JPH041709A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
- Publication number
- JPH041709A JPH041709A JP10182290A JP10182290A JPH041709A JP H041709 A JPH041709 A JP H041709A JP 10182290 A JP10182290 A JP 10182290A JP 10182290 A JP10182290 A JP 10182290A JP H041709 A JPH041709 A JP H041709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- flange member
- package
- sapphire window
- sliding surface
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
概要
光フアイバ通信の分野で使用される光送受信モジュール
等の光モジュールに関し、 良好な気密封止が可能で製造が容易な光モジュールの提
供を1的とし、 光ファイバとパッケージ内に配置された光半導体チップ
とを光学的に結合してなる光モジュールにおいて、上記
光半導体チップに対向して上記パッケージに開口を設け
、該開口をサファイア窓が形成されたフランジ部材で密
閉し、該フランジ部材には平坦な摺動面を形成し、上記
光ファイバを保持してなるファイバアセンブリを上記摺
動面に密着固定して構成する。
等の光モジュールに関し、 良好な気密封止が可能で製造が容易な光モジュールの提
供を1的とし、 光ファイバとパッケージ内に配置された光半導体チップ
とを光学的に結合してなる光モジュールにおいて、上記
光半導体チップに対向して上記パッケージに開口を設け
、該開口をサファイア窓が形成されたフランジ部材で密
閉し、該フランジ部材には平坦な摺動面を形成し、上記
光ファイバを保持してなるファイバアセンブリを上記摺
動面に密着固定して構成する。
産業上の利用分野
本発明は光フアイバ通信の分野で使用される光送受信モ
ジニール等の光モジニールに関する。
ジニール等の光モジニールに関する。
光フアイバ通信は、送信側で半導体レーザ等の電気−光
変換素子からの光について強度変調等の変調を行い、こ
の変調された光を光ファイバを介して受信側に伝送し、
受信側でフォトダイオード等の光−電気変換素子を用い
て受けた光を電気信号に変換し、情報伝送を行うように
したものである。送信側の電気−光変換素子や受信側の
光−電気変換素子は、光ファイバとは光学的に結合され
ている必要があり、又高速動作性を確保するために駆動
回路や増幅回路等の電子回路とは近い位置にて接続され
ている必要がある。このため、送信側では電気−光変換
素子とその駆動回路とを同一のパッケージ内に収容して
なる光送信モジニールが使用され、又、受信側では光−
電気変換素子とその増幅回路とを同一のパッケージ内に
収容してなる光受信モジュールが使用される。場合によ
ってはこれらの機能を併せ持つ光送受信モジニールが使
用される。この種の光モジニールにあっては高速電子回
路の必要性からパッケージ内にペアチップがそのまま実
装されていることが多く、このためパッケージは気密封
止されている必要がある。
変換素子からの光について強度変調等の変調を行い、こ
の変調された光を光ファイバを介して受信側に伝送し、
受信側でフォトダイオード等の光−電気変換素子を用い
て受けた光を電気信号に変換し、情報伝送を行うように
したものである。送信側の電気−光変換素子や受信側の
光−電気変換素子は、光ファイバとは光学的に結合され
ている必要があり、又高速動作性を確保するために駆動
回路や増幅回路等の電子回路とは近い位置にて接続され
ている必要がある。このため、送信側では電気−光変換
素子とその駆動回路とを同一のパッケージ内に収容して
なる光送信モジニールが使用され、又、受信側では光−
電気変換素子とその増幅回路とを同一のパッケージ内に
収容してなる光受信モジュールが使用される。場合によ
ってはこれらの機能を併せ持つ光送受信モジニールが使
用される。この種の光モジニールにあっては高速電子回
路の必要性からパッケージ内にペアチップがそのまま実
装されていることが多く、このためパッケージは気密封
止されている必要がある。
従来の技術
第4図に従来の光モジニールの一例を示す。パッケージ
2内に配置された光−電気変換あるいは電気−光変換機
能を有する光半導体チップ4に対向してパッケージ2に
は開口2aが形成されており、この開口2aはサファイ
ア窓6により密閉されている。8はパッケージ2の外側
に固定されたファイバアセンブリであり、このファイバ
アセンブリ8は、光ファイバ10をフェルール12に挿
入固定し、このフェルールヱ2をレンズ14が正大固定
