JPH04181260A - 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ - Google Patents
電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリInfo
- Publication number
- JPH04181260A JPH04181260A JP30872790A JP30872790A JPH04181260A JP H04181260 A JPH04181260 A JP H04181260A JP 30872790 A JP30872790 A JP 30872790A JP 30872790 A JP30872790 A JP 30872790A JP H04181260 A JPH04181260 A JP H04181260A
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- JP
- Japan
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- electrophotographic
- compound
- compound example
- photoreceptor
- oxytitanium phthalocyanine
- Prior art date
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- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電
子写真装置並びにファクシミリに関し、詳しくは特定の
電荷発生物質と特定の電荷輸送物質を含有する感光層を
有する電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子
写真装置並びにファクシミリに関する。
子写真装置並びにファクシミリに関し、詳しくは特定の
電荷発生物質と特定の電荷輸送物質を含有する感光層を
有する電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子
写真装置並びにファクシミリに関する。
「従来の技術」
従来、電子写真感光体としては、セレン、硫化カドミウ
ム、酸化亜鉛などの無機光導電性物質を主成分とする感
光層を有する無機感光体が広く用いられてきた。これら
は熱安定性、1ilF1湿性、耐久性などにおいて必ず
しも満足し得るものではなく、特にセレンおよび硫化カ
ドミウムは毒性のために製造上並びに取り扱い上に制約
があった。
ム、酸化亜鉛などの無機光導電性物質を主成分とする感
光層を有する無機感光体が広く用いられてきた。これら
は熱安定性、1ilF1湿性、耐久性などにおいて必ず
しも満足し得るものではなく、特にセレンおよび硫化カ
ドミウムは毒性のために製造上並びに取り扱い上に制約
があった。
一方、有機光導電性化合物を主成分とする感光層を有す
る有機感光体は無機感光体の上記欠点を補うなど多くの
利点を有し、近年注目を集めている。
る有機感光体は無機感光体の上記欠点を補うなど多くの
利点を有し、近年注目を集めている。
このような有機感光体としてはポリ−N−ビニルカルバ
ゾールに代表される光導電性ポリマーおよびこれと2.
4.7〜トリニトロ−9−フルオレノンなどのルイス酸
とから形成される電荷移動錯体を主成分とする感光層を
有する電子写真感光体は既に実用化されている。しかし
この電子写真感光体は感度および耐久性において必ずし
もl1li工できるものではない。
ゾールに代表される光導電性ポリマーおよびこれと2.
4.7〜トリニトロ−9−フルオレノンなどのルイス酸
とから形成される電荷移動錯体を主成分とする感光層を
有する電子写真感光体は既に実用化されている。しかし
この電子写真感光体は感度および耐久性において必ずし
もl1li工できるものではない。
一方、電荷発生機能と電荷輸送機能とをそれぞれ別個の
物質に分担させた機能分離型電子写真感光体が、従来の
有機感光体の欠点とされていた感度や耐久性に著しい改
善をもたらした。
物質に分担させた機能分離型電子写真感光体が、従来の
有機感光体の欠点とされていた感度や耐久性に著しい改
善をもたらした。
このような機能分離型電子写真感光体は電荷発生物質、
電荷輸送物質の各々の材料選択範囲が広く、任意の特性
を有する電子写真感光体を比較的容易に作成し得るとい
う利点を有している。
電荷輸送物質の各々の材料選択範囲が広く、任意の特性
を有する電子写真感光体を比較的容易に作成し得るとい
う利点を有している。
近年、電子写真感光体が複写機のみならず、電子写真技
術を応用したノンインパクト型のプリンターへの使用が
急速に増加してきている。これらは主としてレーザー光
を光源とするレーザービームプリンターであり、その光
源としてはコスト、装置の大きさの点から半導体レーザ
ーが用いられる。
術を応用したノンインパクト型のプリンターへの使用が
急速に増加してきている。これらは主としてレーザー光
を光源とするレーザービームプリンターであり、その光
源としてはコスト、装置の大きさの点から半導体レーザ
ーが用いられる。
現在、主として用いられている半導体レーザーはその発
振波長が790±20nmと長波長のため、これらの長
波長の光に十分な感度を有する電子写真感光体の開発が
進められてきた。
振波長が790±20nmと長波長のため、これらの長
波長の光に十分な感度を有する電子写真感光体の開発が
進められてきた。
長波長側での感度は電荷発生材料の種類によって変わる
ものであり、多(の電荷発生材料が検討されている。
ものであり、多(の電荷発生材料が検討されている。
代表的な電荷発生材料としてはフタロシアニン顔料、ア
ゾ顔料、シアニン顔料、アズレン顔料、スクアリリウム
染料などがある。
ゾ顔料、シアニン顔料、アズレン顔料、スクアリリウム
染料などがある。
一方、長波長光に対して感度を有する電荷発生材料とし
て、近年、アルミクロルフタロシアニン、クロロインジ
ウムフタロシアニン、オキシバナジウムフタロシアニン
、クロロガリウムフタロシアニン、マグネシウムフタロ
シアニン、オキシチタニウムフタロシアニンなどの金属
フタロシアニンあるいは無金属フタロシアニンについて
の研究が多くなってきている。
て、近年、アルミクロルフタロシアニン、クロロインジ
ウムフタロシアニン、オキシバナジウムフタロシアニン
、クロロガリウムフタロシアニン、マグネシウムフタロ
シアニン、オキシチタニウムフタロシアニンなどの金属
フタロシアニンあるいは無金属フタロシアニンについて
の研究が多くなってきている。
このうち多くのフタロシアニン化合物では多形の存在が
知られており、例えば無金属フタロシアニンではα型、
β型、γ型、δ型、ε型、τ型、χ型などがあり、銅フ
タロシアニンではα型、β型、γ型、δ型、χ型などが
知られている。
知られており、例えば無金属フタロシアニンではα型、
β型、γ型、δ型、ε型、τ型、χ型などがあり、銅フ
タロシアニンではα型、β型、γ型、δ型、χ型などが
知られている。
また、結晶形の違いが電子写真特性(感度、耐久時の電
位安定性など)および塗料化した場合の塗料特性にも大
きな影響を与えることも知られている。
位安定性など)および塗料化した場合の塗料特性にも大
きな影響を与えることも知られている。
特に長波長の光に対して高感度を有するオキシチタニウ
ムフタロシアニンに間しても上述の無金属フタロシアニ
ンや銅フタロシアニンなど他のフタロシアニンと同様に
多形が存在する。
ムフタロシアニンに間しても上述の無金属フタロシアニ
ンや銅フタロシアニンなど他のフタロシアニンと同様に
多形が存在する。
例えば特開昭59−49544号公報(USP4.44
4.861)、特開昭59−166959号公報、特開
昭61−239248号公報(USP4,728,59
2)、特開昭62−67094号公報(tJsP4,6
64,997)、特開昭63−366号公報、特開昭6
3−116158号公報、特開昭63−198067号
公報および特開昭64−17066号公報に各々結晶形
の子となるオキシチタニウムフタロシアニンが報告され
ている。
4.861)、特開昭59−166959号公報、特開
昭61−239248号公報(USP4,728,59
2)、特開昭62−67094号公報(tJsP4,6
64,997)、特開昭63−366号公報、特開昭6
3−116158号公報、特開昭63−198067号
公報および特開昭64−17066号公報に各々結晶形
の子となるオキシチタニウムフタロシアニンが報告され
ている。
しかし、これらのオキシチタニウムフタロシアニンは感
度が十分でない、繰り返し便用時の電位安定性が悪い、
帯電能が悪い、使用環境の変化による画像劣化が見られ
るなど実際の使用上問題となる点がいくつかあり、いま
だ十分満足できるものがない。
度が十分でない、繰り返し便用時の電位安定性が悪い、
帯電能が悪い、使用環境の変化による画像劣化が見られ
るなど実際の使用上問題となる点がいくつかあり、いま
だ十分満足できるものがない。
ところで、一般に電子写真感光体においてはある特定の
電荷発生物質に対して有効な電荷輸送物質が他の電荷発
生物質に対して有効であるとは限らず、また、逆にある
特定の電荷輸送物質に有効な電荷発生物質が他の電荷輸
送物質に対して有効であるとは限らない。すなわち、電
荷の受は渡しをするこれらの電荷発生物質と電荷輸送物
質には必ず適当な組み合わせがある。
電荷発生物質に対して有効な電荷輸送物質が他の電荷発
