JPH041741Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH041741Y2 JPH041741Y2 JP1981153269U JP15326981U JPH041741Y2 JP H041741 Y2 JPH041741 Y2 JP H041741Y2 JP 1981153269 U JP1981153269 U JP 1981153269U JP 15326981 U JP15326981 U JP 15326981U JP H041741 Y2 JPH041741 Y2 JP H041741Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light
- disk
- laser beam
- monitor diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、光学式DAD（デジタルオーデイオ
デイスク）システムに好適する光学式デイスクレ
コード再生装置に係り、特に良好に作動し得る半
導体レーザダイオード装置の改良に関する。
デイスク）システムに好適する光学式デイスクレ
コード再生装置に係り、特に良好に作動し得る半
導体レーザダイオード装置の改良に関する。
従来、第１図に示す様にデイスクレコード再生
装置のピツクアツプ部は半導体レーザダイオード
装置９から放射されるレーザ光１０はコリメータ
レンズ１１により平行光１２となり直進する。こ
の平行光１２は紙面に対して平行方向の偏光特性
を持つているので偏光ビームスプリツタ１３を通
り、1/4波長板１４を通過する。この1/4波長板１
４を通過することで、前記平行光１２は平面偏光
から円偏光に変換されて対物レンズ１５を通過
し、デイスク１６の下面を照射する。そして、こ
のデイスク１６で反射されて戻つた光２０は、再
び前記対物レンズ１５を通過して、さらに前記1/
４波長板１４を通過することで紙面に対して垂直
方向の平面偏光に変換される。このため前記戻り
光２０は前記偏光ビームスプリツタ１３で直角に
屈折されて、結像レンズ１６を通過し、フオトデ
イテクタ１７に導びかれ光電変換されて電気信号
を抽出する。前記半導体レーザダイオード装置９
は第２図に示す様に、複数のリード１がステム２
に設けられ、このステム２上の一部にはヒートシ
ンク３が設けられる。このヒートシンク３側面の
上部にはレーザチツプ４が設けられ、前記ステム
２上にはモニタダイオード５が設けられる。この
モニタダイオード５は普通PIN構造をもつたフオ
トダイオードが使用される。このモニタダイオー
ド５と前記ヒートシンク３を囲むように有底筒状
のキヤツプ６の底面には開口部７が設けられる。
この開口部７には前記キヤツプ６の内側よりウイ
ンドグラス８が取付けられる。
装置のピツクアツプ部は半導体レーザダイオード
装置９から放射されるレーザ光１０はコリメータ
レンズ１１により平行光１２となり直進する。こ
の平行光１２は紙面に対して平行方向の偏光特性
を持つているので偏光ビームスプリツタ１３を通
り、1/4波長板１４を通過する。この1/4波長板１
４を通過することで、前記平行光１２は平面偏光
から円偏光に変換されて対物レンズ１５を通過
し、デイスク１６の下面を照射する。そして、こ
のデイスク１６で反射されて戻つた光２０は、再
び前記対物レンズ１５を通過して、さらに前記1/
４波長板１４を通過することで紙面に対して垂直
方向の平面偏光に変換される。このため前記戻り
光２０は前記偏光ビームスプリツタ１３で直角に
屈折されて、結像レンズ１６を通過し、フオトデ
イテクタ１７に導びかれ光電変換されて電気信号
を抽出する。前記半導体レーザダイオード装置９
は第２図に示す様に、複数のリード１がステム２
に設けられ、このステム２上の一部にはヒートシ
ンク３が設けられる。このヒートシンク３側面の
上部にはレーザチツプ４が設けられ、前記ステム
２上にはモニタダイオード５が設けられる。この
モニタダイオード５は普通PIN構造をもつたフオ
トダイオードが使用される。このモニタダイオー
ド５と前記ヒートシンク３を囲むように有底筒状
のキヤツプ６の底面には開口部７が設けられる。
この開口部７には前記キヤツプ６の内側よりウイ
ンドグラス８が取付けられる。
即ち、レーザチツプ４の上端部から放射される
