JPH04170431A - 含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途 - Google Patents
含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途Info
- Publication number
- JPH04170431A JPH04170431A JP29544290A JP29544290A JPH04170431A JP H04170431 A JPH04170431 A JP H04170431A JP 29544290 A JP29544290 A JP 29544290A JP 29544290 A JP29544290 A JP 29544290A JP H04170431 A JPH04170431 A JP H04170431A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aromatic polyamide
- fluorine
- tables
- formula
- polyamide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Polyamides (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なフッ素を含有する芳香族ポリアミド及
びその製造方法、並びにこれから誘導されたポリベンズ
オキサゾール、さらに該ポリアミドを用いたワニス及び
ポジ型感光性組成物ワニスに関する。
びその製造方法、並びにこれから誘導されたポリベンズ
オキサゾール、さらに該ポリアミドを用いたワニス及び
ポジ型感光性組成物ワニスに関する。
半導体等の電子材料に用いられる保護膜や絶縁膜に適し
たポリマーが、従来より盛んに研究されている。
たポリマーが、従来より盛んに研究されている。
優れた耐熱性と電気特性を有するポリベンズオキサゾー
ル系樹脂もその成果の１っであり、例えば近年特開昭６
３−９６１６２号公報に開示されている高温ポジ型フォ
トレジスト組成物に用いられるポリベンズオキサゾール
の前駆物質としての新規なポリアミドが開発されている
。該ポリアミドは典型的にはへキサフルオロ−２，２−
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン
を三塩基性酸クロリドと三塩基性酸クロリドの混合物と
縮合させたものであるが、以下に説明する本発明の含フ
ッ素芳香族ポリアミドに最も関係の深い物質ということ
ができる。
ル系樹脂もその成果の１っであり、例えば近年特開昭６
３−９６１６２号公報に開示されている高温ポジ型フォ
トレジスト組成物に用いられるポリベンズオキサゾール
の前駆物質としての新規なポリアミドが開発されている
。該ポリアミドは典型的にはへキサフルオロ−２，２−
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン
を三塩基性酸クロリドと三塩基性酸クロリドの混合物と
縮合させたものであるが、以下に説明する本発明の含フ
ッ素芳香族ポリアミドに最も関係の深い物質ということ
ができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記時開に開示されているポリアミドでは半導
体等のデバイスの層間絶縁膜、パッシベーション膜、バ
ッファコート膜、或いは、多層配線基板の絶縁膜等に利
用する際に強く要求されている耐熱性が充分でなく、改
良が望まれていた。
体等のデバイスの層間絶縁膜、パッシベーション膜、バ
ッファコート膜、或いは、多層配線基板の絶縁膜等に利
用する際に強く要求されている耐熱性が充分でなく、改
良が望まれていた。
本発明はその要望にこたえ、上記時開ポリアミドとは異
なった新規な構造を有し、本来の低誘電率、低吸水率を
維持、或いは向上させた上で、さらに問題の耐熱性を一
段と向上せしめた含フッ素芳香族ポリアミド及びそれか
ら誘導されたポリベンズオキサゾール並びにその用途を
提供することを課題とするものである。
なった新規な構造を有し、本来の低誘電率、低吸水率を
維持、或いは向上させた上で、さらに問題の耐熱性を一
段と向上せしめた含フッ素芳香族ポリアミド及びそれか
ら誘導されたポリベンズオキサゾール並びにその用途を
提供することを課題とするものである。
本発明者らは上記課題を解決するため、フッ素を含む芳
香族ポリアミドを種々合成検討した結果、前記の一般式
Ｉの構造を有する新規なポリアミドによって該課題を解
決できることを見出し本発明を完成した。
香族ポリアミドを種々合成検討した結果、前記の一般式
