JPH04181786A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH04181786A JPH04181786A JP2311020A JP31102090A JPH04181786A JP H04181786 A JPH04181786 A JP H04181786A JP 2311020 A JP2311020 A JP 2311020A JP 31102090 A JP31102090 A JP 31102090A JP H04181786 A JPH04181786 A JP H04181786A
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- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 8
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 64
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザ駆動回路に関する。より詳細に
は、本発明は、半導体レーザを光源とした光通信システ
ム等の光送信機において使用される、光出力補償機能を
備えた半導体レーザ駆動回路の新規な構成に関する。
は、本発明は、半導体レーザを光源とした光通信システ
ム等の光送信機において使用される、光出力補償機能を
備えた半導体レーザ駆動回路の新規な構成に関する。
従来の技術
光通信等に使用する光送信器では、駆動回路にお′、)
で送信すべきデータjこ対応して変調した駆動電流を半
導体レーザに供給することにより光信号によるデータ送
信を実現している。受信側では、この変調された光信号
を復調してデータの再生を行うが、ここで受信側の感度
に深く影響する特性として光信号の消光比がある。消光
比とは、2値信号のそれぞれに対応した2種の光強度の
比を意味し、受信側で2種の強度からなる光信号を有効
に検出するためには、送信側で出力する光信号の消光比
が安定してし)ることが極めて重要である。
で送信すべきデータjこ対応して変調した駆動電流を半
導体レーザに供給することにより光信号によるデータ送
信を実現している。受信側では、この変調された光信号
を復調してデータの再生を行うが、ここで受信側の感度
に深く影響する特性として光信号の消光比がある。消光
比とは、2値信号のそれぞれに対応した2種の光強度の
比を意味し、受信側で2種の強度からなる光信号を有効
に検出するためには、送信側で出力する光信号の消光比
が安定してし)ることが極めて重要である。
第4図は、−船釣な半導体レーザ駆動回路の典型的な構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
同図に示すように、この駆動回路は、互いに相補的な入
力信号SDおよびSDをベースに引加される1対のトラ
ンジスタQ、およびQ、から主に構成されて′J)る。
力信号SDおよびSDをベースに引加される1対のトラ
ンジスタQ、およびQ、から主に構成されて′J)る。
トランジスタQ2のコレクタは半導体レーザLLを介し
て電源電圧V。0に接続されており、トランジスタQ1
およびQ2のエミッタは共通接続されて接地に接続さ
れてし)る。
て電源電圧V。0に接続されており、トランジスタQ1
およびQ2のエミッタは共通接続されて接地に接続さ
れてし)る。
更に、この回路は、トランジスタQ、およびQ2のエミ
ッタにコレクタを共通接続されで、この回路の駆動電流
を供給するトランジスタ0、。と、トランジスタQ2の
コレクタと単導体レーザLDとの接続点に接続され、半
導体レーザLDに流れるバイアス電流を供給してし)る
光出力自動制御回路(APC)とを備えてし)る。
ッタにコレクタを共通接続されで、この回路の駆動電流
を供給するトランジスタ0、。と、トランジスタQ2の
コレクタと単導体レーザLDとの接続点に接続され、半
導体レーザLDに流れるバイアス電流を供給してし)る
光出力自動制御回路(APC)とを備えてし)る。
以上のように構成された半導体レーザ駆動回路では、人
力信号SDおよびSDのうち、反転入力端子百■がハイ
レベルの場合にトランジスタQ。
力信号SDおよびSDのうち、反転入力端子百■がハイ
レベルの場合にトランジスタQ。
が導通して半導体レーザLDに駆動電流を流し、非反転
入力端子SDがハイレベルの場合にトランジスタQ1が
導通する一方トランジスタQ2が非導通状態となり、半
導体レーザLDは消光する。
入力端子SDがハイレベルの場合にトランジスタQ1が
導通する一方トランジスタQ2が非導通状態となり、半
導体レーザLDは消光する。
従って、入力SDおよびSDに印加されるデジタル電気
信号のレベルに応じて、駆動電流は半導体レーザLDを
間歇的に駆動する。
信号のレベルに応じて、駆動電流は半導体レーザLDを
間歇的に駆動する。
更に、自動出力制御回路A P Cは、図示していな′
、)フォトダイオードにより半導体レーデLDの光出力
を検出し、バイパス電流路の電流量を制御する。即ち、
半導体レーザLDの光出力が不足している場合は半導体
レーザLDを流れるバイアス電流を増大させ、半導体レ
