JPH04174594A - 配線回路板のスルーホール形成方法 - Google Patents

配線回路板のスルーホール形成方法

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JPH04174594A
JPH04174594A JP19324990A JP19324990A JPH04174594A JP H04174594 A JPH04174594 A JP H04174594A JP 19324990 A JP19324990 A JP 19324990A JP 19324990 A JP19324990 A JP 19324990A JP H04174594 A JPH04174594 A JP H04174594A
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隆児 大谷
Yasushi Masaki
康史 正木
Shusuke Matsumura
松村 周介
Takahiro Miyano
宮野 孝広
Keimei Kitamura
啓明 北村
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、配線回路板のスルーホール形成方法に関し
、詳しくは、半導体素子の搭載基板等として利用される
配線回路板の製造において、配線回路板の表裏を貫通す
る導体構造であるスルーホールを形成する方法に関する
ものである。
〔従来の技術〕
配線回路板のうち、特に微細かつ高品質な配線回路が必
要となる半導体素子の搭載基板等には、従来のメツキ法
等に代えて、真空層着やスパッタリング等の薄膜形成手
段で導体膜その他の機能性膜を形成する方法が提案され
ている。
このi膜形成手段による膜の形成は、セラミック基板に
対して比較的容易に導体膜が形成できることや、導体膜
だけでなく絶縁体や抵抗体、誘電体等の各種機能性膜も
同様の方法で膜形成できること、不純物の少ない高品質
の膜を形成できること、基板表面と導体膜との接合面に
おける表面粗さを細かくできることにより表皮抵抗の小
さな高周波特性に優れた配線回路板が製造できること等
の利点を有している。
前記のようなi膜形成手段で配線回路板の導体膜を形成
する場合、基板の表裏面の配線回路を接続したり各種素
子部品の搭載に利用する、いわゆるスルーホールの形成
については、基板の表面に導体膜を形成するのと同じ工
程で、スルーホール用孔の内面にも導体膜を形成させる
ようにしている。
例えば、スパッタリング法では、第12図に示すように
、処理室1内で、基板2の表面と対向する位置に一定の
距離(通常、数10n以上)をおいて設置されたカソー
ド3上に、Cu等の導体材料からなるターゲット4を装
着しておき、処理室1内を真空排気口5に接続された真
空ポンプ(図示せず)で真空排気するとともに、同じく
処理室1に設けられた供給口6からArガス等を導入し
、カソード3に電圧を印加してターゲット4をプラズマ
化させ、基板2の表面にターゲット4の導体材料を堆積
させて膜形成する。基板2にスルーホール用孔2aを形
成しておけば、このスルーホール用孔2aの内面にも導
体材料が堆積するので、基板2表面の導体膜と同時にス
ルーホールも形成されるというものである。上記説明は
スパッタリング法に関するものであるが、真空蒸着法等
の薄膜形成手段でも、基本的には同様の処理方法でスル
ーホールが形成される。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記したような、従来の薄膜形成手段による
スルーホールの形成方法では、スルーホール用孔の内面
に十分な厚みの導体膜が形成されず、スルーホールの品
質性能に劣るという問題があった。
これは、以下に説明するような原因によるものと考えら
れる。
前記N1J12図に示したような従来の処理方法では、
ターゲット4と対面する基板2の前面に対して、はぼ均
等に導体材料が到達する。したがって、スルーホール用
孔2aの内部まで到達する導体材料の量は、ターゲット
4に対面するスルーホール用孔2aの端面に到達する導
体材料の量に等しいかそれ以下になる。
そこで、第13図に示すように、基板2の厚みT、基板
2の表面に形成された導体膜4aの厚みto、スルーホ
