JPH0417668A - 蒸着方法 - Google Patents
蒸着方法Info
- Publication number
- JPH0417668A JPH0417668A JP12216190A JP12216190A JPH0417668A JP H0417668 A JPH0417668 A JP H0417668A JP 12216190 A JP12216190 A JP 12216190A JP 12216190 A JP12216190 A JP 12216190A JP H0417668 A JPH0417668 A JP H0417668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- vapor deposition
- raw material
- hearth liner
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、蒸着方法に関し、特に電子ヒーム蒸着方法に
おいてスプラッシュ発生を防止することがてきる蒸着方
法に関する。
おいてスプラッシュ発生を防止することがてきる蒸着方
法に関する。
〈従来の技術〉
電子ビーム蒸着方法は、蒸着原料を電子ビーム加熱して
溶解−蒸発あるいは昇華させることによって、発生した
蒸着原料の蒸気を所定位置に配置した基板上に析出させ
て成膜を行なう方法である。 通常、上記作業は真空中
において行なわれる。
溶解−蒸発あるいは昇華させることによって、発生した
蒸着原料の蒸気を所定位置に配置した基板上に析出させ
て成膜を行なう方法である。 通常、上記作業は真空中
において行なわれる。
電子ビーム蒸着方法において、蒸着原料は通常内部を水
冷したCu製のるつぼ内に設置される。 しかし、成
膜速度の向上および安定化のために、W、Mo等の高融
点金属で形成された原料設置用の皿(以下、パースライ
ナーという)を用い、この中で蒸着原料を加熱する場合
がある。
冷したCu製のるつぼ内に設置される。 しかし、成
膜速度の向上および安定化のために、W、Mo等の高融
点金属で形成された原料設置用の皿(以下、パースライ
ナーという)を用い、この中で蒸着原料を加熱する場合
がある。
〈発明のが解決しようとする課題〉
このハースライナ−は、上記利点を有しているが、蒸着
原料溶解時にハースライナ−内の表面に吸着している0
2やN2等のガスの急激な膨張によるスプラッシュ(蒸
着原料の溶湯の飛沫が基板に付着したもの)の発生とい
った短所も持っている。
原料溶解時にハースライナ−内の表面に吸着している0
2やN2等のガスの急激な膨張によるスプラッシュ(蒸
着原料の溶湯の飛沫が基板に付着したもの)の発生とい
った短所も持っている。
そこで、ハースライナ−を使用して成膜を行なう場合、
ハースライナ−内の表面の吸着ガスを除去する前処理が
必要であるが、従来技術としてこの前処理を行なった例
は見受けられない。
ハースライナ−内の表面の吸着ガスを除去する前処理が
必要であるが、従来技術としてこの前処理を行なった例
は見受けられない。
本発明の目的は、電子ビーム蒸着方法において、ハース
ライナ−内の表面の吸着ガスを、あらかじめ除去してス
プラッシュの発生を防止することができる蒸着方法を提
供することにある。
ライナ−内の表面の吸着ガスを、あらかじめ除去してス
プラッシュの発生を防止することができる蒸着方法を提
供することにある。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために本発明によれば、電子ビーム
照射によりるつぼに載置されたハースライナ−内に入れ
た蒸着原料を溶融、蒸発させて基板上に析出させ、成膜
を行なう電子ビーム蒸着方法において、 前記蒸着原料を入れる前に、あらかじめ前記ハースライ
ナ−内に電子ビームを照射して加熱し、吸着ガスを除去
したのち、蒸着原料を装入することを特徴とする蒸着方
法が提供される。
照射によりるつぼに載置されたハースライナ−内に入れ
た蒸着原料を溶融、蒸発させて基板上に析出させ、成膜
を行なう電子ビーム蒸着方法において、 前記蒸着原料を入れる前に、あらかじめ前記ハースライ
ナ−内に電子ビームを照射して加熱し、吸着ガスを除去
したのち、蒸着原料を装入することを特徴とする蒸着方
法が提供される。
ここで、前記蒸着原料装入前にハースライナ−内に照射
する電子ビームは、真空度5x10−3Torr以上の
高真空雰囲気下で行なうのが好ましい。
する電子ビームは、真空度5x10−3Torr以上の
高真空雰囲気下で行なうのが好ましい。
以下に、第1図に示す本発明方法を実施するための装置
の1例を参照しながら、本発明をさらに詳細に説明する
。 図中、1はハースライナ−3は電子ビーム発生装置
、4はるつぼ、5は基板ホルダー 6は基板、7はチャ
ンバー 8は油拡散ポンプ、9は油回転ポンプである。
の1例を参照しながら、本発明をさらに詳細に説明する
。 図中、1はハースライナ−3は電子ビーム発生装置
、4はるつぼ、5は基板ホルダー 6は基板、7はチャ
ンバー 8は油拡散ポンプ、9は油回転ポンプである。
この装置において、まず油拡散ポンプ8および油回転ポ
ンプ9によってチャンバー7内を真空引きしたのち、電
子ビーム発生装置3により発生した電子ビーム2を、る
つぼ4内に装着した蒸着原料を装入していないハースラ
イナ−1内の表面、すなわち装入される蒸着原料が接触
する面に照射せしめ、この表面を加熱し、ハースライナ
−1内の表面に吸着しているo2やN2等のガスを除去
する。
ンプ9によってチャンバー7内を真空引きしたのち、電
子ビーム発生装置3により発生した電子ビーム2を、る
つぼ4内に装着した蒸着原料を装入していないハースラ