ーザLDの光出力が過大な場合には半導体レーザLDを
流れるバイアス電流を減少させるように帰還制御を行い
、光出力の平均値を常に一定に保つように動作する。
、)フォトダイオードにより半導体レーデLDの光出力
を検出し、バイパス電流路の電流量を制御する。即ち、
半導体レーザLDの光出力が不足している場合は半導体
レーザLDを流れるバイアス電流を増大させ、半導体レ
ーザLDの光出力が過大な場合には半導体レーザLDを
流れるバイアス電流を減少させるように帰還制御を行い
、光出力の平均値を常に一定に保つように動作する。
第5図は、上述のような光出力補償回路として使用する
ことができる回路例を示す図である。
ことができる回路例を示す図である。
同図に示すように、この光出力補償回路は、半導体レー
ザLDの後面から放出されるレーザ光をモニタするフォ
トダイオードPDと、フォトダイオードPDの発生する
直流電圧を非反転入力に受ける差動増幅器IC+oと、
差動増幅器IC+oの圧力をベースに印加されるトラン
ジスタQ4とから主に構成されている。トランジスタQ
4のコレクタは、第4図に示すように、半導体レーザL
Dの電流路に接続されている。また、差動増幅器IC,
。
ザLDの後面から放出されるレーザ光をモニタするフォ
トダイオードPDと、フォトダイオードPDの発生する
直流電圧を非反転入力に受ける差動増幅器IC+oと、
差動増幅器IC+oの圧力をベースに印加されるトラン
ジスタQ4とから主に構成されている。トランジスタQ
4のコレクタは、第4図に示すように、半導体レーザL
Dの電流路に接続されている。また、差動増幅器IC,
。
の反転入力には送信光信号のもとになった再生信号が入
力されている。
力されている。
以上のように構成された半導体レーザ駆動回路では、送
信すべき再生信号と異なる変動が送信光信号に生じた場
合に、この変動を打ち消すように半導体レーザLDに印
加される直流バイアス電流を変化させる。
信すべき再生信号と異なる変動が送信光信号に生じた場
合に、この変動を打ち消すように半導体レーザLDに印
加される直流バイアス電流を変化させる。
発明が解決しようとする課題
上述のような構成の半導体レーザ駆動回路においては、
半導体レーザの闇値電流が増加したときに微分効率が低
下するという現象を利用して、半導体レーザLDに供給
するバイアス電流を帰還制御することにより半導体レー
ザLDの平均光出力を一定に保つように構成されている
。
半導体レーザの闇値電流が増加したときに微分効率が低
下するという現象を利用して、半導体レーザLDに供給
するバイアス電流を帰還制御することにより半導体レー
ザLDの平均光出力を一定に保つように構成されている
。
しかしながら、例えば半導体レーザLDの周囲温度が上
昇した場合には半導体レーザLDの微分効率ηが劣化す
るので、半導体レーザLDの消光比が劣化する。このよ
うな場合、前述のような半導体レーザ駆動回路の構成で
は、発光時も消光時も同じ量だけ出力が増大したり減少
したりすることになる。
昇した場合には半導体レーザLDの微分効率ηが劣化す
るので、半導体レーザLDの消光比が劣化する。このよ
うな場合、前述のような半導体レーザ駆動回路の構成で
は、発光時も消光時も同じ量だけ出力が増大したり減少
したりすることになる。
第6図;;、上述のような光圧力補償回路を備えた半導
体レーザ駆動回路において、半導体レーザの温度特性に
かかわりなく一定の光信号出力を維持するために必要な
変調電流を示すグラフである。
体レーザ駆動回路において、半導体レーザの温度特性に
かかわりなく一定の光信号出力を維持するために必要な
変調電流を示すグラフである。
即ち、低い温度T1かる高ヒA温度T2に半導体レーザ
の温度が変化した場合、同図に示すように、半導体レー
ザの微分効率が変化し、同じ光信号出力を得るために必
要な駆動電流が変化する。
の温度が変化した場合、同図に示すように、半導体レー
ザの微分効率が変化し、同じ光信号出力を得るために必
要な駆動電流が変化する。
これに対して、前述のような従来の光出力補償回路によ
ってバイアス電流を調整しても、発光時も消光時も駆動
電流は同じように増減するので、半導体レーザLDの消
光比の劣化に対して有効な補償にはならない。
ってバイアス電流を調整しても、発光時も消光時も駆動
電流は同じように増減するので、半導体レーザLDの消
光比の劣化に対して有効な補償にはならない。
そこで、本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、半
導体レーザの温度特性よる微分効率ηの変動に起因する
消光比の劣化を有効に補償し、出力光信号の特性をより
安定させることができる新規な半導体レーザ駆動回路を
提供することをその目的としている。
導体レーザの温度特性よる微分効率ηの変動に起因する
消光比の劣化を有効に補償し、出力光信号の特性をより
安定させることができる新規な半導体レーザ駆動回路を
提供することをその目的としている。
課頌を解決するた約の手段
即ち、本発明に従うと、一方のトランジスタに負荷とし
て半導体レーザが接続された1対のトランジスタからな
る差動増幅回路と、人力信号から生成した差動信号を前
記1対の忙うンジスタの各ベースに印加するように構成
された差動信号発生回路と、前記差動増幅回路に流れる
