JPH04163064A - 静電記録用イオン発生装置の電極製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は例えば静電記録装置で使用される静電記録用
イオン発生装置の電極製造方法に関する。

［従来の技術］ 一般に、例えば静電印刷等の技術分野では高電流密度の
イオンを発生させ、これを抽出して選択的に被帯電部材
に付与してこの被帯電部材を画像状に帯電させる静電記
録装置が知られている。

第７図はこの種の静電記録装置の一例の要部構成を示す
ものである。

第７図中で、１は静電記録装置の記録ヘッドとしてのイ
オンカートリッジ（イオン発生装置）、２は被帯電部材
としての誘電体ドラムである。また、イオンカートリッ
ジ１にはイオン発生部３およびイオン流制御部４がそれ
ぞれ設けられている。

さらに、イオン発生部３にはイオン発生用の複数の第１
電極５・・・と複数の第２電極６・・・とが設けられて
おり、これらの第１電極５・・・と第２電極６・・・と
の間には誘電体からなる誘電体層７が配設されている。

この場合、イオンカートリッジ１には第８図および第９
図に示すように絶縁基板８が設けられており、この絶縁
基板８上に一方向に延びる複数の第１電極５・・・か略
平行に並設されている。また、誘電体層７は絶縁基板８
における第１電極５・・の配設面側に設けられている。

さらに、複数の第２電極６・・は誘電体層７における絶
縁基板８とは反対側の面に第１電極５・・・と交差する
方向に並設させた状態で固着されており、第１電極５・
・・と第２電極６・・・とによってマトリックスが構成
されている。そして、第２電極６・・・にはこのマトリ
ックスと対応する部位にそれぞれ開口部６ａ・・・が形
成されている。

また、イオン流制御部４には第２電極６・・・に対して
第１電極５・・・とは反対側に配置された帯状の第３電
極９が設けられている。この第３電極９には第１電極５
・・・と第２電極６・・・とのマトリックスと対応する
部位に開口部９ａ・・・が形成されている。

さらに、第２電極６・・・と第３電極９との間には絶縁
体１０が配設されている。この絶縁体１０には第２電極
６・・・および第３電極９の各開口部６ａ・・・、９ａ
・・・と対応する部位にそれぞれ同様の開口部１０ａ・
・・が形成されている。

そして、イオンカートリッジ１の動作時には印字信号に
もとづいて第１電極５・・・と第２電極６・・・との間
のマトリックスが適宜選択され、選択されたマトリック
ス部分に対応する第１電極５・・・と第２電極６・・・
との間に交流電圧が印加される。これにより、選択され
たマトリックス部分に対応する第２電極６・・・の開口
部６ａ・・・内の近傍部位に正負イオンが発生する。こ
のとき、第２電極６・・・と第３電極９との間にはバイ
アス電圧が印加され、その極性によって決まるイオンの
みが第２電極６・・・の開口部６ａ・・・内の近傍部位
に発生したイオンから抽出される。そして、抽出された
イオンは絶縁体１０の開口部１０ａ・・・および第３電
極９の開口部９ａ・・・を通過し、誘電体ドラム２を局
部的に帯電させる。したがって、第１電極５・・・およ
び第２電極６・・・の選択的駆動により、誘電体ドラム
２上にドツト潜像を形成することができる。

ところで、イオンカートリッジ１の製造時にはまず一般
的に厚さ１８μｍ程度の銅箔をポリイミド等の絶縁基板
８に接着剤を介して接着して積層させる。その後、この
絶縁基板８上の銅箔を所定のパターン形状にエツチング
させることにより、絶縁基板８上の第１電極５・・・が
成形される。

さらに、絶縁基板８上に第１電極５・・・が成形された
のち、この第１電極５・・・上に誘電体層７が形成され
る。この誘電体層７の形成作業時には通常は例えば酸化
チタンの粉末がフィラーとして充填されたシリコーン変
性ポリエステルアルキド樹脂のペーストか使用される。

そして、このペーストを第１電極５・・・上にスクリー
ン印刷等の手段によって塗布したのち、乾燥、硬化させ
ることにより誘電体層７が形成される。

この後、誘電体層７の上に第２電極６・・・が接着剤を
介して貼着される。この第２電極６・・・は−船釣には
例えばステンレス箔やニッケル箔を所定のパターン形状
にエツチングされたものが使用される。

