JPH04179228A - 精密洗浄の乾燥方法 - Google Patents

精密洗浄の乾燥方法

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JPH04179228A
JPH04179228A JP2306021A JP30602190A JPH04179228A JP H04179228 A JPH04179228 A JP H04179228A JP 2306021 A JP2306021 A JP 2306021A JP 30602190 A JP30602190 A JP 30602190A JP H04179228 A JPH04179228 A JP H04179228A
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JP
Japan
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pure water
cleaned
water
face
cleaning
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Pending
Application number
JP2306021A
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English (en)
Inventor
Toru Usui
臼井 徹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SONITSUKU FUEROO KK
Original Assignee
SONITSUKU FUEROO KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 開示技術は電子機器のウェハ等の部品、光学レンズやガ
ラス等の部品、特に、薄板状の部品の超精密洗浄の技術
分野に属する。
〈要旨の概要〉 面して、この発明は前工程の製造工程から搬送されて来
る薄板状等の被洗浄物を1枚毎に横向姿勢にして順次所
定段数の薬液や超音波による枚葉式で精密洗浄を行った
後に純水洗浄槽の純水中に横向姿勢で浸漬することによ
り仕上げ洗浄を行って純水から被洗浄物を引き上げる等
してその洗浄面に付着している純水を乾燥除去するよう
にした精密洗浄の乾燥方法に関する発明である。
〈従来の技術〉 周知の如く、近時電子機器や光学機器の精密さはその程
度が一段と極めて厳しく要求されるようになり、所謂I
C部品や電子光学部品はその精密精度の故に製品面に塵
埃やシミ等の付着が許されず、清浄度についてはミクロ
ン単位の精細度が求められ、したがって、該種精密部品
の製造工程(特に、仕上げ工程)ではミクロン単位の精
密洗浄を越えてサブミクロン単位の超精密洗浄が要求さ
れるようになってきており、部品製造工程では前工程に
て製造されたワークか終段の洗浄工程にて薬液による洗
浄作用や超音波による洗浄作用を受けて製品化される工
程か不可欠となってきている。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、在来態様の洗浄工程においては後段の精
密洗浄工程後に純水洗浄槽内に被洗浄物を浸漬して、最
終仕上げ洗浄を行って、その洗浄面に付着する純水を乾
燥している。
ところで、該種線水洗浄槽内に於ける純水もまた100
%純水であることは不可能に近く、極めて僅かながらサ
ブミクロン単位の塵埃が存在している場合があり、した
がって、被洗浄物を乾燥する工程でその洗浄面に純水が
スポット状等僅かでも残留して付着していると、乾燥段
階で被洗浄物の洗浄面に濃縮された純水中の塵埃や薬液
が所謂シミとなって現われる。
例えば、従来の高圧エアの吹付等による乾燥態様ではス
ポット状に水が残留してシミを発生させ要求されるサブ
ミクロン単位の超精密洗浄にかなうことが出来ないとい
う難点があった。
〈発明の目的〉 この発明の目的は上述従来技術に基づく電子機器や光学
製品の超精密部品の純水による最終洗浄工程での乾燥に
伴うシミ発生等の問題点を解決すべき技術的課題とし、
特に、枚葉洗浄システムにおける被洗浄物の横向姿勢で
の洗浄とそれに続く乾燥に鑑み、実験とテストの結果に
より純水中に横向姿勢で搬入浸漬した被洗浄物の引き上
げプロセスにて、速やかに乾燥し、その洗浄面にシミ等
も生じないようにして精密部品製造産業における洗浄技
術利用分野に益する優れた精密洗浄の乾燥′方法を提供
せんとするものである。
〈課題を解決するための手段・作用〉 上述目的に沿い先述特許請求の範囲を要旨とするこの発
明の構成は前述課題を解決するために、電子機器や光学
製品等の超精密部品、特に、薄板状部品等の製造工程に
続く枚葉式の洗浄工程で、被洗浄物を純水洗浄槽に於い
て純水により仕上げ洗浄を行って乾燥を行うに際し、該
純水洗浄槽の純水に対し、予め被洗浄物を横向き姿勢に
して搬入浸漬させて洗浄し、被洗浄物を該純水から、そ
の洗浄面に沿って、或は、純水の水面を降下させる等し
て微低速で相対的に引き上げし、短時間に乾燥がなされ
て洗浄面にはシミ等が生ぜず、設計通りの超精密洗浄が
なされ、乾燥されるようにした技術的手段を講じたもの
である。
〈発明の背景〉 而して、当業者である出願人の変電なる実験やテストに
よれば、最終仕上げ洗浄における純水中に浸漬した被洗
浄物の洗浄面に大小の差はあるものの、純水がスポット
状的やブロック状的に、即ち、部分的に付着している場
合には乾燥プロセスでの濃縮によるシミが生ずるが、洗
浄面に付着する純水が広範囲の薄膜状の付着状態である
場合には、乾燥によって全くシミが生じないことが判明
した。
かかるデータと結果に基づき、第3.4図に示す様に(
当該第3図実線は親水性の態様であり、疎水性の場合は
第4図に示す様に逆になる)、例えば、精密部品として
