JPH04182618A - 磁気光学素子 - Google Patents
磁気光学素子Info
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- JPH04182618A JPH04182618A JP31306790A JP31306790A JPH04182618A JP H04182618 A JPH04182618 A JP H04182618A JP 31306790 A JP31306790 A JP 31306790A JP 31306790 A JP31306790 A JP 31306790A JP H04182618 A JPH04182618 A JP H04182618A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気光学素子に係り、特に磁性流体の磁気光学
効果を用いて光の透過、不透過の切換えを行なうための
磁気光学素子に関する。
効果を用いて光の透過、不透過の切換えを行なうための
磁気光学素子に関する。
従来から、例えば、高解像度の投影型デイスプレィや液
晶デイスプレィ、あるいは、カメラやレーザプリンタ等
の光学機器においては、各画素毎における光のON、O
FFの切換えや、光シャッタにより、光の透過、不透過
の切換えをすることが行なわれている。
晶デイスプレィ、あるいは、カメラやレーザプリンタ等
の光学機器においては、各画素毎における光のON、O
FFの切換えや、光シャッタにより、光の透過、不透過
の切換えをすることが行なわれている。
このような光の切換えを行なう場合、従来から、例えば
、LCD素子、強誘電性LCD素子あるいはPLZT素
子等の電気光素子が多く用いられている。
、LCD素子、強誘電性LCD素子あるいはPLZT素
子等の電気光素子が多く用いられている。
そして、このような、前記LCD素子等の電気光素子を
通電制御して前記電気光素子を駆動することにより、光
の透過、不透過制御を行なうようになっている。
通電制御して前記電気光素子を駆動することにより、光
の透過、不透過制御を行なうようになっている。
しかし、前記従来のLCD素子および強誘電性LCD素
子等の電気光素子においては、通電制御に対するON、
OFF動作の応答速度が極めて遅く、シかも、ON、O
FF動作時のコントラスト比が小さく、適正な解像度を
得ることが困難であるという問題を有している。
子等の電気光素子においては、通電制御に対するON、
OFF動作の応答速度が極めて遅く、シかも、ON、O
FF動作時のコントラスト比が小さく、適正な解像度を
得ることが困難であるという問題を有している。
また、前記いずれの電気光素子においても、光のON、
OFFのみの動作であり、光の透過量を調節することが
できず、光源からの光を半透過させる中間階調の光を出
光させることができす、しかも、前記いずれの電気光素
子においても、材料コストが高く、製造コストが極めて
高くなってしまうという問題を有している。
OFFのみの動作であり、光の透過量を調節することが
できず、光源からの光を半透過させる中間階調の光を出
光させることができす、しかも、前記いずれの電気光素
子においても、材料コストが高く、製造コストが極めて
高くなってしまうという問題を有している。
本発明は前記した点に鑑みてなされたもので、動作応答
速度が高く、かっ、コントラスト比が大で、種々の光学
機器に適用することができ、しがも、構造も簡単であり
、安価に製造することのできる磁気光学素子を提供する
ことを目的とするものである。
速度が高く、かっ、コントラスト比が大で、種々の光学
機器に適用することができ、しがも、構造も簡単であり
、安価に製造することのできる磁気光学素子を提供する
ことを目的とするものである。
前記目的を達成するため請求項第1項記載の本発明に係
る磁気光学素子は、磁性流体の磁気光学効果を用いて光
の透過、不透過の切換えを行なうための磁気光学素子に
おいて、前記磁性流体を薄膜状に形成した磁性流体薄膜
と、この磁性流体薄膜に磁界を付与する磁界付与手段と
を透光性を有する基板に一体に配設したことを特徴とす
