JPH04175647A - X線マッピング装置 - Google Patents
X線マッピング装置Info
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- JPH04175647A JPH04175647A JP30586490A JP30586490A JPH04175647A JP H04175647 A JPH04175647 A JP H04175647A JP 30586490 A JP30586490 A JP 30586490A JP 30586490 A JP30586490 A JP 30586490A JP H04175647 A JPH04175647 A JP H04175647A
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- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 29
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はX線マツピング装置に関する。
第3図は従来までのX線マツピング装置を示し、同図に
おいて、X線管21からの入射X線がコリメータ22を
介して試料ステージ23上の試料24の一部に照射され
、螢光X線を発生する。この螢光X線はたとえば半導体
検出器(SSD)よりなるX線検出器25で検出される
。上記X線検出器25からの出力はパルスプロセッサー
26で処理され、試料中に含まれる元素とその強度を判
別する。その後、このパルスプロセッサー26からの信
号はコンピュータ27に人力され、画像処理装置28に
て画像表示を行う。
おいて、X線管21からの入射X線がコリメータ22を
介して試料ステージ23上の試料24の一部に照射され
、螢光X線を発生する。この螢光X線はたとえば半導体
検出器(SSD)よりなるX線検出器25で検出される
。上記X線検出器25からの出力はパルスプロセッサー
26で処理され、試料中に含まれる元素とその強度を判
別する。その後、このパルスプロセッサー26からの信
号はコンピュータ27に人力され、画像処理装置28に
て画像表示を行う。
そして試料24全体にわたワて測定を行うには、第4図
に示すように、あらかじめ定められた試料24を含むマ
ツピング領域M内においてその測定点を分割して設け、
試料ステージ23を所定の方向に移動させるステージコ
ントローラ29にコンビエータ27からの信号が入力さ
れることにより試料ステージ23を移動させ、前記X線
管21からのX線が照射されている位置に1.2〜nと
いうように順番に各測定点を移動させることにより、各
測定点における螢光X線を検出し、試料4中の各測定点
の螢光X線の種類と強度から含有元素の分布を測定する
ものであった。
に示すように、あらかじめ定められた試料24を含むマ
ツピング領域M内においてその測定点を分割して設け、
試料ステージ23を所定の方向に移動させるステージコ
ントローラ29にコンビエータ27からの信号が入力さ
れることにより試料ステージ23を移動させ、前記X線
管21からのX線が照射されている位置に1.2〜nと
いうように順番に各測定点を移動させることにより、各
測定点における螢光X線を検出し、試料4中の各測定点
の螢光X線の種類と強度から含有元素の分布を測定する
ものであった。
しかしながら、上記測定方法では、たとえマツピング領
域M内に試料24が存在しない測定点(例えば7.8.
9等)においてもXvA検出器25における螢光X線検
出およびパルスプロセッサー26、コンピュータ27で
の信号処理という一連の作業を行った後に試料ステージ
23を移動させるため、非常に長時間にわたって測定を
行う必要があった。
域M内に試料24が存在しない測定点(例えば7.8.
9等)においてもXvA検出器25における螢光X線検
出およびパルスプロセッサー26、コンピュータ27で
の信号処理という一連の作業を行った後に試料ステージ
23を移動させるため、非常に長時間にわたって測定を
行う必要があった。
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その
目的とするところは、非常に短時間で高精度な測定を可
能とするX線マツピング装置を提供することにある。
目的とするところは、非常に短時間で高精度な測定を可
能とするX線マツピング装置を提供することにある。
(IIIを解決するための手段〕
上述の目的を達成するため、本発明に係るX線マツピン
グ装置は、X線管からのX線が照射されている位置に試
料があるか否かを検出するための試料有無センサを設け
、このセンサからの信号をコンピュータに入力するよう
にした点に特徴がある。
グ装置は、X線管からのX線が照射されている位置に試
料があるか否かを検出するための試料有無センサを設け
、このセンサからの信号をコンピュータに入力するよう
にした点に特徴がある。
上記特徴構成によれば、X線管からのX線が照射されて
いる位置に試料が存在しない場合には、コンピュータに
おいてデータ収集を行わず、直ちに試料ステージを移動
させて次の測定点で測定を行うため、全測定に要する時
間が大幅に短縮される。
いる位置に試料が存在しない場合には、コンピュータに
おいてデータ収集を行わず、直ちに試料ステージを移動
させて次の測定点で測定を行うため、全測定に要する時
間が大幅に短縮される。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係るxmマツピング装置の一例を示し
、この図において、第3図に示す符号と同一のものは同
一物または相当物を示す、ここで、このX線マツピング
装置が従来のX線マツピング装置と大きく異なる点は、
試料があるか否かを検出するためのセンサ30を設け、
このセンサ30からの信号をコンピュータ27に入力す
るようにした点である。このセンサ30は例えばセンサ
先端から測定点までの距離を測定する変位センサや反射
