JPH04170425A - ノルボルネン系開環重合体水素添加物、その製造方法、それで作られたデイスク基板、及びディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ノルボルネン系開環重合体水素添加物、その
製造方法、それで作られたディスク基板、及びディスク
に関する。更に詳しくは、異物含有量が少なく、記録信
号再生時のノイズの少ない光学式記録媒体用光学材料と
して好適なノルボルネン系開環重合体水素添加物、その
製造方法、それで作られたディスク基板、及びディスク
に関する。

〔従来の技術〕

テトラシクロドデセン、そのアルキル置換体、エステル
型置換体などに代表されるノルボルネン系モノマーの開
環重合体水素添加物は光学材料として好ましい性質を有
している。　（例えば特開昭６０−２６０２４号、特開
昭６３−３１７５２０号、特開平１−１３２６２６号な
ど）、とくに数平均分子：ｌ（Ｍｎ）が２０　、０００
〜ｓｏ、ｏｏｏ、重量平均分子１　（ＭＶ）が４０，０
００〜ｇｏ、ｏｏｏ、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．
５以下であり、かつポリマー中の揮発成分が０．３重量
％以下である場合には、射出成形の際にボイドやシルバ
ーストリークを発生することがなく、光学用材料として
きわめて優れた特性を有している（特願平２−１５０６
８４号）。

このような水素添加物を製造するに当たっては、一般に
ノルボルネン、系開環重合体を溶媒中で触媒を用いて水
素添加し、触媒を除去し１次いで重合体溶液に溶媒と同
量以上の貧溶媒、通常２〜３倍のケトンまたはアルコー
ルと接触させることによって析出単離させ、乾燥する方
法が採用されている（例えば特開平１−１３８２５７号
）。

しかし、この方法の場合には、処理時間が長い。

、操作が複雑であるといった問題に加え、水素添加物中
に異物が混入しやすいという問題がある。異物混入の原
因として、ポリマーの析出に用いる溶剤中の異物がポリ
マーに混入する、析出したポリマーを分離・乾燥する工
程での移動操作時に塵が異物として混入する１重合触媒
や水素添加触媒の除去が不完全であることなどが挙げら
れる。

光学材料として、中でも光ディスクのごとき情報記録媒
体として使用する場合は、特に、樹脂中の異物が記録信
号の不良と密接な相関があることが公知である。　（特
開昭６ｌ−９０３４５）異物含有量が多いポリマーを光
学式記録媒体用光学材料に使用すると記録信号再生時の
ノイズや信号エラーの原因となるため好ましくないが、
従来の方法では異物の混入を避けられず、より異物含量
の少ないポリマー及びその製法の実現が望まれていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、記録信号再生時のノイズや信号エラーの少な
い光学式記録媒体用光学材料として優れたノルボルネン
系開環重合体水素添加物及び該添加物の製造に適したノ
ルボルネン系開環重合体水素添加物の製造方法を提供す
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明によれば、ｊｌｌの発明としてノルボルネン系モ
ノマーの開環重合体の水素添加物であって、該水素添加
物の高速液体クロマトグラフィにより□　測定シタ数平
均分子量（Ｍｎ）−が２０，０００〜５０，０００、重
量平均分子量　（Ｎｕ）が４０．０００〜８０，０００
、分子、１分布（Ｍｎ／Ｍｗ）が２．５以下、該水素添
加物中に含まれる揮発成分０．３重量゛％以下であり、
かつ０．５縄以上の異物量が１ｘｌｏ５／ｇ以下である
成形用材料が提供され、第２の発明として該成形材料を
成形したディスク基板が提供され、第３の発明として該
ディスク基板に金属反射膜を蒸着した光学式記録媒体デ
ィスクが提供され、さらにＩＩ４の発明としてノルボル
ネン系開環重合体を溶液中そ水素添加触媒の存在下で水
素添加反応した後の反応混液を孔径が０．５．以下のフ
ィルターで渡通した後、濾液中の揮発成分を減圧下の加
熱により蒸発させることを特徴とするノルボルネン系開
環重合体水素添加物の製造方法が提供される。