ール用孔2aの内径d1スルーホール用孔2aの内面に
均一な厚みの導体膜が形成されたとしたときの導体g1
4bの厚みtとして、これらの関係を求めると、下式の
ようになる。
π(d/2)”ts=πd(T+to)t・・・(11
(11式を近似すると、 tζdt、/4  (T+t、)・・・(2)(2)式
で、例えば、T=0.635、to=o、olと仮定し
て、dを変化させたときのtおよびt/l、の値を求め
た結果を下記第1表に示す。
第1表 上記表の結果をみれば、基板表面の導体膜4aの厚さt
oに比べて、スルーホール内面の導体膜4bの厚さtが
非常に薄く、しかも、スルーホール用孔2aの内径dが
小さくなるほど、スルーホール内面の導体膜4bの厚さ
i 7)<薄くなってしまうことが判る。例えば、d/
Tが1以下になると、基板表面の導体膜4aの厚さt。
の2割以下の厚みしか形成されないことになる。
このように、従来の処理方法では、スルーホール用孔2
aの内壁に十分な厚さの導体膜を形成するのが極めて困
難である。
さらに、第14図に示すように、ターゲット4から基板
2のスルーホール用孔2aの内面に到達する導体材料は
、ターゲット4に近いスルーホール用孔2aの入口側に
堆積し易く、ターゲット4に遠いスルーホール用孔2a
の奥側まで到達する導体材料の割合が少なくなってしま
うという問題もある。そのため、スルーホール用孔2a
の内面で、場所によって導体膜4bの厚みに差が出来、
入口側に比べて奥側の厚みが薄くなってしまい、結果と
してスルーホールの抵抗値が大きくなってしまったり、
場合によっては、導通不良を起こすこともある。
そこで、この発明の課題は、導体膜の品質性能に優れた
薄膜形成手段による配線回路板のスルーホール形成方法
において、スルーホール用孔の内面に形成される導体膜
の厚みを内面全体にわたって十分に確保でき、導通抵抗
が小さく導通不良を起こす心配もない高品質なスルーホ
ールを形成する方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決する、この発明にかかる配線回路板のス
ルーホール形成方法は、基板に設けられた個々のスルー
ホール用孔に近接して導体材料源を配置し、この導体材
料源を蒸発させてスルーホール用孔の内面に被着させる
基板としては、配線回路板の用途に合わせて、セラミッ
クス、ガラス、合成樹脂、その他の材料からなる通常の
配線回路板用の基板材料が自由に使用できる。基板には
、通常の加工手段でスルーホール用孔を形成しておく。
スルーホール用孔の口径やアスペクト比等は自由に設定
できる。
導体材料源としては、Cu、Au等、通常の配線回路板
で用いられている各種金属あるいは金属化合物等からな
る導体材料のうち、放電や通電加熱等により蒸発させて
膜形成させることが可能な材料を用いる。
導体材料源は、基板に形成された個々のスルーホール用
孔毎に、スルーホール用孔に近接して配置する。すなわ
ち、導体材料源から蒸発させた導体材料が、個々のスル
ーホール用孔の内面全体に容易に到達することができる
ように、スルーホール用孔の内部空間、あるいは、スル
ーホール用孔の両側端面のすぐ外側等に導体材料源を配
置するものとする。
導体材料源を蒸発させてスルーホール用孔の内面に被着
させる手段としては、基本的には通常のi膜形成手段と
同様の原理もしくは機構が通用できるが、スルーホール
用孔の内面に良好な導体膜を形成させるために以下の構
成をとるのが好ましい。
まず、導体材料源として、導体材料からなる一対の放電
電極をスルーホール用孔を挟んで基板の両側に配置し、
減圧雰囲気下において、前記一対の放電電極間に電圧を
印加し放電させることによって導体材料からなる放電電
極を蒸発させる方法が採用できる。
導体材料からなる一対の放電電極は、互いの間で放電し
易いように、放電電極の対向する先端を、鋭角状または
針状に尖らせておくことが好ましい。また、放電電極同
士の間隔が短いほど放電が起こし易いので、放電電極を
出来るだけ基板もしくはスルーホール用孔に近づけて配
置しておくのが好ましく、具体的には、放電電極と基板
表面との間隔を約1日以下に設定する。放電電極は、電
極全体を基板の両側外部に配置しておくほか、対向する
放電電極と接触しない程度に、放電電極の一部がスルー
