JPH04164375A - 光電気変換回路 - Google Patents
光電気変換回路Info
- Publication number
- JPH04164375A JPH04164375A JP2291634A JP29163490A JPH04164375A JP H04164375 A JPH04164375 A JP H04164375A JP 2291634 A JP2291634 A JP 2291634A JP 29163490 A JP29163490 A JP 29163490A JP H04164375 A JPH04164375 A JP H04164375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- balanced
- unbalanced
- converting circuit
- conversion circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電気変換回路に関し、特に本回路内に使用さ
れる電流電圧変換用ＦＥＴの入力寄生浮遊容量による広
域周波数特性の劣化を改善した光電気変換回路に関する
。
れる電流電圧変換用ＦＥＴの入力寄生浮遊容量による広
域周波数特性の劣化を改善した光電気変換回路に関する
。
一般に光電気変換回路は、入力レベル変動が大きい場合
にも所要のＳ／Ｎを確保しかつ、飽和しないように光電
気変換素子であるアバランシェフォトダイオードく以下
ＡＰＤという）の負荷抵抗を設定する必要がある。
にも所要のＳ／Ｎを確保しかつ、飽和しないように光電
気変換素子であるアバランシェフォトダイオードく以下
ＡＰＤという）の負荷抵抗を設定する必要がある。
従来の光電気変換回路は、第２図の回路図に示すように
、光電気変換用ダイオードのＡＰＤＩ１、電流電圧変換
用のＦＥＴ）−ランジスタ１２、トランスインピーダン
ス回路１３、ＦＥＴ出力増幅用のトランジスタ１４、ト
ンランスインピーダンス浮遊容量（Ｃｓｉ１５、ＦＥＴ
１２のゲート浮遊容量（Ｃｐ）１６、直流阻止用コンデ
ンサ（ｃｏ）１７があり、また、Ｒｇｌ、ＲＥ２はＦＥ
Ｔ１２及びトランジスタ１４のゲート抵抗、ＲＥはトラ
ンジスタ１４のエミッタ抵抗で構成されている。
、光電気変換用ダイオードのＡＰＤＩ１、電流電圧変換
用のＦＥＴ）−ランジスタ１２、トランスインピーダン
ス回路１３、ＦＥＴ出力増幅用のトランジスタ１４、ト
ンランスインピーダンス浮遊容量（Ｃｓｉ１５、ＦＥＴ
１２のゲート浮遊容量（Ｃｐ）１６、直流阻止用コンデ
ンサ（ｃｏ）１７があり、また、Ｒｇｌ、ＲＥ２はＦＥ
Ｔ１２及びトランジスタ１４のゲート抵抗、ＲＥはトラ
ンジスタ１４のエミッタ抵抗で構成されている。
次に、従来回路の動作を説明する。
ＡＰＤＩＩは光信号を受信して電流に変換し、ＦＥＴ１
２により電流電圧変換されたのちにトランジスタ１４で
増幅される。トランスインピーダンス回路１３はＦＥＴ
１２の入力インピーダンスを可変するためのインピーダ
ンス切替回路であり、光入力レベルに応じてインピーダ
ンスを可変とする動作を行う。
２により電流電圧変換されたのちにトランジスタ１４で
増幅される。トランスインピーダンス回路１３はＦＥＴ
１２の入力インピーダンスを可変するためのインピーダ
ンス切替回路であり、光入力レベルに応じてインピーダ
ンスを可変とする動作を行う。
上述した従来の光電気変換回路はＦＥＴ１２の入力イン
ピーダンスが高いために、トランスインピーダンスの寄
生容量Ｃｓ 、ＦＥＴＩ ２のゲートの寄生容量ＣＰに
より、高域の周波数特性が劣化するという欠点があった
。
ピーダンスが高いために、トランスインピーダンスの寄
生容量Ｃｓ 、ＦＥＴＩ ２のゲートの寄生容量ＣＰに
より、高域の周波数特性が劣化するという欠点があった
。
本発明の目的はＦＥＴ入出力に不平衡−平衡トランスを
設けてＡＰＤ出力を平衡モードに変換したのちにＦＥＴ
で電流電圧変換し、さらに平衡モードから不平衡モード
へ変換することにより、前述の欠点のない光電気変換回
路を提供することにある。
設けてＡＰＤ出力を平衡モードに変換したのちにＦＥＴ
で電流電圧変換し、さらに平衡モードから不平衡モード
へ変換することにより、前述の欠点のない光電気変換回
路を提供することにある。
本発明の光電気変換回路は、光電気変換用アバランシェ
フォトダイオードと、前記アバランシェフォトダイオー
ドの出力に接続される不平衡−平衡変換回路と、この不
平衡−平衡変換回路の平衡出力部のそれぞれに接続され
る電流電圧変換用ＦＥＴと、前記２個のＦＥＴの出力部
に接続される平衡−不平衡変換回路と、この平衡−不平
衡変換回路の不平衡出力に接続される増幅用トランジス
タと、前記不平衡−平衡変換回路の平衡出力部のそれぞ
れに接続されるトランスインピーダンス切替回路とを有
し、この各トランスインピーダンス切替回路の出力部を
前記増幅用トランジスタのエミッタに接続している。
フォトダイオードと、前記アバランシェフォトダイオー
ドの出力に接続される不平衡−平衡変換回路と、この不
平衡−平衡変換回路の平衡出力部のそれぞれに接続され
る電流電圧変換用ＦＥＴと、前記２個のＦＥＴの出力部
に接続される平衡−不平衡変換回路と、この平衡−不平
衡変換回路の不平衡出力に接続される増幅用トランジス
タと、前記不平衡−平衡変換回路の平衡出力部のそれぞ
れに接続されるトランスインピーダンス切替回路とを有
し、この各トランスインピーダンス切替回路の出力部を
