭＲ
感磁部〔３〕に所要の向きの外部バイアス磁界を与えて
所要の磁化状態となしてその磁気抵抗特性が優れた直線
性と高い感度を示す特性領域で動作するようになされる
。
また、（７）は第１及び第２の薄膜磁気コアの後方部の
互いに磁気的に結合する部分をめぐって配置された薄膜
導電層よりなるヘッド巻線を示す。
互いに磁気的に結合する部分をめぐって配置された薄膜
導電層よりなるヘッド巻線を示す。
このような構成を採ることによって、第１及び第２の薄
膜磁気コア（１１）及び（１２）間に、ＭＲ感磁部（３
）が配置されたいわゆるシールド型構成を有するＭＲ型
磁気ヘッドが構成されると共に、′！Ｊ１及び第２の薄
膜磁気コア（１１）及び（１２）による磁路にヘッド巻
線（７）が巻装された誘導型磁気ヘッドが構成された複
合型薄膜磁気ヘッドが構成される。
膜磁気コア（１１）及び（１２）間に、ＭＲ感磁部（３
）が配置されたいわゆるシールド型構成を有するＭＲ型
磁気ヘッドが構成されると共に、′！Ｊ１及び第２の薄
膜磁気コア（１１）及び（１２）による磁路にヘッド巻
線（７）が巻装された誘導型磁気ヘッドが構成された複
合型薄膜磁気ヘッドが構成される。
このような複合型薄膜磁気ヘッドによれば、誘導型の記
録磁気ヘッドを構成する磁気ギャップｇを有する磁気コ
アを、シールド磁性体として再生用のＭＲ型磁気ヘッド
が構成されるため高感度でしかも小型に構成することが
できるという利点を有するものの、このような構成とし
た場合においても第６図に示すように、そのＭＲ感磁部
（３）の画電極（４ａ）及び（４ｂ）からそれぞれ端子
導出部（１４ａ）及び（１４ｂ） が延長形成され、
またバイアス導体（６）の両端からそれぞれ端子導出部
（１６ａ） 及び（１６ｂ）が延長形成されまたそれ
ぞれヘッド巻線（７）の両端に連結して端子導出部（１
７ａ） 及び（１７１１） の導出が行われることか
ら、その端子導出部は多数本必要となり全体の占有面積
の縮小化は充分はかられないという問題がある。
録磁気ヘッドを構成する磁気ギャップｇを有する磁気コ
アを、シールド磁性体として再生用のＭＲ型磁気ヘッド
が構成されるため高感度でしかも小型に構成することが
できるという利点を有するものの、このような構成とし
た場合においても第６図に示すように、そのＭＲ感磁部
（３）の画電極（４ａ）及び（４ｂ）からそれぞれ端子
導出部（１４ａ）及び（１４ｂ） が延長形成され、
またバイアス導体（６）の両端からそれぞれ端子導出部
（１６ａ） 及び（１６ｂ）が延長形成されまたそれ
ぞれヘッド巻線（７）の両端に連結して端子導出部（１
７ａ） 及び（１７１１） の導出が行われることか
ら、その端子導出部は多数本必要となり全体の占有面積
の縮小化は充分はかられないという問題がある。
本発明は、上述したＭＲ型磁気ヘッドと誘導型磁気ヘッ
ドの複合型薄膜磁気ヘッドにおい、て、さらにその構成
の簡潔化をはかって特に端子導出部の本数の縮減化をは
かって全体の面積の縮小化、したがって構成の簡略化、
製造の簡易化をはかる。
ドの複合型薄膜磁気ヘッドにおい、て、さらにその構成
の簡潔化をはかって特に端子導出部の本数の縮減化をは
かって全体の面積の縮小化、したがって構成の簡略化、
製造の簡易化をはかる。
〔課題を解決するための手段〕
すなわち、本発明においては、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドに
おいて、そのＭＲ感磁部に外部バイアス磁界を与えるた
めのバイアス導体を省略する構成を採る。
おいて、そのＭＲ感磁部に外部バイアス磁界を与えるた
めのバイアス導体を省略する構成を採る。
すなわち、本発明においては、第１図にその一例の路線
的拡大断面図を示し、第２図にその路線的平面図を示し
、第３面にその要部の模式的構成図を示すように、第１
及び第２の薄膜磁気コア（１１）及び（１２）が、その
各前方端部間において磁気記録媒体との対接ないしは対
向面すなわち浮上型磁気ヘッドにおいてはそのＡＢＳ面
（２）に臨んで磁気ギャップｇを形成するように積層さ
れ、磁気ギヤツブｇ内から後方に向ってＭＲＲ磁部（３
）が配置されると共にその後方部に第１及び第２の薄膜
磁気コア（１１）及び（１２）によって形成される磁路