レーザ光１０はデイスク面を照射し、レーザチツ
プ４の下端部から放射されるレーザ光１８はモニ
タダイオード５を照射して、レーザチツプ４の上
端部から放射され、デイスク面を照射するレーザ
光１０の発光出力を一定にすべくフイードバツク
されている。
レーザ光１０はデイスク面を照射し、レーザチツ
プ４の下端部から放射されるレーザ光１８はモニ
タダイオード５を照射して、レーザチツプ４の上
端部から放射され、デイスク面を照射するレーザ
光１０の発光出力を一定にすべくフイードバツク
されている。
又、前記半導体レーザダイオード装置９の他の
例として第３図に示す様にステム２上に傾斜させ
てモニタダイオード５を設け、このモニタダイオ
ード５からの反射光１９がデイスク照射用レーザ
光１０の照射方向に行かないようにしたものであ
る。
例として第３図に示す様にステム２上に傾斜させ
てモニタダイオード５を設け、このモニタダイオ
ード５からの反射光１９がデイスク照射用レーザ
光１０の照射方向に行かないようにしたものであ
る。
しかしながら、デイスク照射用レーザ光の戻り
光が各部品の精度とか、デイスクの屈折率の違い
や複屈折率の違い、そしてレーザ発光波長の変化
等により僅かではあるがモニタダイオードに行く
ことがある。このデイスク照射用レーザ光の戻り
光がモニタダイオードに照射すると本来レーザチ
ツプの下端部からのレーザ光をモニタダイオード
に照射してフイードバツクさせてデイスク照射用
レーザ光の発光出力を一定にしているためデイス
ク照射用レーザ光の発光出力が減少するようにル
ープ系が作動してしまう。又、レーザチツプの下
端部から放射された出力監視用レーザ光がモニタ
ダイオードに照射し、このモニタダイオードで反
射された反射光がレーザチツプの上端部から放射
されたデイスク照射用レーザ光の照射方向に進ん
でデイスク照射用レーザ光が一定とならなくなつ
たりして光学式デイスクレコード再生装置の良好
な作動に悪影響を及ぼす等の問題が起つていた。
また、偏光ビームスプリツタとλ／４波長板１４
のかわりにハーフミラーを用いたピツクアツプ装
置の場合、照射光の10〜30％がデイスク面からの
反射光として、半導体レーザダイオード装置の方
へ戻つてくるため、さらにその悪影響が問題とな
つていた。
光が各部品の精度とか、デイスクの屈折率の違い
や複屈折率の違い、そしてレーザ発光波長の変化
等により僅かではあるがモニタダイオードに行く
ことがある。このデイスク照射用レーザ光の戻り
光がモニタダイオードに照射すると本来レーザチ
ツプの下端部からのレーザ光をモニタダイオード
に照射してフイードバツクさせてデイスク照射用
レーザ光の発光出力を一定にしているためデイス
ク照射用レーザ光の発光出力が減少するようにル
ープ系が作動してしまう。又、レーザチツプの下
端部から放射された出力監視用レーザ光がモニタ
ダイオードに照射し、このモニタダイオードで反
射された反射光がレーザチツプの上端部から放射
されたデイスク照射用レーザ光の照射方向に進ん
でデイスク照射用レーザ光が一定とならなくなつ
たりして光学式デイスクレコード再生装置の良好
な作動に悪影響を及ぼす等の問題が起つていた。
また、偏光ビームスプリツタとλ／４波長板１４
のかわりにハーフミラーを用いたピツクアツプ装
置の場合、照射光の10〜30％がデイスク面からの
反射光として、半導体レーザダイオード装置の方
へ戻つてくるため、さらにその悪影響が問題とな
つていた。
この考案は、上記の問題点を解決するためデイ
スク面に照射されたデイスク照射用レーザ光の戻
り光がモニタダイオードを照射せず、かつモニタ
ダイオードに照射された出力監視用レーザ光の反
射光が、デイスク照射用レーザ光の照射方向に進
まないようにすることにより光学式デイスクレコ
ード再生装置を良好に作動し得る半導体レーザダ
イオード装置を提供することを目的とする。
スク面に照射されたデイスク照射用レーザ光の戻
り光がモニタダイオードを照射せず、かつモニタ
ダイオードに照射された出力監視用レーザ光の反
射光が、デイスク照射用レーザ光の照射方向に進
まないようにすることにより光学式デイスクレコ
ード再生装置を良好に作動し得る半導体レーザダ
イオード装置を提供することを目的とする。
以下図面を参照にして、この考案の実施例を詳
細に説明する。即ち第４図に示す様に複数のリー
ド１０１がステム１０２に設けられ、このステム