Ｉの構造を有する新規なポリアミドによって該課題を解
決できることを見出し本発明を完成した。
すなわち、本発明は一般式１で示される繰り返し単位を
有し、還元粘度（Ｎ−メチルピロリドン中、２５℃）が
０，０５〜０．５である含フッ素芳香族ポリアミド （式中、Ｘは ＯＨＯＨ Ｙは ＯＨ １、ｂ＝０．９〜Ｏ，ａ＋ｂ−１である）、及びその製
造方法、並びにこれから誘導されたポリベンズオキサゾ
ール、さらに該ポリアミドを用いたワニス及びポジ型感
光性組成物ワニスを提供するものである。
有し、還元粘度（Ｎ−メチルピロリドン中、２５℃）が
０，０５〜０．５である含フッ素芳香族ポリアミド （式中、Ｘは ＯＨＯＨ Ｙは ＯＨ １、ｂ＝０．９〜Ｏ，ａ＋ｂ−１である）、及びその製
造方法、並びにこれから誘導されたポリベンズオキサゾ
ール、さらに該ポリアミドを用いたワニス及びポジ型感
光性組成物ワニスを提供するものである。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明の含フッ素芳香族ポリアミドは、下記−数式Ｉで
示される繰り返し単位からなる構造を有している。
示される繰り返し単位からなる構造を有している。
式中、Ｘは
ＯＨＯＨＯＨＯＨ
（以下余白）
ＯＨＯＨ
これらの中でも特に
ＯＨＯＨ
Ｙは、
ＯＨ
これらのうちで、ポジ型感光性組成物ワニスに用いる場
合にポリマーとキノンジアジド化合物の相溶性向上に効
果のあるオルト位に置換位置を有する が特に好ましい。
合にポリマーとキノンジアジド化合物の相溶性向上に効
果のあるオルト位に置換位置を有する が特に好ましい。
ａとｂは夫々の繰り返し単位の比率（モル分率）を表わ
し、ａ＝ ０．１〜１．ｂ＝ ０．９〜０．ａ十ｂ＝１
である。特に、吸湿率や誘電率の点がらａが０．２以上
であることが好ましい。
し、ａ＝ ０．１〜１．ｂ＝ ０．９〜０．ａ十ｂ＝１
である。特に、吸湿率や誘電率の点がらａが０．２以上
であることが好ましい。
又、本発明の含フッ素芳香族ポリアミドの還元粘度（η
／Ｃ’）は、１％Ｎ−メチルピロリドンｐ 溶液にして、ウベローデ型粘度計で２５℃にて測定した
ところ０．０５〜０．５であった。
／Ｃ’）は、１％Ｎ−メチルピロリドンｐ 溶液にして、ウベローデ型粘度計で２５℃にて測定した
ところ０．０５〜０．５であった。
次に本発明の含フッ素芳香族ポリアミドの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
該ポリアミドは一般的なポリアミドの製造方法に準じて
製造することができる。例えば、チオニルクロライド等
の試薬とカルボン酸より得られたカルボン酸クロライド
とジアミンを重縮合する酸クロライド法、或いはジシク
ロへキシルカルボジイミド（以下ＤＣＣと略記する）を
用いて、脱水縮合させるＤＣＣ法等がある。
製造することができる。例えば、チオニルクロライド等
の試薬とカルボン酸より得られたカルボン酸クロライド
とジアミンを重縮合する酸クロライド法、或いはジシク
ロへキシルカルボジイミド（以下ＤＣＣと略記する）を
用いて、脱水縮合させるＤＣＣ法等がある。
しかし、これらのうち電子材料向けの用途では、塩素イ
オン等の不純物により金属配線の腐食や電気的エラー等
の問題が起こる可能性が有るので、合成途中で発生する
塩素イオンかポリマー中から除き難い酸クロライド法は
問題があり、本質的に低不純物濃度で製造しうるＤＣＣ
法の方が好ましい。
オン等の不純物により金属配線の腐食や電気的エラー等
の問題が起こる可能性が有るので、合成途中で発生する
塩素イオンかポリマー中から除き難い酸クロライド法は
問題があり、本質的に低不純物濃度で製造しうるＤＣＣ
法の方が好ましい。
このＤＣＣ法の詳細については、特開昭６１−７２０２
２号公報の「ポリアミドの製造方法」に記載されている
。
２号公報の「ポリアミドの製造方法」に記載されている
。
本発明の含フッ素芳香族ポリアミドの使用方法について
説明する。
説明する。
まず該ポリアミドを、溶媒に溶解してワニス溶液として
使用する。この溶媒としては該ポリアミドに溶解性があ
り、非プロトン性極性溶媒が適しており、例えば、ジメ
チルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、シクロペンタ
ノン、Ｎ−メチルピロリドン（以下ＮＭＰと略す）等の
中から選ぶことができる。
使用する。この溶媒としては該ポリアミドに溶解性があ
り、非プロトン性極性溶媒が適しており、例えば、ジメ
チルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、シクロペンタ
ノン、Ｎ−メチルピロリドン（以下ＮＭＰと略す）等の
中から選ぶことができる。
このワニスを、■Ｃ等の保護膜として用いる場合には該