に関連してヘッド巻線（７）が配された構成、すなわち
第１及び第２の薄膜磁気コア（１１）及び（１２）によ
って磁気ギャップｇを前方に有する閉磁路を形成し、こ
の閉磁路をめぐってヘッド巻線（７）が形成された誘導
型磁気ヘッドと、第１及び第２の薄膜磁気コア（１１）
及び（１２）を磁気シールドとしそのギヤツブｇ内に与
えられた磁気記録媒体からの記録磁化に基づく信号磁界
が、ＭＲＲ磁部（３）に与えられるようにしたＭＲ型再
再生ヘッドよる複合型薄膜磁気ヘッド構成とする。
的拡大断面図を示し、第２図にその路線的平面図を示し
、第３面にその要部の模式的構成図を示すように、第１
及び第２の薄膜磁気コア（１１）及び（１２）が、その
各前方端部間において磁気記録媒体との対接ないしは対
向面すなわち浮上型磁気ヘッドにおいてはそのＡＢＳ面
（２）に臨んで磁気ギャップｇを形成するように積層さ
れ、磁気ギヤツブｇ内から後方に向ってＭＲＲ磁部（３
）が配置されると共にその後方部に第１及び第２の薄膜
磁気コア（１１）及び（１２）によって形成される磁路
に関連してヘッド巻線（７）が配された構成、すなわち
第１及び第２の薄膜磁気コア（１１）及び（１２）によ
って磁気ギャップｇを前方に有する閉磁路を形成し、こ
の閉磁路をめぐってヘッド巻線（７）が形成された誘導
型磁気ヘッドと、第１及び第２の薄膜磁気コア（１１）
及び（１２）を磁気シールドとしそのギヤツブｇ内に与
えられた磁気記録媒体からの記録磁化に基づく信号磁界
が、ＭＲＲ磁部（３）に与えられるようにしたＭＲ型再
再生ヘッドよる複合型薄膜磁気ヘッド構成とする。
そして、特に本発明においては、第３図に示すように第
１及び第２の薄膜磁気コア（１１）及び（１２）のＭＲ
Ｒ磁部（３）の面とのなす角すなわちＭＲＲ磁部（３）
の延長方向Ｘに対してのなす角を、θ１及びθ２ とす
るときθ１ ≠０２ とする。ここに０１ は例えばＭ
ＲＲ磁部（３）の配置面に沿う延長方向Ｘとほぼ一致す
る角辺上すなわちθ１ ≧０とし、θ２は９０°≦θく
０として、磁気ギャップｇから後方に向ってＭＲＲ磁部
（３）の配置部において特にその中間部に至る部分にお
いて漸次第１及び第２の薄膜磁気コア（１１）及び（１
２）間の間隔が犬となるように選定する。
１及び第２の薄膜磁気コア（１１）及び（１２）のＭＲ
Ｒ磁部（３）の面とのなす角すなわちＭＲＲ磁部（３）
の延長方向Ｘに対してのなす角を、θ１及びθ２ とす
るときθ１ ≠０２ とする。ここに０１ は例えばＭ
ＲＲ磁部（３）の配置面に沿う延長方向Ｘとほぼ一致す
る角辺上すなわちθ１ ≧０とし、θ２は９０°≦θく
０として、磁気ギャップｇから後方に向ってＭＲＲ磁部
（３）の配置部において特にその中間部に至る部分にお
いて漸次第１及び第２の薄膜磁気コア（１１）及び（１
２）間の間隔が犬となるように選定する。
上述の本発明構成においては、第５図で説明したＭＲＲ
磁部（３）に対するバイアス導体の形成が省略されるが
、再生に当っては、ヘッド巻線（７）に所要の通電をな
←ギすことによって両薄膜磁気コア（１１）及び（１２
）間の磁気ギャップｇに第１図及び第３図に鎖線矢印ａ
で模式的に示す磁束を発生させる。この場合θ１ ≠０
２ にしてＭＲＲ磁部（３）の配置部においてその前方
から後方に向って漸次薄膜磁気コア（１１）及び（１２
）間の間隔が大となるように選定したことによって、ギ
ャップｇの磁束（磁界）は、Ｘ方向すなわち感磁部（３
）の延長方向に沿う磁界成分が生じる。つまり、ＭＲＲ
磁部（３）には所要の外部バイアス磁界を与えることが
できる。このように、そのヘッド巻線（７）への通電電
流を適当に選定することによってＭＲＲ磁部（３）に所
要のバイアス磁界を与ええるのでＭＲＲ磁部（３）を直
線性に優れ、感度の優れた磁気抵抗特性を示す範囲にお
いて動作させることができる。
磁部（３）に対するバイアス導体の形成が省略されるが
、再生に当っては、ヘッド巻線（７）に所要の通電をな
←ギすことによって両薄膜磁気コア（１１）及び（１２
）間の磁気ギャップｇに第１図及び第３図に鎖線矢印ａ
で模式的に示す磁束を発生させる。この場合θ１ ≠０
２ にしてＭＲＲ磁部（３）の配置部においてその前方