前記増幅用トランジスタのエミッタに接続している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。第１図にお
いて、従来の回路と同じＡＰＤＩＩの光電流変換回路と
出力部の増幅用トランジスタ１４との間を本実施例では
入力側の不平衡−平衡変換７、出力側の平衡−不平衡変
換回路８、トランスインピーダンス回路３Ａ、３Ｂ、Ｆ
ＥＴ２Ａ、２Ｂで構成している。
いて、従来の回路と同じＡＰＤＩＩの光電流変換回路と
出力部の増幅用トランジスタ１４との間を本実施例では
入力側の不平衡−平衡変換７、出力側の平衡−不平衡変
換回路８、トランスインピーダンス回路３Ａ、３Ｂ、Ｆ
ＥＴ２Ａ、２Ｂで構成している。
次に本実施例の動作を説明する。出力信号はＡＰＤＩＩ
で光電流変換されたのちに不平衡−平衡変換回路で平衡
モードに変換される０次に結合コンデンサ９Ａ、９Ｂを
経てＦＥＴ２Ａ、２Ｂにて電流電圧変換される。各ＦＥ
Ｔ２Ａ、２Ｂの出力は、さらに平衡−不平衡変換回路８
にて不平衡モードに変換され増幅用トランジスタ１４で
増幅される。この様な構成となっているので、トランス
インピーダンス回路３Ａ、３Ｂの寄生浮遊容量（Ｃｓ
）５Ａ、５Ｂ及びＦＥＴ２Ａ、２Ｂのゲート寄生浮遊容
量（ＣＦ）６Ａ、６Ｂは同相モードとなり、各浮遊容量
に流れる電流は平衡−不平衡回路８の出力ではキャンセ
ルされる。したがって、従来の回路で問題となっていた
、高域での周波数特性の劣化しない光電気変換回路が得
られる。
で光電流変換されたのちに不平衡−平衡変換回路で平衡
モードに変換される０次に結合コンデンサ９Ａ、９Ｂを
経てＦＥＴ２Ａ、２Ｂにて電流電圧変換される。各ＦＥ
Ｔ２Ａ、２Ｂの出力は、さらに平衡−不平衡変換回路８
にて不平衡モードに変換され増幅用トランジスタ１４で
増幅される。この様な構成となっているので、トランス
インピーダンス回路３Ａ、３Ｂの寄生浮遊容量（Ｃｓ
）５Ａ、５Ｂ及びＦＥＴ２Ａ、２Ｂのゲート寄生浮遊容
量（ＣＦ）６Ａ、６Ｂは同相モードとなり、各浮遊容量
に流れる電流は平衡−不平衡回路８の出力ではキャンセ
ルされる。したがって、従来の回路で問題となっていた
、高域での周波数特性の劣化しない光電気変換回路が得
られる。
以上説明したように本発明はＡＰＤ出力に設けられた電
流電圧変換回路の高入力インピーダンスにともなう寄生
浮遊容量の影響を不平衡−平衡変換回路を用いて相殺す
る事により、光電気変換回路の周波数特性を広帯域化す
る事ができる効果がある。
流電圧変換回路の高入力インピーダンスにともなう寄生
浮遊容量の影響を不平衡−平衡変換回路を用いて相殺す
る事により、光電気変換回路の周波数特性を広帯域化す
る事ができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は従来の光
電気変換回路の回路図である。 １１・・・ＡＰＤ、２Ａ、２Ｂ・・・ＦＥＴ、３Ａ。 ３Ｂ・・・トランスインピーダンス回路、５Ａ、５Ｂ・
・・寄生浮遊容量、６Ａ、６Ｂ・・・ＦＥＴの寄生浮遊
容量、７・・・不平衡−平衡変換回路、８・・・平衡−
不平衡変換回路、９Ａ、９Ｂ・・・結合コンデンサ、１
４・・・増幅用トランジスタ。
電気変換回路の回路図である。 １１・・・ＡＰＤ、２Ａ、２Ｂ・・・ＦＥＴ、３Ａ。 ３Ｂ・・・トランスインピーダンス回路、５Ａ、５Ｂ・
・・寄生浮遊容量、６Ａ、６Ｂ・・・ＦＥＴの寄生浮遊
容量、７・・・不平衡−平衡変換回路、８・・・平衡−
不平衡変換回路、９Ａ、９Ｂ・・・結合コンデンサ、１
４・・・増幅用トランジスタ。
Claims (2)
- １．光電気変換用アバランシェフォトダイオードと、前
記アバランシェフォトダイオードの出力に接続される不
平衡−平衡変換回路と、この不平衡−平衡変換回路の平
衡出力部のそれぞれに接続される電流電圧変換用ＦＥＴ
と、前記２個のＦＥＴの出力部に接続される平衡−不平
衡変換回路と、この平衡−不平衡変換回路の不平衡出力
に接続される増幅用トランジスタと、前記不平衡−平衡
変換回路の平衡出力部のそれぞれに接続されるトランス
インピーダンス切替回路とを有し、この各トランスイン
ピーダンス切替回路の出力部を前記増幅用トンランジス
タのエミッタに接続したことを特徴とする光電気変換回
路。 - ２．前記２個のＦＥＴのそれぞれが有するゲート寄生浮
遊容量および前記２個のトランスインピーダンス回路の
それぞれが有する浮遊容量の影響が前記増幅用トランジ
スタの出力部において相殺され広帯域な周波数特性が得
られることを特徴とする請求項１記載の光電気変換回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291634A JPH04164375A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 光電気変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291634A JPH04164375A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 光電気変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164375A true JPH04164375A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17771495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2291634A Pending JPH04164375A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 光電気変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164375A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002052721A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Amplifier circuit and method for reducing stray feedback |