ワニスをスピンコード等の方法でシリコンウェハー等の
基材に塗布し、オーブン又はホットプレート等を用いて
、５０〜１５０℃の適当な温度で乾燥後、３００〜５０
０℃の温度で熱処理し、脱水閉環してポリベンズオキサ
ゾール化して保護膜とする。
ワニスをスピンコード等の方法でシリコンウェハー等の
基材に塗布し、オーブン又はホットプレート等を用いて
、５０〜１５０℃の適当な温度で乾燥後、３００〜５０
０℃の温度で熱処理し、脱水閉環してポリベンズオキサ
ゾール化して保護膜とする。
次に、塗膜にポンディングパッド等のパイヤホールパタ
ーンを形成する必要がある場合には、ポジ型フォトレジ
ストを用いて行なうことができる。すなわち、本発明の
含フッ素芳香族ポリアミドワニスを塗布乾燥後、その塗
膜上にポジ型フォトレジストをコーティングし、乾燥し
た後、パターン露光を行い、ついでポジ型フォトレジス
ト用アルカリ水溶液からなる現像液によって下地の本発
明含フッ素芳香族ポリアミドワニス塗膜まで一括して現
像することができる。さらに、上部のポジ型フォトレジ
ストを剥離液等により除いた後、３００〜５００℃の温
度で熱処理をすると、ポリベンズオキサゾールのパター
ンを形成することができる。
ーンを形成する必要がある場合には、ポジ型フォトレジ
ストを用いて行なうことができる。すなわち、本発明の
含フッ素芳香族ポリアミドワニスを塗布乾燥後、その塗
膜上にポジ型フォトレジストをコーティングし、乾燥し
た後、パターン露光を行い、ついでポジ型フォトレジス
ト用アルカリ水溶液からなる現像液によって下地の本発
明含フッ素芳香族ポリアミドワニス塗膜まで一括して現
像することができる。さらに、上部のポジ型フォトレジ
ストを剥離液等により除いた後、３００〜５００℃の温
度で熱処理をすると、ポリベンズオキサゾールのパター
ンを形成することができる。
又、高解像度のパターン形成が必要な場合には、本発明
の含フッ素芳香族ポリアミドを用いたポジ型感光性組成
物ワニスによりこれを行なうことができる。このポジ型
感光性組成物ワニスは、該ポリアミドと特定のキノンジ
アジド化合物を前記の溶媒に溶解して得ることができる
。ここで用いられるキノンジアジド化合物の例としては
、以下に示す構造のものをあげることができる。
の含フッ素芳香族ポリアミドを用いたポジ型感光性組成
物ワニスによりこれを行なうことができる。このポジ型
感光性組成物ワニスは、該ポリアミドと特定のキノンジ
アジド化合物を前記の溶媒に溶解して得ることができる
。ここで用いられるキノンジアジド化合物の例としては
、以下に示す構造のものをあげることができる。
ＲＯ０Ｒ
ＲＯＯＲ
ＯＲ
Ｈ３
■
このキノンジアジド化合物の詳細は、特公平１−４６８
６２号公報に記載されている。
６２号公報に記載されている。
本発明のポジ型感光性組成物ワニスは、シリコンウェハ
ー等の基材にスピンコード等の方法で塗布、乾燥した後
、パターン露光し、さらにアルカリ水溶液からなる現像
液により現像後、８００〜５００ ’Ｃの温度で熱処理
すると、前記のキノンジアジド化合物が揮散し、ポリマ
ーが脱水閉環されてポリベンズオキサゾールの微細パタ
ーンが形成される。ここで用いられる現像液用のアルカ
リとしては、金属イオンによるコンタミネーションを防
ぐため、有機アルカリが好ましく、例えば、コリンヒド
ロキサイド、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド
等が好ましい。又、この現像液の成分として、アルコー
ル、グリコールエーテルや、前記の非プロトン性極性溶
媒を少量加えると塗膜に対する濡れ性や溶解性を向上さ
せることができる。
ー等の基材にスピンコード等の方法で塗布、乾燥した後
、パターン露光し、さらにアルカリ水溶液からなる現像
液により現像後、８００〜５００ ’Ｃの温度で熱処理
すると、前記のキノンジアジド化合物が揮散し、ポリマ
ーが脱水閉環されてポリベンズオキサゾールの微細パタ
ーンが形成される。ここで用いられる現像液用のアルカ
リとしては、金属イオンによるコンタミネーションを防
ぐため、有機アルカリが好ましく、例えば、コリンヒド
ロキサイド、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド
等が好ましい。又、この現像液の成分として、アルコー
ル、グリコールエーテルや、前記の非プロトン性極性溶
媒を少量加えると塗膜に対する濡れ性や溶解性を向上さ
せることができる。
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例 １
フタル酸無水物５９．３ｇにジメチルアセトアミド（以
下ＤＭＡｅと略記する） ３００ｍ１を加え、かく拌