１０２上の一部にはヒートシンク１０３が設けら
れる。このヒートシンク１０３側面の上部にはレ
ーザチツプ１０４が設けられ、前記ステム１０２
上にはモニタダイオード１０５が設けられる。前
記ステム１０２の上部には前記ヒートシンク１０
３と前記モニタダイオード１０５を囲むように有
底筒状のキヤツプ１０６が取付けられ、このキヤ
ツプ１０６の底面は前記レーザチツプ１０４に可
能なかぎり近接される。又、前記キヤツプ１０６
の底面には開口部１０７が設けられ、この開口部
１０７は前記レーザチツプ１０４の上端部から放
射されるレーザ光１１０を通すだけの極めて小さ
な開口が光学的に設けられる。さらに前記キヤツ
プ１０６の底面には外側より前記開口部１０７の
上に載置してウインドグラス１０８が取付けられ
る。
細に説明する。即ち第４図に示す様に複数のリー
ド１０１がステム１０２に設けられ、このステム
１０２上の一部にはヒートシンク１０３が設けら
れる。このヒートシンク１０３側面の上部にはレ
ーザチツプ１０４が設けられ、前記ステム１０２
上にはモニタダイオード１０５が設けられる。前
記ステム１０２の上部には前記ヒートシンク１０
３と前記モニタダイオード１０５を囲むように有
底筒状のキヤツプ１０６が取付けられ、このキヤ
ツプ１０６の底面は前記レーザチツプ１０４に可
能なかぎり近接される。又、前記キヤツプ１０６
の底面には開口部１０７が設けられ、この開口部
１０７は前記レーザチツプ１０４の上端部から放
射されるレーザ光１１０を通すだけの極めて小さ
な開口が光学的に設けられる。さらに前記キヤツ
プ１０６の底面には外側より前記開口部１０７の
上に載置してウインドグラス１０８が取付けられ
る。
即ち、レーザチツプ１０４の上下両端部より放
射されるレーザ光１１０，１１８のうち上端部か
ら放射されるデイスク照射用レーザ光１１０がデ
イスク面に前述したような再生装置で照射され、
このデイスク照射用レーザ光１１０の戻り光（図
示せず）のなかで前述した再生装置の各部品の精
度とかデイスクの屈折率の違いや複屈折率の違
い、そしてレーザ発光波長の変化等によりモニタ
ダイオード１０５方向に進む戻り光１２１をキヤ
ツプ１０６で確実に遮断する。又、レーザチツプ
１０４の下端部より放射される出力監視用のレー
ザ光１１８はモニタダイオード１０５に照射さ
れ、この照射された出力監視用レーザ光１１８の
反射光１１９がレーザチツプ１０４の上端部より
放射されるデイスク照射用レーザ光１１０の照射
方向に進むのをやはりキヤツプ１０６で確実に遮
断する。
射されるレーザ光１１０，１１８のうち上端部か
ら放射されるデイスク照射用レーザ光１１０がデ
イスク面に前述したような再生装置で照射され、
このデイスク照射用レーザ光１１０の戻り光（図
示せず）のなかで前述した再生装置の各部品の精
度とかデイスクの屈折率の違いや複屈折率の違
い、そしてレーザ発光波長の変化等によりモニタ
ダイオード１０５方向に進む戻り光１２１をキヤ
ツプ１０６で確実に遮断する。又、レーザチツプ
１０４の下端部より放射される出力監視用のレー
ザ光１１８はモニタダイオード１０５に照射さ
れ、この照射された出力監視用レーザ光１１８の
反射光１１９がレーザチツプ１０４の上端部より
放射されるデイスク照射用レーザ光１１０の照射
方向に進むのをやはりキヤツプ１０６で確実に遮
断する。
なお、この実施例の変形例としてレーザチツプ
のみをキヤツプの開口部内に位置させてもよい。
のみをキヤツプの開口部内に位置させてもよい。
又、この考案によれば上記の実施例に限ること
なく、第５図に示す様にキヤツプ２０６の開口部
２０７内にヒートシンク２０３の上端部及びレー
ザチツプ２０４を位置するように取付け、このレ
ーザチツプ２０４を前記開口部２０７に可能なか
ぎり近接されるように設けてもよい。この様な構
成にすることによりモニタダイオード２０５に照
射された出力監視用レーザ光２１８の反射光２１
９とデイスク面に照射されたデイスク照射用レー
ザ光２１０の戻り光２２１をキヤツプ２０６でよ
り有効に遮断することができる。
なく、第５図に示す様にキヤツプ２０６の開口部
２０７内にヒートシンク２０３の上端部及びレー
ザチツプ２０４を位置するように取付け、このレ
ーザチツプ２０４を前記開口部２０７に可能なか
ぎり近接されるように設けてもよい。この様な構
