JPH0417303A - チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法Info
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- JPH0417303A JPH0417303A JP12146990A JP12146990A JPH0417303A JP H0417303 A JPH0417303 A JP H0417303A JP 12146990 A JP12146990 A JP 12146990A JP 12146990 A JP12146990 A JP 12146990A JP H0417303 A JPH0417303 A JP H0417303A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、キュリー点以上の温度において正の抵抗温度
係数を有し、室温抵抗率が非常に小さいことによる優れ
たＰＴＣ特性を有するチタン酸バリウム系磁器半導体の
製造方法に関するものである。
係数を有し、室温抵抗率が非常に小さいことによる優れ
たＰＴＣ特性を有するチタン酸バリウム系磁器半導体の
製造方法に関するものである。
ランタン、タンタル、セリウム、イツトリウム、ビスマ
ス、タングステン、銀、サマリウム、ディスプロシウム
等の酸化物をチタン酸バリウム系磁器に添加することに
よって、正の抵抗温度係数（ＰＴＣ特性）を有する磁器
半導体を得ることは、従来から広く知られている。また
、希土類元素、タンタル、ニオブ、またはアンチモンを
含有するチタン酸バリウム系磁器半導体組成物に二酸化
ケイ素を添加し、酸素の存在下で焼成することによって
磁器半導体組成物の電気特性を向上させることも提案さ
れている（特開昭５３−５９８８８号公報参照）。
ス、タングステン、銀、サマリウム、ディスプロシウム
等の酸化物をチタン酸バリウム系磁器に添加することに
よって、正の抵抗温度係数（ＰＴＣ特性）を有する磁器
半導体を得ることは、従来から広く知られている。また
、希土類元素、タンタル、ニオブ、またはアンチモンを
含有するチタン酸バリウム系磁器半導体組成物に二酸化
ケイ素を添加し、酸素の存在下で焼成することによって
磁器半導体組成物の電気特性を向上させることも提案さ
れている（特開昭５３−５９８８８号公報参照）。
ところが、上記従来のチタン酸バリウム磁器半導体の製
造方法では、キュリー点以上の温度において正の抵抗温
度係数を有し、かつ室温において抵抗率の非常に小さい
素子を得るのは難しいという問題点を有している。
造方法では、キュリー点以上の温度において正の抵抗温
度係数を有し、かつ室温において抵抗率の非常に小さい
素子を得るのは難しいという問題点を有している。
本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法は
、上記課題を解決するために、キュリー点移動物質を含
むチタン酸バリウム基体組成物に半導体化剤を加えて焼
成してなるチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法にお
いて、半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物
に対してＳｂ２Ｏ３を使用することを特徴としている。
、上記課題を解決するために、キュリー点移動物質を含
むチタン酸バリウム基体組成物に半導体化剤を加えて焼
成してなるチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法にお
いて、半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物
に対してＳｂ２Ｏ３を使用することを特徴としている。