ホール用孔の内部に入り込んで配置されるようになって
いてもよい、放電電極は放電により導体材料が消費され
て減っていくので、同じ放電電極を用いて繰り返し処理
を行う場合は、必要に応じて、導体材料が減った分だけ
放電電極の位置を調整したり、放電電極の形状を修正し
たりすればよい。
放電電極に電圧を印加して放電させる際には、基板およ
び放電電極が収容された処理室の雰囲気を減圧雰囲気下
におくことによって、放電し易くなるとともに、スルー
ホール用孔の内面に良好な導体膜が形成される。具体的
に減圧雰囲気下とは、処理室内を真空排気するとともに
、処理室内にArガス等の不活性ガスを導入して、この
不活性ガス圧が数Torr〜数IQT′orrの間にな
るように設定しておくのが好ましい。具体的な不活性ガ
ス圧の設定は、いわゆるバフジエンの法則を考慮するな
どして、通常の薄膜形成方法と同様に行うことができる
放電電極に印加する電圧は、処理開始時は放電電極に放
電を起こさせるのに十分な放電開始電圧以上の電圧に設
定しておき、放電が開始されれば、放電アークが拡がっ
て基板等にダメージを与えないように、印加電圧を下げ
て、放電を維持するのに必要な放電維持電圧で放電を行
わせるのが好ましい。放電維持電圧としては、スルーホ
ール用孔の内径や雰囲気のガス圧、放電電極間の間隔等
の諸条件によっても異なるが、通常、数10V程度が好
ましい。
基板に多数のスルーホール用孔が設けられている場合、
一対の放電電極のみを用いて、各スルーホール用孔の位
置に放電電極を移動させて、放電による導体膜の形成を
行ってもよいが、各スルーホール毎に別々の複数組の放
電電極を用いてもよい。複数組の放電電極を使用する場
合、各スルーホール用孔毎に独立した一対の放電電極お
よびこれに電圧を印加するための配線回路と電源を設け
ておいてもよいし、複数組の放電電極をひとつの電源に
つながる配線で電圧印加してもよい。複数のスルーホー
ル用孔に配置された放電電極には、基板全体で、同時に
電圧を印加してスルーホール用孔の内面に導体膜を形成
させれば能率的に処理が行える。複数組の放電電極に同
じ電源から順次配線を切り換えて電圧を印加するように
すれば、電源の容量が小さくても処理することが可能に
なる。
また、多数の鋭角な尖端部が並設された一対の放電電極
に電圧を印加しながら、放電電極の対向面と平行に基板
を相対移動させれば、放電電極の尖端部同士の間をスル
ーホール用孔が通過する際に、放電電極間の最短経路を
構成するスルーホール用孔を通して放電が起こり、その
部分のスルーホール用孔内面に導体膜が形成される。通
常、放電電極間の最短経路を構成するスルーホール用孔
は、対向する放電電極の尖端部を結ぶ線がスルーホール
用孔の中心軸に一致するものである。したがって、基板
の通過に伴って、放電電極間の最短経路を構成するスル
ーホール用孔が順番に移動していくことになるので、複
数のスルーホール用孔の全てに連続的に導体膜を形成す
ることができるつぎに、上記した放電を利用する方法と
は異なる方法について説明する。すなわち、導体材料源
として、導体材料からなる細線をスルーホール用孔に貫
挿配置し、真空雰囲気下において、前記導体材料細線に
通電することによって導体材料細線を蒸発させる方法で
ある。
導体材料細線は、前記した導体材料源となる材料を用い
る他は、通常の配線用導線と同様の手段で製造できる。
線径は、少なくともスルーホール用孔に貫挿可能な太さ
以下であるとともに、導体材料が専売してスルホール用
孔の内面に堆積被着したときに、十分な厚みの導体膜を
構成できるだけの導体材料を供給できる太さを有してい
なければならない。具体的な線径は、スルーホールの目
的や要求性能等によっても異なるが、通常の条件では、
下式によって決定される線径d1程度が好ましい。
d、=2召こr石普i−口・・・(3)k :補正係数 dt ニスルーホール用孔内径 t :導体膜の所要膜厚 補正係数には、処理条件により実験または経験等に基づ
いて求めた値を用いる。
導体材料細線は、スルーホール用孔に貫挿配置した状態
で通電できるように配線し電源に接続する。導体材料細
線は、スルーホール用孔の内部のみ、もしくは、内部と
両端外部近傍に存在していればよいので、導体材料細線
には基板の外部で通常の配線用導体を接続しておく。こ