から後方に向って漸次薄膜磁気コア（１１）及び（１２
）間の間隔が大となるように選定したことによって、ギ
ャップｇの磁束（磁界）は、Ｘ方向すなわち感磁部（３
）の延長方向に沿う磁界成分が生じる。つまり、ＭＲＲ
磁部（３）には所要の外部バイアス磁界を与えることが
できる。このように、そのヘッド巻線（７）への通電電
流を適当に選定することによってＭＲＲ磁部（３）に所
要のバイアス磁界を与ええるのでＭＲＲ磁部（３）を直
線性に優れ、感度の優れた磁気抵抗特性を示す範囲にお
いて動作させることができる。
また、第５図及び第６図で説明した従来におけるような
バイアス導体（６）の配置を省略することができるよう
にしたことから、その導体（６）の配置のための面積、
さらにこの両端からの端子導出部（１６ａ）及び（１６
ｂ） の配置面積を省略することができるので構造の簡
潔化、占有面積の縮小化、したがって、全体の小型化、
さらに製造工程の簡易化がはかられる。
バイアス導体（６）の配置を省略することができるよう
にしたことから、その導体（６）の配置のための面積、
さらにこの両端からの端子導出部（１６ａ）及び（１６
ｂ） の配置面積を省略することができるので構造の簡
潔化、占有面積の縮小化、したがって、全体の小型化、
さらに製造工程の簡易化がはかられる。
第１図及び第２図を参照して本発明による複合型薄膜磁
気ヘッドの一例を詳細に説明する。この場合、例えばＭ
２Ｏ，・ＴｉＣ等よりなる浮上型磁気ヘッドを構成する
スライダ自体あるいはこれに取着される同様の非磁性基
板等よりなる基板（１）上に所要のパターンにＦｅＮ
ｉ等よりなる第１の薄膜磁気コア（１１）を周知のいわ
ゆるフレームメツキ等によって所要の外部磁場を与えた
状態によって形成し、フレームを構成する例えばフォト
レジストの除去、さらにその外周不要部のエツチングを
行って所要のパターンに形成する。次にこの薄膜コア（
１１）を埋込むように５ｉｎ２． Ｍ２Ｏ３等の非磁
性絶縁層（２０）をスパッタ等によって形成し、その表
面を平坦化し、これの上にＭＲＲ磁部（３）を形成する
。
気ヘッドの一例を詳細に説明する。この場合、例えばＭ
２Ｏ，・ＴｉＣ等よりなる浮上型磁気ヘッドを構成する
スライダ自体あるいはこれに取着される同様の非磁性基
板等よりなる基板（１）上に所要のパターンにＦｅＮ
ｉ等よりなる第１の薄膜磁気コア（１１）を周知のいわ
ゆるフレームメツキ等によって所要の外部磁場を与えた
状態によって形成し、フレームを構成する例えばフォト
レジストの除去、さらにその外周不要部のエツチングを
行って所要のパターンに形成する。次にこの薄膜コア（
１１）を埋込むように５ｉｎ２． Ｍ２Ｏ３等の非磁
性絶縁層（２０）をスパッタ等によって形成し、その表
面を平坦化し、これの上にＭＲＲ磁部（３）を形成する
。
このＭＲＲ磁部（３〕は、第３図にその路線的断面図を
示すように、Ｓｉｎ、等よりなる非磁性絶縁性薄膜（２
３）を介して静磁的に結合する第１及び第２のＭＲ薄膜
（３Ａ）及び（３Ｂ）の積層構造として磁区の発生を回
避した構成とすることによってバルクハウゼンノイズの
低減化をはかった構造となし得る。
示すように、Ｓｉｎ、等よりなる非磁性絶縁性薄膜（２
３）を介して静磁的に結合する第１及び第２のＭＲ薄膜
（３Ａ）及び（３Ｂ）の積層構造として磁区の発生を回
避した構成とすることによってバルクハウゼンノイズの
低減化をはかった構造となし得る。
このＭＲＲ磁部（３）すなわち両ＭＲ薄膜（３＾）及び
（３Ｂ）は、第１の薄膜磁気コア（１１）の前方端から
後方側に向ってすなわち後述する磁気ギャップｇの深さ
方向Ｘ方向に沿って延在するように非磁性絶縁層（２３
）を介して積層形成される。
（３Ｂ）は、第１の薄膜磁気コア（１１）の前方端から
後方側に向ってすなわち後述する磁気ギャップｇの深さ
方向Ｘ方向に沿って延在するように非磁性絶縁層（２３
）を介して積層形成される。
・ そして、このＭＲＲ磁部〔３）の両ＭＲ薄膜（３Ａ
）及び（３Ｂ）の両端にそれぞれ電気的に連結して薄膜
導電層よりなる電極（４ａ）及び（４ｂ）とこれより延
長して端子導出部（１４ａ） 及び（１４ｂ） を形
成する。
）及び（３Ｂ）の両端にそれぞれ電気的に連結して薄膜