しながら、３，３′ −ジヒドロキシ〜４．４′
−ジアミノビフェニル（以下ＨＡＢと略記する） ４３
．３ｇを添加した。これを室温（約２５℃）下で１２時
間かく拌した。次にこのものに２．２′ −ビス（４
−カルボキシフェニル）へキサフルオロプロパン（以下
ＢＣＰＦと略記する） ７８．５ｇとピリジン６３Ｊｆ
を加え、かく拌しながら４５℃下３０分間加熱した。続
いてヒドロキシベンズトリアゾール（以下ＨＯＢＴと略
記する） １８２．２を加え、さらに４５℃で３０分
間加熱かく拌した。この反応液を一５℃まで冷却し、ジ
シクロへキシルカルボジイミド（以下ＤＣＣと略記する
） １６７．１ｇをＤＭＡｃ８４ｍｌに溶解した溶液
を滴下し、ジシクロへキシルウレア（以下Ｄ Ｃ，Ｕと
略記する）を析出させた。その後、これにＨＡＢ８２．
２ｇを再び加え、その反応液を室温に戻した後、２時間
かく拌し、エタノール２０ｍ１を加えてＤＣＵをろ過し
た。そのろ液をかく押下に４ｐのエタノール中に滴下し
て、もち状のポリマーを析出させた。このもち状ポリマ
ーを３００ ｍｌのテトラヒドロフランに溶解後、４ｇ
のイオン交換水に滴下してポリマーを析出させた。次に
これを再びろ過した後、真空乾燥してポリマー粉末Ｐ−
１を得た。Ｐ−１の構造は下記の通りである。
下ＤＭＡｅと略記する） ３００ｍ１を加え、かく拌
しながら、３，３′ −ジヒドロキシ〜４．４′
−ジアミノビフェニル（以下ＨＡＢと略記する） ４３
．３ｇを添加した。これを室温（約２５℃）下で１２時
間かく拌した。次にこのものに２．２′ −ビス（４
−カルボキシフェニル）へキサフルオロプロパン（以下
ＢＣＰＦと略記する） ７８．５ｇとピリジン６３Ｊｆ
を加え、かく拌しながら４５℃下３０分間加熱した。続
いてヒドロキシベンズトリアゾール（以下ＨＯＢＴと略
記する） １８２．２を加え、さらに４５℃で３０分
間加熱かく拌した。この反応液を一５℃まで冷却し、ジ
シクロへキシルカルボジイミド（以下ＤＣＣと略記する
） １６７．１ｇをＤＭＡｃ８４ｍｌに溶解した溶液
を滴下し、ジシクロへキシルウレア（以下Ｄ Ｃ，Ｕと
略記する）を析出させた。その後、これにＨＡＢ８２．
２ｇを再び加え、その反応液を室温に戻した後、２時間
かく拌し、エタノール２０ｍ１を加えてＤＣＵをろ過し
た。そのろ液をかく押下に４ｐのエタノール中に滴下し
て、もち状のポリマーを析出させた。このもち状ポリマ
ーを３００ ｍｌのテトラヒドロフランに溶解後、４ｇ
のイオン交換水に滴下してポリマーを析出させた。次に
これを再びろ過した後、真空乾燥してポリマー粉末Ｐ−
１を得た。Ｐ−１の構造は下記の通りである。
６７１１％
３３齢１％Ｐ−１の１％ＮＭＰ溶液を調製し、ウベロ
ーデ型粘度計により還元粘度を求めたところ、η８．／
Ｃ−０，１７（２５℃）であった。又、Ｐ−１のＮＭＰ
溶液をコート乾燥後４００℃×２時間熱処理して得たフ
ィルムについてＴＭＡ （熱機械分析装置）によりガラ
ス転移温度を測定した所、３４０℃であり、ＤＴＧ （
示差熱天秤）により熱分解開始温度を測定した所、４５
０℃であった。又、上記フィルムの誘電率は、１ ｋＨ
ｚにおいて２．９であり、吸水率は８５℃×８５％Ｉ？
、Ｈ，下２４時間後で、０．８ｖｔ％であった。
３３齢１％Ｐ−１の１％ＮＭＰ溶液を調製し、ウベロ
ーデ型粘度計により還元粘度を求めたところ、η８．／
Ｃ−０，１７（２５℃）であった。又、Ｐ−１のＮＭＰ
溶液をコート乾燥後４００℃×２時間熱処理して得たフ
ィルムについてＴＭＡ （熱機械分析装置）によりガラ
ス転移温度を測定した所、３４０℃であり、ＤＴＧ （
示差熱天秤）により熱分解開始温度を測定した所、４５
０℃であった。又、上記フィルムの誘電率は、１ ｋＨ
ｚにおいて２．９であり、吸水率は８５℃×８５％Ｉ？
、Ｈ，下２４時間後で、０．８ｖｔ％であった。
実施例 ２
イソフタル酸３３．２ｇ及びＢ ＣＰ Ｆ ７８．５ｇ
に、Ｄ Ｍ Ａ ｅ ３００ｍ１とピリジン８３．３
ｇを加え、５０℃まで加熱かく拌して溶解し、均一溶液
を得た。
に、Ｄ Ｍ Ａ ｅ ３００ｍ１とピリジン８３．３
ｇを加え、５０℃まで加熱かく拌して溶解し、均一溶液
を得た。
この溶液を０℃まで冷却し、ＤＣＣ１８７，１ｇ−のＤ
ＭＡｃ８４ｍｌ溶液を滴下後、ＨＡ Ｂ ８２．２ｇを
加えた。反応液を室温に戻した後、２時間かく拌し、つ
づいて実施例１と以下同様に処理してポリマー粉末Ｐ−
２を得た。
ＭＡｃ８４ｍｌ溶液を滴下後、ＨＡ Ｂ ８２．２ｇを
加えた。反応液を室温に戻した後、２時間かく拌し、つ
づいて実施例１と以下同様に処理してポリマー粉末Ｐ−
２を得た。
Ｐ−２の構造は次の通りである。
５０詩１％
５０＠ｏ１％次に実施例１と同様にしてＰ−２の諸物性
を測定し、下記の結果を得た。
５０＠ｏ１％次に実施例１と同様にしてＰ−２の諸物性