以下、本発明の構成について詳述する。

（ノルボルネン系モノマーの開環重合体の水素添加物） 本発明のベースポリマーは、ノルボルネン系モノマーの
開環重合体の水素添加物である。

該水素添加物は、高速液体クロマトグラフィーにより測
定した数平均分子量（Ｍｎ）が２０　、０００〜ｓｏ、
　ｏｏｏ、重量平均分子量（Ｍりが４０，０００〜ｇｏ
、ｏｏｏ、分子量分布（Ｍ％ｌ／Ｍ１１）が２．５以下
テアリ、かつ、該水素添加物中に含まれる揮発成分が０
゜３重量％以下であり、かつ０．５．以上の異物量が１
×１０５個／ｇ以下のものである。

数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）が
上記範囲より大きいと、複屈折が劣り、かつ、成形性が
悪くなり、グループ転写性も不良となる。

数平均分子量（Ｍｎ）が小さいと、機械的強度が劣り、
また、分子量分布（Ｍ％＋／Ｍｎ）が大きいと、複屈折
が大きくなる。

揮発成分の含有量が上記範囲より多いと、投影面積が大
きく、厚みの薄い光デイスク基板などを射出成形により
成形した場合に、ボイドやシルバーストリークの発生が
見られる。

さらに異物量が多くなると光学式記録媒体ディスクとし
たときの記録再生時のノイズや信号エラーを起こしやす
くなる。

また、本発明における水素添加物は、耐熱性および射出
成形性の観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃
以上、好ましくｉ、ｔ１２０〜２００”Ｃ１さらに好ま
しくは１３０〜１８０”Ｃであることが望ましい。

ノルボルネン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネ
ン、ジメタノオクタヒドロナフタレン、トリメタノドデ
カヒドロアントラセン、およびそれらの置換体；ジシク
ロペンタジェン、２，３−ジヒドロジシクロベンタジエ
ン、ジメタノオクタヒドロベンゾインデン、ジメタノデ
カヒドロベンゾインデン。ジメタノデカヒドロフルオレ
ン、およびそれらの置換体等を挙げることができる。置
換基は、従来から周知のものであれば、炭化水素基、極
性基のいずれでもよく、例えば、アルキル基、アルキリ
デン基、アリール基、シアノ基、ハロゲン原子、アルコ
キシカルボニル基、ピリジル基などが例示される。

これらのノルボルネン系モノマーは、それぞれ単独で使
用してもよいが、二種以上組合わせて使用することもで
きる。目的とする開環重合体水素添加物のＴ、を１００
℃以上とするためには、これらのノルボルネン系モノマ
ーの中でも四環体または五環体のものを使用するか、あ
るいはこれらを主成分とし、二環体や二環体のモノマー
と併用することが好ましい。

′　　特に、複屈折率の点では、四環体の低級アルキル
置換体またはアルキリデン置換体、中でもエチル置換体
、エチリデン置換体およびプロピル置換体が好ましく、
とりわけエチル置換体またはエチリデン置換体のホモボ
ノリマーまたはこれを５０重量％以上、好ましくは７０
重量％以上重合成分として含むコポリマーが望ましい。

また、共重合成分として、他のシクロオレフィン類、例
えば、シクロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン
、シクロヘプテン、シクロオクテン、５，６−シヒドロ
ジシクロペンタンジエン等を本発明の目的を損なわない
範囲、通常、３０重量％以下の範囲で用いることができ
る。

また、分子′ＩｋｉＩＩ節剤として、非環式オレフィン
をψ量（通常、１０モル％まで）用いてもよく、その中
でも、特に、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン
等のα−オレフィンが好ましい。