の配線用導体は、導体材料細線とは異なり、通電したと
きに蒸発してしまわないような材料および線径からなる
ものを用いるのが好ましい。
導体材料細線に通電する電流は、導体材料細線を短時間
で蒸発させてスルーホール用孔の内面に被着できるよう
に、比較的大電流を流すのが好ましい。例えば、線径0
.1fiの銅線の場合、約5OA以上の電流を流せば、
約0.1秒以内に導体膜の形成が行える。導体材料細線
に通電して、導体材料細線が完全に蒸発すれば、それ以
後は電流は流れなくなる。
導体材料細線に通電する際の雰囲気は、真空雰囲気で行
う。一般に、真空度が高いほど導体材料細線の蒸発およ
び導体膜の形成が良好に行われ、高品質の導体膜が形成
できるが、実用性や生産性等をも考慮して、通常の薄膜
形成方法で採用されている程度の真空度で行えばよい。
多数のスルーホール用孔を備えた基板にスルーホールを
形成する場合、各スルーホール用孔毎に貫挿配置した導
体材料細線に対して、同時に通電して一斉に導体膜を形
成させれば能率的に作業が行える。また、配線を順次切
り換える等して、複数の導体材料細線に順番に通電して
いくようにすれば、比較的容量の小さな電源でも処理で
きるようになる。
さらに、多数のスルーホール用孔に貫挿配置されたそれ
ぞれの導体材*4at線の一端を、全て結線してアース
電位等の同電位に保っておくとともに、導体材料細線の
他端は、それぞれ開放状態にしておき、電源に接続され
た接触子を走査して、それぞれの導体材料細線の他端に
順次接触させて、その部分の導体材料細線に電流を流す
ようにすれば、多数のスルーホール用孔に簡単かつ能率
的に導体膜を形成することができる。
上記方法では、導体材料細線すなわち導体材料源自体に
通電して蒸発させたが、つぎに述べるように、導体材料
とは別に通電により発熱する発熱線を用いて、導体材料
を間接的に加熱して蒸発させることもできる。
すなわち、通電により発熱する発熱線の外周に導体材料
源となる導体材料層が被覆形成された導体材料被覆発熱
線をスルーホール用孔に貫挿配置し、真空雰囲気下にお
いて、前記発熱線に通電することによって導体材料層を
蒸発させることができる。
発熱線には、タングステン線等、通電により効率的に発
熱するが、導体材料源のように蒸発してしまうことはな
い線材を用いる。この発熱線の外周に、前記したような
導体材料を一定の厚みで被覆して導体材料層を形成し、
導体材料被覆発熱線とする。導体材料被覆発熱線の両端
には、電流を供給するための通常の配線用導線が接続さ
れて、発熱線に通電できるようにしてお(。発熱線を覆
う導体材料層の厚みは、導体材料被覆発熱線の外形がス
ルーホール用孔に貫挿できる太さ以下になるとともに、
前記した(3)式で求められる導体材料細線の線径に相
当する程度の量の導体材料が供給できるように設定して
おく。
導体材料被覆発熱線のスルーホール用孔への配置方法や
、真空雰囲気の設定方法、通電方法等は、前記した導体
材料細線を用いる場合と同様でよい。
この方法では、スルーホール用孔に導体膜が形成された
後も、スルーホール用孔には発熱線が残っているので、
処理後に発熱線を基板から取り外す必要がある。
以上に説明したこの発明にかかるスルーホール形成方法
では、基板に形成する導体膜のうち、スルーホール用孔
内面の導体膜のみが形成されるので、基板の表面の導体
膜については、従来の通常のat膜形成手段による導体
膜の形成方法を通用すればよい。スルーホール用孔内面
の導体膜形成工程と、基板表面の導体膜形成工程は、ど
らちを先に行ってもよい。また、処理雰囲気等の処理条
件を合わせることができれば、基板表面から離れた位置
に配置した導体材料ターゲ7)による基板表面への均一
な導体膜の形成と、個々のスルーホール用孔に近接して
配置された導体材料源によるスルーホール用孔内面への
導体膜形成を、同時に行うことも可能である。
基板の1枚毎に、導体材料源の配置および通電を行って
スルーホール用孔に導体膜を形成させてもよいが、スル
ーホール用孔の位置が同じであれば、複数枚の基板を重
ねたままで、各スルーホール用孔の内部または基板の両
側に導体材料源を配置して、複数枚の基板で連通したス
ルーホール用孔に同時に導体膜を形成させることもでき
る。
〔作  用〕
基板に設けられた個々のスルーホール用孔に近接して導
