JPH04167477A

JPH04167477A - 半導体素子

Info

Publication number: JPH04167477A
Application number: JP2294059A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Uemoto; 勉上本; Hidetoshi Fujimoto; 英俊藤本
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1990-10-31
Filing date: 1990-10-31
Publication date: 1992-06-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は耐環境素子、大電力素子、青色発光素子、可視
短波長および紫外線発光素子等に使用する半導体素子に
関する。

（従来の技術）現在半導体を用いた発光素子は赤及び緑までの発光が実
用化され各種表示素子として用いられている。しかし、
３原色としての青色がまだないため画像の表示用のデイ
スプレィとしては充分ではない。このため、青色で赤、
緑と等しい光度を持つような発光素子も研究が進められ
ている。

これまでの赤から緑までの発光素子はＧａ（１）Ａｓ、
ＧａＮ等の半導体が用いられてきたがこれらの半導体の
持つ禁制帯幅では青色を出すことはできない。

この様な領域の材料としてはＺｎ５ｅ、　ＺｎＳ等のＩ
Ｉ−ＶＩ族半導体及びＧａＮ、立方晶型ＢＮの■−■族
半導体、５ｉＣ１ダイアモンド等の■族生導体がある。

しかし、−殻内にこの様な広禁制帯材料は伝導型制御が
困難で、ｐｎ接合が作製可能な物質としては立方晶型Ｂ
Ｎと■族生導体だけである。しかし■型半導体はＳｉＣ
、ダイアモンド共に間接型遷移型禁制帯をもつため、発
光効率が本質的に高くならないという欠点がある。また
立方晶型ＢＮは高圧の中でしか作製できない為、実用に
足るような大きな結晶が得られないという欠点があった
。

次に青色発光素子の構造において、炭化珪素は広い禁制
帯幅をもち（２，２〜３．３ｅＶ）、かつこの様な広禁
制帯材料中、ｐｎ接合やＭＯ５構造を容易に作れる唯一
の材料である。また、化学的に安定で、放射線に対して
も強いといった特徴がある。このため、高温動作素子、
大電力素子、放射線検品器、可視短波長発光素子として
期待がなされている。

特に、可視発光素子としては青色発光ダイオードとして
フルカラーデイスプレィへの応用が期待されている。一
方、　ＳｉＣは多くの結晶多型をもつといった特徴があ
る。現在までに実用的な素子が製作されているのは、種
々の結晶多型のなかでヘキサゴナール構造の中の一結晶
型である６Ｈ型だけであった６しかし、短波長発光素子
を考えた場合、６Ｈ型結晶は室温で２．８ｅＶの禁制帯
幅しか持たないため、青色発光できりぎりであり、また
青色発光においても浅い不純物を介した発光した利用で
きないため、発光効率が悪く、明るい発光素子を作るこ
とはできなかった。このため、禁制帯幅のより大きな４
Ｈ型や２Ｈ型のへキサゴナール構造の単結晶を用いた発
光素子の製作が期待されている。これまでの所できてい
ない。この主たる原因は、６Ｈ型以外の結晶が実用の素
子を作れるほど太きくなく、また結晶欠陥の少ない単結
晶基板が作製しにくいといった欠点があるためである。

これまでの単結晶基板の製造法としては、　１）アチソ
ン法：炭素と珪砂を混合し加熱する。２）レリー法；　
ＳｉＣ粉末を昇華再結晶させる。３）ＣＶＤ法、Ｓｉ、
Ｃの原料ガスを混合し、加熱分解させる、といった方法
が試みられてきた。しかし１）の方法では、研磨用のＳ
ｉＣを作製するのに一般的に使用されている方法ではあ
るが、大型基板ができない、不純物が混入しやすいとい
った欠点がある。このため、現在の研究は２）、３）の
方法によるものが主である。

しかし、これら３つの方法で作ることのできる単結晶構
造は６Ｈ型もしくはより、禁制帯幅の小さいキュウビッ
ク型の結晶構造を持つ、３Ｃ型結晶であり、それ以外の
結晶は作ることは困難であり、時にできるその他の結晶
構造を持つ結晶多くの結晶欠陥を含んだ品質の悪いもの
しか得ることができなかった。