るものである。
る磁気光学素子は、磁性流体の磁気光学効果を用いて光
の透過、不透過の切換えを行なうための磁気光学素子に
おいて、前記磁性流体を薄膜状に形成した磁性流体薄膜
と、この磁性流体薄膜に磁界を付与する磁界付与手段と
を透光性を有する基板に一体に配設したことを特徴とす
るものである。
また、請求項第2項記載の本発明に係る磁気光学素子は
、磁性流体の磁気光学効果を用いて光の透過、不透過の
切換えを行なうための磁気光学素子において、透光性を
有する基板の一面側に一部に磁界形成用の間隙部が形成
されるとともに、コイルが巻回されたヨークコアを固着
し、前記基板の前記ヨークコアの間隙部分に対応する部
分に、磁性流体を透光性部材により封入して磁性流体薄
膜を形成したことを特徴とするものである。
、磁性流体の磁気光学効果を用いて光の透過、不透過の
切換えを行なうための磁気光学素子において、透光性を
有する基板の一面側に一部に磁界形成用の間隙部が形成
されるとともに、コイルが巻回されたヨークコアを固着
し、前記基板の前記ヨークコアの間隙部分に対応する部
分に、磁性流体を透光性部材により封入して磁性流体薄
膜を形成したことを特徴とするものである。
請求項第1項および第2項に記載された本発明によれば
、磁界付与手段としてのコイルに通電することにより、
ヨークコアの間隙部に発生する所定方向の磁界が磁性流
体に加わることにより発生する磁気光学効果を利用して
、例えば、透過光量、透過光強度等の光の透過特性を制
御するものであり、その結果、コイルへの通電のON、
、OFF制御を行なうことにより、光のON、OFF制
御を行なうことができ、しかも、コイルへの通電電流を
調整することにより、中間階調光を透過させることがで
きるものである。
、磁界付与手段としてのコイルに通電することにより、
ヨークコアの間隙部に発生する所定方向の磁界が磁性流
体に加わることにより発生する磁気光学効果を利用して
、例えば、透過光量、透過光強度等の光の透過特性を制
御するものであり、その結果、コイルへの通電のON、
、OFF制御を行なうことにより、光のON、OFF制
御を行なうことができ、しかも、コイルへの通電電流を
調整することにより、中間階調光を透過させることがで
きるものである。
以下、本発明の実施例を第1図から第6図を参照して説
明する。
明する。
第1図から第3図は本発明に係る磁気光学素子の一実施
例を示したもので、ガラス等の透明な材料からなる基板
1の一面側には、磁界付与手段を構成する四角枠状のヨ
ークコア2がその一部に形成された間隙部3を基板1の
ほぼ中央部に位置するようにして固着されており、この
ヨークコア2の下端辺部分は、前記基板1の外側に突出
されて巻線部4とされている。
例を示したもので、ガラス等の透明な材料からなる基板
1の一面側には、磁界付与手段を構成する四角枠状のヨ
ークコア2がその一部に形成された間隙部3を基板1の
ほぼ中央部に位置するようにして固着されており、この
ヨークコア2の下端辺部分は、前記基板1の外側に突出
されて巻線部4とされている。
また、前記ヨークコア2の前記間隙部3分には、磁性流
体5が、前記ヨークコア2の表面側に固着された透光部
材の一例であるカバーガラス6および円形に形成された
密封壜6aにより漏洩しないようにほぼ円形に封入され
ており、この磁性流体5は、例えば、酸化第2鉄粉、マ
グネタイト(磁鉄鉱)等の磁性粉と水あるいはシクロヘ
キサン、エタノール等の有機溶剤とを混合することによ
り構成されるものである。なお、前記密封壜6aは、前
記基板1あるいはカバーガラス6のいずれに形成するよ
うにしてもよいし、前記カバーガラス6を基板1に固着
するための接着剤を密封壜6aとして用いるようにして
もよい。さらに、場合によっては、密封壜6aを省略し
て磁性流体5の表面張力により、封止するようにしても
よい。
体5が、前記ヨークコア2の表面側に固着された透光部
材の一例であるカバーガラス6および円形に形成された
密封壜6aにより漏洩しないようにほぼ円形に封入され
ており、この磁性流体5は、例えば、酸化第2鉄粉、マ
グネタイト(磁鉄鉱)等の磁性粉と水あるいはシクロヘ