なお、５ｂ２０．の添加量は、好ましくは０．０７５モ
ル％〜０．１４モル％の範囲である。
ル％〜０．１４モル％の範囲である。
上記の構成によれば、半導体化剤として添加した０、０
７５モル％〜０．１４モル％の５ｂｚＯ３によって、半
導体化が容易に行え、しかも室温での抵抗率をより小さ
（設定することができるので、電流容量の小さい回路中
に対応することができる汎用性に優れた低抵抗ＰＣＴ素
子を製造することができる。
７５モル％〜０．１４モル％の５ｂｚＯ３によって、半
導体化が容易に行え、しかも室温での抵抗率をより小さ
（設定することができるので、電流容量の小さい回路中
に対応することができる汎用性に優れた低抵抗ＰＣＴ素
子を製造することができる。
本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すれば、以下
のとおりである。
のとおりである。
本実施例は、キュリー点移動物質を含むチタン酸バリウ
ム基体組成物に半導体化剤を加えて焼成することからな
るチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法において、半
導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対して
０．０７０モル％〜０．１８０モル％の酸化アンチモン
（５ｂｚＯ＋ ）を使用した時に、５ｂｚｏ、の添加量
によって室温における抵抗率がどのように変化し、その
結果、チタン酸バリウム磁器半導体の製造に対して好ま
しい５ｂ２ｏ、の添加量の範囲を限定することを開示し
ている。
ム基体組成物に半導体化剤を加えて焼成することからな
るチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法において、半
導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対して
０．０７０モル％〜０．１８０モル％の酸化アンチモン
（５ｂｚＯ＋ ）を使用した時に、５ｂｚｏ、の添加量
によって室温における抵抗率がどのように変化し、その
結果、チタン酸バリウム磁器半導体の製造に対して好ま
しい５ｂ２ｏ、の添加量の範囲を限定することを開示し
ている。
本実施例においては、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯｌ
）等のキュリー点移動物質を含むチタン酸バリウム基体
組成物に対して０．０７０モル％〜０．１５０モル％の
酸化アンチモン（５ｂｚＯｚ ）を配合するが、その際
、この配合物に鉱化剤として炭酸マンガン（ＭｎＣ０３
）を、また電圧依存性安定荊として二酸化ケイ素（５ｉ
Ｏｚ ）等を配合している。
）等のキュリー点移動物質を含むチタン酸バリウム基体
組成物に対して０．０７０モル％〜０．１５０モル％の
酸化アンチモン（５ｂｚＯｚ ）を配合するが、その際
、この配合物に鉱化剤として炭酸マンガン（ＭｎＣ０３
）を、また電圧依存性安定荊として二酸化ケイ素（５ｉ
Ｏｚ ）等を配合している。
この配合物を自動乳鉢において１時間〜２４時間、エタ
ノール（特級試薬）の存在下で湿式混合し、乾燥した後
、１０００’Ｃ〜１４００°Ｃにおいて１時間〜３時間
仮焼する。仮焼した配合物は、粉砕し、自動乳鉢におい
てＰＶＡ（ポリビニルアルコール）２ｗｔ％〜８ｗｔ％
の水溶液を加えて１時間〜６時間混合し、乾燥した後に
十分粉砕する。このようにしてできた粉末を円盤状成形
器において成形した後、その成形物を１３００°Ｃ〜１
４００°Ｃにおいて０時間〜１０時間保持し、焼成して
チタン酸バリウム磁器半導体が得られる。
ノール（特級試薬）の存在下で湿式混合し、乾燥した後
、１０００’Ｃ〜１４００°Ｃにおいて１時間〜３時間
仮焼する。仮焼した配合物は、粉砕し、自動乳鉢におい