導電層よりなる電極（４ａ）及び（４ｂ）とこれより延
長して端子導出部（１４ａ） 及び（１４ｂ） を形
成する。
また、これら電極（４ａ）及び（４ｂ）、及び端子導出
部（１４ａ）及び（１４ｔｌ）等の形成と同時に、また
は別の工程において薄膜導電層によって所要のパターン
のヘッド巻線（７）を形成する。
部（１４ａ）及び（１４ｔｌ）等の形成と同時に、また
は別の工程において薄膜導電層によって所要のパターン
のヘッド巻線（７）を形成する。
これら電極（４ａ）及び（４ｂ）、ＭＲＲ磁部（３）、
ヘッド巻線（７）等を覆って例えば全面的にＳｉＯ□等
の絶縁層（２０）をスパッタ等によって形成する。この
場合、この絶縁層（２０）はＭＲＲ磁部（３）の前方端
から後方端に向って漸次その厚さを大とするように角θ
２の傾斜をもたしめる。
ヘッド巻線（７）等を覆って例えば全面的にＳｉＯ□等
の絶縁層（２０）をスパッタ等によって形成する。この
場合、この絶縁層（２０）はＭＲＲ磁部（３）の前方端
から後方端に向って漸次その厚さを大とするように角θ
２の傾斜をもたしめる。
そして、この絶縁層（２０）にフォトリソグラフィを用
いた選択的エツチングによってヘッド巻線（７）の中心
部に窓を穿設し、この窓を通じて第２の薄膜磁気コア（
１２）を例えば前方端において幅狭に、後方に向って広
がるパターンをもって形成し、その後方端において絶縁
層（２０）に穿設した窓を通じて例えば直線的に第１の
薄膜磁気コア（１１）に連接させて磁気的に結合する。
いた選択的エツチングによってヘッド巻線（７）の中心
部に窓を穿設し、この窓を通じて第２の薄膜磁気コア（
１２）を例えば前方端において幅狭に、後方に向って広
がるパターンをもって形成し、その後方端において絶縁
層（２０）に穿設した窓を通じて例えば直線的に第１の
薄膜磁気コア（１１）に連接させて磁気的に結合する。
このようにして第１及び第２の薄膜磁気コア（１１）及
び（１２）の前方端において所要の間隔すなわちギャッ
プ長を有する磁気ギャップｇを形成し、これより後方に
ＭＲＲ磁部（３）の配置部に対して第２の薄膜磁気コア
（１２）の第１の薄膜磁気コア（１１）との間隔が大と
なるようにＭＲＲ磁部（３）すなわちＭＲ薄膜配置面Ｘ
との角度θ、が、９０“≦θく０°、望ましくは９０°
〜３０°をもって形成する。
び（１２）の前方端において所要の間隔すなわちギャッ
プ長を有する磁気ギャップｇを形成し、これより後方に
ＭＲＲ磁部（３）の配置部に対して第２の薄膜磁気コア
（１２）の第１の薄膜磁気コア（１１）との間隔が大と
なるようにＭＲＲ磁部（３）すなわちＭＲ薄膜配置面Ｘ
との角度θ、が、９０“≦θく０°、望ましくは９０°
〜３０°をもって形成する。
また、この構成において、ヘッド巻線（７）は、例えば
その渦巻状パターンの外端から延在して一方の端子導出
部（１７ａ） が形成され、さらにヘッド巻線（７）
の内端から絶縁層（２０）に突設した窓を通じて他方の
外部端子導出部（１７ｂ） を形成する導電層を所要
のパターンに被着形成する。また、第２の薄膜磁気コア
（１２）上を含んで全面的に形成した例えば非磁性絶縁
層よりなる保護膜（２４）を形成する。
その渦巻状パターンの外端から延在して一方の端子導出
部（１７ａ） が形成され、さらにヘッド巻線（７）
の内端から絶縁層（２０）に突設した窓を通じて他方の
外部端子導出部（１７ｂ） を形成する導電層を所要
のパターンに被着形成する。また、第２の薄膜磁気コア
（１２）上を含んで全面的に形成した例えば非磁性絶縁
層よりなる保護膜（２４）を形成する。
このような構成による複合型薄膜磁気ヘッドは、例えば
スライダを構成する基板（１）の前方端と共に研磨され
て平坦な磁気記録媒体との対接ないしは対向面となるＡ
ＢＳ面（２）が形成されて、このＡＢＳ面（２）に磁気
ギャップｇの前端が臨むように形成される。
スライダを構成する基板（１）の前方端と共に研磨され
て平坦な磁気記録媒体との対接ないしは対向面となるＡ
ＢＳ面（２）が形成されて、このＡＢＳ面（２）に磁気
ギャップｇの前端が臨むように形成される。
このような構成による複合型薄膜磁気ヘッドにおいて磁
気記録媒体に対する記録を行うには、ヘッド巻線（７）