このような重合体は、例えば、四ハロゲン化チタンなど
の遷移金属化合物と有機アルミニウム化合物などの有機
金属および第三級アミンから成る触媒系を用いて、チタ
ン成分とモノマーとを逐次添加する方法で得ることがで
きる。もちろん、他の触媒系でＩ［Ｉｌシたものでも、
上記の各要件に合致するものであればよい。

開環＊命は、溶媒を用いなくても可能であるが、通常は
、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素
、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘ
キサンなどの脂環族炭化水素。

ジクロルエタンなどのハロゲン化炭化水素等の不活性有
機溶媒中で実施される。また、通常、重合温度は、−２
０℃〜１００℃、重合圧力は、０〜５０ｋｇ／ｃ鳳２以
下の範囲から選択される。

ノルボルネン系モノマーの開環重合体の水素添加物は、
周知の水素添加触媒を使用することにより製造される。

水添触媒としては、オレフィン化合物の水素化に際して
一般に使用されているものであれば使用可能であり、例
えば、ウィルキンソン錯体、酢酸コバルト／トリエチル
アルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート／トリイ
ソブチルアルミニウム、パラジウム−カーボン、ルテニ
ウム−カーボン、ニッケルーけいそう土等を挙げられる
が、次工程での触媒残液の除去の容易さの見地から固形
触媒であることが必要である。

水素化反応は、不均一系で、１〜２００気圧の水素圧下
、０〜２５０℃で行なわれる。

水素添加率は、耐熱劣化性、耐光劣化性などの観点から
、９０％以上、好ましく９５％以上、特に好ましくは９
９％以上とする。

（異物の濾過工程） 本発明においては水素添加物の溶液を濾過することによ
り異物を除去する異物除去工程が必要である。

この異物除去工程以降の処理は、新たな異物の混入を防
ぐため、クリーン・ルーム中等、クリーン度の高い環境
下、クリーン度クラス１０００以下で行うことが好まし
く、特にクリーン度クラス１００以下で行うことが好ま
しい。

孔径が０．５７ｍ以下、好ましくは０．３．以下のフィ
ルターで濾過することにより、異物を除去する。

孔径が０．５．より大きいフィルターを用いると水素添
加物溶液中の異物含有量が減ジ・せず光学記録式光学材
料として記録再生時のノイズレベルが増大する。

フィルターの種類は特に限定されない。一般に、カート
リッジフィルターやメンブランフィルタ−が用いられる
。濾過の効率を上げるため、減圧、または加圧してもよ
い。珪藻土、シリカ、アルミナ等を濾過助剤として使用
することもできる。

濾過の際の溶液濃度は５〜４０重量％、好ましくは１０
〜２５重量％である。濃度が低いと大量の溶液を処理す
る必要があり、濃度が高いと濾過性が低下し、共に生産
性が劣り工業的に不利となる。通常、反応後の溶液濃度
は１０〜２５重景％であるので、濃縮や希釈をすること
なく濾過すればよい。

（揮発成分除去工程） 本発明においては、異物除去工程に続いて、揮発成分除
去工程でポリマー溶液中の揮発分が除去される。揮発成
分としては、水添反応に用いた溶剤や、重合工程の反応
液を直接水素添加反応に供した場合に含有される未反応
モ人、マーなどがある。

揮発成分の含有量が上記範囲より多いと、投影面積が大
きく、厚みの薄い光デイスク基板（とくに大型の光デイ
スク基板）などを射出成形により成形した場合に、ボイ
ドやシルバーストリークの発生が見られる。

揮発成分の除去はポリマー溶液を減圧下に加熱すること
により行われる。このための装置としてはコントロ（日
立製作所社製）、スミス式（神鋼ファウドラー社製）な
どの遠心薄膜連続蒸発器型乾燥器、ボテーター（ケメト
ロン社製）、オンレータ−（桜製作所社ｍｌ）などの蓋
面熱交換型連続反応器型乾燥器、ＳＣＲ（三菱重工社製
）などの高粘度リアクタ装置などが挙げられる。

