JPH04167425A - 同軸型プラズマ処理装置 - Google Patents
同軸型プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH04167425A JPH04167425A JP2294197A JP29419790A JPH04167425A JP H04167425 A JPH04167425 A JP H04167425A JP 2294197 A JP2294197 A JP 2294197A JP 29419790 A JP29419790 A JP 29419790A JP H04167425 A JPH04167425 A JP H04167425A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal electrode
- chamber
- chamber plate
- plasma processing
- plate
- Prior art date
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- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体ウェハ表面のレジスト膜のアッシング等
に用いる同軸型プラズマ処理装置に関する。
に用いる同軸型プラズマ処理装置に関する。
（従来の技術）
外部電極と内部電極とを筒状チャンバーを挟んで同軸状
に配置したプラズマ処理装置として特公昭５３−３３４
７１号公報に開示される装置がある。
に配置したプラズマ処理装置として特公昭５３−３３４
７１号公報に開示される装置がある。
同軸型プラズマ処理装置の一般的な構造は第４図に示す
ように、合成石英等から成る筒状チャンバー１００の上
下端開口をチャンバープレート１０１．１０２で閉塞し
、筒状チャンバー１００の外側には高周波発振器１０３
に接続される板状外部電極１０４を設け、筒状チャンバ
ー１００の内側には外部電極１０４と電気的に絶縁され
た内部電極１０５を設けている。
ように、合成石英等から成る筒状チャンバー１００の上
下端開口をチャンバープレート１０１．１０２で閉塞し
、筒状チャンバー１００の外側には高周波発振器１０３
に接続される板状外部電極１０４を設け、筒状チャンバ
ー１００の内側には外部電極１０４と電気的に絶縁され
た内部電極１０５を設けている。
そして、内部電極１０５はパンチングメタル或いは金網
等からなり、外部電極１０４と内部電極１０５との間で
発生したプラズマ中の電荷を持ったイオンや電子による
ダメージが、内部電極１０５の内方に保持具１０６によ
って支持されているウェハ１０７まで及ばないようにし
ている。
等からなり、外部電極１０４と内部電極１０５との間で
発生したプラズマ中の電荷を持ったイオンや電子による
ダメージが、内部電極１０５の内方に保持具１０６によ
って支持されているウェハ１０７まで及ばないようにし
ている。
（発明が解決しようとする課題）
上述した従来の同軸型プラズマ処理装置にあっては、内
部電極の下端を金属製の下部チャンバープレートを介し
て接地（アース）してチャージアップを防止する構造と
しているが、完全にチャージアップを防止することがで
きず、ダメージが発生する。
部電極の下端を金属製の下部チャンバープレートを介し
て接地（アース）してチャージアップを防止する構造と
しているが、完全にチャージアップを防止することがで
きず、ダメージが発生する。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決すべく本発明は、同軸型プラズマ処理装
置の内部電極の上端及び下端を上部チャンバープレート
及び下部チャンバープレートを介して接地するようにし
、特に請求項２に記載の発明にあっては内部電極の上端
と上部チャンバープレートとの間に板ばね等の導電性弾
発部材を介在せしめることで、チャンバー内を減圧する
ことでチャンバーが伸縮しても確実に内部電極上端と上
部チャンバー°プレートとを接触せしめるようにした。
置の内部電極の上端及び下端を上部チャンバープレート
及び下部チャンバープレートを介して接地するようにし
、特に請求項２に記載の発明にあっては内部電極の上端
と上部チャンバープレートとの間に板ばね等の導電性弾
発部材を介在せしめることで、チャンバー内を減圧する
ことでチャンバーが伸縮しても確実に内部電極上端と上
部チャンバー°プレートとを接触せしめるようにした。
（作用）
同軸型プラズマ処理装置の内部電極の上下端を接地する
ことで、チャージアップ量か１７２に減少する。
ことで、チャージアップ量か１７２に減少する。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る同軸型プラズマ処理装置の内部構
造を示す斜視図、第２図は同プラズマ処理装置の縦断面
図であり、同軸型プラズマ処理装置は合成石英、パイレ
ックスガラス等から成る筒状チャンバー１の上下端をア
ルミニウム或いは銅等の導電性に優れた金属材料にて構
成される上部チャンバープレート２及び下部チャンバー
プレート３にて閉塞し、下部チャンバープレート３につ
いてはその一部を昇降プレート４とし、この昇降プレー
ト４上に多数のウェハＷ（５０枚）を保持するウェハ保
持体５を立設している。