これを解決しようとした１つの試みは特公平１−４３７
２０号に示されているようにサファイア基板上にＳｉＣ
を成長させることであるが、この方法に於いても成長す
る結晶系は３Ｃ型であり発光素子として期待さ九ている
２Ｈ型ＳｉＣは成長できなかった。

次に１発光効率の高い青色発光素子について、現在用い
られているフルカラーのデイスプレーとしては、ブラウ
ン管や液晶を用いたものがあるが、大型画面を得るため
には装置自身が非常に大型になるとか、画面を見る角度
によって画面に描き出されているものが非常に見にくい
といった問題点を抱えている。そのため、半導体発光素
子を用いたデイスプレーの開発が盛んに行なわれている
。

しかし、そのためには高輝度の青色の発光素子の開発を
待たなければならない。この青色発光素子用の材料とし
て研究されているものの一つとして炭化珪素がある。＃
２化珪素は、エネルギー・ギャップが２．４〜３．４ｅ
Ｖと高く、また熱的に安定であるために、近年青色発光
素子用の材料として注目されている。特に６Ｈ型と呼ば
れる炭化珪素結晶はエネルギー・ギャップが２．８６ｅ
Ｖあり、また、４Ｈ型と呼ばれる炭化珪素結晶はエネル
ギー・ギャップが３．２７ｅＶあり、共に短波長の発光
素子の材料として注目されている。このうち６Ｈ型の炭
化珪素結晶を用いた青色発光素子や４Ｈ型の炭化珪素結
晶を用いた紫外域の発光素子は、幾つかの研究機関にお
いて、研究および試作が行なわれている。

しかしながら、この６Ｈ型の炭化珪素結晶を用いた発光
素子では発光強度が弱いという問題点があった。これは
以下のような理由によるものである。

この６Ｈ型の炭化珪素結晶は間接遷移型である。そのた
め、この６Ｈ型の炭化珪素を用いた発光素子では、通常
ドナーおよびアクセプターにトラップされたキャリアの
再結合、いわゆるＤ−Ａペアーで発光させる形態をとっ
ている。しかし、６Ｈ型の炭化珪素結晶はエネルギー・
ギャップが２．８６ｅＶである。

そのため、不純物として添加できるものは、例えば典型
的な青色の発光波長である４７０ｎ■の発光波長を得る
ためには、ドナー側およびアクセプター側とを合わせて
約２２０ｍｅＶといういわゆる浅い不純物レベルを持つ
不純物に限られる。このような浅い不純物レベルを持つ
不純物、例えばアクｔプタ−不純物であるアルミニウム
やドナー不純物である窒素といったものでは、キャリア
（ドナー不純物の場合には電子、アクセプター不純物の
場合には正孔）を伝導帯または価電子帯から不純物レベ
ルにトラップするための大きさ（不純物のキャリアに対
する捕獲断面積）が小さい、そのため、不純物レベルに
トラップされたキャリアが少なく。

したがってドナーおよびアクセプターにトラップされた
キャリアの再結合によって生じる発光強度が小さくなる
。これについて後述する第８実施例に対する比較例とし
て第９図に従来例の炭化珪素の発光素子の構造を概略の
断面図で示す、第９図における層はすべて６Ｈ型の炭化
珪素で構成されており、夫々アルミニウムをｌＸｌ０”
個／Ｃ■３含有した層１０１、アルミニウムをＩ　Ｘ　
１０１７個ｌＣ■３および窒素をＩ　Ｘ　１０”個／ｃ
ｍ”含有した層１０２．窒素を１×１０”個／ｃｍａ含
有した層１０３である。

（発明が解決しようとする課題）以上述べた様に従来技術では青より短波長領域で発光を
行なう高品質で大面積の結晶を得ることはできないため
、これを用いた種々のデバイスを作ることはできなかっ
た。

そこで本発明の第１の目的は以上の問題点を解決するも
ので、大面積で青より短波長の発光域に発光できる半導
体素子を作製可能にする事を目的としたものである。

また、従来の技術では２Ｈ型ＳｉＣで大面積、かつ高品
質な単結晶を作製することが容易ではなく、これを用い
た種々のデバイスを作ることはできなかった。

そこで本発明の目的は以上の問題点を解決するもので、
ＳｉＣで２Ｈ型の大面積の単結晶基板を作製可能にする
ことを目的とする。

さらに上記のように従来の炭化珪素を用いた青色発光素
子においては、炭化珪素が６Ｈ型であるため、炭化珪素
に添加することのできる不純物のキャリアに対する捕獲
断面積が小さく発光強度が低い、すなわち量子効率が低
いという問題点があった。