の光学部品のガラスプレート 1を図示しない仕上げ洗
浄槽中の洗浄水2に対し横向姿勢で、即ち、枚葉式に搬
入浸漬した後、引き上げするプロセスで、例えば、垂直
方向速度成分が60〜600 mm/分程度の可及的に
微低速で水面から引き上げすると、純水の表面張力と付
着力とのバランスによりある高さの膜状の純水2の付着
゛が生じて上部の空気3に触れ、洗浄面に付着する純水
2の薄膜は兵士がりせず、したがって、該被洗浄物1の
微低速による引き上げでは薄膜状の付着純水2が直ちに
乾燥作用を受け、シミ等が生ぜず、むらなくサブミクロ
ン単位の超精密乾燥された被洗浄物1を得ることが出来
ることが分った。
而して、引き上げ速度を早くすると純水が付着層を厚く
されて傾斜面に沿って流下し、その中途でスポット状、
ブロック状になってシミ等が生ずることも分った。
勿論、第4図に示す疎水性の場合も全く同様であった。
而して、被洗浄物1の純水2からの引き上げにおいては
、純水2側の減水等による水面の降下による相対引き上
げについても同様のことが確認された。
〈実施例〉 次に、この発明の実施例を第3,4図を参照して第1〜
2図に従って説明すれば以下の通りである。
4は枚葉式の仕上げ洗浄に用いる純水洗浄槽であって、
そのシンクは比較的浅いサイズであり、枚葉式の所定の
複数段の前段の各精密洗浄槽の終段に接続されて設けら
れており、その前後の両側面からは純水2がポンプ6、
フィルタ5を介して循環され、給排されるようにされて
いる。
そして、槽本体内部の純水2中に被洗浄物lを前段の精
密洗浄から順に引き継いで横向姿勢で枚葉式に搬入させ
て所定時間経過後に純水2の水面に対し僅かな設定角度
に傾斜姿勢にしてその状態を保って、例えば、垂直方向
速度成分が60〜600mm/分程度の可及的に微低速
で純水2の水面から傾斜姿勢のままその面に沿うように
して空気3中へと引き上げしていく。
そして、該引き上げプロセスにおいては、被洗浄物1の
洗浄面にはある高さたけ純水2が薄膜状に付着するが、
上部の空気3と接触し、極めて短時間に乾燥作用が行わ
れ、先述した如く、スポット的、ブロック状的な水滴状
の濃縮現象が起こらず、したがって、洗浄面にはシミ等
が生ぜず、又、設計通りの枚葉式の超精密乾燥が連続し
て行われる。
この場合、被洗浄物の耐熱性に応じて、例えば、40°
〜60°等純水を加温しておくことにより被洗浄物1を
予熱状態にしておくことにより引き上げられた該被洗浄
物1の付着薄膜水の乾燥をより速やかにする。
このようにした乾燥作業をすることにより、被洗浄物1
に対して精度の高い乾燥が得られる。
〈発明の効果〉 以上、この発明によれば、電子部品や光学部品等の超精
密部品、特に、薄板状部品の仕上げ工程に於ける枚葉式
の精密洗浄の後の仕上げ洗浄に際し純水を介しての純水
洗浄槽での横向姿勢での搬入浸漬による洗浄終了後、該
純水から被洗浄物を引き上げするプロセスにて、被洗浄
物を横向傾斜姿勢にして引き上げするに該純水と被洗浄
物との相対の引き上げ速度を微低速にすることにより、
引き上げプロセスにてスポット的やブロック状的な水滴
状の純水が付着せず、したがって、該純水に混入してい
るサブミクロン単位の塵埃等の濃縮現象が起こらず、そ
のため、シミ等が生ぜず、洗浄面全面が極めて高い清浄
度の洗浄乾燥が得られるという優れた効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の1実施例の縦断面図、第2図はその
引き上げ態様の断面図、第3図は親水性の場合の原理的
態様の断面図、第4図は疎水性の場合の同原理的態様の
断面図である。 2・・純水     1・・・被洗浄物出願人  ソニ
ック・フェロ−株式会社代理人  富   1)  幸
   春j11図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  被洗浄物に対する前段の精密洗浄に次いで純水による
    仕上げ洗浄後に単に該純水中より該被洗浄物を引き上げ
    、その洗浄面の水分を乾燥除去する精密洗浄の乾燥方法
    において、上記純水中に横向傾斜姿勢で浸漬した被洗浄
    物を当該横向傾斜姿勢の状態にて微低速で純水面から相
    対的に引き上げるようにしたことを特徴とする精密洗浄
    の乾燥方法。
JP2306021A 1990-11-14 1990-11-14 精密洗浄の乾燥方法 Pending JPH04179228A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7980255B2 (en) 2001-11-02 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02142129A (ja) * 1988-11-22 1990-05-31 Fuji Electric Co Ltd ウエハの前処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02142129A (ja) * 1988-11-22 1990-05-31 Fuji Electric Co Ltd ウエハの前処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7980255B2 (en) 2001-11-02 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
CN101414548B (zh) 2001-11-02 2011-10-19 应用材料股份有限公司 单个晶片的干燥装置和干燥方法
CN101414547B (zh) 2001-11-02 2012-02-08 应用材料公司 清洗微电子器件的方法

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