てＰＶＡ（ポリビニルアルコール）２ｗｔ％〜８ｗｔ％
の水溶液を加えて１時間〜６時間混合し、乾燥した後に
十分粉砕する。このようにしてできた粉末を円盤状成形
器において成形した後、その成形物を１３００°Ｃ〜１
４００°Ｃにおいて０時間〜１０時間保持し、焼成して
チタン酸バリウム磁器半導体が得られる。
以下において本発明を〔実施例工〕ないし〔実施例４〕
に基づいて、さらに詳細に説明する。
に基づいて、さらに詳細に説明する。
〔実施例１〕
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯｚ 、日本化学工業製高純
度品） ６８．０７ ｇ、高純度二酸化チタン（ＴｉＯ
□、東邦チタニウム社製） ２９．０１ ｇ、無水炭酸
ストロンチウム（ＳｒＣＯ，、本荘ケミカル社製）２．
６８ｇ、炭酸マンガン（Ｍｎｃｏ３、和光純薬社製９９
．９％）０゜０２０９ ｇ、二酸化ケイ素（ＳｉＯｚ、
東芝セラミックス製 ｕｓ−８５） ０．１０９１ｇ、
酸化アンチモン（ＳｂＪ：＋、レアメタリック社製 ９
９．９９％試薬） ０．１０５８ｇを内径２００ＩＩＩ
Ｉｌのアルミナ乳鉢に入れ、自動乳鉢において３時間エ
タノール（特級試薬）の存在下で湿式混合した後、その
混合物を１３０℃において乾燥した。その乾燥混合物を
９０ｍｍＸ９０ｍｍのアルミナルツボ（三菱鉱業セメン
ト類、ＤＦＡ−ＰＳ９９）に入れ、これを電気炉に入れ
て１８０°Ｃ／ｈの昇温速度で加熱し、１１５０°Ｃで
２時間仮焼した。
度品） ６８．０７ ｇ、高純度二酸化チタン（ＴｉＯ
□、東邦チタニウム社製） ２９．０１ ｇ、無水炭酸
ストロンチウム（ＳｒＣＯ，、本荘ケミカル社製）２．
６８ｇ、炭酸マンガン（Ｍｎｃｏ３、和光純薬社製９９
．９％）０゜０２０９ ｇ、二酸化ケイ素（ＳｉＯｚ、
東芝セラミックス製 ｕｓ−８５） ０．１０９１ｇ、
酸化アンチモン（ＳｂＪ：＋、レアメタリック社製 ９
９．９９％試薬） ０．１０５８ｇを内径２００ＩＩＩ
Ｉｌのアルミナ乳鉢に入れ、自動乳鉢において３時間エ
タノール（特級試薬）の存在下で湿式混合した後、その
混合物を１３０℃において乾燥した。その乾燥混合物を
９０ｍｍＸ９０ｍｍのアルミナルツボ（三菱鉱業セメン
ト類、ＤＦＡ−ＰＳ９９）に入れ、これを電気炉に入れ
て１８０°Ｃ／ｈの昇温速度で加熱し、１１５０°Ｃで
２時間仮焼した。
その仮焼物を乳鉢で粉砕した後、自動乳鉢においてＰＶ
Ａ（ポリビニルアルコール）２−ｔ％水溶液を約１００
ｃｃとともに３時間部合し、１３０″Ｃで乾燥した。
Ａ（ポリビニルアルコール）２−ｔ％水溶液を約１００
ｃｃとともに３時間部合し、１３０″Ｃで乾燥した。
このようにして得られた乾燥物を乳鉢でよく粉砕し、Ｐ
ＶＡ配合の粉末を成形用成形器（１２，５ｍｍ（径）
Ｘ３５ａｍ （高さ）］に入れ、１ ｔｏｎ ／ｃｒｌ
の加圧下に成形し、その成形物を次の条件において焼成
した。
ＶＡ配合の粉末を成形用成形器（１２，５ｍｍ（径）
Ｘ３５ａｍ （高さ）］に入れ、１ ｔｏｎ ／ｃｒｌ
の加圧下に成形し、その成形物を次の条件において焼成
した。
温度範囲 昇温または降温の条件室温 〜８０
０°Ｃ１４５°ｃ／ｈの昇温８００°Ｃ２時間保持 ８００°Ｃ〜１３６０°Ｃ１５０°Ｃ／ｈの昇温１３６
０″ＣＩ５分間保持 １３６０″Ｃ−１０００″Ｃ３６０℃／ｈの降温１００
０°Ｃ〜５５０°Ｃ２４５°Ｃ／ｈの降温５５０°Ｃ温
度コントロールの終了 室温に冷却した後、錠剤状成形物の円盤面にオーミック
性の銀電極（デグサ社製）を塗布し、５８０゛Ｃにおい
て５分間焼付けて電極を形成し、その電極上にカバー電
極（デグサ社製）を塗布し、さらに５６０℃において５
分間焼付けを行って、チタン酸バリウム磁器半導体の試
料を得た。
０°Ｃ１４５°ｃ／ｈの昇温８００°Ｃ２時間保持 ８００°Ｃ〜１３６０°Ｃ１５０°Ｃ／ｈの昇温１３６