されたバイブ部材16に挿入固定して構成されている。
2内に配置された光−電気変換あるいは電気−光変換機
能を有する光半導体チップ4に対向してパッケージ2に
は開口2aが形成されており、この開口2aはサファイ
ア窓6により密閉されている。8はパッケージ2の外側
に固定されたファイバアセンブリであり、このファイバ
アセンブリ8は、光ファイバ10をフェルール12に挿
入固定し、このフェルールヱ2をレンズ14が正大固定
されたバイブ部材16に挿入固定して構成されている。
光半導体チップ4が光−電気変換素子である場合には、
光ファイバ10の端面から放射された光はレンズ14に
より収束されてサファイア窓6を透過して光半導体チッ
プ4に入射する。
光ファイバ10の端面から放射された光はレンズ14に
より収束されてサファイア窓6を透過して光半導体チッ
プ4に入射する。
一方、光半導体チップ4が電気−光変換素子である場合
には、光半導体チップ4から放射された光はサファイア
窓6を透過してレンズ14により収束されて光ファイバ
10に入射する。
には、光半導体チップ4から放射された光はサファイア
窓6を透過してレンズ14により収束されて光ファイバ
10に入射する。
発明が解決しようとする課題
ところで、サファイア窓6等で発生する反射光による通
信品質の劣化を防止するために、サファイア窓6は反射
防止膜を施されて使用されるのが通例である。サファイ
ア窓に予約反射防止膜を形成した場合、パッケージ2へ
のサファイア窓6の接合方法が限定される。即ち、反射
防止膜は熱に弱いから、予めサファイア窓に反射防止膜
を形成した場合には、サファイア窓6をパッケージ2に
鎖端により接合することはできず、AuSn半田等の低
融点半田により接合する必要がある。しかしながら、A
uSn半田等による微小部分の接合であると良好な気密
封止が困難である。そこで、サファイア窓6をパッケー
ジ2に銀蝋付けより接合してからサファイア窓に反射防
止膜を形成することが提案され得るが、パッケージに既
に接合されたサファイア窓に対する反射防止膜の形成は
作業上の困難性を伴う。
信品質の劣化を防止するために、サファイア窓6は反射
防止膜を施されて使用されるのが通例である。サファイ
ア窓に予約反射防止膜を形成した場合、パッケージ2へ
のサファイア窓6の接合方法が限定される。即ち、反射
防止膜は熱に弱いから、予めサファイア窓に反射防止膜
を形成した場合には、サファイア窓6をパッケージ2に
鎖端により接合することはできず、AuSn半田等の低
融点半田により接合する必要がある。しかしながら、A
uSn半田等による微小部分の接合であると良好な気密
封止が困難である。そこで、サファイア窓6をパッケー
ジ2に銀蝋付けより接合してからサファイア窓に反射防
止膜を形成することが提案され得るが、パッケージに既
に接合されたサファイア窓に対する反射防止膜の形成は
作業上の困難性を伴う。
本発明はこのような事情に鑑みて創作されたもので、良
好な気密封止が可能で製造が容易な光モジニールの提供
を目的としている。
好な気密封止が可能で製造が容易な光モジニールの提供
を目的としている。
課題を解決するための手段
上述した技術的課題は、光ファイバとパッケージ内に配
置された光半導体チップとを光学的に結合してなる光モ
ジュールにおいて、上記光半導体チップに対向して上記
パッケージに開口を設け、該開口をサファイア窓が形成
されたフランジ部材で密閉し、該フランジ部材には平坦
な摺動面を形成し、上記光ファイバを保持してなるファ
イバアセンブリを上記摺動面に密着固定することにより
解決される。
置された光半導体チップとを光学的に結合してなる光モ
ジュールにおいて、上記光半導体チップに対向して上記
パッケージに開口を設け、該開口をサファイア窓が形成
されたフランジ部材で密閉し、該フランジ部材には平坦
な摺動面を形成し、上記光ファイバを保持してなるファ
イバアセンブリを上記摺動面に密着固定することにより
解決される。
作 用
上記構成によると、サファイア窓が形成されたフランジ
部材によりパッケージの開口を密閉し、このフランジ部
材の平坦な摺動面にファイバアセンブリを密着固定する
ようにしているので、サファイア窓をフランジ部材に密
閉性が良好な例えば銀蝋付けにより接合した後にサファ
イア窓に反射防止膜を施したとしても、反射防止膜の形
成が煩雑でない。この場合、フランジ部材のパッケージ
への接合は、既に形成されている反射防止膜を傷tない
ために低融点半田等によるものに限定されるが、フラン
ジ部材とパッケージの接合面積は容易に大きくすること
ができるので、低融点半田等を用いたとしても良好な気
密封止が可能である。
部材によりパッケージの開口を密閉し、このフランジ部
材の平坦な摺動面にファイバアセンブリを密着固定する
ようにしているので、サファイア窓をフランジ部材に密
閉性が良好な例えば銀蝋付けにより接合した後にサファ
イア窓に反射防止膜を施したとしても、反射防止膜の形