この第２電極６・・・の上には続いて絶縁体１０が積層
され、その後、この絶縁体１０の上に第３電極９が接着
剤を介して貼着されるようになっている。

なお、例えば特開昭６１−１８５８７９号公報にはイオ
ンカートリッジ１の第１電極５・・・および第２電極６
・・・を蒸着によって形成する製造方法が示されている
。

［発明が解決しようとする課題］ 上記構成のイオンカートリッジ１では絶縁基板８上に形
成された第１電極５・・・のパターン間には第１電極５
・・・の厚さと同じ深さの溝が形成されているので、誘
電体層７の形成作業時に第１電極５・・・上にスクリー
ン印刷等の手段によって誘電体層７用のペーストを塗布
し、乾燥、硬化させた際に、硬化後の誘電体層７の表面
には第１電極５・・・のパターン間の溝と対応する部分
に適宜の深さ、例えば第１電極５・・・のパターン間の
溝の略半分の深さの凹陥部が形成される問題があった。

この場合、従来から第１電極５・・・の成−形層に一般
に使用されている銅箔は厚さが５μｍ以下程度に薄く成
形することができないので、仮に例えば厚さ５μｍの銅
箔を使用して第１電極５・・・を成形した場合であって
も誘電体層７の表面には第１電極５・・・のパターン間
の溝と対応する部分には深さが２．５μｍ程度の凹陥部
が形成されてしまう問題があった。そのため、この誘電
体層７の成形工程後、誘電体層７の表面に第２電極６・
・・を接着剤を介して貼着させた場合に誘電体層７の表
面の凹陥部の底部の部分には接着剤を塗布させることが
できないので、誘電体層７の表面と第２電極６・・・と
の間に十分な接着面積を確保することが難しく、接着不
良が発生しやすい問題があった。その結果、経時的に第
２電極６・・・が誘電体層７から剥離し、イオンの発生
が困難になる問題があった。

また、特開昭６１−１８５８７９号公報のようにイオン
カートリッジ１の第１電極５・・・および第２電極６・
・・を蒸着によって成形した場合には成形後の第１電極
５・・・および第２電極６・・・にはピンホール等の欠
陥が数多く存在する問題があった。特に、この種のイオ
ンカートリッジ１では通常動作中、第１電極５・・・と
第２電極６・・・との間には１０００〜３０００Ｖ程度
の高電圧か印加されるので、このような高電圧の下では
蒸着によって成形された第１電極５・・・および第２電
極６・・・では耐久性が悪くなる問題があった。

さらに、絶縁基板８上に蒸着によって厚さ１μｍより大
きい金属層を形成した場合には蒸着時の残留応力が比較
的大きくなる問題があった。

そのため、例えば小形化を目的としてフレキシブルな絶
縁基板８を使用し、この絶縁基板８上に蒸着によって厚
さ１μｍより大きい金属層を形成した場合には蒸着時の
残留応力によって絶縁基板８が金属層の蒸着面側に大き
く反り返る問題があ゛った。また、この絶縁基板８の反
りを平滑面状に矯正しようとした場合には経時的に蒸着
層の破壊につながるおそれがあった。

この発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目
的は、耐久性に優れ、常に安定にイオンを発生させるこ
とができ、高精度の画像を形成することができる静電記
録用イオン発生装置の電極製造方法を提供することにあ
る。

［課題を解決するための手段及び作用］第１の発明は絶
縁基板上に蒸着によって第１導電層を形成（第１導電層
形成工程）したのち、この第１導電層の上にメッキ処理
によって第２導電層を形成（第２導電層形成工程）し、
続いてこれらの第１導電層と第２導電層との積層体に所
定パターンの第１電極を形成（第１電極形成工程）する
ことにより、銅箔等の金属箔を使用して第１電極を成形
する場合に比べて第１電極の厚さを薄く成形し、絶縁基
板における第１電極の配設面側に誘電体からなる誘電体
層を成形した後、誘電体層の表面に第２電極を接着剤を
介して貼着させた場合に誘電体層の表面と第２電極との
間に十分な接着面積を確保して接着不良の発生を防止す
るとともに、絶縁基板上に蒸着のみによって電極を成形
する場合に比べて耐久性の向上を図るようにしたもので
ある。