キサン、エタノール等の有機溶剤とを混合することによ
り構成されるものである。なお、前記密封壜6aは、前
記基板1あるいはカバーガラス6のいずれに形成するよ
うにしてもよいし、前記カバーガラス6を基板1に固着
するための接着剤を密封壜6aとして用いるようにして
もよい。さらに、場合によっては、密封壜6aを省略し
て磁性流体5の表面張力により、封止するようにしても
よい。
また、前記ヨークコア2は、前記磁性流体5の膜厚を決
定するためのスペーサとして機能するようになされてお
り、このヨークコア2の厚さは、例えば、50μm以下
、好ましくは、10μm程度に形成されている。これに
より、基板1とカバーガラス6との間の前記ヨークコア
2の間隙部3に前記磁性流体5による薄膜が形成される
ものである。
定するためのスペーサとして機能するようになされてお
り、このヨークコア2の厚さは、例えば、50μm以下
、好ましくは、10μm程度に形成されている。これに
より、基板1とカバーガラス6との間の前記ヨークコア
2の間隙部3に前記磁性流体5による薄膜が形成される
ものである。
さらに、前記ヨークコア2の巻線部4には、コイル7が
数100タ一ン程度巻回されており、前記コイル7に通
電することにより、前記ヨークコア2の間隙部3に磁界
を発生させることができるものである。
数100タ一ン程度巻回されており、前記コイル7に通
電することにより、前記ヨークコア2の間隙部3に磁界
を発生させることができるものである。
次に、本実施例の作用について説明する。
本実施例においては、前記コイル7に通電することによ
り、ヨークコア2の間隙部3に所定方向の磁界が発生し
、この磁界が磁性流体5に加わることにより、前記磁性
流体5に磁気光学効果が発生する。そして、この磁気光
学効果を利用して、例えば、透過光量、透過光強度等の
光の透過特性を制御するものであり、その結果、コイル
7への通電のON、OFF@御を行なうことにより、光
のON、OFF制御を行なうことができ、しかも、コイ
ル7への通電電流を調整することにより、中間階調光を
透過させることができるものである。
り、ヨークコア2の間隙部3に所定方向の磁界が発生し
、この磁界が磁性流体5に加わることにより、前記磁性
流体5に磁気光学効果が発生する。そして、この磁気光
学効果を利用して、例えば、透過光量、透過光強度等の
光の透過特性を制御するものであり、その結果、コイル
7への通電のON、OFF@御を行なうことにより、光
のON、OFF制御を行なうことができ、しかも、コイ
ル7への通電電流を調整することにより、中間階調光を
透過させることができるものである。
前記磁気光学効果は、直線偏光の遂行力向に対して垂直
方向から磁場が加わる際に生じる現象で、磁場方向と垂
直方向とで屈折率の差、すなわち複屈折が生じる。この
場合の磁場に垂直な偏光成分と平行な偏光成分との位相
差を6とすると、δは次式で表わすことができる。
方向から磁場が加わる際に生じる現象で、磁場方向と垂
直方向とで屈折率の差、すなわち複屈折が生じる。この
場合の磁場に垂直な偏光成分と平行な偏光成分との位相
差を6とすると、δは次式で表わすことができる。
δ=2π(n // n土)d/λ
ここで、n//、n土はそれぞれ磁界に平行な方向と垂
直な方向の屈折率、dは磁性流体中の光路長(磁性流体
に垂直に入射する場合は、磁性流体の厚さ)、λは波長
である。
直な方向の屈折率、dは磁性流体中の光路長(磁性流体
に垂直に入射する場合は、磁性流体の厚さ)、λは波長
である。
また、δはH(磁界)の関数でもあり、磁場に対して垂
直方向の偏光および水平方向の偏光における光の透過率
も磁界によって変化する。その結果、コイル7への通電
電流を制御して磁性流体5に適当な磁場を印加すること
により、この位相差あるいは光出力変化の大きさから、
光のON、OFF、透過光量の中間階調をも制御するこ
とが可能となる。
直方向の偏光および水平方向の偏光における光の透過率
も磁界によって変化する。その結果、コイル7への通電
電流を制御して磁性流体5に適当な磁場を印加すること
により、この位相差あるいは光出力変化の大きさから、
光のON、OFF、透過光量の中間階調をも制御するこ