に所要の記録情報に応じた信号電流を重畳した所要の通
電をなして第１の薄膜磁気コア（１１）と第２の薄膜磁
気コア（１２）による閉磁路に磁束を発生させ、その磁
気ギャップｇからの磁界によって記録を行う。再生に当
たってはＭＲＲ磁部（３）の画電極（４ａ）及び（４ｂ
） （すなわち端子導出部（１４ａ） 及び（１４ｂ）
間に所定のセンス電流を通電して、５８４図に示すよ
うに両ＭＲ薄膜（３＾）及び（３Ｂ）にギャップｇの深
さ方向の一定電流１．／２を与え、かつヘッド巻ＩＮ（
７）に所要の直流電流を与えることによって第１図及び
第３図に鎖線矢印ａで示すＭＲＲ磁部（３）のセンス電
流の通電方向に沿う外部バイアス磁場を与えてＭＲＲ磁
部（３）を所要のバイアス磁化状態とする。この状態で
、磁気ギャップｇから磁気記録媒体の記録磁化による信
号磁界を与えたＭＲＲ磁部（３）に生じた抵抗変化を電
極（４ａ）及び（４ｂ）間の電圧変動としてその読出し
を行う。
気記録媒体に対する記録を行うには、ヘッド巻線（７）
に所要の記録情報に応じた信号電流を重畳した所要の通
電をなして第１の薄膜磁気コア（１１）と第２の薄膜磁
気コア（１２）による閉磁路に磁束を発生させ、その磁
気ギャップｇからの磁界によって記録を行う。再生に当
たってはＭＲＲ磁部（３）の画電極（４ａ）及び（４ｂ
） （すなわち端子導出部（１４ａ） 及び（１４ｂ）
間に所定のセンス電流を通電して、５８４図に示すよ
うに両ＭＲ薄膜（３＾）及び（３Ｂ）にギャップｇの深
さ方向の一定電流１．／２を与え、かつヘッド巻ＩＮ（
７）に所要の直流電流を与えることによって第１図及び
第３図に鎖線矢印ａで示すＭＲＲ磁部（３）のセンス電
流の通電方向に沿う外部バイアス磁場を与えてＭＲＲ磁
部（３）を所要のバイアス磁化状態とする。この状態で
、磁気ギャップｇから磁気記録媒体の記録磁化による信
号磁界を与えたＭＲＲ磁部（３）に生じた抵抗変化を電
極（４ａ）及び（４ｂ）間の電圧変動としてその読出し
を行う。
尚、図示した例ではヘッド巻線（７）がコイル状の単層
薄膜によって構成した場合であるが、絶縁層を介して積
層された多層のコイル薄膜を各溝部で接続した多層構造
とするなど、各部の構造は種々の変形変更を採り得る。
薄膜によって構成した場合であるが、絶縁層を介して積
層された多層のコイル薄膜を各溝部で接続した多層構造
とするなど、各部の構造は種々の変形変更を採り得る。
上述したように本発明構成によれば、ＭＲ型の再生磁気
ヘッドと誘導型の記録磁気ヘッドとの複合型構成を採る
と共に、さらにＭＲ型再再生ヘッド構成おいてＭＲＲ磁
部に与えるバイアス磁界を誘導型記録ヘッドの磁界発生
の誘導コイル、すなわちヘッド巻線（７）を用いてこれ
によって得られるＭＲ１６磁Ｒ（３）へのバイアス磁界
として与えるようにして、このＭＲ型磁気ヘッドにおけ
るバイアス磁界を与えるための従来のバイアス導体の配
置を回避したので、この導体の形成、更にこれよりの端
子導出の配置を回避することができる。したがって、全
体の占有面積の縮小化、小型化、さらにこの構成の簡略
化に伴う製造の簡易化をはかることができ、これによっ
てさらに信頼性の高い複合型磁気ヘッドを得ることがで
きる。
ヘッドと誘導型の記録磁気ヘッドとの複合型構成を採る
と共に、さらにＭＲ型再再生ヘッド構成おいてＭＲＲ磁
部に与えるバイアス磁界を誘導型記録ヘッドの磁界発生
の誘導コイル、すなわちヘッド巻線（７）を用いてこれ
によって得られるＭＲ１６磁Ｒ（３）へのバイアス磁界
として与えるようにして、このＭＲ型磁気ヘッドにおけ
るバイアス磁界を与えるための従来のバイアス導体の配
置を回避したので、この導体の形成、更にこれよりの端
子導出の配置を回避することができる。したがって、全
体の占有面積の縮小化、小型化、さらにこの構成の簡略
化に伴う製造の簡易化をはかることができ、これによっ
てさらに信頼性の高い複合型磁気ヘッドを得ることがで
きる。
１１図は本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの一例の要
部の路線的断面図、第２図はその平面図、第３図はその
要部の模式的構成図、第４図はＭＲ感磁部の一例の断面
図、第５図及び第６図は従来の複合型薄膜磁気ヘッドの