そこで本発明の目的は量子効率の高い炭化珪素青色発光
素子を提供することにある。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）本発明に係る半導体素子は、窒化アルミニウムと炭化珪
素との混晶の成長層を含み多層構造を備えた構造を備え
たものである。また、炭化珪素を用いた青色発光素子に
おいて、その半導体素子の炭化珪素中に不純物として■
族原子および■族原子の中から選ばれた少なくとも−っ
の原子を含み構成された構造の半導体素子である。

（作　用）まず、第１に、本発明によれば大面積かつ高品質の半導
体層を成長することができる。即ち、＾ＱＮ単結晶はＳ
ｉＣと非常に近い、ａ軸方向の格子定数をもっている。

また、ｉＮ単結晶はウルツアイト型と呼ばれる単結晶構
造をもっており、これはＳｉＣでは２Ｈ型と等価の結晶
構造である。このためＡＱＮの（０００１）面上にＳｉ
Ｃを成長させると格子定数が近いため、単結晶を成長す
ることができる。　　ＡＱＮは直接遷移型のバンド構造
を有し、発光を伴うバンド間遷移の効率は高いことが期
待されるが大きな単結晶を作ることが困難な物質である
。また不純物添加による導電型制御が難しい。一方、Ｓ
ｉＣは導電形制御は容易であるが、間接遷移型バンド構
造を持つため、発光効率は低い、そして、Ｎａｔｕｒｅ
、　Ｖｏｌ、２７５．　ｐｐ４３５（１９７８）に示さ
れているように、ＳｉＣとＡＱＮは比較的容易に混ざり
合うことが知られている。これまでは、微小な結晶しか
出来なかったため、接合は作れなかったがＡＱ、　０．
、ＳｉＣ等別の基板上に成長させ伝導型制御を行なった
ところ、直接遷移型で伝導制御の可能な半導体を作るこ
とが、可能となった。ここで混晶とは、特開昭５８−１
２１６９０号の様なＳｉＣにＡ１２とＮを添加すること
とはことなる。本発明においてはＡＱＮとＳｉＣはとも
に１つの半導体として互いに合金化させるものである。

一方、Ａｌ１．　Ｎを添加する場合は元素として入り込
み不純物である。このことは、実際の結晶成長の現象に
おいても大きな違いが存在する。元素として添加する場
合はＡＱの添加量に限界があるのに対し、混晶の場合は
ＡＱＮとＳｉＣはどの様な比率でも混ぜ合わせることが
可能である。一方、混晶の場合は物性面でも変化をする
。特にバンド構造。

禁制帯幅等が変化する。本発明はこのバンド構造の変化
を利用したものである。一方、本発明により成長させた
結晶構造はウルツアイト構造を示す。

これはＳｉＣ半導体においては２Ｈ型と呼ばれるものと
等価であり、ＳｉＣ単独の結晶成長では容易に成長する
ことができない。この様に本発明の半導体結晶はＳｉＣ
にＡｌ１．　Ｎを添加したものとは全く別の発明であり
、その境界として結晶中のＡΩの存在比でもって区別す
ることができる。本発明に該当するＡＱ存在比は概略１
％以上である。本発明は上述の半導体にｐｎ接合をつく
ることにより、各種半導体装置を可能としたことにある
。

次に第２に、本発明によれば２Ｈ型ＳｉＣを大面積かつ
高品質の物を成長することができる。即ち、ＩＱＮ単結
晶はＳｉＣと非常に近い、ａ軸方向の格子定数をもって
いる。また、ＡΩＮ単結晶はウルツアイト型と呼ばれる
単結晶構造をもっており、これはＳｉＣでは２Ｈ型と等
価の結晶構造である。このためＡρＮの（０００１）面
上にＳｉＣを成長させると格子定数が近いため、単結晶
を成長することできる。しかし、ＡｆｉＮは大きな単結
晶を作ることが困難な物質である。このため現在確実に
ＡＱＮを成長させる方法はサファイア基板上に成長させ
ることである。この時、サファイアの（０００１）面上
にＡＱＮを成長させるとＷＩＮも（０００１）面で成長
する事ができる。この中間層がＡΩＮ単体では特公平１
−４３７２０号に示されているように、双晶を多く含ん
だ３Ｃ型しか成長できない。しかし、ＡＩＩＮとＳｉＣ
の混晶は欠陥の少なく、２１（型の結晶となることを発
明者の研究により見つけだした。さらにこの上にＳｉＣ
を成長させると下の層の性質を受は継ぎ、再現性よく成
長する事ができる。