イナ−1内の表面、すなわち装入される蒸着原料が接触
する面に照射せしめ、この表面を加熱し、ハースライナ
−1内の表面に吸着しているo2やN2等のガスを除去
する。
前記電子ビーム2の照射におけるチャンバー7内の真空
度は5 X 10−3Torr以上の高真空とする。
この真空度が5 X 10−’Torr未満では電子ビ
ーム2を発生させることができない。
度は5 X 10−3Torr以上の高真空とする。
この真空度が5 X 10−’Torr未満では電子ビ
ーム2を発生させることができない。
ハースライナ−1内表面の吸着ガスを加熱により除去す
る方法としては抵抗加熱等も考えられるが、電子ビーム
加熱は他の加熱方法と比較して短時間で行うことができ
る特徴を有するものであり、この結果として低コストで
加熱して吸着ガスを除去することができ、また、蒸着製
品の製造作業を有利に進めることができる。
る方法としては抵抗加熱等も考えられるが、電子ビーム
加熱は他の加熱方法と比較して短時間で行うことができ
る特徴を有するものであり、この結果として低コストで
加熱して吸着ガスを除去することができ、また、蒸着製
品の製造作業を有利に進めることができる。
このほか、電子ビーム加熱は上記したように真空中でな
いと成り立たない加熱法であるが、真空中であるという
ことは吸着ガスの除去を容易にするという利点もある。
いと成り立たない加熱法であるが、真空中であるという
ことは吸着ガスの除去を容易にするという利点もある。
上記のとおりハースライナ−1内表面に電子ビーム2を
照射して加熱したのち、その状態に放置する。 通常、
電子ビーム2の照射は約1分間、放置時間は10分間程
度である。
照射して加熱したのち、その状態に放置する。 通常、
電子ビーム2の照射は約1分間、放置時間は10分間程
度である。
つぎに、チャンバー7内を大気圧に戻し、ハースライナ
−1内に蒸着原料を入れ、再びチャンバー7内を3 X
10−’Torrまて真空引きし、常法により電子ビ
ーム2を照射して前記蒸着原料を加熱し、溶融、蒸発さ
せて基板6上に析出させ、成膜を行なう。
−1内に蒸着原料を入れ、再びチャンバー7内を3 X
10−’Torrまて真空引きし、常法により電子ビ
ーム2を照射して前記蒸着原料を加熱し、溶融、蒸発さ
せて基板6上に析出させ、成膜を行なう。
本発明を適用する蒸着原料は、電子ビームの照射により
溶融可能なすべての蒸着用金属材料でよく、特に制限さ
れず、例えば、銅、アルミニウム、ホウ素、マグネシウ
ム、シリコン、チタン、バナジウム、クロム、マンガン
、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、ゲルマニウム、セレ
ン、ストロンチウム、イツトリウム、ジルコニウム、ニ
オブ、モリブデン等が挙げられる。
溶融可能なすべての蒸着用金属材料でよく、特に制限さ
れず、例えば、銅、アルミニウム、ホウ素、マグネシウ
ム、シリコン、チタン、バナジウム、クロム、マンガン
、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、ゲルマニウム、セレ
ン、ストロンチウム、イツトリウム、ジルコニウム、ニ
オブ、モリブデン等が挙げられる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例および比較例を挙げ、本発明を具
体的に説明する。
体的に説明する。
(実施例1)
第1図に示す電子ビーム蒸着装置と同じ構成からなる装
置を用いて、まず油拡散ポンプおよび油回転ポンプでチ
ャンバー内を3XICM’Torrまで真空引きした後
、電子ビーム発生装置により出力50Wの電子ビームに
よりタングステン製のハースライナ−内の表面を1分間
加熱し、その状態のまま10分間放置した。
置を用いて、まず油拡散ポンプおよび油回転ポンプでチ
ャンバー内を3XICM’Torrまで真空引きした後
、電子ビーム発生装置により出力50Wの電子ビームに
よりタングステン製のハースライナ−内の表面を1分間
加熱し、その状態のまま10分間放置した。
その後、チャンバー内を大気圧にもどし、ハースライナ
−に蒸着原料の純度99.999%の銅を入れ、再びチ
ャンバー内を3 x 10−6Torrまで真空引きし
、出力45Wの電子ビームによりこの銅を溶解させ、1
00±5人/Sの成膜速度で基板ホルダーにとりつけた
直径4インチのSiウニ八へ板上に膜厚5μmの銅膜を
形成させた。
−に蒸着原料の純度99.999%の銅を入れ、再びチ
ャンバー内を3 x 10−6Torrまで真空引きし
、出力45Wの電子ビームによりこの銅を溶解させ、1
00±5人/Sの成膜速度で基板ホルダーにとりつけた
直径4インチのSiウニ八へ板上に膜厚5μmの銅膜を
形成させた。
その後、Siウェハーをチャンバー内から取り出し、形
成された銅の蒸着膜について、光学顕微鏡で拡大倍率:
10.50.100および1000倍の各倍率、および
走査形電子顕微鏡で拡大倍率:2000.5000,1
0000倍の各倍率で全面を観察したところ、蒸着膜面
上にスプラッシュの付着はまったく認められな力じた。
成された銅の蒸着膜について、光学顕微鏡で拡大倍率:
10.50.100および1000倍の各倍率、および
走査形電子顕微鏡で拡大倍率:2000.5000,1
0000倍の各倍率で全面を観察したところ、蒸着膜面
上にスプラッシュの付着はまったく認められな力じた。
(比較例1)
予め蒸着原料をハースライナ−内に装入する前にハース
ライナ−内に電子ビームを照射しない以外は実施例1と
同様にして直径4インチウェハー基板上に膜厚5μmの
銅の蒸着膜を形成させ、その蒸着膜の表面を観察したと
ころ、直径30〜100μm1高さ40〜50μmの円