駆動電流を供給する駆動電流源トランジスタと、前記差
動増幅回路の前記一方のトランジスタと前記半導体レー
ザとの間の接続点に接続されて前記主導体レーザにバイ
アス電流を供給するパアイス電流源トランジスタとを備
えた半導体レーザ駆動回路において、前記半導体レーザ
が出力する出力光信号の一部を受けてモニタ電流を出力
する受光素子と、該受光素子が出力するモニタ電流から
前記モニタ信号の交流成分の信号振幅を抽出する第1の
ピークホールド回路と、該受光素子が出力するモニタ電
流から前記モニタ信号の直流成分の信号振幅を抽出する
第2のピークボールド回路と、前記第1のピークホール
ド回路の出力を受;すで該出力が一定j=なるように前
記駆動電流源トランジスタを制御する回路と、前記第2
のピークホールド回路の出力を受けて該出力が一定にな
るように前記バイアス電流源トランジスタを制御する回
路とを含む光8力補償回路を備えることを特徴とする半
導体レーザ駆動回路が提供される。
て半導体レーザが接続された1対のトランジスタからな
る差動増幅回路と、人力信号から生成した差動信号を前
記1対の忙うンジスタの各ベースに印加するように構成
された差動信号発生回路と、前記差動増幅回路に流れる
駆動電流を供給する駆動電流源トランジスタと、前記差
動増幅回路の前記一方のトランジスタと前記半導体レー
ザとの間の接続点に接続されて前記主導体レーザにバイ
アス電流を供給するパアイス電流源トランジスタとを備
えた半導体レーザ駆動回路において、前記半導体レーザ
が出力する出力光信号の一部を受けてモニタ電流を出力
する受光素子と、該受光素子が出力するモニタ電流から
前記モニタ信号の交流成分の信号振幅を抽出する第1の
ピークホールド回路と、該受光素子が出力するモニタ電
流から前記モニタ信号の直流成分の信号振幅を抽出する
第2のピークボールド回路と、前記第1のピークホール
ド回路の出力を受;すで該出力が一定j=なるように前
記駆動電流源トランジスタを制御する回路と、前記第2
のピークホールド回路の出力を受けて該出力が一定にな
るように前記バイアス電流源トランジスタを制御する回
路とを含む光8力補償回路を備えることを特徴とする半
導体レーザ駆動回路が提供される。
作用
本発明に係る半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザの
出力光信号から抽出したモニタ信号の直流成分と信号成
分とについてそれぞれ帰還制御を行い、出力光信号の平
均光パワーと消光比とをそれぞれ帰還制御する機能を有
していることをその主要な特徴としている。
出力光信号から抽出したモニタ信号の直流成分と信号成
分とについてそれぞれ帰還制御を行い、出力光信号の平
均光パワーと消光比とをそれぞれ帰還制御する機能を有
していることをその主要な特徴としている。
従来の半導体レーザ駆動回路では、半導体レーザに供給
するバイアス電流を変化させることにより半導体レーザ
の平均光出力を一定に保つように構成されており、この
ような制御では、発光時も消光時も同じ量だけ出力が増
大したり減少したりする。従って、半導体レーザの微分
効率ηが劣化した場合の消光比の変動を有効に補償する
ことができなかった。
するバイアス電流を変化させることにより半導体レーザ
の平均光出力を一定に保つように構成されており、この
ような制御では、発光時も消光時も同じ量だけ出力が増
大したり減少したりする。従って、半導体レーザの微分
効率ηが劣化した場合の消光比の変動を有効に補償する
ことができなかった。
これに対して、本発明に係る半導体レーザ駆動回路は、
出力光信号を受光するモニタ用受光素子から出力される
モニタ信号から、その直流成分と信号成分とをそれぞれ
抽出し、出力光信号のo −レベルに相当する直流レベ
ルと、圧力光信号の論理振幅に相当する信号成分の振幅
とに基づいて駆動電流とバイアス電流とをそれぞれ帰還
制御するように構成されている。
出力光信号を受光するモニタ用受光素子から出力される
モニタ信号から、その直流成分と信号成分とをそれぞれ
抽出し、出力光信号のo −レベルに相当する直流レベ
ルと、圧力光信号の論理振幅に相当する信号成分の振幅
とに基づいて駆動電流とバイアス電流とをそれぞれ帰還
制御するように構成されている。
即ち、本発明に係る半導体レーザ駆動回路では、モニタ
用受光素子から出力されたモニタ電流が、直流ピークホ
ールド回路と交流ピークホールド回路とにそれぞれ入力
される。
用受光素子から出力されたモニタ電流が、直流ピークホ
ールド回路と交流ピークホールド回路とにそれぞれ入力
される。
ここで、直流ピークホールド回路は、モニタ電流から出
力光信号のローレベルに対応するレベルを抽出する。そ
こで、この圧力光信号のローレベルが一定になるように
、半導体レーザに印加されるバイアス電流に負帰還をか
ければ、出力光信号の平均出力レベルを安定化すること
ができる。
力光信号のローレベルに対応するレベルを抽出する。そ
こで、この圧力光信号のローレベルが一定になるように
、半導体レーザに印加されるバイアス電流に負帰還をか
ければ、出力光信号の平均出力レベルを安定化すること
ができる。
一方、交流ビー・フ丁 ルド回路;ま、モニタ電流かみ
信号振幅j=対応するレベルを抽出する。従って、ピー
