JPH0416233A - 分子線強度調整方法 - Google Patents
分子線強度調整方法Info
- Publication number
- JPH0416233A JPH0416233A JP2117593A JP11759390A JPH0416233A JP H0416233 A JPH0416233 A JP H0416233A JP 2117593 A JP2117593 A JP 2117593A JP 11759390 A JP11759390 A JP 11759390A JP H0416233 A JPH0416233 A JP H0416233A
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- JP
- Japan
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- molecular beam
- rotating body
- molecular
- intensity
- beam intensity
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- Pending
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空中で分子線を利用して種々の処理を施す産
業機器に係り、特に、分子線の強度を変化させる手段お
よび方法に関する。
業機器に係り、特に、分子線の強度を変化させる手段お
よび方法に関する。
従来の分子線の強度を変化させる方法として、例えば、
分子線蒸着装置では、特開昭６１−２０１４２１号公報
に記載のように、蒸発源の開口部の形状を変化させたも
のがある。
分子線蒸着装置では、特開昭６１−２０１４２１号公報
に記載のように、蒸発源の開口部の形状を変化させたも
のがある。
また、上記と同じように、開口部の形状を複数の回転板
を組み合せて、外部からシャツタ板を回転駆動させるこ
とにより経時的に変化させた例が、特開昭６２−２９０
１２１号公報に記載されている。
を組み合せて、外部からシャツタ板を回転駆動させるこ
とにより経時的に変化させた例が、特開昭６２−２９０
１２１号公報に記載されている。
上記従来技術は、蒸発源の開口部を覆うことにより、被
処理物に到達する分子線の強度の分布が変化する。つは
り、蒸発源内部の分圧や温度が変化して内部状態が変化
するとともに、被処理物から見た蒸発源開口部の形状が
変化することにより立体角が大きく変動することによる
。
処理物に到達する分子線の強度の分布が変化する。つは
り、蒸発源内部の分圧や温度が変化して内部状態が変化
するとともに、被処理物から見た蒸発源開口部の形状が
変化することにより立体角が大きく変動することによる
。
本発明の目的は分子線発生源の状態や開口面積は変化さ
せずに分子線強度の分布をできるだけ一定に保ちながら
分子線強度の絶対強度を変化させる方法を提供すること
にある。
せずに分子線強度の分布をできるだけ一定に保ちながら
分子線強度の絶対強度を変化させる方法を提供すること
にある。
上記目的を達成するために１本発明は分子線発生源と被
処理物との間に高速で回転する回転翼を設けて分子線に
対して遮蔽したり、反対向に反射させたり加速させたり
できるようにしたものである。
処理物との間に高速で回転する回転翼を設けて分子線に
対して遮蔽したり、反対向に反射させたり加速させたり
できるようにしたものである。
分子線は被処理物に向って飛行するが回転翼部を飛行す
るうちに回転翼に接触されて方向を変えられて被処理物
に向うコースから外れさせることができる。また鋭い招
待性をもつ分子線を拡散させることもできる。
るうちに回転翼に接触されて方向を変えられて被処理物
に向うコースから外れさせることができる。また鋭い招
待性をもつ分子線を拡散させることもできる。
蒸着装置として用いる場合には翼に付着したり一部は反
射される。反射された分子は液体窒素等で冷却された面
ヘトラップさせれば良い。また、ある程度翼面で結合し
て大きくなった付着物は回転体の遠心力で横に飛ばされ
るので被処理物へ付着することはない。また翼の表面に
使用する材料に対して付着係数の小さい素材や耐食性の
大きな素材をコーティングする等の配慮をすることは言
うまでもない。
射される。反射された分子は液体窒素等で冷却された面
ヘトラップさせれば良い。また、ある程度翼面で結合し
て大きくなった付着物は回転体の遠心力で横に飛ばされ
るので被処理物へ付着することはない。また翼の表面に
使用する材料に対して付着係数の小さい素材や耐食性の
大きな素材をコーティングする等の配慮をすることは言
うまでもない。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は分子線発生源から被処理物の間に構造を模式的に示
したものである。１は分子線の発生源、２は彼処処理物
、３は回転体、３ａは回転翼、４はシュラウド、６はシ
ャッタ、７はシャッタ、１５は被処理物へ向う分子線を
示す。
図は分子線発生源から被処理物の間に構造を模式的に示
したものである。１は分子線の発生源、２は彼処処理物
、３は回転体、３ａは回転翼、４はシュラウド、６はシ
ャッタ、７はシャッタ、１５は被処理物へ向う分子線を
示す。
本実施例によれば回転翼３ａｘを通過した分子線は回転
体３の回転により順に３ａｚ 、３ａ３および３ａ４に