生物質に対して有効であるとは限らず、また、逆にある
特定の電荷輸送物質に有効な電荷発生物質が他の電荷輸
送物質に対して有効であるとは限らない。すなわち、電
荷の受は渡しをするこれらの電荷発生物質と電荷輸送物
質には必ず適当な組み合わせがある。
不適当な組み合わせでは感度低下や残留電位の上昇を生
じたり、繰り返し使用時の電位安定性の悪化や帯電能の
低下などの多くの問題を生じる。
じたり、繰り返し使用時の電位安定性の悪化や帯電能の
低下などの多くの問題を生じる。
従って電荷発生物質と電荷輸送物質との組み合わせは極
めて重要であるが、−射的な法則は存在せず、特定の電
荷発生物質に適合した電荷輸送物質の発見は容易なこと
ではない。
めて重要であるが、−射的な法則は存在せず、特定の電
荷発生物質に適合した電荷輸送物質の発見は容易なこと
ではない。
[発明が解決しようとする課題]
本発明の目的はレーザーダイオード発振波長域で十分な
高感度を有する電子写真感光体を提供すること、繰り返
し便用時の電位が安定に維持され、かつ、使用環境(温
度、温度)によらず安定した電位特性と画像特性を示す
電子写真感光体を提供すること、該電子写真感光体を備
えた電子写真装置並びにファクシミリを提供することに
ある。
高感度を有する電子写真感光体を提供すること、繰り返
し便用時の電位が安定に維持され、かつ、使用環境(温
度、温度)によらず安定した電位特性と画像特性を示す
電子写真感光体を提供すること、該電子写真感光体を備
えた電子写真装置並びにファクシミリを提供することに
ある。
[課題を解決する手段、作用]
本発明はCuKαのX線回折におけるブラッグ角261
f0.2” が9.Oo、14.2” 、23.9″お
よび27.1°に強いピークを有する結晶形のオキシチ
タニウムフタロシアニンを含有し、かつ、下記一般式(
1)で示すジヒドロフェナンスレン化合物または一般式
(2)で示すフェナンスレン化合物を含有することを特
徴とする電子写真感光体から構成される。
f0.2” が9.Oo、14.2” 、23.9″お
よび27.1°に強いピークを有する結晶形のオキシチ
タニウムフタロシアニンを含有し、かつ、下記一般式(
1)で示すジヒドロフェナンスレン化合物または一般式
(2)で示すフェナンスレン化合物を含有することを特
徴とする電子写真感光体から構成される。
一般式
一般式
式中、R5、R6、R7、R,、R,、、R,,8丁お
よびR8は置換基を有してもよいアルキル基、アラルキ
ル基またはアリール基を示す。
よびR8は置換基を有してもよいアルキル基、アラルキ
ル基またはアリール基を示す。
具体的にはアルキル基としてはメチル、エチル、プロピ
ルなどの基、アラルキル基としてはベンジル、フェネチ
ルなどの基、アリール基としてはフェニル、ナフチルな
どの基が挙げられる。
ルなどの基、アラルキル基としてはベンジル、フェネチ
ルなどの基、アリール基としてはフェニル、ナフチルな
どの基が挙げられる。
またアルキル基、アラルキル基およびアリール基が有し
てもよい置換基としてはメチル、エチル、プロピルなど
のアルキル基、メトキシ、エトキシなどのアルコキシ基
、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子
またはフェニルなどのアリール基が挙げられる。
てもよい置換基としてはメチル、エチル、プロピルなど
のアルキル基、メトキシ、エトキシなどのアルコキシ基
、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子
またはフェニルなどのアリール基が挙げられる。
本発明におけるオキシチタニウムフタロシアニンのX線
回折パターンは第1図、第2図および第3図に示すよう
にブラッグ角(2θ±0.2°)の9,0°、14.2
°、23.9°および27.1°の位!に強いピークを
示す。上記ピークはピーク強度の強い上位4点を採った
ものであり、主要なピークとなっている。
回折パターンは第1図、第2図および第3図に示すよう
にブラッグ角(2θ±0.2°)の9,0°、14.2
°、23.9°および27.1°の位!に強いピークを
示す。上記ピークはピーク強度の強い上位4点を採った
ものであり、主要なピークとなっている。
第1図、第2図および第3図のX線回折図において特徴
的なことは、上記4点のピークのうち、27.1’(7
)ピークが−II<、9.0°ノピークが二番目に強い
。
的なことは、上記4点のピークのうち、27.1’(7
)ピークが−II<、9.0°ノピークが二番目に強い
。
また17.9°の位置に上記4点より弱いピークさらに
弱いピークが13.3°の位置にある。
弱いピークが13.3°の位置にある。
また10.5°〜13.O@、14.8°〜17.4°
および18.2°〜23.2°の範囲には実質的にピー
クがない。
および18.2°〜23.2°の範囲には実質的にピー
クがない。
なお、本発明においてX線回折のビーク形状は製造時に
おける条件の相違によって、また、測定条件などによっ
て僅かではあるが異なり、例えば各ピークの先端部はス
プリットする場合もあり得る。
おける条件の相違によって、また、測定条件などによっ
て僅かではあるが異なり、例えば各ピークの先端部はス
プリットする場合もあり得る。
第1図の場合には8,9°のピークの山は9゜4°付近
に、また、14.2°のピークの山は14、I°付近に
別のスプリットしたピークが見られる。
に、また、14.2°のピークの山は14、I°付近に
別のスプリットしたピークが見られる。
オキシチタニウムフタロシアニンの構造は下記式で表わ
される。
される。
式中、X、、Xi、X−、およびx4はCI2またはB
rを示し、n、m、I2およびkはO〜4の整数である
。
rを示し、n、m、I2およびkはO〜4の整数である
。
また、本発明は前記本発明の電子写真感光体を備えた電
子写真装置から構成される。
子写真装置から構成される。
また、本発明は前記本発明の電子写真感光体を備えた電
子写真装置およびリモート端末からの画像情報を受信す
る受信手段を有するファクシミリから構成される。
子写真装置およびリモート端末からの画像情報を受信す
る受信手段を有するファクシミリから構成される。
以下に一般式(1)で示すジヒドロフェナンスレン化合
物および一般式(2)で示すフェナンスレン化合物の代
表的な具体例を列挙する。
物および一般式(2)で示すフェナンスレン化合物の代
表的な具体例を列挙する。
ただし、これらの化合物に限定されるものではない。
化合物例の記載は、基本型において変化する部分である
R、、R5、R6、R7、R,、R,、R1およびR8
のみを示すことによる。
R、、R5、R6、R7、R,、R,、R1およびR8
のみを示すことによる。
基本型1
化合物例(1)
R、: −CH,R2: −Cu3
P s : −CHx R4:
−GHz化合物例(2) R1: −CtHs Rz : −CaHmR
−: −CJs R4: −CJ−化合物例(
3) RI: −CJs Rz : −CJsR−ニ
ー(:H(CHs12R4: −(:[(:Hslz化
合物例(4) R1: −CtHs Rx : −CzH−R
,ニーCH2つ R4ニーCH,−@化合物例(5
) R、: −C,HI R、: −C,H。
−GHz化合物例(2) R1: −CtHs Rz : −CaHmR
−: −CJs R4: −CJ−化合物例(
3) RI: −CJs Rz : −CJsR−ニ
ー(:H(CHs12R4: −(:[(:Hslz化
合物例(4) R1: −CtHs Rx : −CzH−R
,ニーCH2つ R4ニーCH,−@化合物例(5
) R、: −C,HI R、: −C,H。
R・・−@ R・・つ
化合物例(6)
R+ニニー山 R2:セ
R,ニー(:山 R4:つ
化合物例(7)
RI: −CHt4 R; : −。
Rs : −CH,<の R4:は■化合物例(8
) R、ニー(:H壜R、: −CHt−。
) R、ニー(:H壜R、: −CHt−。
R,ニーC腎@ R4: −cH,や化合物例(
9) R・・@ 0パや Rs : −C,H,−@ R4: −C2H,や
化合物例(10) R盪−o R2田■ Rz : −cut@ R4: −CH。
9) R・・@ 0パや Rs : −C,H,−@ R4: −C2H,や
化合物例(10) R盪−o R2田■ Rz : −cut@ R4: −CH。
化合物例(11)
R、: −C2H,R,・噂
R3ニーCH2−oR4: −CtHs化合物例(12
) R1:舎CH,R、・(矢CH3 R,ニーCH2つ R4ニー山@ 化合物例(13) R,ニー@ R2:つ 化合物例(14) R,ニーo−cH,R,ニー@1 R,ニー@−CH,R4ニー@ 化合物例(15) 8、ニーOR=: <■ R,ニー@−cH,R4:母 化合物例(16) 化合物例(17) 化合物例(18) R1:舎にCH3R2ニー@−C:H3R3: (トC
H−R−+4(:H3 化合物例(19) R、: +CtHs R2: +ctH5R,:畳
C2H,R4:+C山 化合物例(20) CH。
) R1:舎CH,R、・(矢CH3 R,ニーCH2つ R4ニー山@ 化合物例(13) R,ニー@ R2:つ 化合物例(14) R,ニーo−cH,R,ニー@1 R,ニー@−CH,R4ニー@ 化合物例(15) 8、ニーOR=: <■ R,ニー@−cH,R4:母 化合物例(16) 化合物例(17) 化合物例(18) R1:舎にCH3R2ニー@−C:H3R3: (トC
H−R−+4(:H3 化合物例(19) R、: +CtHs R2: +ctH5R,:畳