クホールド回路が抽出した信号振幅が一定になるように
、単導体レーザ駆動回路の駆動電流に負帰還をか:すれ
ば、出力光信号の信号振幅を安定化させる二とができる
。
信号振幅j=対応するレベルを抽出する。従って、ピー
クホールド回路が抽出した信号振幅が一定になるように
、単導体レーザ駆動回路の駆動電流に負帰還をか:すれ
ば、出力光信号の信号振幅を安定化させる二とができる
。
このように、本発明j二部る半導体レーザ駆動回路は、
出力光信号の平均8カレベルと、出力光信号の信号振幅
とを―)ずれも安定化させる機能を有してし)る。
出力光信号の平均8カレベルと、出力光信号の信号振幅
とを―)ずれも安定化させる機能を有してし)る。
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが
、以下の開示:′!本発明の一実施例に過ぎず、本発明
の技術的範囲を何ら限定するものではプ≦ニー)。
、以下の開示:′!本発明の一実施例に過ぎず、本発明
の技術的範囲を何ら限定するものではプ≦ニー)。
実施例
第1図は、本発明に従う半導体レーザ駆動回路の具体的
な構成例を示す図である。
な構成例を示す図である。
同図に示すように、二の半導体レーザ駆動回路は、単導
体レーザ゛二りの変調電流の切替えを行う回路aと、回
路aの入力端に接続されたパルス幅歪補正回路すと、ト
ランジスタQ3を介して単導体レーザLDのバイアス電
流を回路aに対して供給する回路Cと、トランジスタQ
、を介して単導体レーザ駆動回路aの駆り電流を供給す
る回路dと、回路Cおよび回路dにモニタ信号を供給す
る回路eとをそれぞれ備えている。
体レーザ゛二りの変調電流の切替えを行う回路aと、回
路aの入力端に接続されたパルス幅歪補正回路すと、ト
ランジスタQ3を介して単導体レーザLDのバイアス電
流を回路aに対して供給する回路Cと、トランジスタQ
、を介して単導体レーザ駆動回路aの駆り電流を供給す
る回路dと、回路Cおよび回路dにモニタ信号を供給す
る回路eとをそれぞれ備えている。
回路aは、エミッタを共通接続された1対のトランジス
タQ、およびQ2と、トランジスタQ2のコレクタに接
続された半導体レーザLDとかみ構成されており、トラ
ンジスタ0、およびQ2の各ベースに相補的な信号が印
加されるように構成されている。
タQ、およびQ2と、トランジスタQ2のコレクタに接
続された半導体レーザLDとかみ構成されており、トラ
ンジスタ0、およびQ2の各ベースに相補的な信号が印
加されるように構成されている。
また、回路aにおし)で、半導体レーザLDとトランジ
スタQ2との接続点には、エミッタを接地側に接続され
たトランジスタQ3のコレクタがインダクタLを介して
接続されている。このインダクタLは、トランジスタQ
3 により供給されているバイアス電流中の交流成分を
抑制するために挿入されている。このような回路aにお
いて、半導体レーザL Dに流れるバイアス電流:よ、
トランジスタ二3のベースに印加する電圧によって制御
することができる。
スタQ2との接続点には、エミッタを接地側に接続され
たトランジスタQ3のコレクタがインダクタLを介して
接続されている。このインダクタLは、トランジスタQ
3 により供給されているバイアス電流中の交流成分を
抑制するために挿入されている。このような回路aにお
いて、半導体レーザL Dに流れるバイアス電流:よ、
トランジスタ二3のベースに印加する電圧によって制御
することができる。
更に、回路aにお°、)で、共通接続されたトランジス
タQ1 およびQ2のエミニIりは、エミッタを接地側
に接続されたトランジスタQ4 のコレクタが接続され
て″、)る。従って、回路aを流れる駆動74&は、ト
ランジスタQ4のベースに印加する電圧によって制御す
ることができる。
タQ1 およびQ2のエミニIりは、エミッタを接地側
に接続されたトランジスタQ4 のコレクタが接続され
て″、)る。従って、回路aを流れる駆動74&は、ト
ランジスタQ4のベースに印加する電圧によって制御す
ることができる。
回路すは、3つのインバータ11、■2、I3により構
成されて0)る。HDち、インバータ11::、非反転
入力に人力信号SDを、反転入力に人力°信号SDを受
けており、反転出力と非反転出力とをそれぞれ備えてし
)る。インバータエ、の非反転出力はインバータI2の
非反転入力に、インバータ■1の反転出力はインバータ
■3の非反転入力に、それぞれ接続されている。また、
インバータ■3は、参照電圧発生回路Gかろ供給される
参照電圧をその反転入力に印加され、反転出力をインバ
ータJ2の非反転入力に接続されてしへるっ従って、イ
ンノ\−タIユの非反転出力とインバータI3の反転出
力とは、ノードNに形成されたワイヤード○Rを介して
インバータJ2の非反転入力に接続されて°、)ること
になる。インバータ■2の反転入力には、やはり参照電
圧発生回路Gから供給されている参照電圧が印加されて
おり、その相補的な圧力は、それぞれ回路aのトランジ
スタQ1およびQ2のベースに接続されている。
成されて0)る。HDち、インバータ11::、非反転
入力に人力信号SDを、反転入力に人力°信号SDを受
けており、反転出力と非反転出力とをそれぞれ備えてし
)る。インバータエ、の非反転出力はインバータI2の
