JPH0416704A - 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 - Google Patents
光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置Info
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- JPH0416704A JPH0416704A JP2121479A JP12147990A JPH0416704A JP H0416704 A JPH0416704 A JP H0416704A JP 2121479 A JP2121479 A JP 2121479A JP 12147990 A JP12147990 A JP 12147990A JP H0416704 A JPH0416704 A JP H0416704A
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- Japan
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- film thickness
- light
- optical
- optical path
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光記録薄膜、光学レンズのコーテイング膜等の
作成時に、光学的な膜厚を厳密に測定することができる
光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装
置に関するものである。
作成時に、光学的な膜厚を厳密に測定することができる
光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装
置に関するものである。
従来の技術
光学薄膜の製造装置として、近年、スパッタリング装置
が広く用いられるようになった。このスパッタリング装
置における成膜速度のコントロールする方法としては、
スパンタターゲットと基板との間の電圧を変える方法や
、プラズマを作るためにチャンバー内に導入するガスの
流量を変える方法等がある。そして、所定膜厚の薄膜を
形成する場合には、予め種々の条件でスパッタリングを
行って膜厚を測定してスパッタリング条件と成膜速度と
の関係を求めておき、そのスパッタリング速度から算出
した時間で成膜を終了させるという方法が一般的であっ
た。
が広く用いられるようになった。このスパッタリング装
置における成膜速度のコントロールする方法としては、
スパンタターゲットと基板との間の電圧を変える方法や
、プラズマを作るためにチャンバー内に導入するガスの
流量を変える方法等がある。そして、所定膜厚の薄膜を
形成する場合には、予め種々の条件でスパッタリングを
行って膜厚を測定してスパッタリング条件と成膜速度と
の関係を求めておき、そのスパッタリング速度から算出
した時間で成膜を終了させるという方法が一般的であっ
た。
発明が解決しようとする課題
ここで、形成する薄膜が例えば金属の酸化物薄膜のよう
に安定なものである場合には、従来の方法で膜厚（光学
的な厚さを含む）の制御が可能である。
に安定なものである場合には、従来の方法で膜厚（光学
的な厚さを含む）の制御が可能である。
しかしながら、例えばスパッタリングガスとして酸素ガ
スや窒素ガスを導入し、このようなガスとターゲット材
料とを反応させながら基板上に堆積させる所謂反応性ス
パッタリングの場合、或いは複数のターゲットから同一
基板上にアモルファス合金膜、若しくは積層膜を形成し
ようとする場合には、膜厚の絶対的な厚さは制御できて
も光学的な厚さを制御することが困難であった。例えば
、混合スパッタリングでアモルファス合金薄膜を形成す
る場合には、その光学定数（屈折率、消衰係数）は条件
（例えば、各ターゲットの差異）によって変動すること
が知られており、膜厚の絶対値が同じであっても光学的
な厚さは異るという課題を有していた。
スや窒素ガスを導入し、このようなガスとターゲット材
料とを反応させながら基板上に堆積させる所謂反応性ス
パッタリングの場合、或いは複数のターゲットから同一
基板上にアモルファス合金膜、若しくは積層膜を形成し
ようとする場合には、膜厚の絶対的な厚さは制御できて
も光学的な厚さを制御することが困難であった。例えば
、混合スパッタリングでアモルファス合金薄膜を形成す
る場合には、その光学定数（屈折率、消衰係数）は条件
（例えば、各ターゲットの差異）によって変動すること