C2H,R4:+C山 化合物例(20) CH。
RI:セ R2:会CH。
化合物例(21)
R1:畳0山 R2:→
R3:÷0山 R1:や
化合物例(22)
R+ニニー−0CHx R2ニー@−CHzRl:
釡0CH3R4:叩ドH3 化合物例(23) 化合物例(24) R、: −@−cH,R2: ()cH。
釡0CH3R4:叩ドH3 化合物例(23) 化合物例(24) R、: −@−cH,R2: ()cH。
R3:※ラ R4・母
化合物例(25)
CH3
CH。
化合物例(26)
化合物例(27)
R、: −@ R、ニーo−CH(CH,1
2R3ニー@ R4:舎C旧CH,12化合
物例(28) R,ニー@−C4H,R2ニー@ R,ニー@−C4H,R,ニー@ 化合物例(29) R1:(防CiH,R2: ()C,H。
2R3ニー@ R4:舎C旧CH,12化合
物例(28) R,ニー@−C4H,R2ニー@ R,ニー@−C4H,R,ニー@ 化合物例(29) R1:(防CiH,R2: ()C,H。
R3:豊C3H7R4: +C5Ht
化合物例(30)
化合物例(31)
化合物例(32)
化合物例(33)
R,:吾ocHz R2:号0C2H8R3: −@
−0(:H,R、:舎OC2H5化合物例(34) 哩 R・・4 R2・母 化合物例(35) R、: −@−CH,Rz :喝 Br 11r 化合物例(36) 化合物例(37) R・・号 R2−@ R・・つ R4−□ 化合物例(38) R1:(漣CH3Rt:号CH3 R3=(H鰭C2H6R4:(o旨)C2H5化合物例
(39) R1:号CH3Rt・(ト■ R3:号CH,R,+畷+ 化合物例(40) R・・−@−o R2・(ト@ R・:+@R4・(ト@ 化合物例(41) R3’−o R・・母 R3:舎CH2噂 R4: −@−cl(2つ化合物例
(42) R3、刊公−@−CHfcH3+ 2 R4: −@−@−C旧CH312 化合物例(43) 化合物例(44) 化合物例(45) 化合物例(46) R3:ぺ))cH,R4ニー1:5訓CH3化合物例(
47) R・:沓OCH,R,擬8 R3: −に(I;;:]:)−ocu、
R4二 −aミD化合物例(48) 基本型2 化合物例(49) R,: −CH,R6: −CH3 R7:−CH5R,: −CH。
−0(:H,R、:舎OC2H5化合物例(34) 哩 R・・4 R2・母 化合物例(35) R、: −@−CH,Rz :喝 Br 11r 化合物例(36) 化合物例(37) R・・号 R2−@ R・・つ R4−□ 化合物例(38) R1:(漣CH3Rt:号CH3 R3=(H鰭C2H6R4:(o旨)C2H5化合物例
(39) R1:号CH3Rt・(ト■ R3:号CH,R,+畷+ 化合物例(40) R・・−@−o R2・(ト@ R・:+@R4・(ト@ 化合物例(41) R3’−o R・・母 R3:舎CH2噂 R4: −@−cl(2つ化合物例
(42) R3、刊公−@−CHfcH3+ 2 R4: −@−@−C旧CH312 化合物例(43) 化合物例(44) 化合物例(45) 化合物例(46) R3:ぺ))cH,R4ニー1:5訓CH3化合物例(
47) R・:沓OCH,R,擬8 R3: −に(I;;:]:)−ocu、
R4二 −aミD化合物例(48) 基本型2 化合物例(49) R,: −CH,R6: −CH3 R7:−CH5R,: −CH。
化合物例(50)
R、: −C2H,R、: −C2H2R、: −C,
H,R、: −C,H5化合物例(51) R5ニーC,H6R,・−C2H。
H,R、: −C,H5化合物例(51) R5ニーC,H6R,・−C2H。
R,ニーCH(CH,]、 R,ニーCニーCH3
12化合物例(52) Rs ニーCtHs R−・−C,H。
12化合物例(52) Rs ニーCtHs R−・−C,H。
R,ニーCH*セ RaニニーHバ◇化合物例(5
3) Rs : −C2H8Ra : −CJsR・・べ◇
R・・つ 化合物例(54) Rs ニーC2H5Re :べ◇ R,: −C2H,R,:→ 化合物例(55) RS :〜CH2−@ R6: −@R,ニーC
HIや R8:@ 化合物例(56) R8: −CH2@ R,: −c腎@R? :
−CH2−@ R、: −CH2−@化合物例(
57) R6・@R6・そ R? : −C,H4@ R・: −C=H層基本
型3 化合物例(58) R・・つ R・・つ R7ニーCHzつ R8ニーCH。
3) Rs : −C2H8Ra : −CJsR・・べ◇
R・・つ 化合物例(54) Rs ニーC2H5Re :べ◇ R,: −C2H,R,:→ 化合物例(55) RS :〜CH2−@ R6: −@R,ニーC
HIや R8:@ 化合物例(56) R8: −CH2@ R,: −c腎@R? :
−CH2−@ R、: −CH2−@化合物例(
57) R6・@R6・そ R? : −C,H4@ R・: −C=H層基本
型3 化合物例(58) R・・つ R・・つ R7ニーCHzつ R8ニーCH。
基本型2
化合物例(59)
R,: −C,H,R,:や
R,ニーcH2+cI2R,: −C晶化合物例(60
) R6・+CH3R,:+cH。
) R6・+CH3R,:+cH。
R?ニニーH2−@ R,ニーCH2つ化合物例(
61) R5・@ R・′@ R7・−oR・・つ 化合物例(62) R5ニー@−(:H,R6:−@ R,ニーニーCH,R,ニー。
61) R5・@ R・′@ R7・−oR・・つ 化合物例(62) R5ニー@−(:H,R6:−@ R,ニーニーCH,R,ニー。
化合物例(63)
R5・べ◇ R6・や
R7: +CH,RIl:や
化合物例(64)
化合物例(65)
化合物例(66)
R,: −@−cH3R,:舎CH。
R、: −@−(:H,R、: −@−CH3化合物例
(67) R、ニー@−C2H5R、: −@−C,H5R7:号
C山 Rs : +CJs 化合物例(68) 基本型3 ■ 化合物例(69) 基本型2 化合物例(70) R,: −@−ocu、 R,・壱R,ニー@−
ocH3Re ニー@ 化合物例(71) 化合物例(72) R、: −@−cH,R、: −@−CH。
(67) R、ニー@−C2H5R、: −@−C,H5R7:号
C山 Rs : +CJs 化合物例(68) 基本型3 ■ 化合物例(69) 基本型2 化合物例(70) R,: −@−ocu、 R,・壱R,ニー@−
ocH3Re ニー@ 化合物例(71) 化合物例(72) R、: −@−cH,R、: −@−CH。
化合物例(73)
基本型4
化合物例(74)
基本型2
化合物例(75)
R5:云う R6:バΦイHfCH312R7
ニー(う R8:刊)cH(co、)。
ニー(う R8:刊)cH(co、)。
化合物例(76)
R6: −@−C,HI Re ニー@R1:べ)
C山 R゛8:や 化合物例(77) R5: 4c、o、、 R6:ベ)c、H。
C山 R゛8:や 化合物例(77) R5: 4c、o、、 R6:ベ)c、H。
R7: −@−G、H,R、: %C,H。
化合物例(78)
化合物例(79)
化合物例(8o)
化合物例(81)
Rs : +O(:Hl ’ Re ニー@−0C2
H8R,ニーo−0(:H,R,:舎OC山化合物例(
82) R8ニー@ R,ニー@ (ml 化合物例(83) R6:+山 R6:☆ r R7:÷CH,R6:慢 r 化合物例(84) 化合物例(85) R6・包 R・・つ 化合物例(86) R、: +cH,R6:÷CH。
H8R,ニーo−0(:H,R,:舎OC山化合物例(
82) R8ニー@ R,ニー@ (ml 化合物例(83) R6:+山 R6:☆ r R7:÷CH,R6:慢 r 化合物例(84) 化合物例(85) R6・包 R・・つ 化合物例(86) R、: +cH,R6:÷CH。
R7:叩ト)c、v、 R,! :(o戸幣C山化合物
例(87) R6:畳CH,R6:+う Rフ : −@−CH3R、ニー4ミ+化合物例(
88) R,: −@−@ R,:ベト@R7:(ト@
R6:4ト@ 化合物例(89) R,ニー@ R,ニー@ R、: +c腎@ Ra :’bcH2噂化合物例(
90) R? : −@−@−cn (CH,+ 2Ra
:kCHf(:H31t 化合物例(91) 化合物例(92) 化合物例(93) 化合物例(94) R? ニーo−CH3R、: −@−cH3化合物例(
95) 化合物例(96) 基本型5 化合物例(97) R1ニーCH3R2・−CH3 R3・−CH3R4・−CH。
例(87) R6:畳CH,R6:+う Rフ : −@−CH3R、ニー4ミ+化合物例(
88) R,: −@−@ R,:ベト@R7:(ト@
R6:4ト@ 化合物例(89) R,ニー@ R,ニー@ R、: +c腎@ Ra :’bcH2噂化合物例(
90) R? : −@−@−cn (CH,+ 2Ra
:kCHf(:H31t 化合物例(91) 化合物例(92) 化合物例(93) 化合物例(94) R? ニーo−CH3R、: −@−cH3化合物例(
95) 化合物例(96) 基本型5 化合物例(97) R1ニーCH3R2・−CH3 R3・−CH3R4・−CH。
基本型6
化合物例(98)
Rs : −CxHs Rs : −CtHs
基本型5 化合物例(99) 化合物例(100) R、ニーCH3R1: −CHI 基本型6 化合物例(101) R,: −C,I(、R,: −C2H!R、: −C
2H,R、: −C2H6化合物例(102) Rs : −CH3Ra : −CHx基本型7 化合物例(103) Rs : +CHz Re : −CH3基本型6 化合物例(104) R5: (訓CH3R6:ゆ R7・ 号CH3R8ニー@ 化合物例(105) R5: −@ R,: −cu2(CトCH1