非反転入力に、インバータ■1の反転出力はインバータ
■3の非反転入力に、それぞれ接続されている。また、
インバータ■3は、参照電圧発生回路Gかろ供給される
参照電圧をその反転入力に印加され、反転出力をインバ
ータJ2の非反転入力に接続されてしへるっ従って、イ
ンノ\−タIユの非反転出力とインバータI3の反転出
力とは、ノードNに形成されたワイヤード○Rを介して
インバータJ2の非反転入力に接続されて°、)ること
になる。インバータ■2の反転入力には、やはり参照電
圧発生回路Gから供給されている参照電圧が印加されて
おり、その相補的な圧力は、それぞれ回路aのトランジ
スタQ1およびQ2のベースに接続されている。
回路C:ま、ピークホールド回路P1と差動増幅器、へ
、とから構成されている。ピークホールドP1は、非反
転入力にモニタ信号を受ける差動増幅器A3と、差動増
幅器A3の出力をアノードに受けるダイオードD1 と
、ダイオードD1のカソードに一端を接続され他端を接
地されたコンデンサC1とから構成されている。ピーク
ホールド回路P1の出力は、差動増幅器A1の非反転入
力に接続されている。差動増幅器A1の反転入力には、
この半導体レーザ駆動回路の動作を有効または無効にす
るための信号RTS、l’2T3が印加されている。
、とから構成されている。ピークホールドP1は、非反
転入力にモニタ信号を受ける差動増幅器A3と、差動増
幅器A3の出力をアノードに受けるダイオードD1 と
、ダイオードD1のカソードに一端を接続され他端を接
地されたコンデンサC1とから構成されている。ピーク
ホールド回路P1の出力は、差動増幅器A1の非反転入
力に接続されている。差動増幅器A1の反転入力には、
この半導体レーザ駆動回路の動作を有効または無効にす
るための信号RTS、l’2T3が印加されている。
尚、信号RTSは、ハイレベルのときに差動増幅器A、
の参照電圧として参照される。
の参照電圧として参照される。
一方、回路dは、接続コンデンサCOとピークホールド
回路P2と差動増幅器A2とから構成されている。ピー
クホールドP2は、接続コンデンサC8を介して非反転
入力にモニタ信号を受ける差動増幅器A、と、差動増幅
器へ〇の出力をアノードに受けるダイオードD2と、ダ
イオードD2のカソードに一端を接続され他端を接地さ
れたコンデンサC2とから構成されている。ピークホー
ルド回路P2の出力は、差動増幅器A2の非反転入力に
接続されている。差動増幅器A2の反転入力には、この
半導体レーザ駆動回路の動作を有効または無効にするた
tの信号RTS、R丁百が印加されている。尚、信号R
TSは、ノ1イレベルのときに差動増幅器A2の参照電
圧として参照される。
回路P2と差動増幅器A2とから構成されている。ピー
クホールドP2は、接続コンデンサC8を介して非反転
入力にモニタ信号を受ける差動増幅器A、と、差動増幅
器へ〇の出力をアノードに受けるダイオードD2と、ダ
イオードD2のカソードに一端を接続され他端を接地さ
れたコンデンサC2とから構成されている。ピークホー
ルド回路P2の出力は、差動増幅器A2の非反転入力に
接続されている。差動増幅器A2の反転入力には、この
半導体レーザ駆動回路の動作を有効または無効にするた
tの信号RTS、R丁百が印加されている。尚、信号R
TSは、ノ1イレベルのときに差動増幅器A2の参照電
圧として参照される。
更に、回路eは、半導体レーザLDの出力する光信号の
一部を受光してモニタ電流を出力するフォトダイオード
PDと、フォトダイオードPDの出力するモニタ電流を
電圧信号に変換する増幅器A、とから構成されている。
一部を受光してモニタ電流を出力するフォトダイオード
PDと、フォトダイオードPDの出力するモニタ電流を
電圧信号に変換する増幅器A、とから構成されている。
ここで、増幅器A。
は、その8カと人力とを抵抗Rを介して短絡されており
、反転増幅器として動作してし)る。
、反転増幅器として動作してし)る。
以上のように構成された半導体レーザ駆動回路は以下の
ように動作する。
ように動作する。
回路aにおいて、非反転入力端子SDが/Sイレベルの
場合には、トランジスタQ2が導通して半導体レーザL
Dに駆動電流が流れる。一方、反転入力端子SDがハイ
レベルの場合には、トランジスタQ1が導通する一方、
トランジスタQ2が非導通状態となり、半導体レーザL
Dは消光する。
場合には、トランジスタQ2が導通して半導体レーザL
Dに駆動電流が流れる。一方、反転入力端子SDがハイ
レベルの場合には、トランジスタQ1が導通する一方、
トランジスタQ2が非導通状態となり、半導体レーザL
Dは消光する。
従って、人力SDおよびSDに印加されるデジタル電気
信号のレベルに応じて、駆動電流は半導体レーザLDを
間歇的に駆動する。
信号のレベルに応じて、駆動電流は半導体レーザLDを
間歇的に駆動する。
ここで、回路すは、人力された互いに相補的な人力信号
SDおよびSDを、インバータIIにそれぞれ人力する
。インバータ11の反転比力は、インバータ■3の非反
転入力に人力され、インノ1′−タI3の反転出力とイ
ンノ1−タ■1の非反転出力との論理和がインバータ■
2の非反転入力に人力される。インバータ■3により入
力信号SDが参照電圧で波形整形され、更に、反転され