これらの装置の操作条件は適宜選択しうるが、通常は２
００ｔｏｒｒ以下、好ましくは１００ｔｏｒｒ以下、特
に好ましくは３０ｔｏｒｒ以下で、また、　２００℃〜
３００’Ｃ，好ましくは２５０℃〜２７０℃で、少なく
とも１０分間行う。圧力が高いと、蒸発速度が遅く生産
性が悪い。また、温度が３００℃より高いとポリマーの
熱分解反応が生じ、　２００℃未満では揮発成分が残留
し易い、この際、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲
気下で処理することが望ましい。

水素添加物は酸素存在下で加熱すると、熱劣化により着
色しやすく、光学記録式光学材料に対する処理として好
ましくない。

この工程では必要に応じて酸化防止剤、熱安定性剤、滑
剤、紫外線吸収剤などを添加してもよい。

このような方法によれば、　０．５−以上の異物量がｌ
Ｘ１０５個／ｇ以下、好ましくは８Ｘ］Ｏ’個／ｇ以下
、とくに好ましくは７Ｘ１０’個／ｇ以下のポリマーを
得ることができる。

これらの方法によって製造されたポリマー（水素添加物
）は、実質的に非品性であり、透明性、寸法安定性、耐
熱性、吸水性に優れ、透湿性がほとんど認められない。

（１ｍ化防止剤） 本発明において、前記水素添加物１００重量部に対して
、酸化防止剤を０，０１〜５重量部の割合で配合すると
、成形加工時のポリマーの分解や着色を効果的に防止す
ることができる。

酸化防止剤としては、２０℃における蒸気圧が１Ｏ−６
Ｐａ以下、特に好ましくは１０−”Ｐａ以下の酸化防止
剤が望ましい。蒸気圧が１０−’Ｐａより高いものは、
射出成形時に蒸発し、金型や光デイスク基板表面を汚染
する。そして、例えば、記録薄膜形成のための金属蒸着
時、高真空に達しにくくなり、また、装置内部を汚染す
る等の問題の他に、蒸着金属膜の膨れや剥離といった問
題も発生し易くなる。

本発明で使用できる酸化防止剤としては、例えば、ペン
タエリスリチル−テトラキス［３−（３゜５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、
１，３．５−）リメチル−２゜４．６−）リス（３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン
、３，９−ビス［２−（３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ）
−１゜１−ジメチルエチルコー２．　４．　８．　１０
−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンなどのごと
きヒンダードフェノール系を挙げることができる。

（ディスク基板及び光記録媒体） 本発明の成形材料は、通常の成形法により各種成形物に
成形できるが、特に射呂成形により光デイスク基板を作
成するのに適している。

射呂成形によって得られた成形物は、常法に従ってさら
に真空蒸着やスパッタリング等の方法によって、金属、
金属酸化物、金属窒化物、金属硫化物、金属ハロゲン化
物等を目的に応じ、単層または多層に成膜することがで
きる。

透明基板上に、光学的に記録および／または読み出し可
能な反射膜や記録薄膜を設けて、記録媒体を製造するこ
とができる。

金属反射膜としてはＡ１、Ｎｉ、・Ａυなどが使用され
る。記録膜としては、孔形成型としてＴｅ−Ｃ１＾５−
Ｔｅ−５ｅ、Ｔｅ−５ｅ−Ｃ系など、相変化型としてＴ
ｅ帆、５ｎ−Ｔｅ−Ｓｅ、　Ｔｅ−５ｂ−Ｇｅ、　５ｂ
−５ｅ／Ｂ１−Ｔｅ系など、光磁気型としてＴｂ−Ｆｅ
、　　Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｎｂ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、　　Ｎｂ−Ｄｙ−Ｃｏ、Ｐｔ−Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ系などが使用される。しかし、ここで例示し
たちの以外の反射膜や記録膜が適用されても差し支えな
い。