基本型8 R6 化合物例(106) R・・(R・・(う R7・や R・ ■ 基本型4 化合物例(107) R8ニーCH3R,: −CH。
基本型5 化合物例(99) 化合物例(100) R、ニーCH3R1: −CHI 基本型6 化合物例(101) R,: −C,I(、R,: −C2H!R、: −C
2H,R、: −C2H6化合物例(102) Rs : −CH3Ra : −CHx基本型7 化合物例(103) Rs : +CHz Re : −CH3基本型6 化合物例(104) R5: (訓CH3R6:ゆ R7・ 号CH3R8ニー@ 化合物例(105) R5: −@ R,: −cu2(CトCH1
基本型8 R6 化合物例(106) R・・(R・・(う R7・や R・ ■ 基本型4 化合物例(107) R8ニーCH3R,: −CH。
R,ニーCH3R,: −CH。
化合物例(iog)
本発明における特定の結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンと特定のジヒドロフェナンスレン化合物または
フェナンスレン化合物との組み合わせは、おそらくイオ
ン化ポテンシャルの適合または電荷発生材料と電荷輸送
材料の界面での立体的重なりが良いなどの理由で、電荷
発生物質から電荷輸送物質への電荷の注入が良好に行わ
れるため、感度が良好で、残留電位も小さく、繰り返し
便用時の電位安定性にも優れているものと思われる。
シアニンと特定のジヒドロフェナンスレン化合物または
フェナンスレン化合物との組み合わせは、おそらくイオ
ン化ポテンシャルの適合または電荷発生材料と電荷輸送
材料の界面での立体的重なりが良いなどの理由で、電荷
発生物質から電荷輸送物質への電荷の注入が良好に行わ
れるため、感度が良好で、残留電位も小さく、繰り返し
便用時の電位安定性にも優れているものと思われる。
本発明において用いる結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンの製造法について例示的に説明すると、例λば
四塩化チタンとオルトフタロジニトリルをσ−クロロナ
フタレン中で反応させ、ジクロルチタニウムフタロシア
ニンを得る。これをα−クロロナフタレン、トリクロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン、N−メチルピロリドン、
N、 N−ジメチルホルムアミドなどの溶剤で洗浄し、
次いで、メタノール、エタノールなどの溶剤で洗浄した
後、熱水により加水分解してオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶を得る。こうして得られた結晶は種々の多形
の混合物であることが多く、この混合物を処理しても、
本発明で用いる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニ
ンを得るのは通常は難しい。
シアニンの製造法について例示的に説明すると、例λば
四塩化チタンとオルトフタロジニトリルをσ−クロロナ
フタレン中で反応させ、ジクロルチタニウムフタロシア
ニンを得る。これをα−クロロナフタレン、トリクロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン、N−メチルピロリドン、
N、 N−ジメチルホルムアミドなどの溶剤で洗浄し、
次いで、メタノール、エタノールなどの溶剤で洗浄した
後、熱水により加水分解してオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶を得る。こうして得られた結晶は種々の多形
の混合物であることが多く、この混合物を処理しても、
本発明で用いる結晶形のオキシチタニウムフタロシアニ
ンを得るのは通常は難しい。
そこで、本発明で用いるに適せしむるため、アシッドベ
ージティング法により処理して非晶質のオキシチタニウ
ムフタロシアニンに変換する。
ージティング法により処理して非晶質のオキシチタニウ
ムフタロシアニンに変換する。
得られた非晶質のオキシチタニウムフタロシアニンに室
温、船離あるいは煮沸下、好ましくは1時間以上のメタ
ノール処理を施した後、減圧乾燥し、さらにn−プロピ
ルエーテル、n−ブチルエーテル、1so−ブチルエー
テル、5ec−ブチルエーテル、n−アミルエーテル、
n−ブチルメチルエーテル、n−ブチルエチルエーテル
、エチレングリコール−n−ブチルエーテルなどのエー
テル系溶剤またはテルピノレン、ピネンなどのモノテル
ペン系炭化水素溶剤や流動パラフィンなどの溶剤を分散
媒として用いて5時間以上、好ましくは10時間以上の
ミリング処理を行うことによって本発明で用いる結晶形
のオキシチタニウムフタロシアニンが得られる。
温、船離あるいは煮沸下、好ましくは1時間以上のメタ
ノール処理を施した後、減圧乾燥し、さらにn−プロピ
ルエーテル、n−ブチルエーテル、1so−ブチルエー
テル、5ec−ブチルエーテル、n−アミルエーテル、
n−ブチルメチルエーテル、n−ブチルエチルエーテル
、エチレングリコール−n−ブチルエーテルなどのエー
テル系溶剤またはテルピノレン、ピネンなどのモノテル
ペン系炭化水素溶剤や流動パラフィンなどの溶剤を分散
媒として用いて5時間以上、好ましくは10時間以上の
ミリング処理を行うことによって本発明で用いる結晶形
のオキシチタニウムフタロシアニンが得られる。
ここでメタノール処理とは、例えばメタノール中におけ
るオキシチタニウムフタロシアニンの懸濁撹拌処理をい
う。
るオキシチタニウムフタロシアニンの懸濁撹拌処理をい
う。
ミリング処理とは、例えばガラスピーズ、スチールビー
ズ、アルミナボールなどの分散メディアとともにサンド
ミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理
をいう。
ズ、アルミナボールなどの分散メディアとともにサンド
ミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理
をいう。
本発明の結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンと一
般式(1)で示すジヒドロフェナンスレン化合物または
フェナンスレン化合物を用いた電子写真感光体について
説明する。
般式(1)で示すジヒドロフェナンスレン化合物または
フェナンスレン化合物を用いた電子写真感光体について
説明する。
電子写真感光体の代表的な層構成は、感光層が単一層か
らなり、感光層が電荷発生材料と電荷輸送材料を同時に
含有して、導電性支持体上に形成されている単一要撃が
ある。
らなり、感光層が電荷発生材料と電荷輸送材料を同時に
含有して、導電性支持体上に形成されている単一要撃が
ある。
また、感光層が電荷発生材料を含有する電荷発生層と電
荷輸送材料を含有する電荷輸送層とが導N性支持体上に
順次積層された構造をとる積層型があり、この場合電荷
発生層と電荷輸送層の積層関係は逆であってもよい。
荷輸送材料を含有する電荷輸送層とが導N性支持体上に
順次積層された構造をとる積層型があり、この場合電荷
発生層と電荷輸送層の積層関係は逆であってもよい。
導電性支持体としては導電性を有するものであればよく
、アルミニウム、ステンレスなどの金属や合金、導電層
を設けた金属、合金、プラスチ・ツク、紙などが用いら
れ、形状は円筒状またはフィルム状などがある。
、アルミニウム、ステンレスなどの金属や合金、導電層
を設けた金属、合金、プラスチ・ツク、紙などが用いら
れ、形状は円筒状またはフィルム状などがある。
導電性支持体と感光層の間にはバリヤー機能と接着機能
を有する下引き層を形成することもできる。
を有する下引き層を形成することもできる。
下引き層の材料としてはポリビニルアルコール、ポリエ
チレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース
、カゼイン、ポリアミド、にかわ、ゼラチンなどが用い
られる。
チレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース
、カゼイン、ポリアミド、にかわ、ゼラチンなどが用い
られる。
材料を適当な溶剤に溶解して導電性支持体上に塗布され
る。
る。
その膜厚は0.2〜3.0LLmである。
羊−層からなる感光層は、本発明に用いるオキシチタニ
ウムフタロシアニン結晶の電荷発生材料とジヒドロフェ
ナンスレン化合物またはフェナンスレン化合物の電荷輸
送材料を適当なバインダー樹脂溶液中に混合して塗布乾
燥することにより形成される。
ウムフタロシアニン結晶の電荷発生材料とジヒドロフェ
ナンスレン化合物またはフェナンスレン化合物の電荷輸
送材料を適当なバインダー樹脂溶液中に混合して塗布乾
燥することにより形成される。
積層構造からなる感光層は、電荷発生層は本発明に用い
るオキシチタニウムフタロシアニン結晶の電荷発生材料
を適当なバインダー樹脂溶液とともに分散し、塗布乾燥
することにより形成し、この場合、バインダー樹脂はな
くてもよい。
るオキシチタニウムフタロシアニン結晶の電荷発生材料
を適当なバインダー樹脂溶液とともに分散し、塗布乾燥
することにより形成し、この場合、バインダー樹脂はな
くてもよい。
バインダー樹脂としては、例えばポリエステル、アクリ
ル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキシ樹脂、ポ
リカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン
、ポリビニルアセテート、ポリスルホン、ボリアリレー
ト、塩化ビニリデン・アクリロニトリルコポリマーなど
が主として用いられる。
ル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキシ樹脂、ポ
リカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン
、ポリビニルアセテート、ポリスルホン、ボリアリレー
ト、塩化ビニリデン・アクリロニトリルコポリマーなど
が主として用いられる。
電荷輸送層は本発明に用いるジヒドロフェナンスレン化
合物またはフェナンスレン化合物の電荷輸送材料とバイ
ンダー樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗布乾燥して
形成される。
合物またはフェナンスレン化合物の電荷輸送材料とバイ
ンダー樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗布乾燥して
形成される。
バインダー樹脂としては前述のバインダー樹脂と同様の
ものを用いることができる。
ものを用いることができる。
感光層の塗布方法としては浸漬コーティング法、スプレ
ーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビード
コーティング法、ブレードコーティング法、ビームコー
ティング法などの方法か挙げられる。
ーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビード
コーティング法、ブレードコーティング法、ビームコー
ティング法などの方法か挙げられる。
感光層が単一層の場合、膜厚は5〜4oLLm、好まし
くは10〜30umである。また、感光層が積層構造の
場合、電荷発生層の膜厚は0.01〜10tLm、好ま
しくは0.05〜5umであり、電荷輸送層の膜厚は5
〜40um、好ましくは10〜30umである。
くは10〜30umである。また、感光層が積層構造の
場合、電荷発生層の膜厚は0.01〜10tLm、好ま
しくは0.05〜5umであり、電荷輸送層の膜厚は5
〜40um、好ましくは10〜30umである。
さらに、これら感光層を外部の衝撃から保護するために
感光層の表面に薄い保護層を設けてもよい。
感光層の表面に薄い保護層を設けてもよい。
本発明のオキシチタニウムフタロシアニン結晶を電荷発
生材料として用いる場合、その目的に応じて他の電荷発
生材料と混合して用いることも可能である。
生材料として用いる場合、その目的に応じて他の電荷発
生材料と混合して用いることも可能である。
本発明の電子写真感光体はレーザービームプリンター、
LEDプリンター、CRTプリンターなどのプリンター
のみならず、通常の電子写真複写機、ファクシミリその
他電子写真応用分野に広く適用することができる。
LEDプリンター、CRTプリンターなどのプリンター
のみならず、通常の電子写真複写機、ファクシミリその
他電子写真応用分野に広く適用することができる。
次に、本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置並
びにファクシミリについて説明する。
びにファクシミリについて説明する。
第10図に本発明のドラム型感光体を用いた一般的な転
写式電子写真装置の概略構成を示した。
写式電子写真装置の概略構成を示した。
図において、1は像担持体としてのドラム型感光体であ
り軸1aを中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動さ
れる。該感光体1はその回転過程で帯電手段2によりそ
の周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次い
で露光部3にて不図示の像露光手段により光像露光L(
スリット露光・レーザービーム走査露光など)を受ける
。
り軸1aを中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動さ
れる。該感光体1はその回転過程で帯電手段2によりそ
の周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次い
で露光部3にて不図示の像露光手段により光像露光L(
スリット露光・レーザービーム走査露光など)を受ける
。
これにより感光体周面に露光像に対応した静電潜像が順
次形成されていく。
次形成されていく。
その静電潜像は、次いで現像手段4でトナー現像され、
そのトナー現像(象が転写手段5により不図示の給紙部
から感光体1と転写手段5との間に感光体1の回転と同
期取りされて給送された転写材Pの面に順次転写されて
いく。
そのトナー現像(象が転写手段5により不図示の給紙部
から感光体1と転写手段5との間に感光体1の回転と同
期取りされて給送された転写材Pの面に順次転写されて
いく。
像転写を受けた転写材Pは感光体面から分離されて像定
着手段8へ導入されて像定着を受けて複写物(コピー)
として機外ヘプリントアウトされる。
着手段8へ導入されて像定着を受けて複写物(コピー)
として機外ヘプリントアウトされる。
像転写後の感光体1の表面はクリーニング手段6にて転
写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、前露光手段
7により除電処理がされて繰り返して像形成に使用され
る。
写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、前露光手段
7により除電処理がされて繰り返して像形成に使用され
る。
感光体1の均一帯電手段2としてはコロナ帯電装置が一
般に広く使用されている。
般に広く使用されている。
また、転写装置5もコロナ転写手段が一般に広く使用さ
れている。
れている。
電子写真装置として、上述の感光体や現像手段、クリー
ニング手段などの構成要素のうち、複数のものを装置ユ
ニットとして一体に結合して構成し、このユニットを装
置本体に対して着脱自在に構成しても良い。例えば、感
光体1とクリーニング手段6とを一体化してひとつの装
置ユニットとし、装置本体のレールなどの案内手段を用
いて着脱自在の構成にしても良い。このとき、上記の装
置ユニットのほうに帯電手段および/または現像手段を
伴って構成しても良い。
ニング手段などの構成要素のうち、複数のものを装置ユ
ニットとして一体に結合して構成し、このユニットを装
置本体に対して着脱自在に構成しても良い。例えば、感
光体1とクリーニング手段6とを一体化してひとつの装
置ユニットとし、装置本体のレールなどの案内手段を用
いて着脱自在の構成にしても良い。このとき、上記の装
置ユニットのほうに帯電手段および/または現像手段を
伴って構成しても良い。
また、光像露光しは、電子写真装置を複写機やプリンタ
ーとして使用する場合には、原稿からの反射光や透過光
、あるいは、原稿を読み取り信号化し、この信号により
レーザービームの走査、発光ダイオードアレイの駆動、
または液晶シャッターアレイの駆動などにより行われる
。
ーとして使用する場合には、原稿からの反射光や透過光
、あるいは、原稿を読み取り信号化し、この信号により
レーザービームの走査、発光ダイオードアレイの駆動、
または液晶シャッターアレイの駆動などにより行われる
。
また、ファクシミリのプリンターとして使用する場合に
は、光像露光りは受信データをプリントするための露光
になる。
は、光像露光りは受信データをプリントするための露光
になる。
第11図は、この場合の1例をブロック図で示したもの
である。
である。
コントローラ10は画像読取部9とプリンター18を制
御する。
御する。
コントローラ10の全体はCPU16により制(卸され
ている。
ている。
画像読取部からの読取りデータは、送信回路12を通し
て相手局に送信される。相手局から受けたデータは受信
回路11を通してプリンター18に送られる。画像メモ
リには所定の画像データが記憶される。プリンタコント
ローラ17はプリンター18を制御している。13は電
話である。
て相手局に送信される。相手局から受けたデータは受信
回路11を通してプリンター18に送られる。画像メモ
リには所定の画像データが記憶される。プリンタコント
ローラ17はプリンター18を制御している。13は電
話である。
回線14から受信された画像(回線を介して接続された
リモート端末からの画像情報)は、受信回路11で復調
された後、CPo 16は画像情報の信号処理を行い順
次画像メモリ15に格納される。そして、少なくとも1
ページの画像がメモリ16に格納されると、そのページ
の画像記憶を行う。
リモート端末からの画像情報)は、受信回路11で復調
された後、CPo 16は画像情報の信号処理を行い順
次画像メモリ15に格納される。そして、少なくとも1
ページの画像がメモリ16に格納されると、そのページ
の画像記憶を行う。
CPTJ 16は、メモリ15より1ページの画像情報
を読み出しプリンタコントローラ17に信号かされた1
ページの画像情報を送出する。
を読み出しプリンタコントローラ17に信号かされた1
ページの画像情報を送出する。
プリンタコントローラ17は、CPU16からの1ペー
ジの画像情報を受は取るとそのページの画像情報記録を
行うべく、プリンタ18を制御する。
ジの画像情報を受は取るとそのページの画像情報記録を
行うべく、プリンタ18を制御する。