とが可能となる。
そして、前記基板1の前面およびカバーガラス6の後面
に、偏光子および検光子(共に図示せず)を配置するか
、あるいは、前記基板1およびカバーガラス6をそれぞ
れ偏光子および検光子を兼ねるように形成し、この偏光
子側から光を照射すると、前記偏光子を介して直線偏光
のみが透過されて磁性流体5へ入射されることになる。
に、偏光子および検光子(共に図示せず)を配置するか
、あるいは、前記基板1およびカバーガラス6をそれぞ
れ偏光子および検光子を兼ねるように形成し、この偏光
子側から光を照射すると、前記偏光子を介して直線偏光
のみが透過されて磁性流体5へ入射されることになる。
この場合に、前記コイル7に通電していない状態では、
前記磁性流体5の薄膜が複屈折性を生じていないので、
直線偏光のまま検光子に入射し、検光子の偏光方向を前
記偏光子の偏光方向に対して垂直に配置すれば、この光
は、検光子を透過せず、遮断されることになる。
前記磁性流体5の薄膜が複屈折性を生じていないので、
直線偏光のまま検光子に入射し、検光子の偏光方向を前
記偏光子の偏光方向に対して垂直に配置すれば、この光
は、検光子を透過せず、遮断されることになる。
一方、前記コイル7に通電すると、前記磁性流体5の薄
膜に複屈折性が生じるので、前記偏光子を透過した直線
偏光が磁性流体5の薄膜を透過した際に、楕円偏光とな
り、偏光子の偏光面と直交した方向に偏光面を有する検
光子を通過する偏光も生じ、この偏光が透過されるよう
になる。また、透過光強度Iは、複屈折による位相差δ
に対し、Iocsin2 δ/2 という関係にあり、δが磁界の関数であるから、■も磁
界、すなわち、前記コイル7の電流により変化する。
膜に複屈折性が生じるので、前記偏光子を透過した直線
偏光が磁性流体5の薄膜を透過した際に、楕円偏光とな
り、偏光子の偏光面と直交した方向に偏光面を有する検
光子を通過する偏光も生じ、この偏光が透過されるよう
になる。また、透過光強度Iは、複屈折による位相差δ
に対し、Iocsin2 δ/2 という関係にあり、δが磁界の関数であるから、■も磁
界、すなわち、前記コイル7の電流により変化する。
このように前記コイル7への通電のON、OFF制御を
行なうことにより、磁性流体5を介して光のON、OF
F制御を行なうことができ、しがち、前記コイル7への
通電電流を調整することにより、前記磁性流体5を出射
した光の楕円偏光の程度を変化させることができるので
、ON、OFFの中間程度の光量の中間階調光を透過さ
せることができるものである。
行なうことにより、磁性流体5を介して光のON、OF
F制御を行なうことができ、しがち、前記コイル7への
通電電流を調整することにより、前記磁性流体5を出射
した光の楕円偏光の程度を変化させることができるので
、ON、OFFの中間程度の光量の中間階調光を透過さ
せることができるものである。
シタがって、本実施例においては、コイル7への通電制
御を行なうことにより、磁性流体5に磁界を印加して光
のON、OFF制御を行なうことができるので、従来の
電気光素子の代りに、各種光学機器に適用することがで
きる。例えば、前記ヨークコア2を磁性流体5の中に多
数配列するか、あるいは、磁気光学素子を多数配列して
アレイ化することにより、レーザプリンタのヘッドや液
晶デイスプレィ等の各画素に対応する光シャッタ等に適
用することが可能となる。この場合、ヨークコア2の間
隙部3の幅寸法をレーザ光のスポットの直径とほぼ同等
に形成するとよい。また、従来のLCD素子や強誘電性
LCD素子等の電気光素子と比較して、通電制御に対す
る0NXOFF動作の応答速度が極めて速く、しかも、
0N1OFF動作時のコントラスト比を大きく確保する
ことができ、デイスプレィ等に適用した場合に、中間階
調等の適正な解像度を得ることが可能となる。
御を行なうことにより、磁性流体5に磁界を印加して光
のON、OFF制御を行なうことができるので、従来の
電気光素子の代りに、各種光学機器に適用することがで
きる。例えば、前記ヨークコア2を磁性流体5の中に多
数配列するか、あるいは、磁気光学素子を多数配列して