が知られており、膜厚の絶対値が同じであっても光学的
な厚さは異るという課題を有していた。
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであり、スパ
ッタリング中に光学的な厚さを計測することができる光
学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置
を提供することを目的とする。
ッタリング中に光学的な厚さを計測することができる光
学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置
を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記課題を解決するために、単色光線を放射す
る光源と、上記光源からの照射光を略平行光線にする光
線平行化手段と、上記平行光線の光路を変更して、表面
に薄膜が形成されるべき基板に略垂直に入射するように
導く第１光路変更手段と、上記基板からの反射光の光路
を変更する第２光路変更手段と、上記第２光路変更手段
光路により光路変更された反射光を集束させる光線集束
化手段と、上記光線集束化手段で集束された集束光を検
出して、これを電気信号に変換する光電変換手段とを有
し、これら全ての手段を一体化したことを特徴とする。
る光源と、上記光源からの照射光を略平行光線にする光
線平行化手段と、上記平行光線の光路を変更して、表面
に薄膜が形成されるべき基板に略垂直に入射するように
導く第１光路変更手段と、上記基板からの反射光の光路
を変更する第２光路変更手段と、上記第２光路変更手段
光路により光路変更された反射光を集束させる光線集束
化手段と、上記光線集束化手段で集束された集束光を検
出して、これを電気信号に変換する光電変換手段とを有
し、これら全ての手段を一体化したことを特徴とする。
また本発明は、請求項１記載の光学的膜厚モニターをチ
ャンバー内に備えたスパッタリング装置であって、上記
光学的膜厚モニターと基板の膜形成面との距離が、スパ
ッタリングターゲットと上記膜形成面との距離よりも大
きくなるように、光学的膜厚モニターを設置したことを
特徴とする。
ャンバー内に備えたスパッタリング装置であって、上記
光学的膜厚モニターと基板の膜形成面との距離が、スパ
ッタリングターゲットと上記膜形成面との距離よりも大
きくなるように、光学的膜厚モニターを設置したことを
特徴とする。
更に本発明は、請求項１記載の光学的膜厚モニターをチ
ャンバー内に備えたスパッタリング装置であって、スパ
ッタリング時に前記光源及び前記光電変換手段がプラズ
マ領域の十分外側に位置するよう、光源及び光電変換手
段と前記両光路変更手段との距離を十分長く設定したこ
とを特徴とする。
ャンバー内に備えたスパッタリング装置であって、スパ
ッタリング時に前記光源及び前記光電変換手段がプラズ
マ領域の十分外側に位置するよう、光源及び光電変換手
段と前記両光路変更手段との距離を十分長く設定したこ
とを特徴とする。
作 用
上記第１発明の光学的膜厚モニターであれば、干渉によ
り反射光の強度変化が変化し、これを時間的変化として
観察するこが可能となる。したがって、スパッタリング
中に成膜されつつある薄膜の光学的な厚さを検出するこ
とができる。また、光源と、光電変換手段と、光学系と
を一体化しているので、光学的膜厚モニターの構成をコ
ンパクトにでき、且つ光軸の調整を容易に行うことがで
きると共に、光学的膜厚モニターを容易にスパッタリン
グ装置内に設置することが可能となる。
り反射光の強度変化が変化し、これを時間的変化として
観察するこが可能となる。したがって、スパッタリング
中に成膜されつつある薄膜の光学的な厚さを検出するこ
とができる。また、光源と、光電変換手段と、光学系と
を一体化しているので、光学的膜厚モニターの構成をコ
ンパクトにでき、且つ光軸の調整を容易に行うことがで
きると共に、光学的膜厚モニターを容易にスパッタリン
グ装置内に設置することが可能となる。
また、本第２発明のスパッタリング装置であれば、プラ
ズマの形状に悪影響を及ぼすことがないので、精度良く
成膜でき、且つ光学的膜厚モニター（特に、温度影響を
受けやすい光源や光電変換手段）の温度上昇を抑制する
ことができるので、測定誤差を低減することが可能とな
る。
ズマの形状に悪影響を及ぼすことがないので、精度良く
成膜でき、且つ光学的膜厚モニター（特に、温度影響を
受けやすい光源や光電変換手段）の温度上昇を抑制する
ことができるので、測定誤差を低減することが可能とな