なお、CPU16は、プリンター18による記録中に、
次のページの受信を行っている。
次のページの受信を行っている。
以上のように、画像の受信と記録が行われる。
次に本発明で用いるオキシチタニウムフタロシアニン結
晶の製造例を示す。
晶の製造例を示す。
製造例1
a−クロロナフタレン100g中、O−フタロジニトリ
ル50g、四塩化チタン2.0gを200℃にて3時間
加熱撹拌した後、50℃まで冷却して析出した結晶を濾
別、ジクロロチタニウムフタロシアニンのペーストを得
た。
ル50g、四塩化チタン2.0gを200℃にて3時間
加熱撹拌した後、50℃まで冷却して析出した結晶を濾
別、ジクロロチタニウムフタロシアニンのペーストを得
た。
次に、これを100℃に船舷したN、N−ジメチルホル
ムアミドLoomεで撹拌下洗浄、次いで60℃のメタ
ノール100m9で2回洗浄を繰り返し、濾別した。さ
らに、この得られたペーストを脱イオン水100mj2
中80℃で1時間攪拌、濾別して青色のオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶を得た。収量4.3g 元素分析値(C3□H+sN s T 10 )計算値
(%) 実測値(%) C66,6866,50 H2,802,99 N 19.44 19.42 CJ2 0.00 0.47 次にこの結晶を濃硫酸30mgに溶解し、20℃の脱イ
オン水300m9中に撹拌下で滴下して再析出させて濾
過し十分に水洗した後、非晶質のオキシチタニウムフタ
ロシアニンを得た。
ムアミドLoomεで撹拌下洗浄、次いで60℃のメタ
ノール100m9で2回洗浄を繰り返し、濾別した。さ
らに、この得られたペーストを脱イオン水100mj2
中80℃で1時間攪拌、濾別して青色のオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶を得た。収量4.3g 元素分析値(C3□H+sN s T 10 )計算値
(%) 実測値(%) C66,6866,50 H2,802,99 N 19.44 19.42 CJ2 0.00 0.47 次にこの結晶を濃硫酸30mgに溶解し、20℃の脱イ
オン水300m9中に撹拌下で滴下して再析出させて濾
過し十分に水洗した後、非晶質のオキシチタニウムフタ
ロシアニンを得た。
こうして得られた非晶質のオキシチタニウムフタロシア
ニン4.0gをメタノール100me中室温(22℃)
下、8時間懸濁撹拌処理し、濾別、減圧乾燥して低結晶
性のオキシチタニウムフタロシアニンを得た。
ニン4.0gをメタノール100me中室温(22℃)
下、8時間懸濁撹拌処理し、濾別、減圧乾燥して低結晶
性のオキシチタニウムフタロシアニンを得た。
このオキシチタニウムフタロシアニン2.0gにn−ブ
チルエーテル40mffを加え、1mmφのガラスピー
ズとともにミリング処理を室温(22℃)下20時間行
った。
チルエーテル40mffを加え、1mmφのガラスピー
ズとともにミリング処理を室温(22℃)下20時間行
った。
この分散液より固形分を取り出し、メタノール、次いで
水で十分に洗浄、乾燥して本発明で用いる結晶形のオキ
シチタニウムフタロシアニンを得た。収量1.8g 得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンのX
線回折図を第1図に示す。
水で十分に洗浄、乾燥して本発明で用いる結晶形のオキ
シチタニウムフタロシアニンを得た。収量1.8g 得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンのX
線回折図を第1図に示す。
またKBrペレットを調製し、この結晶の赤外吸収スペ
クトルを測定した結果を第7図に示す。
クトルを測定した結果を第7図に示す。
またこの結晶をn−ブチルエーテル中に分散した分散液
で測定した紫外吸収スペクトルの結果を第8図に示す。
で測定した紫外吸収スペクトルの結果を第8図に示す。
製造例2
製造例1と同様の方法で得られたメタノール処理したオ
キシチタニウムフタロシアニン2.0gにピネン50m
!を加え、1mmφのガラスピーズとともにミリング処
理を室温(22℃)下20時間行った。この分散液より
固形分を取り出し、メタノール、次いで水で十分に洗浄
、乾燥して本発明で用いる結晶形のオキシチタニウムフ
タロシアニンを得た。収量1.8g 得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンのX
線回折図を第2図に示す。
キシチタニウムフタロシアニン2.0gにピネン50m
!を加え、1mmφのガラスピーズとともにミリング処
理を室温(22℃)下20時間行った。この分散液より
固形分を取り出し、メタノール、次いで水で十分に洗浄
、乾燥して本発明で用いる結晶形のオキシチタニウムフ
タロシアニンを得た。収量1.8g 得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンのX
線回折図を第2図に示す。
製造例3
製造例1と同様の方法で得られた非晶質のオキシチタニ
ウムフタロシアニン4.Ogにメタノール100m℃を
加え、懸濁攪拌下、30時間者沸処理した後、濾過、減
圧乾燥し、オキシチタニウムフタロシアニン結晶を得た
。収量3.6g次に、このオキシチタニウムフタロシア
ニン2、Ogにエチレングリコール−n−ブチルエーテ
ル60mj2を加え、1mmφのガラスピーズとともに
ミリング処理を室温(22℃)下15時間行った。この
分散液より固形分を取り出し、メタノール、次いで水で
十分に洗浄、乾燥して本発明で用いる結晶形のオキシチ
タニウムフタロシアニンを得た。収量1.8g 得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンのX
線回折図を第3図に示す。
ウムフタロシアニン4.Ogにメタノール100m℃を
加え、懸濁攪拌下、30時間者沸処理した後、濾過、減
圧乾燥し、オキシチタニウムフタロシアニン結晶を得た
。収量3.6g次に、このオキシチタニウムフタロシア
ニン2、Ogにエチレングリコール−n−ブチルエーテ
ル60mj2を加え、1mmφのガラスピーズとともに
ミリング処理を室温(22℃)下15時間行った。この
分散液より固形分を取り出し、メタノール、次いで水で
十分に洗浄、乾燥して本発明で用いる結晶形のオキシチ
タニウムフタロシアニンを得た。収量1.8g 得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンのX
線回折図を第3図に示す。
比較製造例1
特開昭61−239248号公報(USP4゜728.
592)に開示されている製造例に従って、いわゆるα
型と呼ばれている結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンを得た。
592)に開示されている製造例に従って、いわゆるα
型と呼ばれている結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンを得た。
このX線回折図を第4図に示す。
比較製造例2
特開昭62−67094号公報(USP4,66499
72)に開示されている製造例に従って、いわゆるA型
と呼ばれている結晶形のオキシチタニウムフタロシアニ
ンを得た。
72)に開示されている製造例に従って、いわゆるA型
と呼ばれている結晶形のオキシチタニウムフタロシアニ
ンを得た。
このX線回折図を第5図に示す。
比較製造例3
特開昭64−17066号公報に開示されている製造例
に従って、特開昭64−17066号公報に開示のもの
と同じ結晶形を持つオキシチタニウムフタロシアニンを
得た。
に従って、特開昭64−17066号公報に開示のもの
と同じ結晶形を持つオキシチタニウムフタロシアニンを
得た。
このX線回折図を第6図に示す。
なお、X線回折の測定はCu Ka線を用いて次の条件
により行った。
により行った。
便用測定機:理学電器■製X線回折装置RAD−Aシス
テム X線管球:Cu 管電圧・50KV 管電流:40mA スキャン方(去・2θ/θスキャン スキャン速度:2deg、/min サンプリング間隔 0.020deg。
テム X線管球:Cu 管電圧・50KV 管電流:40mA スキャン方(去・2θ/θスキャン スキャン速度:2deg、/min サンプリング間隔 0.020deg。
スタート角度(2θ):3deg。
ストップ角度(2θ):40d、eg
ダイバージェンスリット 0.5degスキャツタリン
グスリツ 0.5deg。
グスリツ 0.5deg。
レシービングスリット:0.3mm
湾曲モノクロメーター便用
[実施例1
以下実施例中の部は重量部である。
実施例1
アルミ板上に0.9LLmの塩化ビニル−無水マレイン
酸−酢酸ビニル共重合体よりなる下引き層を形成した。
酸−酢酸ビニル共重合体よりなる下引き層を形成した。
次に、前記製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウ
ムフタロシアニン4部とポリビニルブチラール2部をシ
クロへキサノン100部に添加シサンドミルで12時間
分散し、これに100部のメチルエチルケトンを加えて
希釈し、この分散液を下引き層上に乾燥後の膜厚が0.
15u、mの電荷発生層を形成した。
ムフタロシアニン4部とポリビニルブチラール2部をシ
クロへキサノン100部に添加シサンドミルで12時間
分散し、これに100部のメチルエチルケトンを加えて
希釈し、この分散液を下引き層上に乾燥後の膜厚が0.