成が煩雑でない。この場合、フランジ部材のパッケージ
への接合は、既に形成されている反射防止膜を傷tない
ために低融点半田等によるものに限定されるが、フラン
ジ部材とパッケージの接合面積は容易に大きくすること
ができるので、低融点半田等を用いたとしても良好な気
密封止が可能である。
本発明の構成において、フランジ部材に平坦な摺動面を
形成し、ファイバアセンブリをこの摺動面に密着固定す
るようにしているのは、この固定に先立ちファイバアセ
ンブリを上記摺動面に対して摺動させることによって、
光路に対して垂直な方向についての光軸調整を可能にす
るためである。
形成し、ファイバアセンブリをこの摺動面に密着固定す
るようにしているのは、この固定に先立ちファイバアセ
ンブリを上記摺動面に対して摺動させることによって、
光路に対して垂直な方向についての光軸調整を可能にす
るためである。
実 施 例
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第3図は本発明の実施例を示す光受信モジニールの斜視
図、第1図はその光結合部分の断面図である。22は金
属等からなるパッケージであり、その内部は仕切板22
Hによって二つの部分に仕切られている。後述するフラ
ンジ部材30はパッケージ22の側面に固着されており
、パッケージ22内のフランジ部材30側にはフロント
エンド増幅器等の電子回路が実現されているプリント配
線板24が、又パッケージ22内のフランジ部材30と
反対の側には電源回路等が実現されたプリント配線板2
6が実装されている。28はプリント配線板の外部接続
用のリード端子である。
図、第1図はその光結合部分の断面図である。22は金
属等からなるパッケージであり、その内部は仕切板22
Hによって二つの部分に仕切られている。後述するフラ
ンジ部材30はパッケージ22の側面に固着されており
、パッケージ22内のフランジ部材30側にはフロント
エンド増幅器等の電子回路が実現されているプリント配
線板24が、又パッケージ22内のフランジ部材30と
反対の側には電源回路等が実現されたプリント配線板2
6が実装されている。28はプリント配線板の外部接続
用のリード端子である。
パッケージ22の内部には、第1図に示すようにフォト
ダイオード等の光半導体チップ32がチップキャリア3
4を介して配置されており、この実施例では受光面にお
ける反射を防止するためにチップキャリア34はパッケ
ージ22の側板に対して斜めに設けられている。パッケ
ージ22の光半導体チップ32に対向した部分には開口
22aが形成されてあり、フランジ部材30の円筒状部
分は開口22Hに嵌合され、フランジ部材30のフラン
ジはAuSn半田等の低融点半日によりパッケージ22
に接合されている。フランジ部材3Dの内部には、光半
導体チップ32に対向してサファイア窓36が設けられ
ており、このサファイア窓36には反射防止膜が施され
ている。38はフランジ部材30の平坦な摺動面30a
に密着固定されたファイバアセンブリであり、このファ
イバアセンブリ38は、光ファイバ40が挿入固定され
たフェルール42を、レンズ44が圧入されたパイプ部
材46に挿入固定して構成されている。
ダイオード等の光半導体チップ32がチップキャリア3
4を介して配置されており、この実施例では受光面にお
ける反射を防止するためにチップキャリア34はパッケ
ージ22の側板に対して斜めに設けられている。パッケ
ージ22の光半導体チップ32に対向した部分には開口
22aが形成されてあり、フランジ部材30の円筒状部
分は開口22Hに嵌合され、フランジ部材30のフラン
ジはAuSn半田等の低融点半日によりパッケージ22
に接合されている。フランジ部材3Dの内部には、光半
導体チップ32に対向してサファイア窓36が設けられ
ており、このサファイア窓36には反射防止膜が施され
ている。38はフランジ部材30の平坦な摺動面30a
に密着固定されたファイバアセンブリであり、このファ
イバアセンブリ38は、光ファイバ40が挿入固定され
たフェルール42を、レンズ44が圧入されたパイプ部
材46に挿入固定して構成されている。
第1図に示された光結合部の製造手順を説明する。まず
、サファイア窓36をフランジ部材30の内部に銀蝋付
けする。この時、サファイア窓36にはまだ反射防止膜
が施されていないので、高温化における銀蝋付けを行う
ことができる。サファイア窓36を銀螺付げによりフラ
ンジ部材30に接合することによって、当該接合部の良
好な気密封止が達成される。次いで、フランジ部材30
に接合されたサファイア窓36について蒸着等の手段に
よって誘電体多層膜等からなる反射防止膜を形成する。
、サファイア窓36をフランジ部材30の内部に銀蝋付
けする。この時、サファイア窓36にはまだ反射防止膜
が施されていないので、高温化における銀蝋付けを行う
ことができる。サファイア窓36を銀螺付げによりフラ
ンジ部材30に接合することによって、当該接合部の良
