JPH041617A - 積層構造 - Google Patents
積層構造Info
- Publication number
- JPH041617A JPH041617A JP10245390A JP10245390A JPH041617A JP H041617 A JPH041617 A JP H041617A JP 10245390 A JP10245390 A JP 10245390A JP 10245390 A JP10245390 A JP 10245390A JP H041617 A JPH041617 A JP H041617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- band
- layer
- conduction band
- sub
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 20
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241001663154 Electron Species 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035479 physiological effects, processes and functions Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光スィッチ、光交換、光双安定素子等に用い
られる光非線形材料に関するものである。
られる光非線形材料に関するものである。
（従来の技術）
従来、光スィッチ、光交換、光双安定素子等に用いられ
る半導体光非線形材料として、比較的に小さなバンドギ
ャップを有し、バンドフィリング効果があるＩｎＳｂ、
ＣｄＨｇＴｅ （アイイーイーイージャーナルオブカ
ンタムエレクトロニクス１７巻３１２頁Ｍｉｌｌｅｒ
ｅｔ ａｌ、 ＩＥＥＥ Ｊ、 Ｑｕａｎｔ、 Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ １７ （１９８１）３１２）や、自由エキ
シトンの非線形性を利用したＧａＡｓ （アブライドフ
イジツクスレターズ３５巻４５１頁Ｇｉｂｂｓ ｅｔ
ａｌ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ３５
（１９７９） ４５１）、束縛エキシトンを利用したＣ
ｄＳ、 Ｃｄ５ｅ（アブライドフイジノクスレターズ４
４巻５７４頁Ｄａｇｅｎａｉｓ ｅｔ ａｌ、 Ａｐｐ
ｌ。
る半導体光非線形材料として、比較的に小さなバンドギ
ャップを有し、バンドフィリング効果があるＩｎＳｂ、
ＣｄＨｇＴｅ （アイイーイーイージャーナルオブカ
ンタムエレクトロニクス１７巻３１２頁Ｍｉｌｌｅｒ
ｅｔ ａｌ、 ＩＥＥＥ Ｊ、 Ｑｕａｎｔ、 Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ １７ （１９８１）３１２）や、自由エキ
シトンの非線形性を利用したＧａＡｓ （アブライドフ
イジツクスレターズ３５巻４５１頁Ｇｉｂｂｓ ｅｔ
ａｌ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ３５
（１９７９） ４５１）、束縛エキシトンを利用したＣ
ｄＳ、 Ｃｄ５ｅ（アブライドフイジノクスレターズ４
４巻５７４頁Ｄａｇｅｎａｉｓ ｅｔ ａｌ、 Ａｐｐ
ｌ。
Ｐｈｙｓ、 １ｅｔｔ、 ４４ （１９８４） ５７４
）、バイエキシＩ・ンを利用したＣｕＣ１（ソリッドス
テートコミュニケーション４８巻７０５頁Ｌｅｖｙ ｅ
ｔ ａｌ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｃｏｍｍｕｎ、
４８ （１９８３）７０５）、多重量子井戸中の室温エ
キシトンを利用したもの（アブライドフイジソクスレタ
ーズ４１巻２２１頁Ｇｉｂｂｓ、 ｅｔ ａｌ、 Ａｐ
ｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ４１ （１９８２）
２２１）、多重量子井戸の伝導帯の２つのサブバンド
間遷移を用いた光非線形材料アブライドフイジツクスレ
ターズ４６巻１１５６頁（Ｗｅｓｔ ｅｔ ａｌ、 Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ４６ （１９８５
）１１５６）などがあった。
）、バイエキシＩ・ンを利用したＣｕＣ１（ソリッドス
テートコミュニケーション４８巻７０５頁Ｌｅｖｙ ｅ
ｔ ａｌ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｃｏｍｍｕｎ、
４８ （１９８３）７０５）、多重量子井戸中の室温エ
キシトンを利用したもの（アブライドフイジソクスレタ
ーズ４１巻２２１頁Ｇｉｂｂｓ、 ｅｔ ａｌ、 Ａｐ
ｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ４１ （１９８２）
２２１）、多重量子井戸の伝導帯の２つのサブバンド
間遷移を用いた光非線形材料アブライドフイジツクスレ
ターズ４６巻１１５６頁（Ｗｅｓｔ ｅｔ ａｌ、 Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ４６ （１９８５