た信号がワイヤーFORにより人力信号SDに加算され
て、インバータ2に入力される。インノ\−タ■2の反
転入力には、インバータエ。の反転入力と同じ参照電圧
が印加されており、インバータI2は入力信号SDを参
照電圧で波形整形する。従って、インバータI2の互い
に相補的な1対の出力かろの出力信号は、入力信号SD
、SDに対応した信号が出力されるが、この出力信号波
形は、人力信号のパルス幅に、インバータ■3における
遅延分が重畳されたパルス幅を有する信号となっている
。
SDおよびSDを、インバータIIにそれぞれ人力する
。インバータ11の反転比力は、インバータ■3の非反
転入力に人力され、インノ1′−タI3の反転出力とイ
ンノ1−タ■1の非反転出力との論理和がインバータ■
2の非反転入力に人力される。インバータ■3により入
力信号SDが参照電圧で波形整形され、更に、反転され
た信号がワイヤーFORにより人力信号SDに加算され
て、インバータ2に入力される。インノ\−タ■2の反
転入力には、インバータエ。の反転入力と同じ参照電圧
が印加されており、インバータI2は入力信号SDを参
照電圧で波形整形する。従って、インバータI2の互い
に相補的な1対の出力かろの出力信号は、入力信号SD
、SDに対応した信号が出力されるが、この出力信号波
形は、人力信号のパルス幅に、インバータ■3における
遅延分が重畳されたパルス幅を有する信号となっている
。
即ち、このようにパルス幅が広くなるように補正するこ
とにより、半導体レーザの立ち上がり特性に起因するパ
ルス幅歪みを補償することができる。
とにより、半導体レーザの立ち上がり特性に起因するパ
ルス幅歪みを補償することができる。
一方、回路eから出力されるモニタ信号は、回路Cおよ
び回路dにそれぞれ人力される。
び回路dにそれぞれ人力される。
ここで、回路Cは、ピークホールド回路P1によりモニ
タ信号のローレベルを抽出し、差動増幅器A1を介して
モニタ信号のローレベルに対応した電圧をトランジスタ
Q3のベースに印加する。
タ信号のローレベルを抽出し、差動増幅器A1を介して
モニタ信号のローレベルに対応した電圧をトランジスタ
Q3のベースに印加する。
従って、例えば、半導体レーザLDの出力する光信号出
力が低下した場合、半導体レーザLDに流れるバイアス
電流が増加し、光信号出力が大きくなる。一方、半導体
レーザLDの出力する光信号出力が増加した場合、半導
体レーザLDに流れるバイアス電流が低下し、光信号出
力が小さくなる。
力が低下した場合、半導体レーザLDに流れるバイアス
電流が増加し、光信号出力が大きくなる。一方、半導体
レーザLDの出力する光信号出力が増加した場合、半導
体レーザLDに流れるバイアス電流が低下し、光信号出
力が小さくなる。
このように、第1の光出力補償回路Cにより、半導体レ
ーザLDの光出力が安定する。
ーザLDの光出力が安定する。
また、回路dは、コンデンサC8を介して接続されたピ
ークホールドP2により、モニタ信号の交流成分の振幅
を抽出し、差動増幅器A2を介してモニタ信号の信号振
幅に対応した電圧をトランジスタ0.のベースに印加す
る。従って、例えば、半導体レーザLDの出力する光信
号の振幅が減少した場合、回路aに流れる駆動電流を増
加させ、出力光信号の振幅を大きくする。一方、半導体
レーザLDの出力する光信号の振幅が増加した場合、回
路aに流れる駆動電流を減少させ、出力光信号の振幅を
小さくする。このように、第2の光出力補償回路eによ
り、半導体レーザLDの出力する光信号の振幅が安定化
される。
ークホールドP2により、モニタ信号の交流成分の振幅
を抽出し、差動増幅器A2を介してモニタ信号の信号振
幅に対応した電圧をトランジスタ0.のベースに印加す
る。従って、例えば、半導体レーザLDの出力する光信
号の振幅が減少した場合、回路aに流れる駆動電流を増
加させ、出力光信号の振幅を大きくする。一方、半導体
レーザLDの出力する光信号の振幅が増加した場合、回
路aに流れる駆動電流を減少させ、出力光信号の振幅を
小さくする。このように、第2の光出力補償回路eによ
り、半導体レーザLDの出力する光信号の振幅が安定化
される。
尚、第1図に示した回路において、制御信号RTSがハ
イレベルのときには、差動増幅器A1の逆相人力にはロ
ーレベルが、差動増幅器A2の正相入力にはハイレベル
がそれぞれ印加される。従って、これらの各レベルが各
差動増幅器A、、A2の参照電圧となり、上記の説明の
通り、半導体レーサ駆動回路が有効に動作する。
イレベルのときには、差動増幅器A1の逆相人力にはロ
ーレベルが、差動増幅器A2の正相入力にはハイレベル
がそれぞれ印加される。従って、これらの各レベルが各
差動増幅器A、、A2の参照電圧となり、上記の説明の
通り、半導体レーサ駆動回路が有効に動作する。
一方、制御信号RTSがローレベルのとき、差動増幅器
、へ1の逆相人力にはハイレベルが、差動増幅器A2の
正相入力にはローレベルがそれぞれ印加される。従って
、各差動増幅器AI 、A2からトランジスタQ3、Q
、のベースに印加される電圧が強制的に低下され、回路
aに対するバイアス電流も駆動電流も、実質的に遮断さ
れる。従って、半導体レーザLDは、発光しなくなる。