さらに、第２の発明は誘電体層の両側または片側の面上
に蒸着によって第１導電層を形成（第１導電層形成工程
）したのち、第１導電層の上にメッキ処理によって第２
導電層を形成（第２導電層形成工程）し、続いてこれら
の第１導電層と第２導電層との積層体に第１．第２電極
の少なくともいずれか一方のパターンを形成（電極形成
工程）することにより、銅箔等の金属箔を使用して電極
を成形する場合に比べて電極の厚さを薄く成形し、各電
極と被接着物との間に十分な接着面積を確保して接着不
良の発生を防止するとともに、蒸着のみによって電極を
成形する場合に比べて耐久性の向上を図るようにしたも
のである。

［実施例コ １ｉ＠１図乃至第３図はこの発明の第１の実施例を示す
ものである。

第１図は第７図に示すような静電記録装置で使用される
記録ヘッドとしてのイオンカートリッジ（イオン発生袋
Ｗ）１１の要部の概略構成を示すもので、１２はこのイ
オンカートリッジ１１のイオン発生部、１３はイオン流
制御部である。

さらに、１４・・・はイオン発生部１２に設けられた誘
導電極であるイオン発生用の複数の第１電極、１５・・
・は放電電極である複数の第２電極、１６はこれらの第
１電極１４・・・と第２電極１５・・・との間に配設さ
れた誘電体からなる誘電体層である。この場合、イオン
カートリッジ１１には例えば厚さ１２５μｍ程度のポリ
イミドフィルム等の合成樹脂材料によって形成された絶
縁基板１７か設けられており、この絶縁基板１７上に一
方向に延びる複数の第１電極１４・・・が略平行に並設
されている。

また、第１電極１４・・・には絶縁基板１７上に蒸着に
よって形成された例えば厚さ０，３〜１μｍ程度の第１
導電層１８とこの第１導電層１８の上にメッキ処理によ
って形成された例えば厚さ０．７〜１０μｍ程度の第２
導電層１９とが設けられている。この場合、第１導電層
１８は第２図に示すように例えば絶縁基板１７上に蒸着
によって例えば厚さ０．２μｍ程度に形成されたクロム
層１８ａとこのクロム層１８ａの上に蒸着によって例え
ば厚さ０，２μｍ程度に積層された銅層１８ｂとによっ
て形成されている。さらに、第２導電層１９は第１導電
層１９の上に電解銅メッキ処理によって例えば厚さ２μ
ｍ程度に積層された銅層１９ａとこの銅層１９ａの上に
無電解スズメッキ処理によって例えば厚さ０．６μｍ程
度に積層されたスズ層１９ｂとによって形成されている
。

そして、第１電極１４・・・は第１導電層１８と第２導
電層１９との積層体を例えばフォトリソグラフィおよび
エツチング等の手段によって所定パターンに形成させた
ものである。

さらに、誘電体層１６゛′は絶縁基板１７におけるｊ＠
１電極１４・・・の配設面側に例えばスクリーン印刷等
の手段によって塗布されたのち、乾燥、硬化された誘電
体ペーストによって例えば厚さ３０μｍ程度に形成され
ている。

また、第２電極１５・・・は例えば厚さ３０μｍ程度の
ステンレス等の金属箔材料をエツチング等の手段によっ
て所定のパターンに形成させたものである。そして、こ
の第２電極１５・・・は誘電体層１６における絶縁基板
１７とは反対側の面に第１電極１４・・・と交差する方
向に延設された状態で例えば接着等の手段によって固着
されており、第１電極１４・・・と第２電極１５・・・
とによってマトリックスか構成されている。この場合、
第３図に示すように第２電極１５・・・と誘電体層１６
との間の接着剤層２０の厚さは例えば２μｍ程度になっ
ている。そして、第２電極１５・・・には第１電極１４
・・・と第２電極１５・・・とのマトリックスと対応す
る部位にそれぞれ開口部１５ａ・・・が形成されている
。