アレイ化することにより、レーザプリンタのヘッドや液
晶デイスプレィ等の各画素に対応する光シャッタ等に適
用することが可能となる。この場合、ヨークコア2の間
隙部3の幅寸法をレーザ光のスポットの直径とほぼ同等
に形成するとよい。また、従来のLCD素子や強誘電性
LCD素子等の電気光素子と比較して、通電制御に対す
る0NXOFF動作の応答速度が極めて速く、しかも、
0N1OFF動作時のコントラスト比を大きく確保する
ことができ、デイスプレィ等に適用した場合に、中間階
調等の適正な解像度を得ることが可能となる。
さらに、主駆動材料である磁性流体5の材料コストが極
めて安価となるので、製造コストの低減を図ることがで
きる。
めて安価となるので、製造コストの低減を図ることがで
きる。
また、本実施例においては、前記ヨークコア2が磁性流
体5の封入部分のスペーサとして機能するようにしてい
るので、磁性流体5の膜厚を容易に規定することができ
、製造効率を著しく高めることができ、さらに、前記ヨ
ークコア2の巻線部4が基板1から突出しているので、
コイル7の巻回作業を極めて容易に行なうことができる
。
体5の封入部分のスペーサとして機能するようにしてい
るので、磁性流体5の膜厚を容易に規定することができ
、製造効率を著しく高めることができ、さらに、前記ヨ
ークコア2の巻線部4が基板1から突出しているので、
コイル7の巻回作業を極めて容易に行なうことができる
。
また、前記磁性流体5の薄膜および磁界付与手段である
ヨークコア2、コイル7等を1つの基板1に一体に形成
しているので、構成が簡単で、装置の小型化、微細化を
図ることかでき、製造か容易で、製造コストも低減させ
ることができる。
ヨークコア2、コイル7等を1つの基板1に一体に形成
しているので、構成が簡単で、装置の小型化、微細化を
図ることかでき、製造か容易で、製造コストも低減させ
ることができる。
なお、前記コイル7への通電による発熱、あるいは、磁
性流体5自体の発熱か顕著である場合には、前記基板1
の形成材料として、ガラスの代わりに、光の通過部分が
透明とされたアルミナ基板を用いたり、あるいは、光の
透過部分に開口か形成された放熱用金属薄膜を貼着する
ようにしてもよい。
性流体5自体の発熱か顕著である場合には、前記基板1
の形成材料として、ガラスの代わりに、光の通過部分が
透明とされたアルミナ基板を用いたり、あるいは、光の
透過部分に開口か形成された放熱用金属薄膜を貼着する
ようにしてもよい。
また、第4図は本発明の他の実施例を示したもので、前
記ヨークコア2をその巻線部4中央部分で2つに分割す
るようにしたものであり、その他の構成は、前記実施例
のものと同様である。
記ヨークコア2をその巻線部4中央部分で2つに分割す
るようにしたものであり、その他の構成は、前記実施例
のものと同様である。
本実施例においても前記実施例と同様に、コイル7への
通電制御を行なうことにより、磁性流体5に磁界を印加
して光のON、OFF制御を行なうことができるので、
各種光学機器に適用することができる。また、通電制御
に対する0NXOFF動作の応答速度を著しく高めるこ
とができるとともに、コントラスト比を大きく確保する
ことができ、さらに、製造コストの低減を図ることがで
きる。
通電制御を行なうことにより、磁性流体5に磁界を印加
して光のON、OFF制御を行なうことができるので、
各種光学機器に適用することができる。また、通電制御
に対する0NXOFF動作の応答速度を著しく高めるこ
とができるとともに、コントラスト比を大きく確保する
ことができ、さらに、製造コストの低減を図ることがで
きる。
また、本実施例においては、前記ヨークコア2が分割さ
れているので、ヨークコア2の組立性を著しく向上させ
ることができる。
れているので、ヨークコア2の組立性を著しく向上させ
ることができる。
さらに、第5図は本発明の他の実施例を示したもので、
前記第4図に示した実施例と同様に、ヨークコア2をそ
の巻線部4の中央部分で2つに分割したものである。本
実施例においては、第6図に示すように、コイル7を巻
回するためのボビン8がヨークコア2に対して別体に設
けられている。