体材料源を配置し、この導体材料源を蒸発させてスルー
ホール用孔の内面に被着させると、個々のスルーホール
用孔の内面に必要な量の導体材料が確実に供給され、ス
ルーホール用孔の内面に十分な厚みの導体膜が形成でき
る。
すなわち、配線回路板に対する従来の導体膜形成方法で
は、基板全体に平均して導体膜を形成させるために、導
体材料源(ターゲット)を基板から一定の距離だけ離し
た状態で処理を行っていたので、基板表面には均一な厚
みの導体膜が形成されるが、狭いスルーホール用孔の内
面には十分な厚みの導体膜が形成されず、特にスルーホ
ール用孔の奥まで導体膜を形成することができなかった
これに対し、この発明のように、個々のスルーホール用
孔に近接して導体材料源を配置しておけば、狭く深いス
ルーホール用孔に対しても、内面全体に十分な量の導体
材料を供給することができ、スルーホール用孔の内面全
体に均一で十分な厚みの導体膜を形成できるのである。
さらに、スルーホール用孔を挟んで基板の両側に配置さ
れた導電材料からなる一対の放電電極に電圧を印加し放
電させることによって導体材料を蒸発させるようにすれ
ば、スルーホール用孔を貫通する放電が起こるので、放
電によって蒸発させられた導体材料が放電経路に沿って
スルーホール用孔の内部に確実に供給される。その結果
、スルーホール用孔の内面全体に均一な導体膜が形成さ
れることになる。導体材料からなる放電電極は、基板の
両側に配置しておくだけで、個々のスルーホール用孔の
内部には何も設けておかなくてよいので、処理作業が簡
単かつ能率的に行える。また、このことにより、放電電
極と基板とを相対的に移動させながら、多数のスルーホ
ール用孔に連続的に導体膜を形成することもでき、処理
の自動化あるいは連続工程化も可能である。
つぎに、スルーホール用孔に貫挿配置した導体材料細線
に通電して、導体材料細線自体を発熱させて蒸発させれ
ば、スルーホール用孔の内部で導体材料細線から周囲の
スルーホール用孔内面゛に確実かつ均等に導体材料が供
給されるので、均一な厚みの導体膜を効率良く形成する
ことができる。
導体材料細線が蒸発してしまえば、スルーホール用孔の
内部には何も存在しなくなるので、スルーホール用孔に
導体膜が形成された基板を直ちに取り出して、次の工程
に移すことができる。
つぎに、導体材料被覆発熱線を用いれば、発熱線の発熱
により導体材料層を効率的に加熱蒸発させることができ
、容量の小さな電源でも効率的に導体膜を形成させるこ
とができ、導体膜の形成能率を高め、作業時間の短縮化
を図ることができる〔実 施 例〕 ついで、この発明の実施例について、図面を参照しなが
ら、以下に詳しく説明する。
第1図〜第4図は、導体材料源を放電によって蒸発させ
る方法を示している。
まず、第1図に基本的な構成およびその動作原理を示し
ている。
セラミンク等からなる基板10には、所定内径のスルー
ホール用孔12が貫通形成されている。
このスルーホール用孔付基板を、内部空間の雰囲気を制
御できる処理室20に収容する。処理室20は、図示し
ないが、真空排気口を経て真空ポンプが接続されており
、Arガス等の供給口にはガス供給源が接続されている
。具体的な処理室2゜の構造は、通常の薄膜形成手段に
用いる処理室と同様のものである。
基板10の両側には、スルーホール用孔12を挟んで、
Cu等の導体材料からなる一対の放電電極30.30が
配置される。放電電極30.30は対向する先端を鋭角
に尖らせてあり、この先端から放電が起こり易くなって
いる。放電電極3゜、30の先端は、基板1oの両面か
ら1鶴以内に近接して配置されており、先端同士を結ぶ
線が、スルーホール用孔12の中心軸と一致するように
配置されている。放電電極30.30には配線42を経
て直流電源40が接続されている。電源は、通常直流電
源が用いられるが、その信置周波電源等を使用すること
もできる。以下の各実施例においても直流電源のみに限
定されるものではない処理室20を真空排気して、Ar
ガスを導入することによって、処理室20をArガスが
存在する減圧雰囲気に保つ。この状態で、放電電極30
.30間に数10V程度の電圧を印加すると、放電電極
30.30間に放電が発生するとともに、放電電極30
.30を構成する導体材料が蒸発し、放電経路に沿って