（用途） 本発明の成形材料は、射呂成形、プレス成形、押出成形
、回転成形など一般的な熱可塑性樹脂の加工方法が可能
である。

そして、本発明の成形材料は、光デイスク基材（基板、
ハブ、スペーサー等）、レンズ、光ファイバー、光学ミ
ラー、プリズム、発光ダイオード用封止材、各種カバー
用ガラス、窓ガラス、アイロンの水タンク、電子レンジ
用品、液晶表示用基板、プリント基板、透明導電性シー
トおよびフィルム、注射器、ピペット、アニマルゲージ
、ハウジング類、フィルム、ヘルメット、スピーカーコ
ーン等に用いることができる。また、光記録媒体として
は、光ディスク、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、レーザーディス
ク、光カード、光フロッピー、光テープ等を挙げること
ができる。

〔実施例〕

以下、本発明について、実施例および比較例を挙げて具
体的に説明するが、本発明は、これらの実施例のみに限
定されるものではない。また、以下の実施例および比較
例において、特に断りのない限り、部および％は重量基
準である。

〔参考例１〕 ６−エチル−１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ
、５゜６．７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン（以
下、ＥＴＤという）３０部をシクロヘキサン２００部に
溶解し、分子量調節剤として１−ヘキセンを１部、トリ
エチルアルミニウムの１５％シクロヘキサン溶液１０部
、およびトリエチルアミン５部を添加した。この溶液を
、３０℃に保ちなからＥＴＤ３０部、および四塩化チタ
ンの２０％シクロヘキサン溶液１０部を１時間にわたっ
て連続的に反応系に添加して、開環重合を行った。

ＥＴＤと四塩化チタンの全量を添加し、３０分後、転化
率８５％の時点で六塩化タングステンの０．８％シクロ
ヘキサン溶液５部を添加し、更に３０分間攪拌した。

ｓ、ｊ１体の重合体への転化率は９８％であった。

〔実施例１〕 （水添工程） 参考例１の方法で得られた重合体溶液１００部に、イソ
プロピルアルコール１部を添加し、室温で１゜分間攪拌
した。さらに蒸留水を１部添加して、８０℃で１時間攪
拌した。反応終了後、無水硫酸マグネシウム３部を添加
して撹拌しながら溶液を室温まで冷却し、珪藻土（ラジ
オライト＄８００昭和化学製）を渡過層として不溶化物
を含んだ溶液を２．５ｋｇ／ｃＢ２加圧渡過し、淡黄色
透明のポリマー溶液６を得た。

上記のポリマー溶液１００部に、ニッケルー珪藻土触媒
１部を添加して、オートクレーブ中に入れ、攪拌混合後
に中の空気を水素で置換して、水素圧を４５ｋｚ／　ｃ
ｍ２にて攪拌しながら温度１９０℃まで加温した後、４
時間不均一系で反応させた。

（１！過工程） 不溶化物を含んだポリマー含量２０％の反応液をラジオ
ライト＃８００をろ適法として、加圧ろ過器（フンダフ
ィルター、石川島播磨重工社製）を使用し、圧力Ｌ５ｋ
ｇ／ｃ■２で加圧渡過して、無色透明な溶液を得た。こ
の溶液１００部に酸化防止剤としてペンタエリスリチル
−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］　０．０１部を加
えて溶解し、クリーン度クラス１００の環境下で、この
液液をさらに０．２−のフィルターにて液適し、異物を
除去した。

（揮発成分除去工程） 上記溶液１００部を用いて、揮発成分であるシクロヘキ
サン及び残留モノマーの蒸発を縦置円筒型濃縮器日立コ
ントロ（日立製作所製）によって行った。運転条件は、
ポリマー溶液温度２５１℃、圧力５７ｔｏｒｒ、ポリマ
ー溶液流量５．９ｋｇ／ｈｒにて行い、水素添加物１９
部を得た。残留溶剤およびモノマーは水素添加物を１０
％含むトルエン溶液をガスクロマトグラフィで分析した
結果、得られた水素添加物中のシクロヘキサン含量０．
０８ｗｔ％、残留モノマー水素添加物含量０．７３％で
あった。