型光電センサからなり(以下、変位センサと云う)、試
料24の有るときと無いときとで、試料の厚み分だけ変
位量が異なることを利用して試料があるか否かを検出す
るもので、本実施例では試料がある場合を基準値とし、
基準値から外れた場合にコンピュータ27に信号を入力
するようにしである。
、この図において、第3図に示す符号と同一のものは同
一物または相当物を示す、ここで、このX線マツピング
装置が従来のX線マツピング装置と大きく異なる点は、
試料があるか否かを検出するためのセンサ30を設け、
このセンサ30からの信号をコンピュータ27に入力す
るようにした点である。このセンサ30は例えばセンサ
先端から測定点までの距離を測定する変位センサや反射
型光電センサからなり(以下、変位センサと云う)、試
料24の有るときと無いときとで、試料の厚み分だけ変
位量が異なることを利用して試料があるか否かを検出す
るもので、本実施例では試料がある場合を基準値とし、
基準値から外れた場合にコンピュータ27に信号を入力
するようにしである。
而して、上記X線マツピング装置の作用を第2図をも参
照しながら説明すると、あらかじめ定められた試料24
を含むマツピング領域Mにおいて測定点を1.2〜nと
いうように分割して設け、図中の矢印Aに示す順序にそ
って試料ステージ23を移動させるようにコンビエータ
27にプログラムしておく、そして、まず、X線管21
からの入射X線がコリメータ22を介して試料ステージ
23上のマツピング領域M内の測定点lに照射されるよ
う試料ステージ23を移動させる。この測定点1には試
料24が存在しないので、変位センサ30が試料無しと
判断し、コンピュータ27にその信号が入力されると同
時に、コンピュータ27においてパルスプロセッサー2
6からのデータ収集は行われない。そして、入力された
信号に基づいてコンピュータ27からの制御信号をステ
ージコントローラ29に入力し、直ちに試料ステージ2
3を移動させ、X線が照射されている位置に測定点2を
移動させる。測定点2あるいは測定点3においても試料
24は存在しないので、測定点lと同様にコンピュータ
27においてパルスプロセッサー26からのデータ収集
は行わず、試料ステージ23により測定点4を移動させ
る。
照しながら説明すると、あらかじめ定められた試料24
を含むマツピング領域Mにおいて測定点を1.2〜nと
いうように分割して設け、図中の矢印Aに示す順序にそ
って試料ステージ23を移動させるようにコンビエータ
27にプログラムしておく、そして、まず、X線管21
からの入射X線がコリメータ22を介して試料ステージ
23上のマツピング領域M内の測定点lに照射されるよ
う試料ステージ23を移動させる。この測定点1には試
料24が存在しないので、変位センサ30が試料無しと
判断し、コンピュータ27にその信号が入力されると同
時に、コンピュータ27においてパルスプロセッサー2
6からのデータ収集は行われない。そして、入力された
信号に基づいてコンピュータ27からの制御信号をステ
ージコントローラ29に入力し、直ちに試料ステージ2
3を移動させ、X線が照射されている位置に測定点2を
移動させる。測定点2あるいは測定点3においても試料
24は存在しないので、測定点lと同様にコンピュータ
27においてパルスプロセッサー26からのデータ収集
は行わず、試料ステージ23により測定点4を移動させ
る。
ここで、測定点4には試料24が存在するので、変位セ
ンサ30からの信号はコンピュータ27に入力されず、
試料24から発生された螢光X線はたとえば半導体検出
器(SSD)等よりなるX線検出器25で検出され、そ
の出力はパルスプロセッサー26においてその測定点4
中に含まれる元素とその強度を判別する。その後、この
パルスプロセッサー26からの信号はコンピュータ27
に入力され、画像処理装置2日にて画像表示を行う。以
後、同様の方法で測定点nまで測定を行い、各測定点に
おける螢光X線の種類と強度から試料24の含有元素の
分布を測定する。
ンサ30からの信号はコンピュータ27に入力されず、
試料24から発生された螢光X線はたとえば半導体検出
器(SSD)等よりなるX線検出器25で検出され、そ
の出力はパルスプロセッサー26においてその測定点4
中に含まれる元素とその強度を判別する。その後、この
パルスプロセッサー26からの信号はコンピュータ27
に入力され、画像処理装置2日にて画像表示を行う。以
後、同様の方法で測定点nまで測定を行い、各測定点に
おける螢光X線の種類と強度から試料24の含有元素の
分布を測定する。
なお、試料ステージ23は試料24に含まれていない軽
元素からなるアルミニウムなどで形成し、試料24から
発生する螢光X線と混合しないようにするのが望ましい
。
元素からなるアルミニウムなどで形成し、試料24から
発生する螢光X線と混合しないようにするのが望ましい
。
以上説明したように、本発明によれば、XvA管からの
X線が照射されている位置に試料が存在しない場合には
、コンピュータにおいてデータ収集を行わず、直ちに試
料ステージを移動させて次の測定点で測定を行うため、
全測定に要する時間が大幅に短縮されるのである。
X線が照射されている位置に試料が存在しない場合には
、コンピュータにおいてデータ収集を行わず、直ちに試
料ステージを移動させて次の測定点で測定を行うため、
全測定に要する時間が大幅に短縮されるのである。
第1図および第2図は本発明の一実施例を示し、第1図
はX線マツピング装置を示す構成図、第2図はマツピン
グ方法を説明するための図である。 第3図および第4図は従来のXMラマンング装置を示し
、第3図はX線マツピング装置を示す構成図、第4図は
マツピング方法を説明するための図である。 21・・・X線管、23・・・試料ステージ、24・・
・試料、25・・・xm検出器、26・・・パルスプロ
セッサ、27・・・コンピュータ、28・・・画像処理
装置、29・・・ステージコントローラ、30・・・試
料有無センサ。 出 願 人 株式会社 堀場製作所 代 理 人 弁理士 藤木英夫
はX線マツピング装置を示す構成図、第2図はマツピン