錐状のスプラッシュの付着が、5±3個/cm2の密度
で認められた。
ライナ−内に電子ビームを照射しない以外は実施例1と
同様にして直径4インチウェハー基板上に膜厚5μmの
銅の蒸着膜を形成させ、その蒸着膜の表面を観察したと
ころ、直径30〜100μm1高さ40〜50μmの円
錐状のスプラッシュの付着が、5±3個/cm2の密度
で認められた。
〈発明の効果〉
本発明の方法によれば、成膜時のスプラッシュの発生を
防止することができる。 得られた蒸着膜の品質、特に
平坦性に優れた膜を得ることができる。
防止することができる。 得られた蒸着膜の品質、特に
平坦性に優れた膜を得ることができる。
6・・・基板、
7・・・チャンバー
8・・・油拡散ポンプ、
9・・・油回転ポンプ
第1図は本発明方法を実施するための電子ビーム蒸着装
置の1例を示す横断面図である。
置の1例を示す横断面図である。
Claims (1)
- (1)電子ビーム照射によりるつぼに載置されたハース
ライナー内に入れた蒸着原料を溶融、蒸発させて基板上
に析出させ、成膜を行なう電子ビーム蒸着方法において
、 前記蒸着原料を入れる前に、あらかじめ前記ハースライ
ナー内に電子ビームを照射して加熱し、吸着ガスを除去
したのち、蒸着原料を装入することを特徴とする蒸着方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12216190A JPH0417668A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12216190A JPH0417668A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417668A true JPH0417668A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14829102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12216190A Pending JPH0417668A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0417668A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009041071A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Shinku Giken Co Ltd | 真空蒸着方法及び装置 |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP12216190A patent/JPH0417668A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009041071A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Shinku Giken Co Ltd | 真空蒸着方法及び装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5009923A (en) | Method of forming diamond film | |
| JPH0849067A (ja) | 蒸着方法 | |
| JPH0524988B2 (ja) | ||
| JPS5983766A (ja) | 電子銃を用いた真空蒸着装置 | |
| JPH0417668A (ja) | 蒸着方法 | |
| JPS605233B2 (ja) | 高融点化合物薄膜の製造方法 | |
| Saito et al. | Icosahedral quasicrystal produced by gas evaporation of an Al‐Mn alloy | |
| JPH03249174A (ja) | 電子ビーム蒸着法 | |
| EP0280198B1 (en) | Method of forming diamond film | |
| JP2985472B2 (ja) | シリコン膜の形成方法 | |
| JPS6326349A (ja) | 立方晶窒化硼素被膜の形成方法 | |
| JPS58133368A (ja) | 硼素皮膜の形成方法 | |
| JPS6013067B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPS59169129A (ja) | 高融点金属あるいは高融点金属シリサイドの成膜方法 | |
| JP2000297361A (ja) | 超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置 | |
| JPS62235466A (ja) | 蒸着物質発生装置 | |
| JPH03236465A (ja) | 真空蒸着におけるスプラッシュ防止方法 | |
| JP2505376B2 (ja) | 成膜方法及び装置 | |
| US3881038A (en) | Low temperature metallization of ferrite | |
| JP2001152321A (ja) | 薄膜形成材料および成膜方法 | |
| JPS634915B2 (ja) | ||
| JPS6059990B2 (ja) | 蒸着装置 | |
| JPS61104070A (ja) | 薄膜形成法 | |
| JP2790654B2 (ja) | プラスチックレンズ基板への二酸化チタン膜の形成方法 | |
| JPH02104659A (ja) | 薄膜の製造装置 |