この回収した水素添加物溶融物１００部を同濃縮器を用
いて、水素添加物溶融物温度２６０℃、圧力５　ｔｏｒ
ｒ、水素添加物溶融物流！　１６．８ｋｇ／　ｈｒで処
理した。溶融物をダイから押し出し、ペレタイザー（Ｏ
８Ｐ−２、長円製作所製）でカッティングし、ペレット
７３部（ポリマーＡ）を得た。得られたペレットを１０
％含むトルエン溶液をガスクロマトグラフィで分析した
結果、残留シクロヘキサン量、残留モノマー水素添加物
量共に、測定限界以下であった。最終的に回収された水
素添加物は、無色透明で、Ｋｎは２９，０００、ｈは５
９，５００．　　阿ｎ／Ｍｗは　２．０５であった。ま
た、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定したＴＫは
１４０℃であった。さらに、四塩化炭素溶液としてＩＨ
−ＮＭＲスペクトルにより測定したを水素添加率はほぼ
１００％であった。得られた水素添加物を０．１　　カ
ートリッジフィルターにて液適精製したシクロヘキサン
を用いて０．２％溶液に調整し、光散乱式粒子検比器（
ＫＳ−５８、リオン社製）を用いて異物個数を測定した
結果、１．１ｍ以上の異物量２１０個／ｇ、０．５津以
上の異物ｆｆ１６Ｘ１０’個／ｇであった。

〔実施例２〕 揮発成分除去工程の装置を縦置円筒型濃縮器に代えて高
粘度リアクタ装置ＳＣＲ（三菱重工社製）とし、操作条
件を水素添加物溶融物温度２５０℃、圧力１ｔｏｒｒ、
水素添加物溶融物流量３．２２ｋｚ／　ｈｒで１段で処
理を行った以外は実施例１と同様に処理して、水素添加
物１００部からペレット１２部（ポリマーＢ）を得た。

得られた水素添加物は無色透明であり、Ｍｎは２８，８
００．　　Ｍｕは５９，０００、Ｍｗ／Ｋｎは２．０５
、Ｔには１４０℃であった。残留シクロヘキサン量、残
留モノマー水素添加物量は検出限界以下であった。

水素添加物中の１声以上の異物量は２９０個／ｇ、０−
５．以上の異物量はＩＸＩＱ’個／ｇであった。

〔実施例３〕 千ツマ−として６−メチル−１，４：５，８−ジメタノ
−１，４，４ａ、５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロ
ナルタレンを使用する以外は参考例１、実施例１と同様
にして、開環重合体水素添加物ペレット（ポリマーＣ）
を得た。　得られた水素添加物のペレットは無色透明で
、Ｍｎは３１，０００、阿りは６３，０００、阿ｗ／Ｍ
ｎは２゜０３、Ｔｇは１４９℃であり水素添加率はほぼ
１００％であった。

また残留シクロヘキサン量、残留モノマー水素添加物量
は検出限界以下であった６　水素添加物中の１部ｍ以上
の異物量は３２０個／ｇ、０．５μｇ以上の異物量は６
Ｘ１０’個／ｇであった。

〔実施例４〕 液適工程において酸化防止剤を添加しないこと以外は実
施例１と同様にしてペレットを得た。得られた水素添加
物のペレットは、ごくわずかに黄色味を帯びていたが、
ＭｎＧ、ｔ　２９，０００−　　Ｍｗｉ、ｔ　５９，５
００、Ｍ１１／Ｍｎは２．０５、Ｔ、は１４１℃であっ
た。残留シクロヘキサン量、残留モノマー水素添加物量
は検出限界以下であった。水素添加物中の１１ｍ以上の
異物は３４０個／ｇ、　　０−５−以上の異物量は９Ｘ
１０’個／ｇであった。