グ方法を説明するための図である。 第3図および第4図は従来のXMラマンング装置を示し
、第3図はX線マツピング装置を示す構成図、第4図は
マツピング方法を説明するための図である。 21・・・X線管、23・・・試料ステージ、24・・
・試料、25・・・xm検出器、26・・・パルスプロ
セッサ、27・・・コンピュータ、28・・・画像処理
装置、29・・・ステージコントローラ、30・・・試
料有無センサ。 出 願 人 株式会社 堀場製作所 代 理 人 弁理士 藤木英夫
Claims (1)
- 試料を載置する試料ステージと、前記試料にX線を照射
するX線管と、該X線照射により前記試料において生ず
る螢光X線を検出するX線検出器と、このX線検出器の
出力に基づいて試料中に含まれる元素とその強度を判別
するパルスプロセッサーと、このパルスプロセッサーか
らの信号が入力されるコンピュータと、このコンピュー
タの出力を処理して画像表示する画像処理装置と、前記
コンピュータからの制御信号に基づいて前記試料ステー
ジを所定の方向に移動させるステージコントローラとか
らなるX線マッピング装置において、前記X線管からの
X線が照射されている位置に試料があるか否かを検出す
るための試料有無センサを設け、このセンサからの信号
を前記コンピュータに入力するようにしたことを特徴と
するX線マッピング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30586490A JP2920687B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | X線マッピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30586490A JP2920687B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | X線マッピング装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01456699A Division JP3146195B2 (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | X線マッピング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04175647A true JPH04175647A (ja) | 1992-06-23 |
| JP2920687B2 JP2920687B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=17950279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30586490A Expired - Fee Related JP2920687B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | X線マッピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920687B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8068583B2 (en) | 2008-07-01 | 2011-11-29 | Sii Nanotechnology Inc. | X-ray analysis apparatus and X-ray analysis method |
| US8548121B2 (en) | 2011-03-09 | 2013-10-01 | Sii Nano Technology Inc. | X-ray analyzer |
| US8705698B2 (en) | 2010-02-19 | 2014-04-22 | Sii Nanotechnology Inc. | X-ray analyzer and mapping method for an X-ray analysis |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3146195B2 (ja) | 1999-01-22 | 2001-03-12 | 株式会社堀場製作所 | X線マッピング装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101311942B1 (ko) | 2009-12-31 | 2013-09-26 | 제일모직주식회사 | 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP30586490A patent/JP2920687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8068583B2 (en) | 2008-07-01 | 2011-11-29 | Sii Nanotechnology Inc. | X-ray analysis apparatus and X-ray analysis method |
| US8705698B2 (en) | 2010-02-19 | 2014-04-22 | Sii Nanotechnology Inc. | X-ray analyzer and mapping method for an X-ray analysis |
| US8548121B2 (en) | 2011-03-09 | 2013-10-01 | Sii Nano Technology Inc. | X-ray analyzer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2920687B2 (ja) | 1999-07-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |