JPH0417668A - 蒸着方法 - Google Patents

蒸着方法

Info

Publication number
JPH0417668A
JPH0417668A JP12216190A JP12216190A JPH0417668A JP H0417668 A JPH0417668 A JP H0417668A JP 12216190 A JP12216190 A JP 12216190A JP 12216190 A JP12216190 A JP 12216190A JP H0417668 A JPH0417668 A JP H0417668A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
vapor deposition
raw material
hearth liner
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12216190A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroki Tanaka
浩樹 田中
Masayoshi Aoyama
正義 青山
Kenji Yamaguchi
健司 山口
Yoshihiro Nakada
仲田 義弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP12216190A priority Critical patent/JPH0417668A/ja
Publication of JPH0417668A publication Critical patent/JPH0417668A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、蒸着方法に関し、特に電子ヒーム蒸着方法に
おいてスプラッシュ発生を防止することがてきる蒸着方
法に関する。
〈従来の技術〉 電子ビーム蒸着方法は、蒸着原料を電子ビーム加熱して
溶解−蒸発あるいは昇華させることによって、発生した
蒸着原料の蒸気を所定位置に配置した基板上に析出させ
て成膜を行なう方法である。 通常、上記作業は真空中
において行なわれる。
電子ビーム蒸着方法において、蒸着原料は通常内部を水
冷したCu製のるつぼ内に設置される。  しかし、成
膜速度の向上および安定化のために、W、Mo等の高融
点金属で形成された原料設置用の皿(以下、パースライ
ナーという)を用い、この中で蒸着原料を加熱する場合
がある。
〈発明のが解決しようとする課題〉 このハースライナ−は、上記利点を有しているが、蒸着
原料溶解時にハースライナ−内の表面に吸着している0
2やN2等のガスの急激な膨張によるスプラッシュ(蒸
着原料の溶湯の飛沫が基板に付着したもの)の発生とい
った短所も持っている。
そこで、ハースライナ−を使用して成膜を行なう場合、
ハースライナ−内の表面の吸着ガスを除去する前処理が
必要であるが、従来技術としてこの前処理を行なった例
は見受けられない。
本発明の目的は、電子ビーム蒸着方法において、ハース
ライナ−内の表面の吸着ガスを、あらかじめ除去してス
プラッシュの発生を防止することができる蒸着方法を提
供することにある。
く課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために本発明によれば、電子ビーム
照射によりるつぼに載置されたハースライナ−内に入れ
た蒸着原料を溶融、蒸発させて基板上に析出させ、成膜
を行なう電子ビーム蒸着方法において、 前記蒸着原料を入れる前に、あらかじめ前記ハースライ
ナ−内に電子ビームを照射して加熱し、吸着ガスを除去
したのち、蒸着原料を装入することを特徴とする蒸着方
法が提供される。
ここで、前記蒸着原料装入前にハースライナ−内に照射
する電子ビームは、真空度5x10−3Torr以上の
高真空雰囲気下で行なうのが好ましい。
以下に、第1図に示す本発明方法を実施するための装置
の1例を参照しながら、本発明をさらに詳細に説明する
。 図中、1はハースライナ−3は電子ビーム発生装置
、4はるつぼ、5は基板ホルダー 6は基板、7はチャ
ンバー 8は油拡散ポンプ、9は油回転ポンプである。
この装置において、まず油拡散ポンプ8および油回転ポ
ンプ9によってチャンバー7内を真空引きしたのち、電
子ビーム発生装置3により発生した電子ビーム2を、る
つぼ4内に装着した蒸着原料を装入していないハースラ
イナ−1内の表面、すなわち装入される蒸着原料が接触
する面に照射せしめ、この表面を加熱し、ハースライナ
−1内の表面に吸着しているo2やN2等のガスを除去
する。
前記電子ビーム2の照射におけるチャンバー7内の真空
度は5 X 10−3Torr以上の高真空とする。 
この真空度が5 X 10−’Torr未満では電子ビ
ーム2を発生させることができない。
ハースライナ−1内表面の吸着ガスを加熱により除去す
る方法としては抵抗加熱等も考えられるが、電子ビーム
加熱は他の加熱方法と比較して短時間で行うことができ
る特徴を有するものであり、この結果として低コストで
加熱して吸着ガスを除去することができ、また、蒸着製
品の製造作業を有利に進めることができる。
このほか、電子ビーム加熱は上記したように真空中でな
いと成り立たない加熱法であるが、真空中であるという
ことは吸着ガスの除去を容易にするという利点もある。
上記のとおりハースライナ−1内表面に電子ビーム2を
照射して加熱したのち、その状態に放置する。 通常、
電子ビーム2の照射は約1分間、放置時間は10分間程
度である。
つぎに、チャンバー7内を大気圧に戻し、ハースライナ
−1内に蒸着原料を入れ、再びチャンバー7内を3 X
 10−’Torrまて真空引きし、常法により電子ビ
ーム2を照射して前記蒸着原料を加熱し、溶融、蒸発さ
せて基板6上に析出させ、成膜を行なう。
本発明を適用する蒸着原料は、電子ビームの照射により
溶融可能なすべての蒸着用金属材料でよく、特に制限さ
れず、例えば、銅、アルミニウム、ホウ素、マグネシウ
ム、シリコン、チタン、バナジウム、クロム、マンガン
、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、ゲルマニウム、セレ
ン、ストロンチウム、イツトリウム、ジルコニウム、ニ
オブ、モリブデン等が挙げられる。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例および比較例を挙げ、本発明を具
体的に説明する。
(実施例1) 第1図に示す電子ビーム蒸着装置と同じ構成からなる装
置を用いて、まず油拡散ポンプおよび油回転ポンプでチ
ャンバー内を3XICM’Torrまで真空引きした後
、電子ビーム発生装置により出力50Wの電子ビームに
よりタングステン製のハースライナ−内の表面を1分間
加熱し、その状態のまま10分間放置した。
その後、チャンバー内を大気圧にもどし、ハースライナ
−に蒸着原料の純度99.999%の銅を入れ、再びチ
ャンバー内を3 x 10−6Torrまで真空引きし
、出力45Wの電子ビームによりこの銅を溶解させ、1
00±5人/Sの成膜速度で基板ホルダーにとりつけた
直径4インチのSiウニ八へ板上に膜厚5μmの銅膜を
形成させた。
その後、Siウェハーをチャンバー内から取り出し、形
成された銅の蒸着膜について、光学顕微鏡で拡大倍率:
10.50.100および1000倍の各倍率、および
走査形電子顕微鏡で拡大倍率:2000.5000,1
0000倍の各倍率で全面を観察したところ、蒸着膜面
上にスプラッシュの付着はまったく認められな力じた。
(比較例1) 予め蒸着原料をハースライナ−内に装入する前にハース
ライナ−内に電子ビームを照射しない以外は実施例1と
同様にして直径4インチウェハー基板上に膜厚5μmの
銅の蒸着膜を形成させ、その蒸着膜の表面を観察したと
ころ、直径30〜100μm1高さ40〜50μmの円
錐状のスプラッシュの付着が、5±3個/cm2の密度
で認められた。
〈発明の効果〉 本発明の方法によれば、成膜時のスプラッシュの発生を
防止することができる。 得られた蒸着膜の品質、特に
平坦性に優れた膜を得ることができる。
6・・・基板、 7・・・チャンバー 8・・・油拡散ポンプ、 9・・・油回転ポンプ
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を実施するための電子ビーム蒸着装
置の1例を示す横断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電子ビーム照射によりるつぼに載置されたハース
    ライナー内に入れた蒸着原料を溶融、蒸発させて基板上
    に析出させ、成膜を行なう電子ビーム蒸着方法において
    、 前記蒸着原料を入れる前に、あらかじめ前記ハースライ
    ナー内に電子ビームを照射して加熱し、吸着ガスを除去
    したのち、蒸着原料を装入することを特徴とする蒸着方
    法。
JP12216190A 1990-05-11 1990-05-11 蒸着方法 Pending JPH0417668A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12216190A JPH0417668A (ja) 1990-05-11 1990-05-11 蒸着方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12216190A JPH0417668A (ja) 1990-05-11 1990-05-11 蒸着方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0417668A true JPH0417668A (ja) 1992-01-22