る。
更に、本第３発明のスパッタリング装置であれば、光源
や光電変換手段をプラズマ領域外に配置することができ
るので、光源等が昇温するのを抑制することが可能とな
る。
や光電変換手段をプラズマ領域外に配置することができ
るので、光源等が昇温するのを抑制することが可能とな
る。
実施例
本発明の一実施例を、第１図〜第３図に基づいて、以下
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の光学的膜厚モニター〇一実施例を示す
構成図であって、ステンレスから成るモニター箱８内の
一端には、略単色の光線を照射する光源１−と、反射光
１６を検出してこれを電気信号に変換する検出器７とが
固定されている。上記光源１は半導体レーザ或いはＬＥ
Ｄから成り、また上記検出器７はフォトダイオード、フ
ォトセル等の光を検出するデバイスから成る。更に、光
源１と検出器７とは、その発光面と受光面とが同一面と
なるように構成される。
構成図であって、ステンレスから成るモニター箱８内の
一端には、略単色の光線を照射する光源１−と、反射光
１６を検出してこれを電気信号に変換する検出器７とが
固定されている。上記光源１は半導体レーザ或いはＬＥ
Ｄから成り、また上記検出器７はフォトダイオード、フ
ォトセル等の光を検出するデバイスから成る。更に、光
源１と検出器７とは、その発光面と受光面とが同一面と
なるように構成される。
上記光源１の光照射方向下流側には、光照射方向に移動
可能なレンズ２が設けられている。この移動は、例えば
、レンズ２を保持するホルダ（図示せず）の外周面に雄
捻子を形成する一方、雌捻子が形成されたリング状部材
を前記モニター箱８の内面に固定し、上記雄捻子と雌捻
子との螺合位置を変えることによって行う。
可能なレンズ２が設けられている。この移動は、例えば
、レンズ２を保持するホルダ（図示せず）の外周面に雄
捻子を形成する一方、雌捻子が形成されたリング状部材
を前記モニター箱８の内面に固定し、上記雄捻子と雌捻
子との螺合位置を変えることによって行う。
一方、モニター箱８の他端側上壁には、上記光源１から
の照射光１５を後述の基板１８に導くと共に基板１８か
らの反射光１６をモニター箱８内に導くための窓２０が
形成されている。この窓２０の下方には、上記照射光１
５と反射光１６との光路を変換させるためのミラー６が
固定されている。このミラー６と上記光源１及び検出器
７との距離りは、光源１等がプラズマ領域内に位置する
のを防止すべく十分大きくなるように構成されている。
の照射光１５を後述の基板１８に導くと共に基板１８か
らの反射光１６をモニター箱８内に導くための窓２０が
形成されている。この窓２０の下方には、上記照射光１
５と反射光１６との光路を変換させるためのミラー６が
固定されている。このミラー６と上記光源１及び検出器
７との距離りは、光源１等がプラズマ領域内に位置する
のを防止すべく十分大きくなるように構成されている。
第２図は３つのターゲット１１〜１３を有するスパッタ
リング装置のチャンバー９内に本発明の光学的膜厚モニ
ター１４を配備した時の概略図を示すものである。上記
光学的膜厚モニター１４は、ターゲットホルダ２１のタ
ーゲット１１．１２間に形成された凹溝２１ａ内に埋設
されている。上記凹溝２１ａの深さ１１は、モニター箱
８の高さ！２よりも若干深くなるように構成されており
、これにより、光学的膜厚モニター１４がプラズマ領域
内に位置するのを防止することができる。前記ターゲッ
トホルダ２１の上方には基板ホルダを兼用する電極１０
が設けられており、この電極１０と上記ターゲットホル
ダ２１との間に電圧を印加してスパッタリングを行う。
リング装置のチャンバー９内に本発明の光学的膜厚モニ
ター１４を配備した時の概略図を示すものである。上記
光学的膜厚モニター１４は、ターゲットホルダ２１のタ
ーゲット１１．１２間に形成された凹溝２１ａ内に埋設
されている。上記凹溝２１ａの深さ１１は、モニター箱
８の高さ！２よりも若干深くなるように構成されており
、これにより、光学的膜厚モニター１４がプラズマ領域
内に位置するのを防止することができる。前記ターゲッ
トホルダ２１の上方には基板ホルダを兼用する電極１０
が設けられており、この電極１０と上記ターゲットホル
ダ２１との間に電圧を印加してスパッタリングを行う。
また、上記電極１０と凹溝２１ａの底面とは平行になる
ように形成されており、これによって、光学的膜厚モニ
ター１４と電極１０とは平行状態となっている。
ように形成されており、これによって、光学的膜厚モニ