断面図及びその平面図である。 （１〕は基板、（１１）及び（Ｉ２）は第１及び第２の
薄膜磁気コア、（３）はＭＲ感磁部、（７）はヘッド巻
線、ｇは磁気ギャップである。 手続補正書 平成 ３年 ９月１１日 】、事件の表示 平成 ２年 特 許 願 第２８６８７７苛性 所 東
京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１８）ソニ
ー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 ６、補正により増加する請求項の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ８、補正の内容 （１）明細書中、第８頁４行「θ、≧０」を「θ。 ≧０°」と訂正する。 （２）同、同頁５行「９０°≦θ〈０」を「Ｏｏ〈θ。 ≦９０” Ｊと訂正する。 （３）同、第１０頁１４行「第３図」を「第４図」と訂
正する。 （４）同、第１２頁１３行［角度θ２が、９０°≦θ〈
０°」を「角度θ１．θ８が、θ、≠θアで、Ｏ°≦θ
８．０°くθ、≦９０°」と訂正する。
部の路線的断面図、第２図はその平面図、第３図はその
要部の模式的構成図、第４図はＭＲ感磁部の一例の断面
図、第５図及び第６図は従来の複合型薄膜磁気ヘッドの
断面図及びその平面図である。 （１〕は基板、（１１）及び（Ｉ２）は第１及び第２の
薄膜磁気コア、（３）はＭＲ感磁部、（７）はヘッド巻
線、ｇは磁気ギャップである。 手続補正書 平成 ３年 ９月１１日 】、事件の表示 平成 ２年 特 許 願 第２８６８７７苛性 所 東
京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１８）ソニ
ー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 ６、補正により増加する請求項の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ８、補正の内容 （１）明細書中、第８頁４行「θ、≧０」を「θ。 ≧０°」と訂正する。 （２）同、同頁５行「９０°≦θ〈０」を「Ｏｏ〈θ。 ≦９０” Ｊと訂正する。 （３）同、第１０頁１４行「第３図」を「第４図」と訂
正する。 （４）同、第１２頁１３行［角度θ２が、９０°≦θ〈
０°」を「角度θ１．θ８が、θ、≠θアで、Ｏ°≦θ
８．０°くθ、≦９０°」と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１及び第２の薄膜磁気コアが、前方端部間において
磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨む磁気ギャッ
プを形成するように積層され、上記磁気ギャップ内から
後方に向って磁気抵抗感磁部が配されると共にその後方
部に上記第１及び第２の薄膜磁気コアによって形成され
る磁路に関連してヘッド巻線が配された磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドと誘導型磁気ヘッドとの複合型薄膜磁気
ヘッド構成を有し、 上記第１及び第２の薄膜磁気コアの前方端部間の間隔が
、上記磁気抵抗感磁部の配置部において、上記磁気ギャ
ップから後方に向ってそれぞれ上記磁気抵抗感磁部との
なす角θ＿１及びθ＿２が、θ＿１≠θ＿２の関係をも
って大とされたことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28687790A JPH04159606A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
| EP19910118167 EP0482642B1 (en) | 1990-10-24 | 1991-10-24 | Composite magnetoresistive thin-film magnetic head |