次に第３に、上述の如く、■族または■族の原子が炭化
珪素中に添加された場合には、■族原子の場合には炭化
珪素中に深いアクセプターレベルを作り、■族原子の場
合には炭化珪素中に深いドナーレベルを作る。このよう
な深い不純物レベルを作る原子はキャリアに対する捕獲
断面積が太きい、したがって、このような捕獲断面積の
大きい原子を炭化珪素結晶中に添加することにより、量
子効率を高くすることができる。しかも、該炭化珪素結
晶にエネルギー・ギャップが３．２７８Ｖある４Ｈ型の
結晶を用いることにより、光度の高い青色の発光を得る
ことができる。

（実施例）次にこの発明を使用した発光素子の実施例に従って説明
する。

第１実施例第１図に本発明の１実施例であるＳｉＣ：　ＡＱＮ発光
ダイオードの断面図を示す、成長方法としては有機金属
化学低成長法（ＭＯＣＶＤ）法を用いた。まず、（００
０１）面に切り出したサファイア結晶１１をＭＯＣＶＤ
装置にいれ高温で表面処理を行なう、その後、成長温度
（１５００℃）まで降温した後、キャリアガスで希釈し
たＡＱ原料のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）として
窒素（Ｎ）原料のアンモニアガス（ＮＨ３）とＳｉの原
料であるシランガスと炭素の原料であるプロパンガスを
導入する。まず、２層１２を成長するときには■族元素
を含む原料ガスを導入する１本実施例ではジメチル亜鉛
（ＤＭＺ）を用いた。次に、ＤＭＺを切断し、１層１３
成長の為の■族原料ガスを導入する０本実施例ではセレ
ンの原料ガスであるジメチルセレン（ＤＭＳｅ）を導入
した０本実施例で作った半導体層はＡＱＮを１０％含む
ものである。成長後、−部、ｎ層をエツチングして除去
し２層を露出させる。その後、２層にＡｌＩ３、ｎ層に
Ｎｉ１５を蒸着し、１０００度で合金化処理を行ない、
オーミック電極を形成した０本発明により作製した発光
素子は紫色の発光を示し、従来のＳｉＣの青色発光素子
に比べ発光強度は大幅に強い。

第２実施例第２図に本発明の第２の実施例を示し説明する。

サファイア基板上２１にＡＱＨの単結晶２２を形成し。

その上に本発明の混晶層の２層２３，０層２４を形成す
る。この様にすることにより混晶層の結晶の品質が大幅
に向上した。

第３実施例第３図に本発明の１実施例を示す説明する。

ＳｉＣ単結晶３１上に本発明の混晶層の２層３２．８層
３３を形成したものである。ＳｉＣは１インチ以上の単
結晶を作ることができ結晶の品質も良い、このため、こ
の上に形成した混晶層の品質も良いものが形成できた。

第４実施例第４図に本発明の別の１実施例を示し説明する。

２層４１と０層４２のＡＱＮ、　ＳｉＣの組成比を変化
させ一方の層への電流注入効率を大幅に向上する事がで
きる。本変形例ではｎ層側の＾ＱＮ組成を高くしてｐ層
への注入効率を高くしている。この様にする事により大
幅に発光効率を高くすることが可能になった。また、ｎ
層側のＡρＮ組成を低くし、ｎ層側へ電流を多く注入す
るようにしても良い、この場合、電流を注入する層に導
電型決定不純物以外に発光中心となる不純物を添加する
ことにより大幅に発光効率が増大した。

第５実施例第５図に本発明の別の実施例を示し説明する。

１つの導電型を示す第１の混晶層５１上に該第１層より
禁制帯幅の小さい第２の半導体層５２を形成し、第２層
上に第２の層より禁制帯幅の大きく、第１層と異なる導
電型の第３の混晶層５３を形成したものである。第２の
層の導電型はｐ、ｎどちらの場合も考えられる。この様
にする事により、第２層に電流を効率よく注入すること
ができ、発光効率を大幅に向上することができた。この
とき、第２層は純粋のＳｉＣ層を用いたときも、発光効
率が向上した。