造を示す斜視図、第２図は同プラズマ処理装置の縦断面
図であり、同軸型プラズマ処理装置は合成石英、パイレ
ックスガラス等から成る筒状チャンバー１の上下端をア
ルミニウム或いは銅等の導電性に優れた金属材料にて構
成される上部チャンバープレート２及び下部チャンバー
プレート３にて閉塞し、下部チャンバープレート３につ
いてはその一部を昇降プレート４とし、この昇降プレー
ト４上に多数のウェハＷ（５０枚）を保持するウェハ保
持体５を立設している。
また、筒状チャンバー１の外周には高周波発振器６に接
続される筒状外部電極７を配置し、筒状チャンバー１の
内方には前記外部電極７と同軸状に内部電極８を配置し
、外部電極７と内部電極８との間をプラズマ発生空間９
としている。ここで、同軸状とは外部電極７と内部電極
８の中心が完全に一致するものだけでなく多少ずれてい
るものをも意味する。
続される筒状外部電極７を配置し、筒状チャンバー１の
内方には前記外部電極７と同軸状に内部電極８を配置し
、外部電極７と内部電極８との間をプラズマ発生空間９
としている。ここで、同軸状とは外部電極７と内部電極
８の中心が完全に一致するものだけでなく多少ずれてい
るものをも意味する。
更に、内部電極８はアルミニウム合金からなるパンチン
グメタル或いは金網から構成され、多数の小孔８ａ・・
・を有し、その下端部は前記下部チャンバープレート３
に、上端部は前記上部チャンバープレート２に固着され
、これらプレートを介して内部電極８は接地される。
グメタル或いは金網から構成され、多数の小孔８ａ・・
・を有し、その下端部は前記下部チャンバープレート３
に、上端部は前記上部チャンバープレート２に固着され
、これらプレートを介して内部電極８は接地される。
ところで、プラズマを発生せしめるにはチャンバー１内
を減圧しなければならない。そして、チャンバー内を減
圧するとチャンバーが外部の大気圧の影響によって収縮
する。この収縮量が大きい場合、内部電極８の上端と上
部チャンバープレート２とを剛に固着しておくと、内部
電極と上部チャンバープレート２との固着部或いは上部
チャンバープレート２とチャンバー１との固着部等に無
理な力が作用し、チャンバーの気密性か悪くなったり接
地が不完全になったりする。
を減圧しなければならない。そして、チャンバー内を減
圧するとチャンバーが外部の大気圧の影響によって収縮
する。この収縮量が大きい場合、内部電極８の上端と上
部チャンバープレート２とを剛に固着しておくと、内部
電極と上部チャンバープレート２との固着部或いは上部
チャンバープレート２とチャンバー１との固着部等に無
理な力が作用し、チャンバーの気密性か悪くなったり接
地が不完全になったりする。
そこで、第３図に示す別実施例にあっては、内部電極８
の上端部と上部チャンバープレート２との間に板ばね１
０を介在せしめ、チャンバー１か伸縮しても確実に内部
電極８の上下端を接地し得る構造とした。尚、板ばね１
０はコイルスプリング等の導電性弾発材であればよい。
の上端部と上部チャンバープレート２との間に板ばね１
０を介在せしめ、チャンバー１か伸縮しても確実に内部
電極８の上下端を接地し得る構造とした。尚、板ばね１
０はコイルスプリング等の導電性弾発材であればよい。
本発明に係る同軸型プラズマ処理装置と、従来構造の同
軸型プラズマ処理装置を用い、以下の処理条件でウェハ
上に形成したホトレジストを除去した。
軸型プラズマ処理装置を用い、以下の処理条件でウェハ
上に形成したホトレジストを除去した。
反応ガス・・・・・・・・・・・・０□反応ガス量・・
・・・・・・・・１１０００３ＣＣ周波数・・・・・・
・・・・・・・・１３．５６ＭＨｚ印加電圧・・・・・
・・・・・・・１ｋＷ圧力・・・・・・・・・・・・・
・・・１．０Ｔｏｒｒ以上のブラ、ズマ処理において、
本発明に係る同軸型プラズマ処理装置を用いた場合には
、従来構造の同軸型プラズマ処理装置を用いた場合に比
べチャージアップ量は１／２以下であった。
・・・・・・・・１１０００３ＣＣ周波数・・・・・・
・・・・・・・・１３．５６ＭＨｚ印加電圧・・・・・
・・・・・・・１ｋＷ圧力・・・・・・・・・・・・・
・・・１．０Ｔｏｒｒ以上のブラ、ズマ処理において、
本発明に係る同軸型プラズマ処理装置を用いた場合には
、従来構造の同軸型プラズマ処理装置を用いた場合に比
べチャージアップ量は１／２以下であった。
（効果）
以上に説明したように本発明によれば、同軸型プラズマ
処理装置の内部電極の上端及び下端を上部チャンバープ
レート及び下部チャンバープレートを介して接地するよ
うにしたので、チャージアップ量が従来に比べ大幅に減
少し、その結果内部電極のシールド効果が高くなり、プ
ラズマ中の電荷を持ったイオンや電子によるダメージを
防止することができる。
処理装置の内部電極の上端及び下端を上部チャンバープ
レート及び下部チャンバープレートを介して接地するよ
うにしたので、チャージアップ量が従来に比べ大幅に減
少し、その結果内部電極のシールド効果が高くなり、プ
ラズマ中の電荷を持ったイオンや電子によるダメージを
防止することができる。
特に内部電極の上端と上部チャンバープレートとの間に
板ばね等の導電性弾発部材を介在せしめれば、チャンバ
ーが伸縮しても確実に内部電極上端と上部チャンバープ
レートとを接触せしめることができ、上記の効果を確実
に発揮し得る。
板ばね等の導電性弾発部材を介在せしめれば、チャンバ