| DE1991624059 DE69124059T2 (de) | 1990-10-24 | 1991-10-24 | Zusammengesetzter magnetoresistiver Dünnfilmmagnetkopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28687790A JPH04159606A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04159606A true JPH04159606A (ja) | 1992-06-02 |
Family
ID=17710162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28687790A Pending JPH04159606A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0482642B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04159606A (ja) |
| DE (1) | DE69124059T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2780916B2 (ja) * | 1993-12-08 | 1998-07-30 | 富士通株式会社 | 垂直磁気記録用磁気ヘッド |
| US5923502A (en) * | 1995-12-21 | 1999-07-13 | International Business Machines Corporation | Magneto-resistive head including a selectively placed low-reluctance path between shields |
| JP3151155B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2001-04-03 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654621A (en) * | 1979-10-05 | 1981-05-14 | Nec Corp | Thin-film magnetic head |
| US4356523A (en) * | 1980-06-09 | 1982-10-26 | Ampex Corporation | Narrow track magnetoresistive transducer assembly |
| US4547824A (en) * | 1982-12-17 | 1985-10-15 | International Business Machines Corporation | Dual biasing for integrated inductive MR head |
| JPS6258410A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPS6258411A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP28687790A patent/JPH04159606A/ja active Pending
-
1991
- 1991-10-24 EP EP19910118167 patent/EP0482642B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-24 DE DE1991624059 patent/DE69124059T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0482642A2 (en) | 1992-04-29 |
| DE69124059D1 (de) | 1997-02-20 |
| EP0482642A3 (en) | 1994-06-08 |
| DE69124059T2 (de) | 1997-07-31 |
| EP0482642B1 (en) | 1997-01-08 |
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