スルーホール用孔12の内部に導体材料が供給され、ス
ルーホール用孔12の内面に導体材料が被着されて導体
膜が形成されるつぎに、第2図は、多数のスルーホール
用孔12が設けられた基板10にスルーホールを形成す
る場合を示している。なお、以下の実施例では、処理室
20の構成については図示を省略している基板10の各
スルーホール用孔12の両側に、断面が鋭角二等辺三角
形状をなす一対の放電電極30.30が設けられており
、各放電電極30゜30に接続された配線42は、切り
換えスイッチ43を経て直流電源40に接続されている
。切り換えスイッチ43を切り換えながら、それぞれの
放電電極30.30に順番に電流を流していくと、電流
を流した部分の放電電極30.30間に放電が起こり、
放電が起こった場所のスルーホール用孔12の内面に導
体[9!32が形成される。この実施例では、直流電源
40は、1個所の放電電極30.30に放電を起こさせ
るだけの容量があればよいので、比較的小容量の電源で
処理することができる。
第3図に示す実施例は、先端の尖った針状の放電電極3
0.30を用いるとともに、各放電電極30.30毎に
別の直流電源40に接続された配線42と断接スイッチ
44を備えている。このように、個々の放電電極30.
30毎に別の電源を用いれば、個々の電源容量は小さく
て済む。丈た、各断接スイッチ44を同時に接続すれば
、複数組の放電電極30.30に同時に放電を起こさせ
て、各スルーホール用孔12に一斉に導体膜を形成させ
ることができ、作業能率が良い。また、各断接スイッチ
44を順番に接続していって、各スルーホール用孔12
4′こ順番に導体膜を形成させるようにすることもでき
る。
第4図に示す実施例では、放電電極30.30の対向面
が、多数の尖った先端すなわち尖端部を密接配置して、
いわゆる鋸歯状に形成されている。このような放電電極
30.30に電流を流すと、個々の対向する尖端部34
.34同土のうち、最も放電経路が短くて済む個所で放
電が起こることになる。そこで、放電電極30.30間
の基板10を、放電電極30.30の対向面と平行に移
動させると、基板10のうち何れかのスルーホール用孔
12の中心軸が、放電電極30.30の何れかの尖端部
34.34を結ぶ線に一致した段階で、その部分の尖端
部34.34に放電が起こってスルーホール用孔12に
導体膜が形成される。
尖端部34.34の位置からスルーホール用孔12が移
動してしまえば、この部分における放電は終了して、4
1kの部分で新たな放電が始まる。このようにして、基
板10全体のスルーホール用孔12に対して、順次放電
による導体膜の形成が行われる。
上記実施例では、スルーホール用孔12の位置に合わせ
て放電電極30.30を配置しておく必要がなく、また
、スルーホール用孔12毎に切り換えスイッチを切り換
える必要もなくなり、簡単かつ確実に全てのスルーホー
ル用孔12に対する導体膜の形成が行える。したがって
、基板10の構造やスルーホール用孔12の設計が変更
されても、放電電極30.30等の構造は共通のままで
使用することが可能になる。なお、前記説明では、放電
電極30.30を固定して、基板10側を移動させたが
、逆に、基板10を固定して放電電極30.30側を移
動させても同様の機能が果たせる。
つぎに、第5図〜第8図は、導体材料細線を用いる方法
を示しており、まず、第5図に基本的な構成およびその
動作原理を示している。なお、前記実施例と共通する部
分については、同じ符号を付けるとともに重複する説明
は省略する。
処理室20の内部で、基板10のスルーホール用孔12
の内部を貫挿して、導体材料細線50が配置されており
、導体材料細線50の両端は基板10の両側外部で、直
流電源40につながる配線42に接続されている。導体
材料細線5oは、スルーホール用孔12の中心位置に配
置しておくと、スルーホール用孔12の全内周に均一な
導体膜が形成できる。導体材料細線500両端に接続さ
れた配線42.42を適当な手段(図示せず)で支持し
ておくことによって、導体材料細線5oを所定位置に維
持しておくことが好ましい。
処理室20を真空雰囲気にした後、導体材料細線50に
大きな電流を流すと、導体材料細1J150自身が発熱
して蒸発することになる。蒸発した導体材料は、回りを