〔実施例５〕 減退工程において用いる酸化防止剤をイルガノックス１
３３０　（チバガイギー社製）に代えること以外は実施
例１と同様にしてペレットを得た。得られた水素添加物
のペレットは、無色透明で、Ｍｎは２９．０００．　　
Ｍｗは５９　、５００、Ｍｗ／Ｍｎは２−０５．　　Ｔ
ｇは１４０℃であった。残留シクロヘキサン量、残留モ
ノマー水素添加物量は検出限界以下であった。水素添加
物中の１岸以上の異物は２４０個／ｇ、　０．５部１ｍ
以上の異物量は６Ｘ１０’個／ｇであった。

〔比較例１〕 実施例１における水添工程終了後、実施例１と同様にし
て減退、引き続き精密液適して、無色透明な溶液を得た
。クリーン度クラス１０００のクリーンルーム内に設置
したクリーンベンチ内のクリーン度クラス１００の環境
下で、この溶液を０．１フイルターにて減退＊ｉ＊ｔ、
たシクロヘキサンを用いて水素添加物濃度５．０％に希
釈した溶液１００部を、３００部のイソプルピルアルコ
ール中に注ぎ入れ、撹拌して水素添加物を析出させた。

析出した水素添加物と溶剤とは４００メツシユステンレ
スフイルターにて分離し、回収された水素添加物はクリ
ーンルーム内に設置した真空乾燥器にて１２０℃、　１
　ｔｏｒｒ以下で２４時間乾燥し、水素添加物４．２部
を得た。得られた水素添加物１００部に実施例１に使用
したのと同じ酸化防止剤０．０５部を配合し、クリーン
ルーム内に設置したスクリュー径４０ｍｍの単軸押し出
し器（ＳＶ−４０、田辺プラスチックス機械社製）にて
２４０℃で溶融押し出しし、ペレタイザーでカッティン
グしてペレット９１部（ポリマーＤ）を得た。得られた
水素添加物は無色透明で、Ｍｎは２９，０００、阿讐は
５９，７００、Ｍｗ／Ｍｎは２、ｏ６、Ｔｇは１３７℃
であった。得られた水素添加物中の揮発成分は０．５％
であり、異物個数は、１部ｍ以上で７３０個／ｇ、０．
５メ以上で３×１０５個／ｇであった。

〔比較例２〕 比較例１と同様にして得られた。１度だけ凝固したのち
、乾燥した水素添加物をシクロヘキサンに５％濃度に再
溶解して得られた溶液１００部を０゜２−のフィルター
にて渡通し比較例１と同様にして再度凝固・乾燥−ペレ
ット化して揮発成分含量０．２％のポリマー（ポリマー
Ｅ）を得た。

乾燥した水素添加物（ポリマーＥ）を、　０．１フイル
ターにて液適精製したシクロヘキサンを用いて０．５％
溶液に調整し、パーティクルカウンターにて異物個数を
測定した結果、１−以上の異物量８９０個／ｇ、　０．
５部以上の異物量４×１０５個／にであった。

以上の結果から１本発明の方法で回収したノルボルネン
系開環重合体水素添加物は、従来法と比較して０．５４
以上の異物の量が少ないことが判る。

〔実施例６〕 （光デイスク基板の作成） 前記の各ペレットを用い、射出成形機（住人重機械工業
社製、ＤＩＳＣ５ＭＩＩＩ）により、樹脂温度３３０℃
、金型温度１１０℃の条件で射出成形を行ない、直径１
３０ｍｍ、厚さ１．２璽■の光デイスク基板を成形した
。波長８３０ｎｍにおける光線透過率はいずれも９０％
以上であった。

この光デイスク基板について、目視検査による外観、分
子量（Ｍｕ）変化率、顕微鏡観察によるボイドの有無、
複屈折値（半径：２５〜６０■の範囲）、オーブン中で
、１１０℃、４８時間加熱した後の着色の状況（目視検
査）を測定した。結果を第１表に示した。