、へ1の逆相人力にはハイレベルが、差動増幅器A2の
正相入力にはローレベルがそれぞれ印加される。従って
、各差動増幅器AI 、A2からトランジスタQ3、Q
、のベースに印加される電圧が強制的に低下され、回路
aに対するバイアス電流も駆動電流も、実質的に遮断さ
れる。従って、半導体レーザLDは、発光しなくなる。
第3図(a)は、上述のように構成された本発明に係る
光出力補償回路を備えた光送信回路の動作を確認するた
めのシステムの構成を示す図である。
光出力補償回路を備えた光送信回路の動作を確認するた
めのシステムの構成を示す図である。
同図に示すように、このシステムは、信号発生装置30
により発生された信号を、差動ドライノ\31を介して
本発明に係る半導体レーザ駆動回路32に供給するよう
に構成されている。また、この単導体レーザ駆動回路3
2の発生した光信号は、光ファイバ33を介して光/電
気信号変換器34に人力され、光/電気信号変換器34
の出力する電気信号の信号波形並びに信号レベルをオン
ロスコープ35によって監視することができるように構
成されてコ1)る。
により発生された信号を、差動ドライノ\31を介して
本発明に係る半導体レーザ駆動回路32に供給するよう
に構成されている。また、この単導体レーザ駆動回路3
2の発生した光信号は、光ファイバ33を介して光/電
気信号変換器34に人力され、光/電気信号変換器34
の出力する電気信号の信号波形並びに信号レベルをオン
ロスコープ35によって監視することができるように構
成されてコ1)る。
第1図に示したような半導体レーザ駆動回路並びに光出
力補償回路を作製して、第3図(a)に示すようなシス
テムによってその動作を観察したところ、第3図(b)
に示すような信号波形が観測された。
力補償回路を作製して、第3図(a)に示すようなシス
テムによってその動作を観察したところ、第3図(b)
に示すような信号波形が観測された。
この出力信号波形から、半導体レーザ駆動回路の運転時
間が経過したり周囲温度が変化したりしても、出力光信
号の消光比PI/P2が実質的に変化しない二と、およ
び、零レベルに対する信号の平均レベルP、/2が変化
しないことが確認され実4施例2 第2図(a)は、本発明に係る単導体レーデ駆動回路の
他の構成例を示す図である。尚、第2図に示す単導体レ
ーザ駆動回路は、そのピークホールド回路のうちのひと
つの構成のみが第1図に示した回路と異なっており、池
の構成要素は共通である。
間が経過したり周囲温度が変化したりしても、出力光信
号の消光比PI/P2が実質的に変化しない二と、およ
び、零レベルに対する信号の平均レベルP、/2が変化
しないことが確認され実4施例2 第2図(a)は、本発明に係る単導体レーデ駆動回路の
他の構成例を示す図である。尚、第2図に示す単導体レ
ーザ駆動回路は、そのピークホールド回路のうちのひと
つの構成のみが第1図に示した回路と異なっており、池
の構成要素は共通である。
そこで、第1図と同じ構成要素には同じ参照番号を付し
て、その詳細な説明は省略している。
て、その詳細な説明は省略している。
第1図に示した半導体レーザ駆動回路におけるピークホ
ールド回路P2に相当する、この半導体レーザ駆動回路
のピークホールド回路PIOは、位相分配器110と、
○Rアゲ−0,0と、ローパスフィルタFIOとから構
成されており、入力されたモニタ信号の交流成分を抽出
するピークホールド回路として動作する。
ールド回路P2に相当する、この半導体レーザ駆動回路
のピークホールド回路PIOは、位相分配器110と、
○Rアゲ−0,0と、ローパスフィルタFIOとから構
成されており、入力されたモニタ信号の交流成分を抽出
するピークホールド回路として動作する。
即ち、第2図(b);ま、第2図(a)に示した回路の
うち、ピークホールド回路P+oの動作を説明するため
の図であり、第2図(a)中に示した個所p−tにおけ
る信号波形を示している。
うち、ピークホールド回路P+oの動作を説明するため
の図であり、第2図(a)中に示した個所p−tにおけ
る信号波形を示している。
同図に示すように、位相分配器110の人力pj=おけ
る信号波形は、モニタ回路eから供給されるモニタ信号
の交流成分である。この信号を人力された位相分配器I
+oは位相が互いにπだけずれた1対の信号を出力q、
rから出力する。これちの信号は、OR回路0+oにお
いて加算され、OR回路010の出力Sかちは両者の論
理積が出力される。
る信号波形は、モニタ回路eから供給されるモニタ信号
の交流成分である。この信号を人力された位相分配器I
+oは位相が互いにπだけずれた1対の信号を出力q、
rから出力する。これちの信号は、OR回路0+oにお
いて加算され、OR回路010の出力Sかちは両者の論
理積が出力される。
この信号を、ローパスフィルタF+oにおいて整形する
ことにより、モニタ信号の振幅に対応した直流信号がロ
ーパスフィルタFIOの出力tから出力されろ。
ことにより、モニタ信号の振幅に対応した直流信号がロ
ーパスフィルタFIOの出力tから出力されろ。
発明の詳細
な説明したように、本発明に係る半導体レーザ駆動回路
は、光出力平均値を一定に保持する機能を有すると同時
に、出力光信号の消光比を一定に保持する機能をも有し
ている。従って、半導体レーザを光源とする光送信機等