ター１４と電極１０とは平行状態となっている。
ところで、上記構造の光学的膜厚モニター１４を用いて
、基板の光学的膜厚を測定する際には、以下のようにし
て行う。
、基板の光学的膜厚を測定する際には、以下のようにし
て行う。
先ず、光源１から単色光が照射されると、この照射光１
５はレンズ２によって疑似平行光線となった後ミラー６
によって略９０°屈折され、基板１８のスパッタリング
面１９に略垂直に入射する。
５はレンズ２によって疑似平行光線となった後ミラー６
によって略９０°屈折され、基板１８のスパッタリング
面１９に略垂直に入射する。
この後、スパッタリング面１９で反射した反射光１６は
再度ミラー６によって９０°屈折され、レンズ２に入射
して検出器７に集光される。検出器７では光電変換され
て、電気信号が、例えばペンレコーダー（図示せず）に
出力される。これにより、反射光１６の光量の時間的変
化を測定することができるので、生成膜の光学的膜厚を
スバ・ツタリング中に測定することが可能となる。
再度ミラー６によって９０°屈折され、レンズ２に入射
して検出器７に集光される。検出器７では光電変換され
て、電気信号が、例えばペンレコーダー（図示せず）に
出力される。これにより、反射光１６の光量の時間的変
化を測定することができるので、生成膜の光学的膜厚を
スバ・ツタリング中に測定することが可能となる。
上記構成の如く、モニター箱８内に光源１と、レンズ２
と、ミラー６と、検出器７とを一体的に取り付ければ、
光学的膜厚モニター１４の構成をコンパクトにできると
共に、光軸の調整が容易となる。加えて、光学的膜厚モ
ニター１４を簡単にスパッタリング装置内に設置するこ
とができる。
と、ミラー６と、検出器７とを一体的に取り付ければ、
光学的膜厚モニター１４の構成をコンパクトにできると
共に、光軸の調整が容易となる。加えて、光学的膜厚モ
ニター１４を簡単にスパッタリング装置内に設置するこ
とができる。
また、光学的膜厚モニター１４を埋設するための凹溝２
１ａの深さ！１は、モニター箱８の高さｌｘよりも若干
深くなるように構成されているので、モニター箱８の上
面はターゲット１１〜１３の表面よりも下方に位置する
。したがって、電極１０とターゲットホルダ２１との間
に生じるプラズマの形状に悪影響を及ぼすことがない。
１ａの深さ！１は、モニター箱８の高さｌｘよりも若干
深くなるように構成されているので、モニター箱８の上
面はターゲット１１〜１３の表面よりも下方に位置する
。したがって、電極１０とターゲットホルダ２１との間
に生じるプラズマの形状に悪影響を及ぼすことがない。
加えて、モニター箱８の温度が上昇しないので、測定誤
差を低減することができる。
差を低減することができる。
更に、窓２０に臨むのはミラー６だけなので、ミラー６
だけしか露出せず、レンズ２や比較的熱で変動しやすい
光源１や検出器７がスパッタリングされたり昇温したり
するのを防止することができる。加えて、光源１とミラ
ー６との長さ！３は十分大きく設定されているので、光
源１や検出器７をプラズマ領域外に配置することができ
、これによっても光源１等が昇温するのを防止すること
ができる。
だけしか露出せず、レンズ２や比較的熱で変動しやすい
光源１や検出器７がスパッタリングされたり昇温したり
するのを防止することができる。加えて、光源１とミラ
ー６との長さ！３は十分大きく設定されているので、光
源１や検出器７をプラズマ領域外に配置することができ
、これによっても光源１等が昇温するのを防止すること
ができる。
尚、モニター箱８の材料としてはステンレスに限定する
ものではなく、金属（例えば、アルミニウム、銅等）で
あればいかなるものであっても良い。但し、ステンレス
はガスを発生しないので、ステンレスを用いるのが望ま
しい。
ものではなく、金属（例えば、アルミニウム、銅等）で
あればいかなるものであっても良い。但し、ステンレス
はガスを発生しないので、ステンレスを用いるのが望ま
しい。
また、ミラー６は経時劣化するため、交換可能な構成と
するのが望ましい。また、光路変換手段としてはミラー
に限定するものではなく、プリズムであってもよい。
するのが望ましい。また、光路変換手段としてはミラー
に限定するものではなく、プリズムであってもよい。
〔実験］
上記構成のスパッタリング装置を用いて、薄膜の光学的
膜厚を測定しつつ薄膜形成を行った。
膜厚を測定しつつ薄膜形成を行った。
（実験条件）
光学的膜厚モニター１４を３個用い、それぞれの照射光
１５が基板１８（ディスク）のスパッタリング面１９に
おけるΦ１２０、Φ８５、Φ５０の位置に照射されるよ