15u、mの電荷発生層を形成した。
次いで化合物例(18)のジヒドロフェナンスレン化合
物5gとビスフェノールZ型車リカーボネート(粘度平
均分子量3万5千)4gをり四ロベンゼン40gに溶解
し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が17umと
なるようにマイヤーバーで塗布して電荷輸送層を゛形成
し、電子写真感光体を作成し、これを感光体1とする。
物5gとビスフェノールZ型車リカーボネート(粘度平
均分子量3万5千)4gをり四ロベンゼン40gに溶解
し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が17umと
なるようにマイヤーバーで塗布して電荷輸送層を゛形成
し、電子写真感光体を作成し、これを感光体1とする。
比較例1
比較製造例1で得られたσ型オキシチタニウムフタロシ
アニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光
体を作成し、これを比較感光体1とする。
アニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光
体を作成し、これを比較感光体1とする。
比較例2
比較製造例2で得られたA型オキシチタニウムフタロシ
アニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光
体を作成し、これを比較感光体2とする。
アニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光
体を作成し、これを比較感光体2とする。
比較例3
比較製造例3で得られた特開昭64−17066号公報
開示と同じ結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを
用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光体を作成
し、これを比較感光体3とする。
開示と同じ結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを
用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光体を作成
し、これを比較感光体3とする。
感光体1、比較感光体1.2および3の各電子写真感光
体をレーザービームプリンター(商品名LBP−SX、
キャノン■製)の改造機のシリンダーに貼り付けて、暗
部電位が一700Vになるように帯電設定し、これに波
長802nmのレーザー光を昭射して一700■の電位
を−t oovまで下げるのに必要な光量EΔsooを
測定した。
体をレーザービームプリンター(商品名LBP−SX、
キャノン■製)の改造機のシリンダーに貼り付けて、暗
部電位が一700Vになるように帯電設定し、これに波
長802nmのレーザー光を昭射して一700■の電位
を−t oovまで下げるのに必要な光量EΔsooを
測定した。
゛さらに20 u J / c m 2の光量を昭射し
た場合の電位を残留電位vrとして測定した。
た場合の電位を残留電位vrとして測定した。
実施例1 1 0.28 10比較例1 比
較1 ’ 0.86 45//2//2 0
.84 40 ツノ3ノt30.5935 また、電荷発生材料として製造例2および製造例3で得
られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンをそれ
ぞれ用いて他は実施例1と同様にして電子写真感光体を
作成し、これを感光体2および感光体3とする。
較1 ’ 0.86 45//2//2 0
.84 40 ツノ3ノt30.5935 また、電荷発生材料として製造例2および製造例3で得
られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンをそれ
ぞれ用いて他は実施例1と同様にして電子写真感光体を
作成し、これを感光体2および感光体3とする。
実施例1と同様にして感度測定を行ったところ、感光体
1と同様の高感度特性が得られた。
1と同様の高感度特性が得られた。
次に、感光体1.比較感光体1.2および3について、
湿度10%、気温5℃、湿度50%、気温18℃、湿度
80%、気温35℃のそれぞれの環境において、各感光
体を暗部電位−700V、明部電位−100Vに設定し
た状態で連続3千枚の通紙耐久試験を行って耐久後の暗
部電位、明部電位の測定および画像の評価を行った。
湿度10%、気温5℃、湿度50%、気温18℃、湿度
80%、気温35℃のそれぞれの環境において、各感光
体を暗部電位−700V、明部電位−100Vに設定し
た状態で連続3千枚の通紙耐久試験を行って耐久後の暗
部電位、明部電位の測定および画像の評価を行った。
感光体1はいずれの環境でも耐久後においても初期と同
等の良好な画像が得られたが、比較感光体1.2および
3はいずれの環境でも白地部分に地力ブリを起こしてお
り、湿度80%、気温35℃においてさらに著しく、特
に、比較感光体3において顕著であった。
等の良好な画像が得られたが、比較感光体1.2および
3はいずれの環境でも白地部分に地力ブリを起こしてお
り、湿度80%、気温35℃においてさらに著しく、特
に、比較感光体3において顕著であった。
また、比較感光体1.2および3については地力ブリを
除くために濃度調節レバーにより調節したところ、黒地
部分の濃度が不十分となった。
除くために濃度調節レバーにより調節したところ、黒地
部分の濃度が不十分となった。
第9図に感光体1について分光感度の最大値を100と
した場合の分光感度の分布を示す。
した場合の分光感度の分布を示す。
このように、本発明の電子写真感光体は770〜810
nm付近の長波長領域において安定した高感度特性を発
現するものである。
nm付近の長波長領域において安定した高感度特性を発
現するものである。
実施例2〜10
製造例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶と
化合物例の数種を組み合わせ、他は実施例1と同様にし
て電子写真感光体を作成し、感光体2〜1oとする。
化合物例の数種を組み合わせ、他は実施例1と同様にし
て電子写真感光体を作成し、感光体2〜1oとする。
各感光体を実施例1と同様にレーザービームプリンター
(商品名LBP−5X、キャノン■製)の改造機のシリ
ンダーに貼り付けて、暗部電位が一700Vになるよう
に帯電設定し、これに波長802nmのレーザー光を昭
射して一700Vの電位を一100Vまで下げるのに必
要な光量EΔgooを測定した。
(商品名LBP−5X、キャノン■製)の改造機のシリ
ンダーに貼り付けて、暗部電位が一700Vになるよう
に帯電設定し、これに波長802nmのレーザー光を昭
射して一700Vの電位を一100Vまで下げるのに必
要な光量EΔgooを測定した。
さらに20 u J / c m 2の光量を昭射した
場合の電位を残留電位■1として測定した。
場合の電位を残留電位■1として測定した。
また、各感光体を暗部電位−700V、明部電位−10
0Vに設定し直した状態で連続3千枚の通紙耐久試験を
行って初期と3千枚耐久後の暗部電位と明部電位の変動
量△V 、およびΔvjをiす定した。結果を示す。
0Vに設定し直した状態で連続3千枚の通紙耐久試験を
行って初期と3千枚耐久後の暗部電位と明部電位の変動
量△V 、およびΔvjをiす定した。結果を示す。
2 2 (2) 0.413 3
(12) 0.284 4 (1
6) 0.205 5 (20)
0.196 6 (34) 0.26
7 7 (52) 0.
408 8 (66) 0
.209 9 (69)
0.2410 10 (87)
0.212 2 +25 20
153 3 −1.5
10 101010’−555 比較例4〜21 比較製造例1〜3で製造したオキシチタニウムフタロシ
アニンと前記実施例で用いたジヒドロフェナンスレン化
合物またはフェナンスレン化合物を組み合わせて用いた
他は実施例2.4.5.6.8および9のそれぞれと同
様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価した。
(12) 0.284 4 (1
6) 0.205 5 (20)
0.196 6 (34) 0.26
7 7 (52) 0.