また、イオン流制御部１３には第２電極１５・・・に対
して第１電極１４・・・とは反対側に配置された帯状の
第３電極２１が設けられている。この第３電極２１は例
えば厚さ３０μｍ程度のステンレス等の金属箔材料によ
って形成されている。さらに、この第３電極２１には第
１電極１４・・・と第２電極１５・・・とのマトリック
スと対応する部位に開口部２１ａ・・・が形成されてい
る。

また、第２電極１５・・・と第３電極２１との間には例
えば感光性絶縁フィルム（ソルダーレジスト）によって
形成された例えば厚さ１００μｍ程度の絶縁体２２が配
設されている。この絶縁体２２には例えばフォトリソグ
ラフィ等の手段によって第２電極１５・・・および第３
電極２１の各開口部１５ａ・・・、２１ａ・・・と対応
する部位にそれぞれ同様の開口部２２ａ・・・か形成さ
れている。

次に、上記構成のイオンカートリッジ１の電極製造方法
について説明する。

まず、第２図に示すように例えば厚さ１２５μｍ程度の
ポリイミドフィルム等の絶縁基板１７上に蒸着によって
第１導電層１８を形成させる（第１導電層形成工程）。

この第１導電層１８の形成工程では先に、絶縁基板１７
上に蒸着によってクロム層１８ａを例えば厚さ０．２μ
ｍ程度に形成し、これに重ねて蒸着によって銅層１８ｂ
を例えば厚さ０．２μｍ程度に積層させる。ここで、ク
ロム層１８ａはポリイミドフィルムへの銅層１８ｂの銅
粒子の密着性確保のために使用される。

さらに、第１導電層１８の成形後、この第１導電層１８
の上にメッキ処理によって第２導電層１９を形成させる
（第２導電層形成工程）。この第２導電層１９の形成工
程では先に、第１導電層１９の上に電解銅メッキ処理に
よって銅層１９ａを例えば厚さ２μｍ程度に積層したの
ち、この銅層１９ａの上に無解スズメッキ処理によって
スズ層１９ｂを例えば厚さ０．６μｍ程度に積層させる
。

続いて、このようにして形成された第１導電層１８と第
２導電層１９との積層体を例えばフォトリソグラフィお
よびエツチング等の手段によってバターニングして所定
パターンの第１電極１４・・・を形成させる。

また、第１電極１４・・・の成形後、絶縁基板１７にお
ける第１電極１４・・・の配設面側に誘電体ペーストを
例えばスクリーン印刷等の手段によって塗布し、乾燥、
硬化させて例えば厚さ３０μｍ程度の誘電体層１６が形
成される。この場合、硬化後の誘電体層１６の表面にお
ける第１電極１４・：・のパターン間の溝と対応する部
分に形成される凹陥部の深さは１μｍ程度になっている
。

さらに、この誘電体層１６の成形後、誘電体層１６にお
ける絶縁基板１７とは反対側の面に第２電極１５・・・
が接着される。この第２電極１５・・・の接着作業時に
は第２電極１５・・・に例えば厚さ２μｍ程度に接着剤
が塗布されたのち、第２電極１５・・・と第１電極１４
・・・との位置合わせが行なわれた状態で誘電体層１６
に第２電極１５・・・が圧接状態で接着される。

また、第２電極１５・・・の接着後、その上に感光性絶
縁フィルム（ソルダーレジスト）が真空ラミネートされ
て例えば厚さ１００μｍ程度の絶縁体２２が積層される
。さらに、この絶縁体２２には例えばフォトリソグラフ
ィによって第２電極１５・・・の各開口部１５ａ・・・
と対応する部位にそれぞれ同様の開口部２２ａ・・・が
形成される。

そして、最後に、絶縁体２２の上に例えば厚さ３０μｍ
程度のステンレスの第３電極２１がその開口部２１ａ・
・・を絶縁体２２の開口部２２ａ・・・と位置合わせさ
せた状態で接着される。

そこで、上記方法によれば絶縁基板１７上に蒸着によっ
て第１導電層１８を形成したのち、この第１導電層１８
の上にメッキ処理によって第２導電層１９を形成し、続
いてこれらの第１導電層１８と第２導電層１９との積層
体に所定パターンの第１電極１４を形成するようにした
ので、従来のように銅箔等の金属箔を使用して第１電極
１４を成形する場合に比べて第１電極１４の厚さを薄く
成形することができる。そして、第１電極１４・・・の
厚さを例えば３μｍ程度に成形した場合にはこの第１電
極１４・・・の成形後、誘電体ペーストをスクリーン印
刷等の手段によって塗布し、乾燥、硬化させて例えば厚
さ３０μｍ程度の誘電体層１６を形成した際に硬化後の
誘電体層１６の表面における第１電極１４・・・のパタ
ーン間の溝と対応する部分に形成される凹陥部の深さを
１μｍ程度、すなわち第２電極１５・・・の接着剤層２
０の厚さ（例えば２μｍ程度）よりも小さい深さに抑え
ることができる。そのため、第２電極１５・・・の接着
剤層２０によって誘電体層１６の表面における第１電極
１４・・・のパターン間の溝と対応する部分の凹陥部を
吸収させることができるので、誘電体層１６の表面に第
２電極１５・・・を接着剤を介して貼着させた場合に誘
電体層１６の表面と第２電極１５・・・との間に十分な
接着面積を確保することができ、接着不良の発生を防止
することができる。

したがって、従来のように経時的に第２電極１５・・・
が誘電体層１６から剥離することを防止してイオンの発
生動作を長期に亙り安定化させることができる。

また、絶縁基板１７上に蒸着のみによって第１電極１４
・・・を成形する場合に比べてピンホール等の欠陥を低
減することができるので、第１電極１４・・・と第２電
極１５・・・との間に１０００〜３０００Ｖ程度の高電
圧が印加されて使用される際の第１電極１４・・・の耐
久性を従来に比べて向上させることができる。この場合
、絶縁基板１７上に蒸着によって生じるピンホール等の
欠陥をメッキ処理によって充分に補填させることができ
るので、高電圧に対する耐久性を効果的に向上させるこ
とができる。さらに、絶縁基板１７上に蒸着によって厚
さ１μｍより大きい金属層を形成する必要がないので、
従来のように蒸着時の残留応力によって絶縁基板１７が
金属層の蒸着面側に反りが発生することを防止すること
かでき、経時的な耐久性の向上を図ることかできる。

また、絶縁基板１７と第１電極１４・・・との間には接
着剤を介在させる必要かないので、従来のイオンカート
リッジ１１のように絶縁基板１７に接着剤を介して第１
電極１４・・・用の銅箔を接着して積層させた場合のよ
うに製品毎に絶縁基板１７と第１電極１４・・・との間
の接着層の厚さが不均一になるおそれがない。そのため
、第１電極１４・・の表面を常に平滑な状態で保持させ
ることができるので、イオンカートリッジ１の使用時に
イオン発生のばらつきが生じるおそれがなく、印字品質
の向上を図るうえで有利となる。

また、第４図乃至第６図はこの発明の第２の実施例を示
すものである。

これは、第１の実施例の誘電体層１６に代えてマイカ（
Ｍ母）等によって形成される薄板状の第１誘電体３１を
設けるとともに、この第１誘電体３１の両側面上に蒸着
によって第１導電層３２゜３３を形成する第１導電層形
成工程と、第１導電層３２．３３の上にメッキ処理によ
って第２導電層３４．３５を形成する第２導電層形成工
程と、ｊｉｌ導電層３２．３３と第２導電層３４．３５
との積層体に第１．第２電極１４・・・、１５・・・の
パターンを形成する電極形成工程とをそれぞれ設けたも
のである。この場合、第１導電層３２．３３は１！５図
に示すように第１誘電体３１の両側面上に蒸着によって
銅を例えば厚さ０．４μｍ程度に積層させて形成された
もの・・である。