うモニター１４をチャンバー９内に配置し、３つの位置
の光学的情報を同時に得ることができるような構成とし
ている。
１５が基板１８（ディスク）のスパッタリング面１９に
おけるΦ１２０、Φ８５、Φ５０の位置に照射されるよ
うモニター１４をチャンバー９内に配置し、３つの位置
の光学的情報を同時に得ることができるような構成とし
ている。
また、ターゲット１１〜１３．検出器７等については、
以下のような構成である。
以下のような構成である。
ターゲット・・・ＺｎＳ
検出器・・・波長８３０ｎｍ付近（半値幅３０ｎｍ）に
中心を持つＬＥＤ レンズの焦点距離・・・３０ｍｍ 電極の回転数・・・１２０ｒｐｍ 上記の構成のスパッタリング装置を用いて、基板（厚さ
１．２ｍｍ、外径１３０ｍｍ、センター穴１５ｍｍのポ
リカーボネイト円盤であって光ディスクに用いる）上に
ＺｎＳをλ／４ｎ［ｎ：ｉ膜の屈折率（２，４）、λ：
光源の波長（８３ｎｍ）］の厚さだけスパッタリングし
た。成膜時間はΦ８５のモニターの情報を優先し反射光
量が最大となる時間で終了した。
中心を持つＬＥＤ レンズの焦点距離・・・３０ｍｍ 電極の回転数・・・１２０ｒｐｍ 上記の構成のスパッタリング装置を用いて、基板（厚さ
１．２ｍｍ、外径１３０ｍｍ、センター穴１５ｍｍのポ
リカーボネイト円盤であって光ディスクに用いる）上に
ＺｎＳをλ／４ｎ［ｎ：ｉ膜の屈折率（２，４）、λ：
光源の波長（８３ｎｍ）］の厚さだけスパッタリングし
た。成膜時間はΦ８５のモニターの情報を優先し反射光
量が最大となる時間で終了した。
尚、このように反射光量が最大となる時間で終了させる
のは、以下の理由による。
のは、以下の理由による。
即ち、上記光学的膜厚モニター１４における換算路程差
Ｘ１は下記（１）式によって示される。
Ｘ１は下記（１）式によって示される。
ｘ、＝２ｄｎ （ｄ ：膜厚）
一２×λ／ ４ ｎ Ｘ ｎ
＝λ／２・・・（１）
ところが、形成されたＺｎＳ膜の屈折率は約２゜１であ
るのに対して、基板の屈折率は約１．５であるため、基
板で屈折する光線はλ／２だけ位相が変化する。したが
って、光路差Ｘ２は下記（２）式によって示される。
るのに対して、基板の屈折率は約１．５であるため、基
板で屈折する光線はλ／２だけ位相が変化する。したが
って、光路差Ｘ２は下記（２）式によって示される。
Ｘ２−λ／２＋λ／２
一λ・・・（２）
したがって、上記の如く反射光量が最大となる時間で終
了させれば、ＺｎＳの膜厚がλ／４ｎとなる。
了させれば、ＺｎＳの膜厚がλ／４ｎとなる。
（実験結果）
光学モニターからの出力をペンレーコーダーで描かせた
ので、その結果を第３図に示す。
ので、その結果を第３図に示す。
第３図から明らかなように、照射位置がΦ８５とΦ１２
０との部位では反射光１６の位相が揃っていることが認
められるが、Φ５０の部位ではΦ８５等の部位より位相
が進んでいることが認められる。
０との部位では反射光１６の位相が揃っていることが認
められるが、Φ５０の部位ではΦ８５等の部位より位相
が進んでいることが認められる。
そこで、実際の膜厚を繰り返し干渉膜厚計で測定したと
ころ、Φ８５〜Φ１２０の部位では膜厚がおよそ８６ｎ
ｍであって、上記設定値（λ／４ｎ）に一致していたが
、Φ１２０の部位では膜厚が９２ｎｍと設定値よりも厚
くなっていることが認められた。これにより、光学的膜
厚モニター１９は正確に作動していることが確認された
。
ころ、Φ８５〜Φ１２０の部位では膜厚がおよそ８６ｎ
ｍであって、上記設定値（λ／４ｎ）に一致していたが
、Φ１２０の部位では膜厚が９２ｎｍと設定値よりも厚
くなっていることが認められた。これにより、光学的膜
厚モニター１９は正確に作動していることが確認された
。
尚、上記実験ではΦ１２０、Φ８５、Φ５０の位置に光
学的膜厚モニター１４を設けているが、効率よく膜厚を
測定するためには、基板の回転中４゜ 心から半径方向の直線上を等分する位置に各光線を入射
させるように光学的膜厚モニター１４を配置するのが好
ましい。
学的膜厚モニター１４を設けているが、効率よく膜厚を
測定するためには、基板の回転中４゜ 心から半径方向の直線上を等分する位置に各光線を入射
させるように光学的膜厚モニター１４を配置するのが好
ましい。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、スパッタリング中に
薄膜の光学的な厚さを検出することができると共に、光
学的膜厚モニターの構成をコンパクトにでき、且つ光軸
の調整を容易に行うことができる。
薄膜の光学的な厚さを検出することができると共に、光