408 8 (66) 0
.209 9 (69)
0.2410 10 (87)
0.212 2 +25 20
153 3 −1.5
10 101010’−555 比較例4〜21 比較製造例1〜3で製造したオキシチタニウムフタロシ
アニンと前記実施例で用いたジヒドロフェナンスレン化
合物またはフェナンスレン化合物を組み合わせて用いた
他は実施例2.4.5.6.8および9のそれぞれと同
様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価した。
10 10 1 (2]]、、5
15 3 (34)4 1.24+7
5 50 605 1.14+60
50 656 0.91 +65
35 657 0.82−45 45
358 0.73−40 50
459 0.64−35 40 50
10 0.81 −45 50 401
1 0.72−30 55 4512
0.59−30 40 4513
0.79−40 35 5514
0.81 −45 45 4515
0.58−35 50 3516
0.83−50 35 4017
0.89−45 30 3518
0.61 −40 30 35]、9
0.94 −55 45 4520
0、89 −40 40 4021
0.64−35 35 35比較例22
〜27 実施例2においてジヒドロフェナンスレン化合物に代え
て下記構造式の化合物H−1、H−2、H−3、H−4
、H−5、H−6を電荷輸送材料として用いた他は、実
施例2と同様にして電子写真感光体を作成し、これを比
較感光体22〜27として、同様に評価した。
15 3 (34)4 1.24+7
5 50 605 1.14+60
50 656 0.91 +65
35 657 0.82−45 45
358 0.73−40 50
459 0.64−35 40 50
10 0.81 −45 50 401
1 0.72−30 55 4512
0.59−30 40 4513
0.79−40 35 5514
0.81 −45 45 4515
0.58−35 50 3516
0.83−50 35 4017
0.89−45 30 3518
0.61 −40 30 35]、9
0.94 −55 45 4520
0、89 −40 40 4021
0.64−35 35 35比較例22
〜27 実施例2においてジヒドロフェナンスレン化合物に代え
て下記構造式の化合物H−1、H−2、H−3、H−4
、H−5、H−6を電荷輸送材料として用いた他は、実
施例2と同様にして電子写真感光体を作成し、これを比
較感光体22〜27として、同様に評価した。
2222H−1
2323H−2
2424H−3
2525H−4
2626H−5
2727H−6
220,50353585
230,52754575
240,70505565
250,41554560
260,58402515
270,58655025
以上の結果から本発明の電子写真感光体は感度、残留電
位および繰り返し特性において極めて優れていることが
分かる。
位および繰り返し特性において極めて優れていることが
分かる。
実施例11
厚さ50LLmのアルミニウムシート基体上に実施例1
と同様の下引き層をバーコードにより形成し、さらにこ
の上に実施例1と同様の電荷輸送層を20LLm厚に形
成した。
と同様の下引き層をバーコードにより形成し、さらにこ
の上に実施例1と同様の電荷輸送層を20LLm厚に形
成した。
次に、ビスフェノールZ型車リカーボネート5部をシク
ロへキサノン68部に溶解し、この溶液に製造例1で得
られたX線回折パターンを示すオキシチタニウムフタロ
シアニン3部を混合し、サンドミルで1時間分散を行っ
た後、ビスフェノールZ型ポリカーボネート5部と実施
例1で用いた電荷輸送材料10部を溶解し、さらにテト
ラヒドロフラン40部、ジクロロメタン40部を加えて
希釈して分散塗料を調製した。この塗料をスプレーコー
ティング法で電荷輸送層上に塗布、乾燥して6LLm厚
の電荷発生層を形成し、電子写真感光体を作成、これを
感光体11とする。
ロへキサノン68部に溶解し、この溶液に製造例1で得
られたX線回折パターンを示すオキシチタニウムフタロ
シアニン3部を混合し、サンドミルで1時間分散を行っ
た後、ビスフェノールZ型ポリカーボネート5部と実施
例1で用いた電荷輸送材料10部を溶解し、さらにテト
ラヒドロフラン40部、ジクロロメタン40部を加えて
希釈して分散塗料を調製した。この塗料をスプレーコー
ティング法で電荷輸送層上に塗布、乾燥して6LLm厚
の電荷発生層を形成し、電子写真感光体を作成、これを
感光体11とする。
比較例28
電荷発生材料として比較製造例1で製造したα型オキシ
チタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同
様にして電子写真感光体を作成し、これを比較感光体2
8とする。
チタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同
様にして電子写真感光体を作成し、これを比較感光体2
8とする。
比較例29
電荷発生材料として比較製造例2で製造したA型オキシ
チタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同
様にして電子写真感光体を作成し、これを比較感光体2
9とする。
チタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同
様にして電子写真感光体を作成し、これを比較感光体2
9とする。
比較例30
電荷発生材料として比較製造例3で製造した特開昭64
−17066号公報開示と同じ結晶形のオキシチタニウ
ムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同様にして
電子写真感光体を作成し、これを比較感光体30とする
。
−17066号公報開示と同じ結晶形のオキシチタニウ
ムフタロシアニンを用いた他は実施例11と同様にして
電子写真感光体を作成し、これを比較感光体30とする
。
感光体11、比較感光体28.29および30の各感光
体を静電試験装置(EPA−8100、川口電機■製)
を用いて評価した。
体を静電試験装置(EPA−8100、川口電機■製)
を用いて評価した。
評価は初めに正のコロナ帯電により表面電位が+700
Vとなるように設定し、次にモノクロメータ−により分
離した802nmの単色光により露光して表面電位が+
200■まで下がるときの光量を測定し感度とした。結
果を示す。
Vとなるように設定し、次にモノクロメータ−により分
離した802nmの単色光により露光して表面電位が+
200■まで下がるときの光量を測定し感度とした。結
果を示す。
EΔ5oo(u J/cm21
実施例11 0.35
比較例28 1.13
比較例29 1 10
比較例3o o、g。
[発明の効果]
本発明の電子写真感光体は特定の結晶形のオキシチタニ
ウムフタロシアニンを電荷発生材料とし、特定のジヒド
ロフェナンスレン化合物またはフェナンスレン化合物を
電荷輸送材料とする感光層を有することにより(1)レ
ーザーダイオード発振波長で高感度を有し、(2)電子
写真プロセスにおいて安定した画像特性を示し、(3)
を位安定性に優れるという顕著な効果を奏する。
ウムフタロシアニンを電荷発生材料とし、特定のジヒド
ロフェナンスレン化合物またはフェナンスレン化合物を
電荷輸送材料とする感光層を有することにより(1)レ
ーザーダイオード発振波長で高感度を有し、(2)電子
写真プロセスにおいて安定した画像特性を示し、(3)
を位安定性に優れるという顕著な効果を奏する。
また、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにフ
ァクシミリにおいても同様な効果を発揮する。
ァクシミリにおいても同様な効果を発揮する。
第1図は製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニンのXwA回折図、第2図は製造例2で得
られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンのX線
回折図、第3図は製造例3で得られた結晶形のオキシチ
タニウムフタロシアニンのX線回折図である。 第4図は比較製造例1で得られたオキシチタニウムフタ
ロシアニンのX線回折図、第5図は比較製造例2で得ら
れたオキシチタニウムフタロシアニンのX線回折図、第
6図は比較製造例3で得られたオキシチタニウムフタロ
シアニンのX線回折図である。 第7図は製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニンの赤外吸収スペクトル図(KBr法)、
第8図は製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニンの紫外吸収スペクトル図である。 第9図は実施例1で作成した電子写真感光体(感光体1
)の分光感度分布図である。 第10図は本発明のドラム型感光体を用いた一般的な転
写式電子写真装置の概略構成図である。 符号1は像担持体としてのドラム型感光体(本発明の電
子写真感光体)、2はコロナ帯電装!、3は露光部、4
は現像手段、5は転写手段、6はクリーニング手段、7
は前露光手段、8は像定着手段、Lは光像露光、Pは像
転写を受けた転写材である。 第11図は電子写真装置をプリンターとして使用したフ
ァクシミリのブロック図である。 符号9は画像読取部、10はコントローラー、11は受
信回路、12は送信回路、13は電話、14は回線、1
5は画像メモリ、16はcpu、17はプリンタコント
ローラ、18はプリンターである。
フタロシアニンのXwA回折図、第2図は製造例2で得
られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンのX線
回折図、第3図は製造例3で得られた結晶形のオキシチ
タニウムフタロシアニンのX線回折図である。 第4図は比較製造例1で得られたオキシチタニウムフタ
ロシアニンのX線回折図、第5図は比較製造例2で得ら
れたオキシチタニウムフタロシアニンのX線回折図、第
6図は比較製造例3で得られたオキシチタニウムフタロ
シアニンのX線回折図である。 第7図は製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニンの赤外吸収スペクトル図(KBr法)、
第8図は製造例1で得られた結晶形のオキシチタニウム
フタロシアニンの紫外吸収スペクトル図である。 第9図は実施例1で作成した電子写真感光体(感光体1
)の分光感度分布図である。 第10図は本発明のドラム型感光体を用いた一般的な転
写式電子写真装置の概略構成図である。 符号1は像担持体としてのドラム型感光体(本発明の電
子写真感光体)、2はコロナ帯電装!、3は露光部、4
は現像手段、5は転写手段、6はクリーニング手段、7
は前露光手段、8は像定着手段、Lは光像露光、Pは像
転写を受けた転写材である。 第11図は電子写真装置をプリンターとして使用したフ
ァクシミリのブロック図である。 符号9は画像読取部、10はコントローラー、11は受
信回路、12は送信回路、13は電話、14は回線、1
5は画像メモリ、16はcpu、17はプリンタコント
ローラ、18はプリンターである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、CuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.
2°が9.0°、14.2°、23.9°および27.
1°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフ
タロシアニンを含有し、かつ、下記一般式(1)で示す
ジヒドロフェナンスレン化合物または一般式(2)で示
すフェナンスレン化合物を含有することを特徴とする電
子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) 式中、R_1、R_2、R_3、R_4、R_5、R_
6、R_7およびR_8は置換基を有してもよいアルキ
ル基、アラルキル基またはアリール基を示す。 2、一般式(1)で示すジヒドロフェナンスレン化合物
において、R_1、R_2、R_3およびR_4のうち
少なくとも2個以上が置換基を有してもよいフェニル基
である請求項1記載の電子写真感光体。 3、一般式(2)で示すフェナンスレン化合物において
、R_5、R_6、R_7およびR_8のうち少なくと
も2個以上が置換基を有してもよいフェニル基である請
求項1記載の電子写真感光体。 4、請求項1記載の電子写真感光体を備えた電子写真装
置。 5、請求項1記載の電子写真感光体を備えた電子写真装
置およびリモート端末からの画像情報を受信する受信手
段を有するファクシミリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30872790A JP2879369B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ |
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-
1990
- 1990-11-16 JP JP30872790A patent/JP2879369B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| EP1219590A4 (en) * | 2000-09-05 | 2006-03-29 | Idemitsu Kosan Co | NEW ARYLAMINE COMPOUNDS AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES |
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