第６実施例本発明のさらに他の実施例としてはρｎ接合層の外側に
片方または両方に接してその接する層と同一の導電型で
より高濃度の不純物を含む層を形成する事によりｐ層ま
たはｎ層の電流を均一にする事ができる。上記、実施例
、変形例はｐ層、ｎ層の幾何学的配置は自由に配置でき
、例えば、第１図でｎ層を先に形成しても良い。また本
発明は成長法にはよらず、分子線エピタキシャル法（Ｍ
ＢＥ）液相エピタキシャル法（ＬＰＥ）等で成長する事
が可能である。その他、本発明はその趣旨に反しない限
り種々変形して使用することができる。

第７実施例次に本発明にかかる２Ｈ型結晶の成長方法の実施例を第
６図を参照して説明する。第６図に本発明により成長を
行なった一実施例のバルク２Ｈ型ＳｉＣ発光ダイオード
の断面図を示す、成長方法としては有機金属化学銀酸法
（ＭＯＣＶＤ）法を用いた。まず、（０００１）ＷＪニ
切り出したサファイア結晶６１　ＭＯＣＶＤ装置にいれ
高温で表面処理を行なう、その後、成長温度まで降温し
た後、キャリアガスで希釈したＡＱ原料のトリメチルガ
リウム（ＴＭＡ）として窒素（Ｎ）原料のアンモニアガ
ス（ＮＨ，）を流し、基板表面にＡＱＮ６２を成長させ
るこの時、アンモニアガスを先に流すことにより良質の
ＡＱＮの結晶を成長させることができる。　ＡＱＮを成
長した後、シランとアセチレンガスを更に追加して導入
することにより、ＡＱＮとＳｉＣ混晶層６３を成長させ
る。その後、ＴＭＡのみを切り、アンモニアガスの流量
を減少させた後。

ｎ型の５ｉＣ６４を成長させる、この時のｎ層中のキャ
リア濃度はＩ　Ｘ　１０”／ｃｍ”程度の高濃度層とす
る。

更に、アンモニアガスの流量を低減し更にわずかのガリ
ウム原料のトリメチルガリウムを流した状態でｎ型の５
ｉＣ６５を成長させる。このｎ型層６５は発光層でキャ
リア濃度は５Ｘ１０Ｘ７／ｃ■３である。６５上に今度
はＴＭＡを流し、ＴＭＧ、アンモニアを切ってＰ型層６
６を成長させる。Ｐ型層６６はキャリア濃度２　Ｘ　１
０”／ｃｍ”となるようにした。その後１反応性イオン
エツチング装置（ＲＩＥ）を用い、２層６６．０層６５
をエツチングし１層６４を露出させる、その後、２層に
ＡＱ　：　Ｓｉ合金６７、ｎ層にＮｉ６８を選択的に被
着し、高温で熱処理を行なって、オーミック接触を作製
した。この様にして作製した２Ｈ型発光素子は青紫色の
発光を示し、発光効率は従来の６Ｈ型発光素子の２倍以
上であった。

上記第７実施例によって説明された本発明はこれに限ら
れず、２Ｈ型を用いた全ての素子に応用可能である。ま
た、０層６５にＧａではなくＡＱを添加した発光素子は
近紫外から、紫の発光素子として使用できる。さらに、
　２Ｈ型結晶を成長した後、サファイア基板とＡＱＮ結
晶をエツチングして除去する事により２Ｈ型結晶基板を
得ることができ多方面への応用が可能である。次に、　
２１（型結晶上に禁制帯幅の小さい他の結晶構造を持つ
、ＳｉＣを成長させペテロ構造を作製する事でより発光
効率のよい発光素子を作製することができる。

第８実施例第７図に本発明の一実施例である発光素子の構造を概略
の断面図で示す。図中７２が本発明の主眼である■族元
素の亜鉛をｌＸｌ０”個／ｃＩ１２および■属元素のセ
レンをｌＸｌ０”個／ｃｌＩ２＃ｉ加した４Ｈ型の炭化
珪素であり、第７図に示した素子構造においては発光層
である。また１図中７１はアルミニウムをｌＸｌ０”個
／ｃｍ″添加した４Ｈ型の炭化珪素であり、この層７１
は層７２に対して正孔を注入する働きを持つものである
。図中７３は窒素がＩ　Ｘ　１０”／ｃ＠”存在する４
Ｈ型の炭化珪素基板であり、この層７３は層７２に対し
て電子を注入する働きを持つものである。