を測定し、下記の結果を得た。
ｒｔ Ｓｐ／ Ｃ−０，１７、
ガラス転移温度−３４０℃、
熱分解開始温度−４５０℃、
誘電率−２，９（１ｋＨｚ）、
吸水率−〇、８ ｖｔ％。
実施例 ３
ＢＣＰＦ １５８．８ｇにＤ Ｍ Ａ ｃ ４７０ｍ
１とピリジン８３．３ｇを加え、かく拌して溶解した。
１とピリジン８３．３ｇを加え、かく拌して溶解した。
さらにＨｏＢ Ｔ １６２．２ｇを加えた後、−５℃ま
で冷却した。
で冷却した。
この溶液にＤＣＣ１８７，１ｇのＤ Ｍ Ａ ｃ ８４
ｍ１溶液を滴下後、ＨＡＢ８Ｂ、５ｇを加えた。反応液
を室温に戻した後、２時間かく拌し、つづいて実施例１
と以下同様に処理してポリマー粉末Ｐ−３を得た。
ｍ１溶液を滴下後、ＨＡＢ８Ｂ、５ｇを加えた。反応液
を室温に戻した後、２時間かく拌し、つづいて実施例１
と以下同様に処理してポリマー粉末Ｐ−３を得た。
Ｐ−３の構造は次の通りである。
次に実施例１と同様にしてＰ−３の諸物性を測定し、下
記の結果を得た。
記の結果を得た。
ηＳｐ／Ｃ−０，１９、
ガラス転移温度−３６０℃、
熱分解開始温度−４６０℃、
誘電率−２，８（１ｋＨｚ）、
吸水率−ｏ、’ｙ ｖｔ％。
比較例 １
ＢＣＰＦ １５Ｂ、８ｇにＤ Ｍ Ａ ｃ ３３０ｍ
１とビリジン８３ＪＩｒを加え、かく拌して溶解した。
１とビリジン８３ＪＩｒを加え、かく拌して溶解した。
この溶液を０℃まで冷却し、Ｄ ＣＣ１ｔ３７．１ｇの
ＤＭＡｃ８４ｍｌ溶液を滴下後、２，２′ −ビス（
４，４’ −ジヒドロキシ−３，３’−ジアミノ）へ
キサフルオロプロパン１３９．２ ｇを加えた。反応液
を室温に戻した後、２時間かく拌し、つづいて実施例１
と以下同様に処理してポリマー粉末Ｐ−４を測定した。
ＤＭＡｃ８４ｍｌ溶液を滴下後、２，２′ −ビス（
４，４’ −ジヒドロキシ−３，３’−ジアミノ）へ
キサフルオロプロパン１３９．２ ｇを加えた。反応液
を室温に戻した後、２時間かく拌し、つづいて実施例１
と以下同様に処理してポリマー粉末Ｐ−４を測定した。
Ｐ−４の構造は次の通りである。
次に実施例１と同様にしてＰ−４の諸物性を測定し、下
記の結果を得た。
記の結果を得た。
ηＳｐ／Ｃ−０，１６、
ガラス転移温度−２８０℃、
熱分解開始温度−４００’Ｃ１
誘電率−２，８（ｌｋ）１２）、
吸水率−０，７ｗｔ％。
以上の結果より、比較例のＰ−４は、ガラス転移温度及
び熱分解開始温度が実施例のものより低く耐熱性の点で
劣っていることがわかる。その原因は前記−数式ＩのＸ
がフッ素を含有した構造の基である点にあり、そのため
熱処理後のポリベンズオキサゾールの耐熱性が低下した
ものと推定される。
び熱分解開始温度が実施例のものより低く耐熱性の点で
劣っていることがわかる。その原因は前記−数式ＩのＸ
がフッ素を含有した構造の基である点にあり、そのため
熱処理後のポリベンズオキサゾールの耐熱性が低下した
ものと推定される。
実施例 ４
実施例ユにより得られたポリマーＰ−１をＩＯｇ及び２
，２′ −ビス［４−（１，２−ナフトキノン−（２
）−ジアジド−５−スルホニル）フェニル〕プロパン２
ｇをＮＭＰ２３．５．に溶解した。このワニス溶液をシ
リコンウェハー上にスピンコードした後、循環オーブン
中で８０℃で２０分間乾燥し、膜厚１０μｍの塗膜を得
た。この塗布ウェハーをフォトマスクを介して超高圧水
銀灯により、３ＧＯ＋ａＪ／ｃＪ（３Ｂ５ｎＸＯで測定
）のエネルギーで露光した後、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド１％、メタノール５％、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル５％、ジメチルホルムアミド１
０％の水溶液からなる現像液により現像した。その結果
１Ｏｕｒｎのライン／スペースか解像したシャープなポ
ジ型のパターンが得られた。このウェハーを窒素気流中
、４００℃で２時間熱処理してポリベンズオキサゾール
に変換した。
，２′ −ビス［４−（１，２−ナフトキノン−（２
）−ジアジド−５−スルホニル）フェニル〕プロパン２
ｇをＮＭＰ２３．５．に溶解した。このワニス溶液をシ
リコンウェハー上にスピンコードした後、循環オーブン
中で８０℃で２０分間乾燥し、膜厚１０μｍの塗膜を得
た。この塗布ウェハーをフォトマスクを介して超高圧水
銀灯により、３ＧＯ＋ａＪ／ｃＪ（３Ｂ５ｎＸＯで測定
）のエネルギーで露光した後、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド１％、メタノール５％、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル５％、ジメチルホルムアミド１