Family

ID=14829102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12216190A Pending JPH0417668A (ja) 1990-05-11 1990-05-11 蒸着方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0417668A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009041071A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Shinku Giken Co Ltd 真空蒸着方法及び装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009041071A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Shinku Giken Co Ltd 真空蒸着方法及び装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5009923A (en) Method of forming diamond film
JPH0849067A (ja) 蒸着方法
JPH0524988B2 (ja)
JPS5983766A (ja) 電子銃を用いた真空蒸着装置
JPH0417668A (ja) 蒸着方法
JPS605233B2 (ja) 高融点化合物薄膜の製造方法
Saito et al. Icosahedral quasicrystal produced by gas evaporation of an Al‐Mn alloy
JPH03249174A (ja) 電子ビーム蒸着法
EP0280198B1 (en) Method of forming diamond film
JP2985472B2 (ja) シリコン膜の形成方法
JPS6326349A (ja) 立方晶窒化硼素被膜の形成方法
JPS58133368A (ja) 硼素皮膜の形成方法
JPS6013067B2 (ja) 真空蒸着装置
JPS59169129A (ja) 高融点金属あるいは高融点金属シリサイドの成膜方法
JP2000297361A (ja) 超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置
JPS62235466A (ja) 蒸着物質発生装置
JPH03236465A (ja) 真空蒸着におけるスプラッシュ防止方法
JP2505376B2 (ja) 成膜方法及び装置
US3881038A (en) Low temperature metallization of ferrite
JP2001152321A (ja) 薄膜形成材料および成膜方法
JPS634915B2 (ja)
JPS6059990B2 (ja) 蒸着装置
JPS61104070A (ja) 薄膜形成法
JP2790654B2 (ja) プラスチックレンズ基板への二酸化チタン膜の形成方法
JPH02104659A (ja) 薄膜の製造装置