また、第２導電層３４．３５は電解メッキ処理によって
例えば厚さ２μｍ程度に銅層３４ａ。

３５ａを積層させ、さらにその上に無電解メッキ処理に
よって例えば厚さ０．６μｍ程度にスズ層３４ｂ、３５
ｂを積層させて形成されたものである。

さらに、第１電極１４・・・は第１誘電体３１の一面側
に積層された第１導電層３２と第２導電層３４との積層
体を例えばフォトリソグラフィおよびエツチング等の手
段によって所定パターンに形成させたものである。同様
に、第２電極１５・・・は第１誘電体３１の他面側に積
層された第１導電層３３と第２導電層３５との積層体を
例えばフォトリソグラフィおよびエツチング等の手段に
よって所定パターンに形成させたものである。

また、第１電極１４・・・のパターン間の溝内には第６
図に示すように第２誘電体３６が充填されている。この
第２誘電体３６は硬化剤を混入させたエポキシ系の接着
剤を第１電極１４・・・のパターン間の溝内に充填させ
、硬化させたものである。

さらに、第１電極１４・・・および第２誘電体３６上に
は絶縁基板１７が固着されている。この絶縁基板１７は
例えば厚さ１２５μｍ程度のポリイミドフィルム等の合
成樹脂材料を第１電極１４・・・および第２誘電体３６
上に貼り合わせてから、第２誘電体３６形成用の接着剤
を加熱硬化させることにより、第１電極１４・・・およ
び第２誘電体３６上に絶縁基板１７が固着された状態で
形成されるようになっている。

また、第２電極１５・・・の上には例えば感光性絶縁フ
ィルム（ソルダーレジスト）によって形成された例えば
厚さ１００μｍ程度の絶縁体２２か例えば真空ラミネー
トされ、この絶縁体２２の上には例えば厚さ３０μｍ程
度のステンレス等の金属箔材料によって形成された第３
電極２１か配設されている。

そこで、上記方法によれば第１誘電体３１の両側面上に
蒸着によって第１導電層３２．３３を形成したのち、第
１導電層３２．３３の上にメッキ処理によって第２導電
層３４．３５を形成し、続いてこれらの第１導電層３２
．３３と第２導電層３４．３５との積層体に第１．第２
電極１４・・・。

１５・・・のパターンを形成したので、銅箔等の金属箔
を使用して第１．第２電極１４・・・、１５・・・を成
形する場合に比べて第１．第２電極１４・・・。

１５・・・の厚さを薄く成形することができる。

さらに、第１．第２電極１４・・・、１５・・・と第１
誘電体３１との間には接着剤層が存在しないので、第１
．第２電極１４・・・、１５・・・と第１誘電体３１と
の間に接着剤層を介在させた場合のように接着剤層の厚
さのばらつきが電気的特性のばらつきとして影響するお
それがない。

また、第２電極１５・・・の開口部１５ａで、第２電極
１５・・・と第１誘電体３１との間に接着剤層のような
異物が介在していないので、第２電極１５・・・の各開
口部１５ａ毎の電気的特性のばらつきが発生するおそれ
がなく、イオンの発生状態を安定化させることができる
。

さらに、この実施例では第１の実施例のように誘電体ペ
ーストをスクリーン印刷等の手段によって塗布し、乾燥
、硬化させて誘電体層１６を形成した場合のように硬化
後の誘電体層１６の表面における第１電極１４・・・の
パターン間の溝と対応する部分に凹陥部が形成されるお
それがなく、第１電極１４・・・と第１誘電体３１との
間の接着不良の発生を防止することができる。

さらに、絶縁基板１７上に蒸着のみによって第１電極１
４・・・を成形する場合に比べてピンホール等の欠陥を
低減することができるので、第１電極１４・・・と第２
電極１５・・・との間に１０００〜３０００Ｖ程度の高
電圧が印加されて使用される際の第１電極１４・・・の
耐久性を第１の実施例と同様に向上させることができる
。さらに、絶縁基板１７上に蒸着によって厚さ１μｍよ
り大きい金属層を形成する必要がないので、蒸着時の残
留応力によって絶縁基板１７が金属層の蒸着面側に反り
が発生することを第１の実施例と同様に防止することが
でき、経時的な耐久性の向上を図ることができる。

なお、この発明は上記実施例に限定されるものではない
。

例えば、第２の実施例の第１誘電体３１の片側の面上の
みに蒸着によって第１導電層３２を形成し、この第１導
電層３２の上にメッキ処理によって第２導電層３４を形
成するとともに、これらの第１導電層３２と第２導電層
３４との積層体に第１、第２電極１４・・・、１５・・
・のいずれか一方のパターンを形成するようにしてもよ
い。