学的膜厚モニターの構成をコンパクトにでき、且つ光軸
の調整を容易に行うことができる。
更に、光学的膜厚モニターを容易にスパッタリング装置
内に設置することが可能となると共に、プラズマの形状
に悪影響を及ぼすこともない。
内に設置することが可能となると共に、プラズマの形状
に悪影響を及ぼすこともない。
加えて、光源等の温度上昇を抑制することができるので
、測定誤差を低減することが可能になる等の効果を奏す
る。
、測定誤差を低減することが可能になる等の効果を奏す
る。
第１図は本発明の一実施例の光学的膜厚モニターの断面
図、第２図は本発明の光学的膜厚モニターを用いたスパ
ッタリング装置のチャンバー内の構成を示す説明図、第
３図は本発明のスパッタリング装置を用いてスパッタリ
ングしたときのモニターからの出力例を示すグラフであ
る。 １・・・光源、２・・・レンズ、４・・・スパッタ面、
６・・・ミラー ７・・・検出器、８・・・モニター箱
、９・・・チャンバー １１〜１３・・・ターゲット、
１４・・・光学的膜厚モニター １５・・・照射光、１
６・・・反射光、１８・・・基板、２０・・・窓。 代理人 ： 弁理士 中島司朗 第 図 第３ 図 時間
図、第２図は本発明の光学的膜厚モニターを用いたスパ
ッタリング装置のチャンバー内の構成を示す説明図、第
３図は本発明のスパッタリング装置を用いてスパッタリ
ングしたときのモニターからの出力例を示すグラフであ
る。 １・・・光源、２・・・レンズ、４・・・スパッタ面、
６・・・ミラー ７・・・検出器、８・・・モニター箱
、９・・・チャンバー １１〜１３・・・ターゲット、
１４・・・光学的膜厚モニター １５・・・照射光、１
６・・・反射光、１８・・・基板、２０・・・窓。 代理人 ： 弁理士 中島司朗 第 図 第３ 図 時間
Claims (3)
- （１）単色光線を放射する光源と、 上記光源からの照射光を略平行光線にする光線平行化手
段と、 上記平行光線の光路を変更して、表面に薄膜が形成され
るべき基板に略垂直に入射するように導く第１光路変更
手段と、 上記基板からの反射光の光路を変更する第２光路変更手
段と、 上記第２光路変更手段光路により光路変更された反射光
を集束させる光線集束化手段と、 上記光線集束化手段で集束された集束光を検出して、こ
れを電気信号に変換する光電変換手段と、を有し、これ
ら全ての手段を一体化したことを特徴とする光学的膜厚
モニター。 - （２）請求項１記載の光学的膜厚モニターをチャンバー
内に備えたスパッタリング装置であって、上記光学的膜
厚モニターと基板の膜形成面との距離が、スパッタリン
グターゲットと上記膜形成面との距離よりも大きくなる
ように、光学的膜厚モニターを設置したことを特徴とす
るスパッタリング装置。 - （３）請求項１記載の光学的膜厚モニターをチャンバー
内に備えたスパッタリング装置であって、スパッタリン
グ時に前記光源及び前記光電変換手段がプラズマ領域の
十分外側に位置するよう、光源及び光電変換手段と前記
両光路変更手段との距離を十分長く設定したことを特徴
とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121479A JP2902048B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121479A JP2902048B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0416704A true JPH0416704A (ja) | 1992-01-21 |
| JP2902048B2 JP2902048B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=14812172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2121479A Expired - Fee Related JP2902048B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 |
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| JPWO2015004755A1 (ja) * | 2013-07-10 | 2017-02-23 | 株式会社シンクロン | 光学式膜厚計，薄膜形成装置及び膜厚測定方法 |
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