| JP2006521748A (ja) * | 2003-03-28 | 2006-09-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 増幅器における帰還キャパシタンスの中和 |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2291634A patent/JPH04164375A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002052721A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Amplifier circuit and method for reducing stray feedback |
| JP2006521748A (ja) * | 2003-03-28 | 2006-09-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 増幅器における帰還キャパシタンスの中和 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Meyer et al. | A wide-band low-noise monolithic transimpedance amplifier | |
| JP3541750B2 (ja) | 光受信前置増幅器 | |
| KR930007292B1 (ko) | 광대역 증폭기(wideband amplifier) | |
| US20020175763A1 (en) | Wide-band single-ended to differential converter in CMOS technology | |
| US7015750B2 (en) | Method for lowering noise and providing offset correction in a transimpedance amplifier | |
| US10944486B2 (en) | DC current cancellation scheme for an optical receiver | |
| US20110017904A1 (en) | Transimpedance amplifier circuit for a photodetector | |
| EP2383885A1 (en) | Transimpedance amplifier | |
| CN104852769B (zh) | 一种应用于光接收机前端tia带rssi的分相电路 | |
| US4647762A (en) | Optical receiver | |
| JP2657715B2 (ja) | トランスインピーダンス差動増幅器 | |
| CN100559704C (zh) | 光接收用前置放大器 | |
| KR101930627B1 (ko) | 직류 오프셋 감소 회로 및 이를 포함하는 트랜스임피던스 증폭기 모듈 | |
| CN115940855A (zh) | 一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片 | |
| US5095286A (en) | Fiber optic receiver and amplifier | |
| US20040251969A1 (en) | Method and apparatus for detecting interruption of an input signal with cancellation of offset level | |
| JPH04164375A (ja) | 光電気変換回路 | |
| US20170288785A1 (en) | Linear isolation amplifier with output dc voltage cancellation | |
| JP2003163544A (ja) | 帰還増幅回路及びそれを用いた受信装置 | |
| KR100240640B1 (ko) | 능동 발룬 회로 | |
| JP3149911B2 (ja) | プリアンプ回路 | |
| JP2009153047A (ja) | 電流電圧変換回路、受光アンプ回路、およびパルス再生回路 | |
| JP4567177B2 (ja) | 広帯域プリアンプ | |
| JPH04225611A (ja) | 広ダイナミックレンジ受光回路 | |
| TWI917273B (zh) | 兩階運算放大器及光學感測器 |