囲むスルーホール用孔12の内面に被着するので、スル
ーホール用孔12の内面に導体膜が形成される。導体材
料が蒸発すれば、導体材料細線50は消滅するので、ス
ルーホール用孔12の内部には何も残らない。したがっ
て、上記処理工程が終了し、スルーホール用孔12に導
体膜が形成された基板10は、直ちに取り出して次の工
程に移動させることができる。
第6図に示すように、基板10に多数のスルーホール用
孔12が設けられている場合は、各スルーホール用孔1
2毎に導体材料細線50を貫挿配置し、各導体材料細線
50につながる配線42と電源40の間に切り換えスイ
ッチ43を設けておけば、前記第2図の実施例と同様に
、各スルーホール用孔12の導体材料細線50に順番に
通電して導体膜を形成させることができる。なお、第6
図〜第8図に示す実施例では、処理室20の構成につい
ては図示を省略している。
第7図に示すように、複数のスルーホール用孔12に貫
挿配置した全ての導体材料細線50を、配線42でひと
つの電源40に接続しておき、1個所の断接スイッチ4
4で全ての導体材料細線50に通電すれば、全てのスル
ーホール用孔12に一斉に導体膜を形成することができ
る。
第8図に示す実施例では、スルーホール用孔12に貫挿
配置した導体材料細線5oの下端を、支持電極54に固
定し、この支持電極54がら配線42を経て直流電源4
0に接続している。導体材料細線50の上端は、基板1
oの上方に突出した状態で開放されている。基板1oの
上方には先端が尖った接極子52が基板1oと平行な方
向に移動自在に設けられている。接極子52は、配線4
2を経て前記直流電源40に接続されている。
このような状態で、第8図の上図から下図に示すように
、接極子52を水平方向に移動させると、接極子52が
導体材料細線5oの上端に接触した時点で、その部分の
導体材料細線5oに電流が流れ、導体材料細線50が発
熱蒸発して、スルーホール用孔12の内面に導体膜32
が形成される。接極子52が移動するにつれて、つぎつ
ぎと別の導体材料細線50に接触することになり、各導
体材料細線50に順番に電流を供給して発熱蒸発させ、
スルーホール用孔12に導体膜を形成することができる
。すなわち、接極子52を基板10に沿って走査するこ
とにより、各溝体材料細線50に順番に電流を供給して
スルーホール用孔12に導体膜32を形成できるのであ
る。
上記実施例では、切り襖えスイ・7チを操作することな
く、接極子52を移動走査させるだけで自動的に電流の
供給を切り換えることができる。
つぎに、第9図〜第11図には、導体材料被覆発熱線を
用いる方法を示している。
まず、第9図に基本的な構成およびその動作原理を示し
ている。なお、前記実施例と共通する部分については、
同じ符号を付けるとともに重複する説明は省略する。
前記方法では、スルーホール用孔12に導体材料細線5
0を貫挿配置したが、この方法では、スルーホール用孔
12に導体材料被覆発熱線60を配置しておく。導体材
料被覆発熱線60は、タングステン線等からなる発熱線
62を中心にして、その外周に前記同様の導体材料から
なる被覆層64を形成したものである。発熱線62の両
端は被覆された導体材料層64から露出していて、直流
電源40につながる配線42に接続されている。
処理室20内を真空雰囲気にした状態で、発熱線62に
電流を流すと、発熱線62が発熱して導体材料層64を
加熱蒸発させる。蒸発した導体材料は回りを囲むスルー
ホール用孔12内面に被着して導体膜を形成する。導体
材料が蒸発すれば、導体材料層64は消滅するが、発熱
線62は残っているので、発熱線62への通電を遮断し
て、発熱線62をスルーホール用孔12から撤去する。
第10図は、多数のスルーホール用孔12を備えた基板
10にスルーホールを形成する場合であり、各スルーホ
ール用孔12に貫挿配置された導体材料被覆発熱線60
を、配線42を経て1個所の直流電源40に接続してお
き、断接スイッチ44で一斉に通電できるようにしてい
る。また、第11図の示す実施例では、各導体材料被覆
発熱線60の配線42を切り換えスイッチ43を経て電
源40に接続しており、切り換えスイッチ43の操作で
、多数の導体材料被覆発熱線60に順番に通電して、ス
ルーホール用孔12に順番に導体膜66を形成するよう
になっている。直流電源40の容量に余裕があれば、第