好な気密封止が達成される。次いで、フランジ部材30
に接合されたサファイア窓36について蒸着等の手段に
よって誘電体多層膜等からなる反射防止膜を形成する。
しかる後、フランジ部材30をAuSn半田等の低融点
半田によりパッケージ22に接合する。低融点半田によ
る接合部の気密封止性は銀蝋付けによる接合の気密封止
性に劣るが、フランジ部材30とパッケージ22の接合
部分の面積を大きくしておくことによって、良好な気密
封止が可能である。低融点半田による接合に際しての熱
影響によっては、サファイア窓36に既に形成されてい
る反射防止膜の性能は劣化しない。しかる後、上述のよ
うに構成されたファイバアセンブリ38のフランジがフ
ランジ部材30の摺動面30aに密着するようにし、こ
の状態でファイバアセンブリ38を光路に垂直な面内で
移動させることによって光軸調整を行い、最大光結合効
率が得られる状態でファイバアセンブリ38を例えばレ
ーザ溶接によりフランジ部材30に固定する。
半田によりパッケージ22に接合する。低融点半田によ
る接合部の気密封止性は銀蝋付けによる接合の気密封止
性に劣るが、フランジ部材30とパッケージ22の接合
部分の面積を大きくしておくことによって、良好な気密
封止が可能である。低融点半田による接合に際しての熱
影響によっては、サファイア窓36に既に形成されてい
る反射防止膜の性能は劣化しない。しかる後、上述のよ
うに構成されたファイバアセンブリ38のフランジがフ
ランジ部材30の摺動面30aに密着するようにし、こ
の状態でファイバアセンブリ38を光路に垂直な面内で
移動させることによって光軸調整を行い、最大光結合効
率が得られる状態でファイバアセンブリ38を例えばレ
ーザ溶接によりフランジ部材30に固定する。
このように、本実施例によると、パッケージ22につい
て良好な気密封止が可能であり、しかも製造作業が煩雑
でない。従来技術による場合、パッケージ22の側面全
面について光学系の基準面を設定する必要があったので
、パッケージについて高精度な加工が要求されていたが
、本実施例による場合、光学系の基準面はフランジ部材
30の摺動面30aに設定することができるので、高精
度な加工を要求される部分の面積が少なくてすむ。
て良好な気密封止が可能であり、しかも製造作業が煩雑
でない。従来技術による場合、パッケージ22の側面全
面について光学系の基準面を設定する必要があったので
、パッケージについて高精度な加工が要求されていたが
、本実施例による場合、光学系の基準面はフランジ部材
30の摺動面30aに設定することができるので、高精
度な加工を要求される部分の面積が少なくてすむ。
ところで、光半導体チップ32が搭載されるチップキャ
リア34は微細なものであるから、第1図に示された実
施例のようにチップキャリア34をパッケージ側板に対
して斜めに設定することには困難性が伴う。そこで、こ
のような場合には、第2図に示すように、チップキャリ
ア34をパッケージ22の側板及びサファイア窓36と
平行に配置しておき、摺動面30a′がサファイア窓3
6と平行でないフランジ部材30′を用いることによっ
て、受光面での反射を防止するようにしてもよい。フラ
ンジ部材30′はチップキャリア34と比べて大型であ
るので、その摺動面30a′を斜めに形成するのは容易
である。これにより光受信機モジュールの製造が更に簡
略化される。
リア34は微細なものであるから、第1図に示された実
施例のようにチップキャリア34をパッケージ側板に対
して斜めに設定することには困難性が伴う。そこで、こ
のような場合には、第2図に示すように、チップキャリ
ア34をパッケージ22の側板及びサファイア窓36と
平行に配置しておき、摺動面30a′がサファイア窓3
6と平行でないフランジ部材30′を用いることによっ
て、受光面での反射を防止するようにしてもよい。フラ
ンジ部材30′はチップキャリア34と比べて大型であ
るので、その摺動面30a′を斜めに形成するのは容易
である。これにより光受信機モジュールの製造が更に簡
略化される。
以上説明した実施例では、光半導体チップとして受光素
子が用いられている光受信モジュールが構成されている
が、光半導体チップとして発光素子を用いた光送信モジ
ュールにあっても同じように本発明を実施することがで
きる。
子が用いられている光受信モジュールが構成されている
が、光半導体チップとして発光素子を用いた光送信モジ
ュールにあっても同じように本発明を実施することがで
きる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によると、良好な気密封止が
可能で製造が容易な光モジュールを提供することができ
るようになるという効果を奏する。
可能で製造が容易な光モジュールを提供することができ
るようになるという効果を奏する。
第1図は本発明の実施例を示す光モジュールの光結合部
の断面図、 第2図は本発明の他の実施例を示す光モジ5−ルの光結