０％の水溶液からなる現像液により現像した。その結果
１Ｏｕｒｎのライン／スペースか解像したシャープなポ
ジ型のパターンが得られた。このウェハーを窒素気流中
、４００℃で２時間熱処理してポリベンズオキサゾール
に変換した。
実施例 ５
実施例２により得られたポリマーＰ−２の１０ｇをＮＭ
Ｐ２３．５ｇに溶解した。この溶液をシリコンウェハー
上にスピンコードした後、ポットプレート上で１５０℃
で１層分間乾燥して、膜厚４μｍの塗膜を得た。この塗
布ウェハー上に、さらに市販のポジ型フォトレジスト（
例えば東京応化製０ＦＰＲ−８００）をスピンコードし
、乾燥して２μｍ厚の塗膜を形成した。このウェハーを
超高圧水銀灯により、４０ｍＪ／ ｃｄ ＜３８５ｎａ
＋で測定）のエネルギーで露光し、ポジレジストの専用
現像液（例えば、東京応化製ＮＭＤ −３）により、２
層を同時に現像してパターンを形成した。次に上部に残
ったポジ型フォトレジストをアセトン中に浸漬して除い
た。
Ｐ２３．５ｇに溶解した。この溶液をシリコンウェハー
上にスピンコードした後、ポットプレート上で１５０℃
で１層分間乾燥して、膜厚４μｍの塗膜を得た。この塗
布ウェハー上に、さらに市販のポジ型フォトレジスト（
例えば東京応化製０ＦＰＲ−８００）をスピンコードし
、乾燥して２μｍ厚の塗膜を形成した。このウェハーを
超高圧水銀灯により、４０ｍＪ／ ｃｄ ＜３８５ｎａ
＋で測定）のエネルギーで露光し、ポジレジストの専用
現像液（例えば、東京応化製ＮＭＤ −３）により、２
層を同時に現像してパターンを形成した。次に上部に残
ったポジ型フォトレジストをアセトン中に浸漬して除い
た。
このウェハーを窒素気流中、３５０”Ｃで１時間熱処理
してポリベンズオキサゾールのパターンを得た。
してポリベンズオキサゾールのパターンを得た。
本発明の含フッ素芳香族ポリアミドは耐熱性が優れてい
るという特長を有するとともに吸水性、誘電特性の点で
も優れているポリベンズオキサゾールの前駆体であると
い−う効果を有している。
るという特長を有するとともに吸水性、誘電特性の点で
も優れているポリベンズオキサゾールの前駆体であると
い−う効果を有している。
よってこれを用いたワニスは、そのもの自体で或いはポ
ジ型感光性組成物ワニスとして半導体等の電子材料の保
護膜もしくは絶縁膜として極めて有用なものであり、該
技術分野で多くの貢献をなすものといえる。
ジ型感光性組成物ワニスとして半導体等の電子材料の保
護膜もしくは絶縁膜として極めて有用なものであり、該
技術分野で多くの貢献をなすものといえる。
特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 I で示される繰り返し単位を有し、還元粘
度（Ｎ−メチルピロリドン中、２５℃）が０．０５〜０
．５である含フッ素芳香族ポリアミド。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
I （式中、Ｘは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかを表わし
、 Ｙは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかを表わす
。ａ＝０．１〜 １、ｂ＝０．９〜０、ａ＋ｂ＝１である） ２、ジシクロヘキシルカルボジイミドを用いて脱水縮合
させることを特徴とする請求項１記載の含フッ素芳香族
ポリアミドの製造方法。 ３、請求項１記載の含フッ素芳香族ポリアミドを加熱脱
水閉環して得たポリベンズオキサゾール。 ４、請求項１記載の含フッ素芳香族ポリアミドと溶媒か
らなるワニス。 ５、請求項１記載の含フッ素芳香族ポリアミドとキノン
ジアジド化合物と溶媒からなるポジ型感光性組成物ワニ
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2295442A JP3006870B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2295442A JP3006870B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170431A true JPH04170431A (ja) | 1992-06-18 |