この実施例の発光素子は、比較のため示した従来の第９
図に示す発光素子に対し数倍明るかった。

第９実施例第８図は本発明における他の実施例として用いた発光素
子の構造を示したものである０図中８２は■族元素のテ
ルルをｌＸｌ０”個／Ｃｍ２および■族元素の亜鉛をｌ
ＸｌｏｌＧ個／ｃＩＩ３添加した４Ｈ型の炭化珪素であ
り、本発光素子においては発光層となる。

また、図中８１はｌＸｌ０”個／ｃｍ３のガリウムを含
有した４Ｈ型の炭化珪素である。この層８１は前述した
層８２に対して正孔を注入する働きをする。

なお、上記実施例は発光素子の構造を示す例であって、
それらの配置は幾何学的な位置の交換にはよらない。本
発明の主眼はあくまで発光層に■族および■族の一種類
以上の原子を含む４Ｈ型の炭化珪素を用いることにあり
、発光素子構造の幾何学的な配置や■族および■族の不
純物原子の添加方法、あるいは４Ｈ型の炭化珪素の製造
方法を規定するものではない０例えば、ＬＰＥ法におい
て■族原子のセレンを固体で珪素中に混ぜてもよいし。

これらの原子を、ジメチル亜鉛やセレン化水素といった
ガスを雰囲気に用いることによって気相から添加しても
よいものとする。

［発明の効果］本発明を用いることにより従来困難であった紫や紫外の
発光素子が可能になった。また、大面積で品質の良い結
晶が得られるため事業化が可能となった。

次に、従来困難であった。大面積の２Ｈ型単結晶基板を
成長することが可能になった。また、これらにより従来
困難であった紫や紫外の発光素子が可能になった。

さらに、高輝度の青色発光素子を作製することができる
ので、この素子を用いることによって、どの角度から見
ても見やすい大画面の平面デイスプレーを実現すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第８図はいずれも本発明の実施例に係り、
第１図は第１実施例、第２図は第２実施例、第３図は第
３実施例、第４図は第４実施例。第５図は第５実施例、第６図は第７実施例、第７図は第
８実施例、第８図は第９実施例の各半導体装置の断面図
、第９図は従来例の半導体素子の断面図である。１１・・・サファイア基板、１２．２３．３２・・・２層（混晶層）、１３．２４．
４２・・・ｎ層（混晶層）。１４．１５・・・電極。３１・・・ＳｉＣ（単結晶）基板、４ｌ−ｎ−ＡＩＮ　：　ＳｉＣ層、４２・・・ｐ−ＡＩＮ　Ｓ　ＳｉＣ層、５１・・・第１
の混晶層、５２・・・第２の混晶層、５３・・・第３の混晶層、６２・・・ＡＩＮ層、６３・・・混晶層、６４−　ｎ−ＳｉＣ層、６５−　ｎ−５ｉＣ層（発光層）、６６・・・ｐ−５ｉＣ層、７１、７２．７３．８１．８２・・・４Ｈ−５ｉＣ層。代理人　弁理士　大　胡　典　夫ノ５・／／ｉ層（電槽）第１図２４・％漫（道＆ル）第２図３２−ｐ）％（遣轟ル）３３・−一局（！１轟層）第３
図４１　　九−ｆｉｇ）ｊ：Ｓｔε４　４２−ｐ−ＡＩＳ
：ＳｒＣ’Ｊ％第４図５３・・−募３　Ｉ）：ＬＩａ＆第５図第６図第７図Ｊ？ｌ　−４Ｈ−５ｉＣ’（ｘａＪｌ、８２−１４Ｈ−
ｆａＩｅ；　Ｔｅ、１ｍ眉第８図７０３・・・ｂＨ−５ｒＣ：Ｎ基極　７７１．　ｌ／２
・−を稜第９図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）窒化アルミニウムと炭化珪素との混晶の成長層を
含み多層構造を備えた半導体素子。
（２）炭化珪素を用いた青色発光素子において、前記半
導体素子の炭化珪素層中に不純物としてII族原子および
VI族原子の中から選ばれた少なくとも一つの原子を含む
青色発光素子の半導体素子。