前記第4図に示した実施例と同様に、ヨークコア2をそ
の巻線部4の中央部分で2つに分割したものである。本
実施例においては、第6図に示すように、コイル7を巻
回するためのボビン8がヨークコア2に対して別体に設
けられている。
このボビン8には、前記ヨークコア2の先端部分が挿入
される貫通孔9が形成されており、前記各ヨークコア2
,2を基板1に固着する際に、前記別工程でコイル7が
巻回されたボビン8の前記貫通孔9に前記ヨークコア2
の先端部分を嵌挿させることにより、ヨークコア2にボ
ビン8を装着するようになされている。
される貫通孔9が形成されており、前記各ヨークコア2
,2を基板1に固着する際に、前記別工程でコイル7が
巻回されたボビン8の前記貫通孔9に前記ヨークコア2
の先端部分を嵌挿させることにより、ヨークコア2にボ
ビン8を装着するようになされている。
本実施例においても前記各実施例と同様に、コイル7へ
の通電制御により光のON、OFF制御を行なうことか
できるので、各種光学機器に適用することができ、また
、ON、OFF動作の応答速度を著しく高めることかで
きるとともに、コントラスト比を大きく確保することが
でき、さらに、製造コストの低減を図ることかできる。
の通電制御により光のON、OFF制御を行なうことか
できるので、各種光学機器に適用することができ、また
、ON、OFF動作の応答速度を著しく高めることかで
きるとともに、コントラスト比を大きく確保することが
でき、さらに、製造コストの低減を図ることかできる。
さらに、本実施例においては、あらかじめコイル7が巻
回されたボビン8を分割型ヨークコア2に装着すること
により、ヨークコア2にコイル7を装着するようにして
いるので、基板1にヨークコア2か装着された状態で、
コイル7を巻回する場合に比べて、コイル7の巻回作業
を極めて容易に行なうことができ、製造効率を著しく高
めることができる。
回されたボビン8を分割型ヨークコア2に装着すること
により、ヨークコア2にコイル7を装着するようにして
いるので、基板1にヨークコア2か装着された状態で、
コイル7を巻回する場合に比べて、コイル7の巻回作業
を極めて容易に行なうことができ、製造効率を著しく高
めることができる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
必要に応じて種々変更することができるものである。
必要に応じて種々変更することができるものである。
以上述べたように本発明に係る磁気光学素子は、コイル
への通電制御を行なうことにより、磁性流体に磁界を印
加して光のON、OFF制御を行なうことができるので
、従来の電気光素子の代りに、各種光学機器に適用する
ことができる。また、従来の電気光素子と比較して、通
電制御に対するON、OFF動作の応答速度が極めて速
く、しかも、ON、OFF動作時のコントラスト比を大
きく確保することができ、デイスプレィ等に適用した場
合に、中間階調等の適正な解像度を得ることが可能とな
り、さらに、構造が簡単でコンパクトであるとともに、
主駆動材料である磁性流体の材料コストが極めて安価と
なるので、製造コストを著しく低減させることができる
等の効果を奏する。
への通電制御を行なうことにより、磁性流体に磁界を印
加して光のON、OFF制御を行なうことができるので
、従来の電気光素子の代りに、各種光学機器に適用する
ことができる。また、従来の電気光素子と比較して、通
電制御に対するON、OFF動作の応答速度が極めて速
く、しかも、ON、OFF動作時のコントラスト比を大
きく確保することができ、デイスプレィ等に適用した場
合に、中間階調等の適正な解像度を得ることが可能とな
り、さらに、構造が簡単でコンパクトであるとともに、
主駆動材料である磁性流体の材料コストが極めて安価と
なるので、製造コストを著しく低減させることができる
等の効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図、第2図は第1
図の正面図、第3図は第1図の側面図、第4図は本発明
の他の実施例を示す斜視図、第5図は本発明のさらに他
の実施例を示す斜視図、第6図は第5図のボビンの斜視