ーが伸縮しても確実に内部電極上端と上部チャンバープ
レートとを接触せしめることができ、上記の効果を確実
に発揮し得る。
第１図は本発明に係る同軸型プラズマ処理装置の内部構
造を示す斜視図、第２図は同プラズマ処理装置の縦断面
図、第３図は別実施例の上部構造を示す断面図、第４図
は従来の同軸型プラスマ処理装置の縦断面図である。 尚、図面中１はチャンバー、２は上部チャンバープレー
ト、３は下部チャンバープレート、４は下部チャンバー
プレートの一部をなす昇降プレート、７は外部電極、８
は内部電極、９はプラズマ発生空間、１０は導電性弾発
部材である。
造を示す斜視図、第２図は同プラズマ処理装置の縦断面
図、第３図は別実施例の上部構造を示す断面図、第４図
は従来の同軸型プラスマ処理装置の縦断面図である。 尚、図面中１はチャンバー、２は上部チャンバープレー
ト、３は下部チャンバープレート、４は下部チャンバー
プレートの一部をなす昇降プレート、７は外部電極、８
は内部電極、９はプラズマ発生空間、１０は導電性弾発
部材である。
Claims (2)
- （１）筒状チャンバーの外側に高周波発振器に接続する
外部電極を配置し、筒状チャンバーの内側に前記外部電
極と電気的に絶縁されるとともに多数の小孔を形成した
内部電極を同軸状に配置し、筒状チャンバーの上下端開
口をチャンバープレートにて閉塞したプラズマ処理装置
において、前記内部電極の下端は下部チャンバープレー
トを介して接地され、内部電極の上端は上部チャンバー
プレートを介して接地されていることを特徴とする同軸
型プラズマ処理装置。 - （２）前記内部電極の上端と上部チャンバープレートと
は導電性弾発部材を介して接触していることを特徴とす
る請求項１に記載の同軸型プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2294197A JPH0775228B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2294197A JPH0775228B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167425A true JPH04167425A (ja) | 1992-06-15 |
| JPH0775228B2 JPH0775228B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=17804575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2294197A Expired - Lifetime JPH0775228B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775228B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5429705A (en) * | 1993-02-25 | 1995-07-04 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating and/or etching substrates in a vacuum chamber |
| KR101023091B1 (ko) * | 2008-08-14 | 2011-03-24 | 김경수 | 플라즈마 처리용 전극조립체 |
| CN106733264A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-05-31 | 无锡荣坚五金工具有限公司 | 一种管状大容积等离子体聚合涂层装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5333471B2 (ja) | 2011-01-31 | 2013-11-06 | 横浜ゴム株式会社 | 空気入りタイヤ |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP2294197A patent/JPH0775228B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5429705A (en) * | 1993-02-25 | 1995-07-04 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating and/or etching substrates in a vacuum chamber |
| KR101023091B1 (ko) * | 2008-08-14 | 2011-03-24 | 김경수 | 플라즈마 처리용 전극조립체 |
| CN106733264A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-05-31 | 无锡荣坚五金工具有限公司 | 一种管状大容积等离子体聚合涂层装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0775228B2 (ja) | 1995-08-09 |
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