０″ＣＩ５分間保持 １３６０″Ｃ−１０００″Ｃ３６０℃／ｈの降温１００
０°Ｃ〜５５０°Ｃ２４５°Ｃ／ｈの降温５５０°Ｃ温
度コントロールの終了 室温に冷却した後、錠剤状成形物の円盤面にオーミック
性の銀電極（デグサ社製）を塗布し、５８０゛Ｃにおい
て５分間焼付けて電極を形成し、その電極上にカバー電
極（デグサ社製）を塗布し、さらに５６０℃において５
分間焼付けを行って、チタン酸バリウム磁器半導体の試
料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりであった。
のとおりであった。
（Ｂａ、、、 ｑｓＳｒｏ、 ｏｓ ） ＴｉＯ３＋
Ｏ，ＯＯ０５ＭｎＯｚ ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．０
０１０ｓｂ、ｏ３ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域が生じる温度（キュリー点）は１０３
°Ｃであり、抵抗の立ち上がり幅は４．２桁であった。
Ｏ，ＯＯ０５ＭｎＯｚ ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．０
０１０ｓｂ、ｏ３ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域が生じる温度（キュリー点）は１０３
°Ｃであり、抵抗の立ち上がり幅は４．２桁であった。
このとき室温での抵抗率は１４．００Ω・ｌであった。
〔実施例２〕
無水炭酸バリウム（ＢａＣ０ｚ ） ６８．０５ ｇ、
高純度二酸化チタン（ＴｉＯ□） ２９．００ ｇ、無
水炭酸ストロンチウム（５ｒＣＯｚ） ２．６８ｇ、炭
酸マンガン（ＭｎｃＯ：＋ ）０．０２０９ ｇ、二酸
化ケイ素（５ｉＯｚ ） ０．１０９０８、酸化７７＋
モア（５ｂＺＯ３） ０．１３７５ｇｔ−使用したこと
以外は上記実施例１と同様にしてチタン酸バリウム磁器
半導体の試料を得た。
高純度二酸化チタン（ＴｉＯ□） ２９．００ ｇ、無
水炭酸ストロンチウム（５ｒＣＯｚ） ２．６８ｇ、炭
酸マンガン（ＭｎｃＯ：＋ ）０．０２０９ ｇ、二酸
化ケイ素（５ｉＯｚ ） ０．１０９０８、酸化７７＋
モア（５ｂＺＯ３） ０．１３７５ｇｔ−使用したこと
以外は上記実施例１と同様にしてチタン酸バリウム磁器
半導体の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。
のとおりである。
（Ｂａａ、 ｑｓｓｒｏ、 ａｓ ） ＴｉＯ３＋０．
０００５ＭｎＯ２＋０．００５ＳｉＯ２十０．００１３
ＳｂｚＯ３ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域が生じる温度（キュリー点）は１０５
℃であり、抵抗の立ち上がり幅は３．５桁であった。こ
のとき室温での抵抗率は４．９４Ω・１であった。
０００５ＭｎＯ２＋０．００５ＳｉＯ２十０．００１３
ＳｂｚＯ３ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域が生じる温度（キュリー点）は１０５
℃であり、抵抗の立ち上がり幅は３．５桁であった。こ
のとき室温での抵抗率は４．９４Ω・１であった。
〔実施例３〕
無水炭酸バリウム（ＢａＣＯｘ ） ６９．００ ｇ、
高純度二酸化チタン（ＴｉＯ□） ２９．０２ ｇ、無
水炭酸ストロンチウム（５ｒＣＯ：＋ ） ２．６８ｇ
、炭酸マンガン（ＭｎｃＯｓ ）０．０２０９ ｇ、二
酸化ケイ素（５ｉＯｚ ） ０．１０９１ｇ、酸化アン
チモン（ｓｂ、ｏ、 ） ０．０７４１ ｇを使用した
こと以外は上記実施例１と同様にしてチタン酸バリウム
磁器の試料を得た。
高純度二酸化チタン（ＴｉＯ□） ２９．０２ ｇ、無
水炭酸ストロンチウム（５ｒＣＯ：＋ ） ２．６８ｇ
、炭酸マンガン（ＭｎｃＯｓ ）０．０２０９ ｇ、二