に有利に使用することができる。
は、光出力平均値を一定に保持する機能を有すると同時
に、出力光信号の消光比を一定に保持する機能をも有し
ている。従って、半導体レーザを光源とする光送信機等
に有利に使用することができる。
第1図は、本発明に係る半導体レーザ駆動回路の具体的
な構成例を示す回路面であり、第2図(a)は、本発明
に係る単導体レーザ駆動回路の他の具体的な構成例を示
す回路図であり、第2図(b)は、第2図(a)に示し
た回路の動作を説明するためのグラフであり、 第3図(a)およびら)は、第1図に示己た回路の動作
を確認するた袷に使用したンステムの構成例とその動作
を説明するた約の図であり、 第4図は、−船釣な半導体レーザ駆動回路の構成を示す
図であり、 第5図は、第4図に示す半導体レーザ駆動回路において
使用されていた従来の光出力補償回路の具体的な構成例
を示す図であり、 第6図は、第5図に示した回路の動作を説明するための
グラフである。 7主な参照符号〕 AolAl、A2、A3、A4 ・・・増幅器、Co、
CI、C2”’ニンデンサ、 D、、D2 ・ ・ ・ダイオード、 G・・・参照電圧発生回路、 I、、I2.1. ・・・インバータ、LD・・・単
導体レーザ、 PD・・・フォトダイオード、 P 1 、P 2 、P I O・・・ピークホールド
回路、口1、C2、C3、C4・・・トランジスタ、R
・・・抵抗 特許出願人 住友電気工業株式会社
な構成例を示す回路面であり、第2図(a)は、本発明
に係る単導体レーザ駆動回路の他の具体的な構成例を示
す回路図であり、第2図(b)は、第2図(a)に示し
た回路の動作を説明するためのグラフであり、 第3図(a)およびら)は、第1図に示己た回路の動作
を確認するた袷に使用したンステムの構成例とその動作
を説明するた約の図であり、 第4図は、−船釣な半導体レーザ駆動回路の構成を示す
図であり、 第5図は、第4図に示す半導体レーザ駆動回路において
使用されていた従来の光出力補償回路の具体的な構成例
を示す図であり、 第6図は、第5図に示した回路の動作を説明するための
グラフである。 7主な参照符号〕 AolAl、A2、A3、A4 ・・・増幅器、Co、
CI、C2”’ニンデンサ、 D、、D2 ・ ・ ・ダイオード、 G・・・参照電圧発生回路、 I、、I2.1. ・・・インバータ、LD・・・単
導体レーザ、 PD・・・フォトダイオード、 P 1 、P 2 、P I O・・・ピークホールド
回路、口1、C2、C3、C4・・・トランジスタ、R
・・・抵抗 特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一方のトランジスタに負荷として半導体レーザが接続さ
れた1対のトランジスタからなる差動増幅回路と、入力
信号から生成した差動信号を前記1対のトランジスタの
各ベースに印加するように構成された差動信号発生回路
と、前記差動増幅回路に流れる駆動電流を供給する駆動
電流源トランジスタと、前記差動増幅回路の前記一方の
トランジスタと前記半導体レーザとの間の接続点に接続
されて前記半導体レーザにバイアス電流を供給するバア
イス電流源トランジスタとを備えた半導体レーザ駆動回
路において、 前記半導体レーザが出力する出力光信号の一部を受けて
モニタ電流を出力する受光素子と、該受光素子が出力す
るモニタ電流から前記モニタ信号の交流成分の信号振幅
を抽出する第1のピークホールド回路と、 該受光素子が出力するモニタ電流から前記モニタ信号の
直流成分の信号振幅を抽出する第2のピークホールド回
路と 前記第1のピークホールド回路の出力を受けて該出力が
一定になるように前記駆動電流源トランジスタを制御す
る回路と、 前記第2のピークホールド回路の出力を受けて該出力が
一定になるように前記バイアス電流源トランジスタを制
御する回路と を含む光出力補償回路を備えることを特徴とする半導体
レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311020A JPH04181786A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311020A JPH04181786A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181786A true JPH04181786A (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=18012155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311020A Pending JPH04181786A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04181786A (ja) |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP2311020A patent/JPH04181786A/ja active Pending
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