Ｉｌ１表から明らかなように１本発明の光デイスク基板
は、複屑折が小さく、ミクロボイドやシルバーストリー
クの発生がない、また、酸化防止剤を配合すると、成形
時の分子量低下がなく、長期にわたって着色を生じない
。これに対して、揮発成分の含有量が多い対照例のもの
は、光デイスク基板の外周部にミクロボイドが発生し、
気泡を伴うこともあり、特に大型の光デイスク基板を作
成するときに重大な障害となる。

〔実施例７〕 ！２表に示す材料を用いて得た光デイ−スフ基板を、ク
リーンルーム内でイソプロピルアルコールで超音波洗浄
を行なった後、フレオン蒸気で乾燥を行なった。その後
、日本真空技術社製ＲＦマグネトロンスパッタリング装
置を用い記録膜として５ｉ３Ｎａ／丁ｂＦｅｃｏｌｓｉ
３Ｎａ　　３層膜（ＩＩ厚は各層とも５００オングスト
ローム）を成膜した。

得られた光ディスクについて、各種物性試験を行ない、
その結果を１Ｎ２表に示す。

１１１淀 ＜Ｃ／Ｎ比〉 光ディスクのＣ／Ｎ値（ｄＢ）の測定は二　次の条件で
行なった。

書き込みレーザーパワー　　　５．５　ｍＷ再生レーザ
パワー　　　　　　　１−０ｍＷディスク回転数　　　
　１８０Ｏｒｐｍキャリア周波数　　　　　　　２　Ｍ
Ｈｚ印加磁界　　　　　　　　３０００ｅ レーザー波長　　　　　　８３０ｎｍ 〈耐久性試験〉 光ディスクを６０℃、８０％ＲＨの恒温高湿槽に投入し
、一定時間後のＣ／Ｎ値、およびソリを測定した。

くソリの測定〉 日本光学社製反り角自動測定器を使用してソリ（ｍｒａ
ｄ）を測定した。

〈機械強度〉 機械強度は、１ｍの高さから光ディスクの落下試験を行
ない、割れや欠けの有無を観察した。

くエラー発生状況〉 耐久性試験を行う前に＋　　Ｃ／Ｎ比の測定と同条件で
測定した。

ｊＩ２表 〔発明の効果〕 本発明により、光学用材料として優れた性能を有する成
形材料が提供される。特に、本発明の成形材料は、光学
用透明基板を射出成形により成形した場合に、機械的強
度の劣化がなく、ボイドやシルバーストリークなどの発
生がない。また本発明の成形材料から得た透明基板を用
いて耐久性に優れ、かつ記録再生時のノイズの少ない光
記録媒体を製造することができる。

さらに本発明の方法により、異物含量の少ないポリマー
を効率よく製造することができる。

特許出願人　　日本ゼオン株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ノルボルネン系モノマーの開環重合体の水素添加物
   であって、該水素添加物の高速液体クロマトグラフィに
   より測定した数平均分子量（Ｍｎ）が２０，０００〜５
   ０，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）４０，０００〜８
   ０，０００、分子量分布（Ｍｎ／Ｍｗ）が２．５以下、
   該水素添加物中に含まれる揮発成分０．３重量％以下で
   あり、かつ０．５μｍ以上の異物量が１×１０＾５／ｇ
   以下であることを特徴とする成形用材料。 ２、請求項１記載の成形用材料を成形したディスク基板
   。 ３、請求項２記載のディスク基板に金属反射膜を蒸着し
   た光学式記録媒体ディスク。 ４、ノルボルネン系開環重合体を溶液中で水素添加触媒
   の存在下で水素添加反応する過程（Ａ）、前記過程（Ａ
   ）の反応液を孔径が０．５μｍ以下のフィルターで濾過
   し、水素添加物を濾液として分離する過程（Ｂ）、該濾
   液を減圧下に加熱して揮発成分を蒸発させることにより
   水素添加物を取得する過程（Ｃ）から成ることを特徴と
   するノルボルネン系開環重合体水素添加物の製造方法。