酸化ケイ素（５ｉＯｚ ） ０．１０９１ｇ、酸化アン
チモン（ｓｂ、ｏ、 ） ０．０７４１ ｇを使用した
こと以外は上記実施例１と同様にしてチタン酸バリウム
磁器の試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器の原料の配合組成は次のとお
りである。
りである。
（Ｂａｏ、 ｑｓＳｒｏ、 ａｓ ） ＴｉＯ：＋ ＋
Ｏ，ＯＯ０５ＭｎＯｚ ＋〇、 ００５ＳｉＯｚ＋Ｏ
，０Ｏ０７Ｓｂ２０２ この試料の室温での抵抗率は、３．４ ＸＩＯ’Ω・ｌ
であったが、半導体とならず、上記諸特性の測定は不可
能であった。
Ｏ，ＯＯ０５ＭｎＯｚ ＋〇、 ００５ＳｉＯｚ＋Ｏ
，０Ｏ０７Ｓｂ２０２ この試料の室温での抵抗率は、３．４ ＸＩＯ’Ω・ｌ
であったが、半導体とならず、上記諸特性の測定は不可
能であった。
〔実施例４］
無水炭酸バリウム（ＢａＣ０３） ６８．０４ ｇ、高
純度二酸化チタン（Ｔｉ０ｚ ） ２９．００ ｇ、無
水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３） ２．６８ｇ、炭
酸マンガン（ＭｎｃＯｚ ）０．０２０９ ｇ、二酸化
ケイ素（５ｉＯｚ ） ０．１０９０ｇ、酸化アンチモ
ン（５ｂ２ｏ、 ） ０．１５８７ｇを使用したこと以
外は上記実施例１と同様にしてチタン酸バリウム磁器の
試料を得た。
純度二酸化チタン（Ｔｉ０ｚ ） ２９．００ ｇ、無
水炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３） ２．６８ｇ、炭
酸マンガン（ＭｎｃＯｚ ）０．０２０９ ｇ、二酸化
ケイ素（５ｉＯｚ ） ０．１０９０ｇ、酸化アンチモ
ン（５ｂ２ｏ、 ） ０．１５８７ｇを使用したこと以
外は上記実施例１と同様にしてチタン酸バリウム磁器の
試料を得た。
このチタン酸バリウム磁器の原料の配合組成は次のとお
りである。
りである。
（Ｂａａ、 ９ＳｓｒＯ，ｏｓ） ＴｉＯ３＋ ０．０
００５ＭｎＯｚ ＋ ０．００５ＳｉＯｚ＋０．００１
５ＳｂｚＯ＋ この試料は絶縁体化して半導体とならず、上記諸特性の
測定は不可能であった。
００５ＭｎＯｚ ＋ ０．００５ＳｉＯｚ＋０．００１
５ＳｂｚＯ＋ この試料は絶縁体化して半導体とならず、上記諸特性の
測定は不可能であった。
以上より、〔実施例１〕ないし〔実施例４］の結果を整
理すると、第１表に示すようになる。第１表から明らか
なように、半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組
成物に対して酸化アンチモン（５ｂｚＯｓ’）を使用す
ることによって、室温における抵抗率を非常に小さくす
ることができる。また、上記チタン酸バリウム磁器半導
体の５ｂ２０ａ添加量依存性（〔実施例１］ないし〔実
施例３〕の各試料の特性に対応する）は、第１図に示す
ようになる。即ち、第１図に示すように、チタン酸バリ
ウム磁器半導体の５ｂｚＯｚ添加量が０．０７５モル％
よりも小さいか、または０．１４モル％よりも大きい場
合、室温における抵抗率（比抵抗）は大きくなってしま
う。よって、５ｂｚＯｚの添加量は、好ましくは、０．
０７５モル％〜０．１４モル％の範囲であることがわか
る。
理すると、第１表に示すようになる。第１表から明らか
なように、半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組
成物に対して酸化アンチモン（５ｂｚＯｓ’）を使用す
ることによって、室温における抵抗率を非常に小さくす
ることができる。また、上記チタン酸バリウム磁器半導
体の５ｂ２０ａ添加量依存性（〔実施例１］ないし〔実
施例３〕の各試料の特性に対応する）は、第１図に示す
ようになる。即ち、第１図に示すように、チタン酸バリ
ウム磁器半導体の５ｂｚＯｚ添加量が０．０７５モル％