| JP3006870B2 JP3006870B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=17820644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2295442A Expired - Lifetime JP3006870B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3006870B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002034850A1 (fr) * | 2000-10-20 | 2002-05-02 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Vernis contenant une resine polyamide et son utilisation |
| WO2002079297A3 (de) * | 2001-03-30 | 2003-01-30 | Infineon Technologies Ag | Beschichtungsmaterial für elektronische bauelemente |
| JP2009501286A (ja) * | 2005-07-13 | 2009-01-15 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ポリベンゾビスオキサゾール含有繊維の製造方法 |
| JP2015227403A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 宇部興産株式会社 | 高耐熱性フィルム、前駆体、及びフィルムの製造方法 |
| US9480154B2 (en) | 2005-07-21 | 2016-10-25 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Polyamide resin, epoxy resin compositions, and cured articles thereof |
| EP4389800A4 (en) * | 2021-08-17 | 2025-07-30 | Daikin Ind Ltd | FLUORINE-CONTAINING POLYAMIDE COMPOUND AND FLUORINE-CONTAINING POLYBENZOXAZOLE |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3328352A (en) | 1963-06-17 | 1967-06-27 | Du Pont | Fluorine containing aromatic polycarbonamides |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP2295442A patent/JP3006870B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002034850A1 (fr) * | 2000-10-20 | 2002-05-02 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Vernis contenant une resine polyamide et son utilisation |
| US6956100B2 (en) | 2000-10-20 | 2005-10-18 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Polyamide resin-containing varnish and its use |
| JP2008163330A (ja) * | 2000-10-20 | 2008-07-17 | Nippon Kayaku Co Ltd | ポリアミド樹脂含有ワニス |
| WO2002079297A3 (de) * | 2001-03-30 | 2003-01-30 | Infineon Technologies Ag | Beschichtungsmaterial für elektronische bauelemente |
| US7064176B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-06-20 | Infineon Technologies Ag | Coating material for electronic components |
| JP2009501286A (ja) * | 2005-07-13 | 2009-01-15 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ポリベンゾビスオキサゾール含有繊維の製造方法 |