成にすることによりモニタダイオード２０５に照
射された出力監視用レーザ光２１８の反射光２１
９とデイスク面に照射されたデイスク照射用レー
ザ光２１０の戻り光２２１をキヤツプ２０６でよ
り有効に遮断することができる。
又、他の実施例として第６図に示す様にレーザ
チツプ３０４側のヒートシンク３０３側面部に凹
状の段部３０３1を設け、この段部３０３1の一部
に下に行くに従つて外方向に傾斜する傾斜部３０
３2を設け、この傾斜部３０３2にモニタダイオー
ド３０５を設けてもよい。このように傾斜部３０
３2にモニタダイオード３０５を設けたことでモ
ニタダイオードに照射される出力監視用レーザ光
３１８の反射光３１９がデイスク照射用レーザ光
３１０の照射方向に進むことがなく、かつデイス
ク面に照射されたデイスク照射用レーザ光３１０
の戻り光３２１がモニタダイオード３０５に入射
することがない。
チツプ３０４側のヒートシンク３０３側面部に凹
状の段部３０３1を設け、この段部３０３1の一部
に下に行くに従つて外方向に傾斜する傾斜部３０
３2を設け、この傾斜部３０３2にモニタダイオー
ド３０５を設けてもよい。このように傾斜部３０
３2にモニタダイオード３０５を設けたことでモ
ニタダイオードに照射される出力監視用レーザ光
３１８の反射光３１９がデイスク照射用レーザ光
３１０の照射方向に進むことがなく、かつデイス
ク面に照射されたデイスク照射用レーザ光３１０
の戻り光３２１がモニタダイオード３０５に入射
することがない。
さらに他の実施例として第７図に示す様にレー
ザチツプ４０４側のヒートシンク４０３側面部に
凹状の段部４０３1を設け、この段部４０３1にモ
ニタダイオード４０５を取付ける。そして、この
モニタダイオード４０５の近傍からレーザチツプ
４０４の近傍までの間にアクリル等の樹脂で作ら
れたライトガイド４１１をライトガイド取付台４
１２に載置して設けても上記の実施例と同様の効
果がある。即ち、ライトガイド４１１を設けたこ
とで、モニタダイオード４０５に照射された出力
監視用レーザ光４１８の反射光４１９がデイスク
照射用レーザ光４１０の照射方向に進むことがな
く。又、やはりライトガイド４１１を設けたこと
でデイスク面を照射したデイスク照射用レーザ光
４１０の戻り光４２１がモニタダイオード４０５
に入射することがない。
ザチツプ４０４側のヒートシンク４０３側面部に
凹状の段部４０３1を設け、この段部４０３1にモ
ニタダイオード４０５を取付ける。そして、この
モニタダイオード４０５の近傍からレーザチツプ
４０４の近傍までの間にアクリル等の樹脂で作ら
れたライトガイド４１１をライトガイド取付台４
１２に載置して設けても上記の実施例と同様の効
果がある。即ち、ライトガイド４１１を設けたこ
とで、モニタダイオード４０５に照射された出力
監視用レーザ光４１８の反射光４１９がデイスク
照射用レーザ光４１０の照射方向に進むことがな
く。又、やはりライトガイド４１１を設けたこと
でデイスク面を照射したデイスク照射用レーザ光
４１０の戻り光４２１がモニタダイオード４０５
に入射することがない。
以上述べたように、この考案によればレーザチ
ツプより放射されデイスク面を照射したデイスク
照射用レーザ光の半導体レーザダイオード装置へ
の戻り光がモニタダイオードに入射することがな
く、かつレーザチツプより放射されモニタダイオ
ードに照射された出力監視用レーザ光の反射光が
デイスク照射用レーザ光の照射方向に進むことが
ないことで光学式デイスク再生装置が良好に作動
し得る半導体レーザダイオード装置を提供するこ
とができる。
ツプより放射されデイスク面を照射したデイスク
照射用レーザ光の半導体レーザダイオード装置へ
の戻り光がモニタダイオードに入射することがな
く、かつレーザチツプより放射されモニタダイオ
ードに照射された出力監視用レーザ光の反射光が
デイスク照射用レーザ光の照射方向に進むことが
ないことで光学式デイスク再生装置が良好に作動
し得る半導体レーザダイオード装置を提供するこ
とができる。
第１図は、デイスクレコード再生装置のピツク
アツプ部を示す構成を説明する図、第２図は、従
来の半導体レーザダイオード装置の例を示す断面
図、第３図は、同じく他の例を示す断面図、第４
図は、この考案の一実施例を示す断面図、第５
図，第６図及び第７図は、夫々この考案の他の実
施例を示す断面図である。 １，１０１，２０１，３０１，４０１……リー