図である。 1・・・基板、2・・・ヨークコア、3・・・間隙部、
4・・・巻線部、5・・・磁性流体、6・・・カバーガ
ラス、7・・・コイル、8・・・ボビン。
図の正面図、第3図は第1図の側面図、第4図は本発明
の他の実施例を示す斜視図、第5図は本発明のさらに他
の実施例を示す斜視図、第6図は第5図のボビンの斜視
図である。 1・・・基板、2・・・ヨークコア、3・・・間隙部、
4・・・巻線部、5・・・磁性流体、6・・・カバーガ
ラス、7・・・コイル、8・・・ボビン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 磁性流体の磁気光学効果を用いて光の透過、不透過
の切換えを行なうための磁気光学素子において、前記磁
性流体を薄膜状に形成した磁性流体薄膜と、この磁性流
体薄膜に磁界を付与する磁界付与手段とを透光性を有す
る基板に一体に配設したことを特徴とする磁気光学素子
。 2 磁性流体の磁気光学効果を用いて光の透過、不透過
の切換えを行なうための磁気光学素子において、透光性
を有する基板の一面側に一部に磁界形成用の間隙部が形
成されるとともに、コイルが巻回されたヨークコアを固
着し、前記基板の前記ヨークコアの間隙部分に対応する
部分に、磁性流体を透光性部材により封入して磁性流体
薄膜を形成したことを特徴とする磁気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31306790A JPH04182618A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31306790A JPH04182618A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182618A true JPH04182618A (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=18036808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31306790A Pending JPH04182618A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04182618A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5889609A (en) * | 1992-07-31 | 1999-03-30 | Fujitsu Limited | Optical attenuator |
| US6919987B2 (en) | 1998-02-27 | 2005-07-19 | Fujitsu Limited | Light wavelength-multiplexing systems |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP31306790A patent/JPH04182618A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5889609A (en) * | 1992-07-31 | 1999-03-30 | Fujitsu Limited | Optical attenuator |
| US6018412A (en) * | 1992-07-31 | 2000-01-25 | Fujitsu Limited | Optical attenuator |
| US6275323B1 (en) | 1992-07-31 | 2001-08-14 | Fujitsu Limited | Optical attenuator |
| US6919987B2 (en) | 1998-02-27 | 2005-07-19 | Fujitsu Limited | Light wavelength-multiplexing systems |
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