さらに、その他この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の変形実施できることは勿論である。

［発明の効果コ この発明によれば絶縁基板上に蒸着によって第１導電層
を形成したのち、この第１導電層の上にメッキ処理によ
って第２導電層を形成し、続いてこれらの第１導電層と
第２導電層との積層体に所定パターンの第１電極を形成
したので、耐久性に優れた第１電極を形成することがで
き、常に安定にイオンを発生させることができるととも
に、高精度の画像を形成することができる。

さらに、誘電体層の両側または片側の面上に蒸着によっ
て第１導電層を形成したのち、第１導電層の上にメッキ
処理によって第２導電層を形成し、続いてこれらの第１
導電層と第２導電層との積層体に第１．第２電極の少な
くともいずれか一方のパターンを形成したので、電極の
厚さを薄く成形し、各電極と被接着物との間に十分な接
着面積を確保して接着不良の発生を防止することができ
るとともに、蒸着のみによって電極を成形する場合に比
べて耐久性の向上を図ることができ、常に安定にイオン
を発生させて高精度の画像を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図はこの発明の第１の実施例を示すもの
で、第１図はイオンカートリッジの要部の概略構成を示
す縦断面図、第２図は絶縁基板上に第１導電層および第
２導電層か形成された状態を示す要部の縦断面図、第３
図は誘電体層上に第２電極が接着された状態を示す要部
の縦断面図、第４図乃至第６図はこの発明の第２の実施
例を示すもので、第４図はイオンカートリッジの要部の
概略構成を示す縦断面図、第５図は誘電体層の両側に第
１導電層および第２導電層が形成された状態を示す要部
の縦断面図、第６図は第１電極のパターン間に第２誘電
体を形成させたのち、絶縁基板が固着された状態を示す
要部の縦断面図、第７図乃至第９図は従来例を示すもの
で、第７図は静電記録装置の要部の概略構成図、第８図
はイオンカートリッジの縦断面図、第９図は同斜視図で
ある。 １１・・・イオンカートリッジ、１４・・・第１電極、
１５・・・第２電極、１６・・・誘電体層、１７・・・
絶縁基板、１８，３２．３３・・第１導電層、１９，３
４゜３５・・・第２導電層、３１・・・第１誘電体（誘
電体層）。 出願人代理人　弁理士　坪井　　淳 第　１　図 第　２　（ξ１ 第３図 第４図 ｊＩ５ＦｇＪ 第６３［ 第７図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板上に一方向に延びる複数の第１電極が配
   設されるとともに、前記絶縁基板における前記第１電極
   の配設面側に誘電体からなる誘電体層が設けられ、この
   誘電体層における前記絶縁基板とは反対側の面に前記第
   １電極と交差する方向に延びる第２電極が固着された静
   電記録用イオン発生装置の電極製造方法において、 前記絶縁基板上に蒸着によって第１導電層を形成する第
   １導電層形成工程と、 前記第１導電層の上にメッキ処理によって第２導電層を
   形成する第２導電層形成工程と、前記第１導電層と第２
   導電層との積層体に所定パターンの前記第１電極を形成
   する第１電極形成工程と を具備したことを特徴とする静電記録用イオン発生装置
   の電極製造方法。
2. （２）絶縁基板上に一方向に延びる複数の第１電極が配
   設されるとともに、前記絶縁基板における前記第１電極
   の配設面側に誘電体からなる誘電体層が設けられ、この
   誘電体層における前記絶縁基板とは反対側の面に前記第
   １電極と交差する方向に延びる第２電極が固着された静
   電記録用イオン発生装置の電極製造方法において、 前記誘電体層の両側または片側の面上に蒸着によって第
   １導電層を形成する第１導電層形成工程と、 前記第１導電層の上にメッキ処理によって第２導電層を
   形成する第２導電層形成工程と、前記第１導電層と第２
   導電層との積層体に前記第１、第２電極の少なくともい
   ずれか一方のパターンを形成する電極形成工程と を具備したことを特徴とする静電記録用イオン発生装置
   の電極製造方法。