10図に示す実施例のように一斉に通電する方法が作業
能率が高い。また、第11図に示す実施例では、小容量
の直流電源40でも実施可能である。
〔発明の効果〕
以上に述べた、この発明にかかる配線回路板のスルーホ
ール形成方法によれば、基板に設けられた個々のスルー
ホール用孔に近接して導体材料源を配置し、この導体材
料源を蒸発させてスルーホール用孔の内面に被着さセる
ことにより、スルーホール用孔に十分な厚みの導体膜を
確実に形成させることができる。また、スルーホール用
孔の入口側と奥側で厚みの違いが生じることも無くなり
、均一な厚みの導体膜が形成できる。
その結果、従来の薄膜形成手段によるスルーホール形成
方法では、どうしても作製できなかった、均一かつ十分
な厚みの導体膜を備えたスルーホールを形成できること
が可能になり、抵抗が少なく導通不良を起こす心配もな
い極めて品質性能に優れたスルーホールを備えた配線回
路板を提供で ′きるようになる。なお、この発明にか
かる方法は、従来の真空蒸着法やスパッタリング法その
他の しいわゆるi膜形成手段と同様の原理に基づく導
体膜の形成方法であるから、従来のメツキ法等に比べて
、緻密で密着強度が高(電気特性に優れている等の薄膜
形成手段による導体膜の利点を備えていることは言うま
でもない。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のうち放電電極を用いる方法の実施例
を示す概略構成図、第2図は全体構造図、第3図および
第4図はそれぞれ別の実施例を示す全体構造図、第5図
は導体材料細線を用いる方法の実施例を示す概略構成図
、第6図は全体構造図、第7図および第8図はそれぞれ
別の実施例を示す全体構造図、第9図は導体材料被覆発
熱線を用いる方法を示す概略構成図、第10図および第
11図はそれぞれ別の実施例を示す全体構造図、第12
図は従来例を示す概略構造図、第13図は導体膜の厚さ
を示す拡大断面図、第14図は実際に形成される導体膜
の状態を示す拡大断面図である。 10・・・基板 12・・・スルーホール用孔 20・
・・処理室 30・・・放電電極 40・・・直流電源
 42・・・配線 50・・・導体材料細線 60・・
・導体材料被覆発熱!!、62・・・発熱線 64・・
・導体材料層代理人 弁理士  松 本 武 彦 第4図 第5図 第7囚 コ9 第10図 第11図 第12図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基板に設けられた個々のスルーホール用孔に近接し
    て導体材料源を配置し、この導体材料源を蒸発させてス
    ルーホール用孔の内面に被着させる配線回路板のスルー
    ホール形成方法。 2 導体材料源として、導体材料からなる一対の放電電
    極をスルーホール用孔を挟んで基板の両側に配置し、減
    圧雰囲気下において、前記一対の放電電極間に電圧を印
    加し放電させることによって導体材料からなる放電電極
    を蒸発させる請求項1記載の配線回路板のスルーホール
    形成方法。 3 導体材料源として、導体材料からなる細線をスルー
    ホール用孔に貫挿配置し、真空雰囲気下において、前記
    導体材料細線に通電することによって導体材料細線を蒸
    発させる請求項1記載の配線回路板のスルーホール形成
    方法。 4 通電により発熱する発熱線の外周に導体材料源とな
    る導体材料層が被覆形成された導体材料被覆発熱線をス
    ルーホール用孔に貫挿配置し、真空雰囲気下において、
    前記発熱線に通電することによって導体材料層を蒸発さ
    せる請求項1記載の配線回路板のスルーホール形成方法
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5855563A (ja) * 1981-09-28 1983-04-01 Ricoh Co Ltd 蒸着方法
JPS62214170A (ja) * 1986-03-17 1987-09-19 Yaskawa Electric Mfg Co Ltd 細孔内壁部表面処理法

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