）１１５６）などがあった。
上記、従来技術は、いずれも二準位系の光学遷移による
光非線形性を利用している。また量子井戸の三準位系の
光学遷移を用いたものとして、共鳴型光非線形構造（ア
ブライドフイジックスレターズ５５巻１６０９頁Ｍｏｒ
ｒｉｓｏｎ ｅｔ ａｌ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ、 ５５（１９８９） １６０９）があった。
光非線形性を利用している。また量子井戸の三準位系の
光学遷移を用いたものとして、共鳴型光非線形構造（ア
ブライドフイジックスレターズ５５巻１６０９頁Ｍｏｒ
ｒｉｓｏｎ ｅｔ ａｌ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ、 ５５（１９８９） １６０９）があった。
（発明が解決しようとする課題）
これら非線形材料を用いる際、光双安定動作など素子動
作に必要な入射光強度を小さくするには、材料の光非線
形性を記述する三次の非線形分極ｌｘ のより大きな材
料が必要である。この点では、上記従来技術の量子井戸
の三準位系の光学遷移を用いた共鳴型光非線形構造は有
望である。
作に必要な入射光強度を小さくするには、材料の光非線
形性を記述する三次の非線形分極ｌｘ のより大きな材
料が必要である。この点では、上記従来技術の量子井戸
の三準位系の光学遷移を用いた共鳴型光非線形構造は有
望である。
しかし、このバンド構造を作るには、量子井戸ポテンシ
ャルが十分深く、また量子井戸層を形成する半導体も禁
制帯幅のあまり大きくないものでなくてはならず、材料
設計の自由度は小さいという問題点があった。
ャルが十分深く、また量子井戸層を形成する半導体も禁
制帯幅のあまり大きくないものでなくてはならず、材料
設計の自由度は小さいという問題点があった。
（課題を解決するための手段）
本発明の積層構造は、電子のド・ブローイ波長程度の層
厚を有する半導体が、該半導体より大きな禁制帯幅を有
する、第１及び第２の絶縁体で挟まれた積層構造であっ
て、該半導体中に生じる伝導帯第１及び第２のサブバン
ド間の遷移エネルギーが、該半導体の伝導帯と価電子帯
の各第１サブバンド間の遷移エネルギーとほぼ同じであ
ることに特徴がある。
厚を有する半導体が、該半導体より大きな禁制帯幅を有
する、第１及び第２の絶縁体で挟まれた積層構造であっ
て、該半導体中に生じる伝導帯第１及び第２のサブバン
ド間の遷移エネルギーが、該半導体の伝導帯と価電子帯
の各第１サブバンド間の遷移エネルギーとほぼ同じであ
ることに特徴がある。
（作用）
イ４科の非線形性を記述する三次の非線形分極率ｘ（３
）は、アンチレゾナンス（ａｎｔｉｒｅｓｏｎａｎｃｅ
）の項を無視できる適当な条件下では、次のように表現
できる。
）は、アンチレゾナンス（ａｎｔｉｒｅｓｏｎａｎｃｅ
）の項を無視できる適当な条件下では、次のように表現
できる。
Ｘ （ωニーω、ω、−〇）＝
ここで励起状態αとγは基底状態ｇから１光子吸収で遷
移可能な準位である。ｈω、ｇ、 ／ｚωｌ１ｇ＋ ’
ω。５はそれぞれ添字の準位間のエネルギー、ｈωは励
起エネルギーである。δは緩和周波数である。Ｐｏ−よ
αとｇ状態間の遷移の双極子モーメントである。ｐｒ、
、ｐ、ａ、 ｐｏ−同様に添字の準位間の双極子モーメ
ントである。大きなＸ をうるには、この式かられかる
ように、Ｐｏ、、 Ｐとが大きく、かつ共鳴エネルギー
の項ｈ（ω。２−ω）とｈ（０１１１ｇ−２ω）が小さ
くなるような準位ｑをｐを選ぶことである。
移可能な準位である。ｈω、ｇ、 ／ｚωｌ１ｇ＋ ’
ω。５はそれぞれ添字の準位間のエネルギー、ｈωは励
起エネルギーである。δは緩和周波数である。Ｐｏ−よ
αとｇ状態間の遷移の双極子モーメントである。ｐｒ、
、ｐ、ａ、 ｐｏ−同様に添字の準位間の双極子モーメ
ントである。大きなＸ をうるには、この式かられかる
ように、Ｐｏ、、 Ｐとが大きく、かつ共鳴エネルギー
の項ｈ（ω。２−ω）とｈ（０１１１ｇ−２ω）が小さ
くなるような準位ｑをｐを選ぶことである。
以下では図を用いて本発明の作用について説明する。第
１図は本発明の積層構造によるバンド図である。図中の
ｇ＋ ａｒ ｐ＋γは上記の準位と対応させた物である
。ｇは価電子帯の第１サブバンド１１、α、γは伝導帯
の第１サブバンド１２、ｐは伝導帯の第２サブバンド１
３にそれぞれ対応する。基底状態ｇと準位ｐとの間の遷
移は、一般には禁制遷移であり、２光子吸収で遷移可能
な準位である。
１図は本発明の積層構造によるバンド図である。図中の
ｇ＋ ａｒ ｐ＋γは上記の準位と対応させた物である
。ｇは価電子帯の第１サブバンド１１、α、γは伝導帯
の第１サブバンド１２、ｐは伝導帯の第２サブバンド１
３にそれぞれ対応する。基底状態ｇと準位ｐとの間の遷
移は、一般には禁制遷移であり、２光子吸収で遷移可能
な準位である。
また、準位αからｐへの遷移は、積層面に平行に入射し
た光（ＴＭ波）でのみ遷移可能であり、先導波路型の光
スィッチの非線形材料として用いることができる。更に
本発明では、電子のド・ブローイ波長程度の層厚の半導
体層に量子井戸を形成するバリア層が、絶縁体でできて
いる為、伝導帯不連続値が大きく、従って、伝導帯の第
２ザブバンドは十分量子井戸内に束縛された状態になっ
ており、遷移の双極子モーメン） Ｐ（１，も、バリア
層が半導体のものと比べて、大きなものとなっている。
た光（ＴＭ波）でのみ遷移可能であり、先導波路型の光
スィッチの非線形材料として用いることができる。更に
本発明では、電子のド・ブローイ波長程度の層厚の半導
体層に量子井戸を形成するバリア層が、絶縁体でできて
いる為、伝導帯不連続値が大きく、従って、伝導帯の第
２ザブバンドは十分量子井戸内に束縛された状態になっ
ており、遷移の双極子モーメン） Ｐ（１，も、バリア
層が半導体のものと比べて、大きなものとなっている。
また伝導１７不連続値が大きいため、準位ｇと準位ｑ、
γの遷移エネルギーがかなり大きくても、量子井戸層厚
の制御により、十分量子井戸内に束縛された共鳴準位（
３を井戸内に形成することができ、旧材設計の自由度が
大きくなっている。このように本発明のバンド構造は、
大きなＸ を得るための条件を満足しており、大きな光
非線形性を有する拐料である。
γの遷移エネルギーがかなり大きくても、量子井戸層厚
の制御により、十分量子井戸内に束縛された共鳴準位（
３を井戸内に形成することができ、旧材設計の自由度が
大きくなっている。このように本発明のバンド構造は、
大きなＸ を得るための条件を満足しており、大きな光
非線形性を有する拐料である。
（実施例）
以下、図面を用いて本発明の実施例を発明する。第２図
は、本発明の第１の実施例の構造図を示したものである
。これは、ＭＢＥ法により、５ｉ（１１１）基板２１の
上にフッ化カルシウム（ＣａＦ２）層２２を約１０００
人情層し、その上にＧａＡｓ層２３を約２７人情層し、
更にＣａＦ２層２４を１００ＯＡ積層したものである。
は、本発明の第１の実施例の構造図を示したものである
。これは、ＭＢＥ法により、５ｉ（１１１）基板２１の
上にフッ化カルシウム（ＣａＦ２）層２２を約１０００
人情層し、その上にＧａＡｓ層２３を約２７人情層し、
更にＣａＦ２層２４を１００ＯＡ積層したものである。
Ｓｉ基板２１とＣａＦ２層２２．２４の間はほぼ格子整
合（０，６％）しておりＣａＦ２層は２２．２４とＧａ
Ａｓ層２３とは約３．７％の格子不整合がある。しかし
ＧａＡｓ層２３は臨界膜厚以下であり、欠陥は少ない。
合（０，６％）しておりＣａＦ２層は２２．２４とＧａ
Ａｓ層２３とは約３．７％の格子不整合がある。しかし
ＧａＡｓ層２３は臨界膜厚以下であり、欠陥は少ない。
臨界膜厚は材料と格子不整合の大きさにより決まる値で
ある。第３図は、本構造のバンド図を示したものである
。ＧａＡｓ層厚を約２７Ａにとることにより、ＧａＡｓ
層２３の伝導帯の第１、第２サブバンド間エネルギｈω
、。が、伝導帯第１及び価電子帯第１サブバンド間のエ
ネルギｈω とはｇ ぼ等しく ２．２５ｅＶになっている。本発明の積層構
造により、ＧａＡｓのような比較的バンドギャップの大
きい半導体に対してもこのような、共鳴型のバンド構造
を形成することが出来る。
ある。第３図は、本構造のバンド図を示したものである
。ＧａＡｓ層厚を約２７Ａにとることにより、ＧａＡｓ
層２３の伝導帯の第１、第２サブバンド間エネルギｈω
、。が、伝導帯第１及び価電子帯第１サブバンド間のエ
ネルギｈω とはｇ ぼ等しく ２．２５ｅＶになっている。本発明の積層構
造により、ＧａＡｓのような比較的バンドギャップの大
きい半導体に対してもこのような、共鳴型のバンド構造
を形成することが出来る。
第４図は、本発明の第２の実施例の構造図である。これ
はＭＢＥ法によりＩｎＰ（１１１）基板４１上にＳｒｏ
、８３Ｂａｏ１゜Ｆ２層４２を約１００ＯＡ積層し、そ
の上にＩｎｏ、５３Ｇａｏ、４−ｔＡＳ層４３を約４９
人情層し、更にｓｒＯ，８３ＢａＯ，１７Ｆ２層４４を
約１００ＯＡ積層したものである。この構造では、格子
定数はすべてＩｎＰに一致している。この構造でも共鳴
型のバンド構造を形成できその共鳴のエネルギーは、１
．１２ｅＶである。本実施例の積層構造に関し、４光波
混合の実験によりＸ の値は、通常のＩｎＧａＡｓとＩ
ｎＰの量子井戸構造のものより約１０倍はどおおきくな
ると見積もられる。
はＭＢＥ法によりＩｎＰ（１１１）基板４１上にＳｒｏ
、８３Ｂａｏ１゜Ｆ２層４２を約１００ＯＡ積層し、そ
の上にＩｎｏ、５３Ｇａｏ、４−ｔＡＳ層４３を約４９
人情層し、更にｓｒＯ，８３ＢａＯ，１７Ｆ２層４４を
約１００ＯＡ積層したものである。この構造では、格子
定数はすべてＩｎＰに一致している。この構造でも共鳴
型のバンド構造を形成できその共鳴のエネルギーは、１
．１２ｅＶである。本実施例の積層構造に関し、４光波
混合の実験によりＸ の値は、通常のＩｎＧａＡｓとＩ
ｎＰの量子井戸構造のものより約１０倍はどおおきくな
ると見積もられる。
以上、実施例では、絶縁体としてアルカリ土類金属フッ
化物を用いたが、本発明は、旧材の種類、結晶成長方法
によって限定されるものではない。
化物を用いたが、本発明は、旧材の種類、結晶成長方法
によって限定されるものではない。
（発明の効果）
本発明によれば、デバイス動作に必要な入射光強度や入
射パルス幅の小さい場合でも効果の大きな光非線形素子
が得られる。
射パルス幅の小さい場合でも効果の大きな光非線形素子
が得られる。
第１図は本発明の詳細な説明したバンド図、第２図は第
一の実施例による構造図、第３図は第一の実施例による
バンド図、第４図は第２の実施例による構造図である。 図において、１１・・・価電子帯第一サブバンド、１２
−、−伝導帯第一サブバンド、１３・・・伝導帯第２サ
ブバンド、２１・５ｉ（１１１）基板、２２−ＣａＦ２
層、２３−ＧａＡｓ層、２４・・・ＣａＦ２層、３Ｌ−
ＣａＦ２層、３２−ＧａＡｓ層、３３−ＣａＦ２層、３
４・・・価電子帯第一サブバンド、３５・・、伝導帯第
一サブハンド、３６・・・伝導帯第２サブバンド、４１
・ＩｎＰ（１１１）基板、４２”’Ｓｒｏ、５３Ｂａｏ
１□Ｆ２層、４３−Ｉｎ。５３Ｇａｏ４゜Ａｓ層、４４
””０．８３Ｂａ０．１７Ｆ２層である。
一の実施例による構造図、第３図は第一の実施例による
バンド図、第４図は第２の実施例による構造図である。 図において、１１・・・価電子帯第一サブバンド、１２
−、−伝導帯第一サブバンド、１３・・・伝導帯第２サ
ブバンド、２１・５ｉ（１１１）基板、２２−ＣａＦ２
層、２３−ＧａＡｓ層、２４・・・ＣａＦ２層、３Ｌ−
ＣａＦ２層、３２−ＧａＡｓ層、３３−ＣａＦ２層、３
４・・・価電子帯第一サブバンド、３５・・、伝導帯第
一サブハンド、３６・・・伝導帯第２サブバンド、４１
・ＩｎＰ（１１１）基板、４２”’Ｓｒｏ、５３Ｂａｏ
１□Ｆ２層、４３−Ｉｎ。５３Ｇａｏ４゜Ａｓ層、４４
””０．８３Ｂａ０．１７Ｆ２層である。
Claims (1)
- 電子のド・ブローイ波長程度の層厚を有する半導体が
、該半導体より大きな禁制帯幅を有する、第１及び第２
の絶縁体で挟まれた積層構造であって、該半導体中に生
じる伝導帯第１及び第２のサブバンド間の遷移エネルギ
ーが、該半導体の伝導帯と価電子帯の各第１サブバンド
間の遷移エネルギーとほぼ同じであることを特徴とする
積層構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10245390A JPH041617A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 積層構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10245390A JPH041617A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 積層構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041617A true JPH041617A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14327893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10245390A Pending JPH041617A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 積層構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH041617A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0583115A1 (en) * | 1992-07-30 | 1994-02-16 | International Business Machines Corporation | Nonlinear optical device |
| US5437153A (en) * | 1992-06-12 | 1995-08-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust purification device of internal combustion engine |
| US5450722A (en) * | 1992-06-12 | 1995-09-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust purification device of internal combustion engine |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP10245390A patent/JPH041617A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5437153A (en) * | 1992-06-12 | 1995-08-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust purification device of internal combustion engine |
| US5450722A (en) * | 1992-06-12 | 1995-09-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust purification device of internal combustion engine |
| EP0583115A1 (en) * | 1992-07-30 | 1994-02-16 | International Business Machines Corporation | Nonlinear optical device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Adachi | Refractive indices of III–V compounds: Key properties of InGaAsP relevant to device design | |