よりも小さいか、または０．１４モル％よりも大きい場
合、室温における抵抗率（比抵抗）は大きくなってしま
う。よって、５ｂｚＯｚの添加量は、好ましくは、０．
０７５モル％〜０．１４モル％の範囲であることがわか
る。
二こで、原料の配合組成の異なる上記各種チタン酸バリ
ウム磁器半導体の試料の諸物性の測定方法を以下に説明
する。
ウム磁器半導体の試料の諸物性の測定方法を以下に説明
する。
（１）キュリー点の測定
チタン酸バリウム磁器半導体の試料を測定用の試料ホル
ダーに取り付け、測定槽（ＭＩＮＩ−５ＩＩＢＺＥＲＯ
にＣ−８１０Ｐ タバイ ニスペック■製）内に装着
して、−５０°Ｃから１９０℃までの温度変化に対する
試料の電気抵抗の変化を直流抵抗計（マルチメーター３
４７８Ａ Ｙ ＨＰ製）を用いて測定した。
ダーに取り付け、測定槽（ＭＩＮＩ−５ＩＩＢＺＥＲＯ
にＣ−８１０Ｐ タバイ ニスペック■製）内に装着
して、−５０°Ｃから１９０℃までの温度変化に対する
試料の電気抵抗の変化を直流抵抗計（マルチメーター３
４７８Ａ Ｙ ＨＰ製）を用いて測定した。
測定により得られた電気抵抗−温度のプロットより、抵
抗値が室温における抵抗値の２倍になるときの温度をキ
ュリー点とした。
抗値が室温における抵抗値の２倍になるときの温度をキ
ュリー点とした。
（２）室温抵抗率の測定
チタン酸バリウム磁器半導体の試料を２５°Ｃの測定槽
において、直流抵抗計（マルチメーター３４７８ＡＹＨ
Ｐ製）を用いて電気抵抗値を測定した。
において、直流抵抗計（マルチメーター３４７８ＡＹＨ
Ｐ製）を用いて電気抵抗値を測定した。
チタン酸バリウム磁器半導体の試料の調製において、電
極塗布前に試料の大きさ（径および厚さ）を測定してお
き、次式により比抵抗（ρ）を算出し、これを抵抗率と
した。
極塗布前に試料の大きさ（径および厚さ）を測定してお
き、次式により比抵抗（ρ）を算出し、これを抵抗率と
した。
ρ＝Ｒ−Ｓ／ｌ
ρ： 比抵抗（抵抗率） 〔Ω・１〕Ｒ： 電気抵抗
の測定値 〔Ω〕 Ｓ： 電極の面積 （ｃ４） ｔ： 試料の厚さ 〔Ω〕 （３）抵抗率の立ち上がり幅の測定 キュリー点の測定の温度変化（−５０℃から１９０”ｃ
＞に対する試料の電気抵抗の変化の測定を、さらに２
００℃を超える温度まで続行し、その抵抗率−温度プロ
ットにおいて、キュリー点における電気抵抗の急激な立
ち上がりのときの抵抗率と、２００°Ｃにおける抵抗率
とを比較して、その桁数の対数比を抵抗率の立ち上がり
幅とした。
の測定値 〔Ω〕 Ｓ： 電極の面積 （ｃ４） ｔ： 試料の厚さ 〔Ω〕 （３）抵抗率の立ち上がり幅の測定 キュリー点の測定の温度変化（−５０℃から１９０”ｃ
＞に対する試料の電気抵抗の変化の測定を、さらに２
００℃を超える温度まで続行し、その抵抗率−温度プロ
ットにおいて、キュリー点における電気抵抗の急激な立
ち上がりのときの抵抗率と、２００°Ｃにおける抵抗率
とを比較して、その桁数の対数比を抵抗率の立ち上がり
幅とした。
なお、本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体は、室
温において抵抗率が小さいので、電流容量の小さい回路
における低抵抗ＰＴＣ素子として使用することができ、
例えば温度ヒユーズスイッチング電源のコンパレータと
しても使用することができる。本発明に係るチタン酸バ
リウム磁器半導体は、上記以外に、電解コンデンサーの
保護回路、カラーＴＶ自動消磁装置、自動車等のモータ
起動装置、電子機器の過熱防止装置、遅延素子、タイマ
、液面計、無接点スイッチ、リレー接点保護装置などに
利用することができる。
温において抵抗率が小さいので、電流容量の小さい回路
における低抵抗ＰＴＣ素子として使用することができ、
例えば温度ヒユーズスイッチング電源のコンパレータと