ド、２，１０２，２０２，３０２，４０２……ス
テム、３，１０３，２０３，３０３，４０３……
ヒートシンク、４，１０４，２０４，３０４，４
０４……レーザチツプ、５，１０５，２０５，３
０５，４０５……モニタダイオード、６，１０
６，２０６，３０６，４０６……キヤツプ、７，
１０７，２０７，３０７，４０７……開口部、
８，１０８，２０８，３０８，４０８……ウイン
ドグラス、９……半導体レーザダイオード装置、
４１１……ライトガイド、４１２……ライトガイ
ド取付台。
アツプ部を示す構成を説明する図、第２図は、従
来の半導体レーザダイオード装置の例を示す断面
図、第３図は、同じく他の例を示す断面図、第４
図は、この考案の一実施例を示す断面図、第５
図，第６図及び第７図は、夫々この考案の他の実
施例を示す断面図である。 １，１０１，２０１，３０１，４０１……リー
ド、２，１０２，２０２，３０２，４０２……ス
テム、３，１０３，２０３，３０３，４０３……
ヒートシンク、４，１０４，２０４，３０４，４
０４……レーザチツプ、５，１０５，２０５，３
０５，４０５……モニタダイオード、６，１０
６，２０６，３０６，４０６……キヤツプ、７，
１０７，２０７，３０７，４０７……開口部、
８，１０８，２０８，３０８，４０８……ウイン
ドグラス、９……半導体レーザダイオード装置、
４１１……ライトガイド、４１２……ライトガイ
ド取付台。
Claims (1)
- ステム部に設けられウインドを有するキヤツプ
と、このキヤツプ内に設けられ前記ウインドを通
してデイスク照射用レーザ光をデイスク面に照射
するレーザチツプと、前記キヤツプ内に設けられ
前記レーザチツプからの出力監視用レーザ光が照
射され、この照射されたレーザ光の反射光が前記
デイスク照射用レーザ光の照射方向に反射され
ず、かつ前記デイスク面からの戻り光が照射され
ないように設けられたモニタダイオードとを具備
することを特徴とする半導体レーザダイオード装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15326981U JPS5858368U (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 半導体レ−ザダイオ−ド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15326981U JPS5858368U (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 半導体レ−ザダイオ−ド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858368U JPS5858368U (ja) | 1983-04-20 |
| JPH041741Y2 true JPH041741Y2 (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=29945890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15326981U Granted JPS5858368U (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 半導体レ−ザダイオ−ド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858368U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL181963C (nl) * | 1979-06-26 | 1987-12-01 | Philips Nv | Halfgeleiderlaserinrichting. |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP15326981U patent/JPS5858368U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5858368U (ja) | 1983-04-20 |
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