| US5079774A (en) | Polarization-tunable optoelectronic devices | |
| Torii et al. | Reflectance and emission spectra of excitonic polaritons in GaN | |
| Fan et al. | Valence hole subbands and optical gain spectra of GaN/Ga1− x Al x N strained quantum wells | |
| JP2740029B2 (ja) | 半導体ヘテロ構造 | |
| Karimi et al. | Intense laser field effects on the linear and nonlinear intersubband optical properties in a strained InGaN/GaN quantum well | |
| US8179585B2 (en) | Coupled quantum well structure | |
| Ortakaya et al. | Size-dependent electronic and optical properties in zinc-blende InGaN/GaN multilayer spherical quantum dot | |
| Karabulut et al. | Second harmonic generation in an asymmetric rectangular quantum well under hydrostatic pressure | |
| Liu et al. | Ferroelectric ScAlN: Epitaxy, properties, and emerging photonic device applications | |
| JPH041617A (ja) | 積層構造 | |
| Sharma et al. | Effect of strain on GaAs 1-x-y N x Bi y/GaAs to extract the electronic band structure and optical gain by using 16-band kp Hamiltonian | |
| Ivanov et al. | (In, Ga) N-GaN resonant Bragg structures with single and double quantum wells in the unit supercell | |
| Li | Studies on linear and nonlinear intersubband optical absorptions in a wurtzite AlGaN/GaN coupling quantum well | |
| Liu et al. | Ferroelectric AlScN as an extreme nonlinear quantum material beyond LiNbO3 | |
| JP2727262B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| Ebe et al. | Internal Strain of Self-Assembled In x Ga1-x As Quantum Dots Calculated to Realize Transverse-Magnetic-Mode-Sensitive Interband Optical Transition at Wavelengths of 1.5 µm bands | |
| Smith | Piezoelectric effects in strained layer heterostructures grown on novel index substrates | |
| Conidi et al. | Low-Loss Strip-Loaded SiN Waveguides on Engineered AlN for Quantum Photonic Applications | |
| JP2513309B2 (ja) | 半導体積層構造 | |
| JP3138831B2 (ja) | 半導体非線型光学装置 | |
| JPH05224263A (ja) | 電子−光量子井戸デバイスを含む製品 | |
| Azhikodan et al. | Enormous excitonic effects in bulk, mono-and bi-layers of cuprous halides using many-body perturbation technique | |
| KR100240641B1 (ko) | 반도체 레이저 | |
| Ginzburg et al. | Nonlinear optics with local phasematching by quantum-based meta-material |