合部の断面図、 第3図は本発明の実施例を示す光モジュール(蓋に相当
する部分を除く)の斜視図、第4図は従来技術の説明図
である。 2・・・パッケージ、 2a・・・開口、 0.30’・・・フランジ部材、 Da、30a’・・・摺動面、 2・・・光半導体チップ、 0・・・光ファイバ。
の断面図、 第2図は本発明の他の実施例を示す光モジ5−ルの光結
合部の断面図、 第3図は本発明の実施例を示す光モジュール(蓋に相当
する部分を除く)の斜視図、第4図は従来技術の説明図
である。 2・・・パッケージ、 2a・・・開口、 0.30’・・・フランジ部材、 Da、30a’・・・摺動面、 2・・・光半導体チップ、 0・・・光ファイバ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光ファイバ(40)とパッケージ(22)内に配置
された光半導体チップ(32)とを光学的に結合してな
る光モジュールにおいて、 上記光半導体チップ(32)に対向して上記パッケージ
(22)に開口(22a)を設け、 該開口(22a)をサファイア窓(36)が形成された
フランジ部材(30、30′)で密閉し、 該フランジ部材(30、30′)には平坦な摺動面(3
0a、30a′)を形成し、 上記光ファイバ(40)を保持してなるファイバアセン
ブリ(38)を上記摺動面(30a、30a′)に密着
固定したことを特徴とする光モジュール。 2、上記光半導体チップ(32)の入射光路又は出射光
路に垂直な面に対して上記フランジ部材(30′)の摺
動面(30a′)が斜めに形成されていることを特徴と
する請求項1に記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2101822A JP2530744B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光モジュ―ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2101822A JP2530744B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光モジュ―ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041709A true JPH041709A (ja) | 1992-01-07 |
| JP2530744B2 JP2530744B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=14310810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2101822A Expired - Lifetime JP2530744B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光モジュ―ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2530744B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4320782B2 (ja) | 2006-03-23 | 2009-08-26 | ヤマハ株式会社 | 演奏制御装置、およびプログラム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410685A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Hitachi Ltd | Dual-in-line-package-type semiconductor laser module |
| JPH01139206U (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-22 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP2101822A patent/JP2530744B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410685A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Hitachi Ltd | Dual-in-line-package-type semiconductor laser module |
| JPH01139206U (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2530744B2 (ja) | 1996-09-04 |
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