飛行を阻げられることになるが、回転速度によって被処
理物２までそのまま飛行できるか、回転翼３ａｚ、３ａ
３＋ ３ａ４に接触できるかが決定される。この回転速
度を変化させることにより分子線強度を変化させること
ができる。
体３の回転により順に３ａｚ 、３ａ３および３ａ４に
飛行を阻げられることになるが、回転速度によって被処
理物２までそのまま飛行できるか、回転翼３ａｚ、３ａ
３＋ ３ａ４に接触できるかが決定される。この回転速
度を変化させることにより分子線強度を変化させること
ができる。
第２図に回転体に設けた翼を模式的に示した。
円周方向に十枚の翼を四段に設けた。また、円周方向の
角度は翼と翼の間の分子線を通過させる空間と翼のしめ
る角度を同一（１１，２５）とした。
角度は翼と翼の間の分子線を通過させる空間と翼のしめ
る角度を同一（１１，２５）とした。
このため基本的には第１図に示した発生源１から被処理
物２に向って発した分子線を１００％とすると回転体３
を通過して被蒸着物２へ到達する分子線は５０％を越え
ない。本実施例では四段の翼の位置を回転軸方向にそろ
えたが、本発明では第２図の形状に限るわけではない。
物２に向って発した分子線を１００％とすると回転体３
を通過して被蒸着物２へ到達する分子線は５０％を越え
ない。本実施例では四段の翼の位置を回転軸方向にそろ
えたが、本発明では第２図の形状に限るわけではない。
すなわち、各所で翼の形状が異っていても良いし回転軸
方向にずれていても良い。また段数も必要量低減２段あ
れば良い・ 第３図に一枚の回転翼３ａの形状の例を示した。
方向にずれていても良い。また段数も必要量低減２段あ
れば良い・ 第３図に一枚の回転翼３ａの形状の例を示した。
回転中心ａ点に対して扇形の形状とし、つけ根と先端で
の高さｄをそろえた。本実施例では回転数を約−万ｒｐ
ｍとしたときに、前出の被処理物２に向う分子線を数％
まで低減できた。
の高さｄをそろえた。本実施例では回転数を約−万ｒｐ
ｍとしたときに、前出の被処理物２に向う分子線を数％
まで低減できた。
次に、第４図を用いて１分子線蒸着装置に本発明を適用
した場合の一実施例を説明する。１ａは蒸発源であり、
イオン他されたビームを発生させる装置でも、固体ソー
スより発する熱分子を発生させる装置でも、さらに気体
を原料とした分子を発生させる装置でも良い。
した場合の一実施例を説明する。１ａは蒸発源であり、
イオン他されたビームを発生させる装置でも、固体ソー
スより発する熱分子を発生させる装置でも、さらに気体
を原料とした分子を発生させる装置でも良い。
２ａは被蒸着物、１０はケース、１１はプロセスチャン
バ、３ｇは回転駆動部、９は液体窒素シュラウドである
。第２図で示した回転体３の形状とは異なり１回転体３
′は細部を円錐台形に翼も先端で短くするとともに、分
子線１５の中心に対して傾けて配置した。第３図に示し
たように回転体３′と蒸発源１ａを同一のケース１０で
支持して分子線ＩＳが通過する位置でプロセスチャンバ
１１と接続した。このため１回転体への駆動力の導入が
簡単になるとともに取り扱いも容易になった。回転翼３
ａで方向を変えられた分子線（図示せず）は液体窒素シ
ュラウド９にトラップ−できる構造としである。
バ、３ｇは回転駆動部、９は液体窒素シュラウドである
。第２図で示した回転体３の形状とは異なり１回転体３
′は細部を円錐台形に翼も先端で短くするとともに、分
子線１５の中心に対して傾けて配置した。第３図に示し
たように回転体３′と蒸発源１ａを同一のケース１０で
支持して分子線ＩＳが通過する位置でプロセスチャンバ
１１と接続した。このため１回転体への駆動力の導入が
簡単になるとともに取り扱いも容易になった。回転翼３
ａで方向を変えられた分子線（図示せず）は液体窒素シ
ュラウド９にトラップ−できる構造としである。
また、他の実施例を第５図で説明する。第５図は気体を
原料として被加工物に処理を施す装置を模式的に示した
。３ｅは静止翼、３ｄは回転翼、３ｇは回転駆動部であ
る。気体は通常プロセスチャンバ１１へ導入すると、例
えば、金属パイプで導入する場合は噴流や非常に鋭いコ
サイン分布となる。このため被加工物が大きい場合には
被加工物に均一な分子線を照射することが難しくなる。
原料として被加工物に処理を施す装置を模式的に示した
。３ｅは静止翼、３ｄは回転翼、３ｇは回転駆動部であ
る。気体は通常プロセスチャンバ１１へ導入すると、例
えば、金属パイプで導入する場合は噴流や非常に鋭いコ
サイン分布となる。このため被加工物が大きい場合には
被加工物に均一な分子線を照射することが難しくなる。
本実施例では、基本的にはターボ分子ポンプを逆転させ
て、細いパイプ１８から導入した気体を拡散させてプロ
セスチャンバ１１へ導くものである。５点を発意とみな
して各方向への分子線の強度をベクトルで示し、その先
端を結んだ線がＲである。このように分子線強度の変化
の小さい均一とみなせる部分が大きくとれる。また、パ
イプ１８と被加工物２との間にシャッタおよび加熱や冷
却、さらには、イオン化等の分子線の性質を変化させる
手段を用いて良いことは言うまでもない。
て、細いパイプ１８から導入した気体を拡散させてプロ
セスチャンバ１１へ導くものである。５点を発意とみな
して各方向への分子線の強度をベクトルで示し、その先
端を結んだ線がＲである。このように分子線強度の変化
の小さい均一とみなせる部分が大きくとれる。また、パ
イプ１８と被加工物２との間にシャッタおよび加熱や冷
却、さらには、イオン化等の分子線の性質を変化させる
手段を用いて良いことは言うまでもない。
また、分子線の強度をモニタする手段を設けてその信号
で回転体３の回転数にフィードバックをかける制御をし
ても良い。これにより、分子線の強度や分布の広がりを
適切に保ったり変化させたりすることができる。
で回転体３の回転数にフィードバックをかける制御をし
ても良い。これにより、分子線の強度や分布の広がりを
適切に保ったり変化させたりすることができる。
本発明によれば、分子線強度を変化させることができる
。このため、蒸発源を一定の状態に保ったまま分子線の
強度を変化させたり、放出分布を広範囲に拡げたりする
ことができる。
。このため、蒸発源を一定の状態に保ったまま分子線の
強度を変化させたり、放出分布を広範囲に拡げたりする
ことができる。
第１図は本発明の一実施例の原理を示す説明図、第２図
は本発明に使用する回転体の一例を示す斜視図、第３図
は第２図の回転翼の一例を示す平面図と斜視図、第４図
は分子線蒸着装置に本発明を用いた場合の一実施例の説
明図、第５図は分子線を拡大させる場合の一実施例の説
明図である。 １・・・発生源、１ａ・・蒸発源、２・・・被加工物、
２ａ・・・被蒸着物、３，３′・・・回転体、３ａ〜３
ｄ・・・回転翼、１０・・・ケース、３ｇ、３ｂ・・・
回転駆動部、１８・・・パイプ。 第３図 回転’ｌｊｓａ 第４０ 第 図 ン２＆ｔＫＪ工物
は本発明に使用する回転体の一例を示す斜視図、第３図
は第２図の回転翼の一例を示す平面図と斜視図、第４図
は分子線蒸着装置に本発明を用いた場合の一実施例の説
明図、第５図は分子線を拡大させる場合の一実施例の説
明図である。 １・・・発生源、１ａ・・蒸発源、２・・・被加工物、
２ａ・・・被蒸着物、３，３′・・・回転体、３ａ〜３
ｄ・・・回転翼、１０・・・ケース、３ｇ、３ｂ・・・
回転駆動部、１８・・・パイプ。 第３図 回転’ｌｊｓａ 第４０ 第 図 ン２＆ｔＫＪ工物
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分子線を利用して、被処理物に加工を施す装置にお
いて、 前記分子線の発生源と前記被処理物との間に、多数枚の
回転翼を二段以上有する回転体を配設し前記回転体の回
転数を制御して前記分子線の飛行行程や飛行角度に変化
を与えることにより被処理物に到達する前記分子線の量
を変化させることを特徴とする分子線強度調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117593A JPH0416233A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 分子線強度調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117593A JPH0416233A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 分子線強度調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0416233A true JPH0416233A (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=14715658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117593A Pending JPH0416233A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 分子線強度調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0416233A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019043129A1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | Katholieke Universiteit Leuven | SYSTEM AND METHODS FOR ROTOR GAS ACCELERATOR |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57168033U (ja) * | 1981-04-15 | 1982-10-22 |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP2117593A patent/JPH0416233A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57168033U (ja) * | 1981-04-15 | 1982-10-22 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019043129A1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | Katholieke Universiteit Leuven | SYSTEM AND METHODS FOR ROTOR GAS ACCELERATOR |
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