しても使用することができる。本発明に係るチタン酸バ
リウム磁器半導体は、上記以外に、電解コンデンサーの
保護回路、カラーＴＶ自動消磁装置、自動車等のモータ
起動装置、電子機器の過熱防止装置、遅延素子、タイマ
、液面計、無接点スイッチ、リレー接点保護装置などに
利用することができる。
（以下余白）
第１表
（以下余日）
［発明の効果］
本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法は
、半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対
して０．０７５モル％〜０．１４モル％の５ｂｚＯ３を
使用する構成をなしている。
、半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対
して０．０７５モル％〜０．１４モル％の５ｂｚＯ３を
使用する構成をなしている。
それゆえ、半導体化がより容易に行え、しかもキュリー
点以上の温度において正の抵抗温度係数を有すると共に
、室温での抵抗率をより小さく設定することができるの
で、電流容量の小さい回路中に対応することができる汎
用性に優れた低抵抗ＰＴＣ素子を製造できるという効果
を奏する。
点以上の温度において正の抵抗温度係数を有すると共に
、室温での抵抗率をより小さく設定することができるの
で、電流容量の小さい回路中に対応することができる汎
用性に優れた低抵抗ＰＴＣ素子を製造できるという効果
を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示すものであり、本発明に
係るチタン酸バリウム磁器半導体の比抵抗の酸化アンチ
モン（ＳｂｚＯｘ ）添加量依存性を示す説明図である
。 特許出願人 積水化成品工業株式会社代理人
弁理士 原 謙
係るチタン酸バリウム磁器半導体の比抵抗の酸化アンチ
モン（ＳｂｚＯｘ ）添加量依存性を示す説明図である
。 特許出願人 積水化成品工業株式会社代理人
弁理士 原 謙
Claims (1)
- １．キュリー点移動物質を含むチタン酸バリウム基体組
成物に半導体化剤を加えて焼成してなるチタン酸バリウ
ム磁器半導体の製造方法において、半導体化剤として、
チタン酸バリウム基体組成物に対して０．０７５モル％
〜０．１４モル％のＳｂ＿２Ｏ＿３を使用することを特
徴とするチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
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| JP2121469A JP2839932B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 |
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| JP (1) | JP2839932B2 (ja) |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5147292A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | |
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-
1990
- 1990-05-10 JP JP2121469A patent/JP2839932B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5147292A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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