| US9480154B2 (en) | 2005-07-21 | 2016-10-25 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Polyamide resin, epoxy resin compositions, and cured articles thereof |
| JP2015227403A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 宇部興産株式会社 | 高耐熱性フィルム、前駆体、及びフィルムの製造方法 |
| EP4389800A4 (en) * | 2021-08-17 | 2025-07-30 | Daikin Ind Ltd | FLUORINE-CONTAINING POLYAMIDE COMPOUND AND FLUORINE-CONTAINING POLYBENZOXAZOLE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3006870B2 (ja) | 2000-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6071666A (en) | Positive type photosensitive resin composition and semiconductor device using the same | |
| KR101969197B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 | |
| WO2005109099A1 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 | |
| TWI918891B (zh) | 正型感光性樹脂組合物、絕緣膜以及包括所述絕緣膜的顯示裝置 | |
| US5889141A (en) | Photoimageable compositions comprising polyquinoline polymer and diazo compound | |
| US6001534A (en) | Photosensitive resin composition | |
| JP2001163975A (ja) | ポリベンゾオキサゾール樹脂及びその前駆体 | |
| TWI425027B (zh) | 光敏性聚醯亞胺及包含其之光敏樹脂組成物 | |
| CN1215049C (zh) | 聚苯并噁唑树脂及其前体 | |
| CN111522201B (zh) | 一种正型感光性树脂组合物及其制备的固化膜与电子元件 | |
| JP6743692B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性シート、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2003105085A (ja) | 有機絶縁膜用材料及び有機絶縁膜 | |
| KR102827425B1 (ko) | 감광성 폴리이미드 수지 조성물 | |
| JP3006870B2 (ja) | 含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途 | |
| JP3681106B2 (ja) | 有機絶縁膜材料および有機絶縁膜 | |
| JPH1192660A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPH07300558A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| WO2014111998A1 (ja) | ポリマ溶液の製造方法及びポリマ溶液 | |
| JP4945858B2 (ja) | 有機絶縁膜用材料及び有機絶縁膜 | |
| JP2003076007A (ja) | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物 | |
| KR20250143749A (ko) | 네거티브형 감광성 수지 조성물, 그것을 사용한 릴리프 패턴의 제조 방법, 경화물 및 전자 부품 | |
| JP6808928B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| CN117234033A (zh) | 一种正型感光性树脂组合物及其制备方法和应用 | |
| JP4378805B2 (ja) | ポリベンゾオキサゾール樹脂及びその前駆体 | |
| JP4341797B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |