JPH04183467A - レーザ治療装置 - Google Patents

レーザ治療装置

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JPH04183467A
JPH04183467A JP2312006A JP31200690A JPH04183467A JP H04183467 A JPH04183467 A JP H04183467A JP 2312006 A JP2312006 A JP 2312006A JP 31200690 A JP31200690 A JP 31200690A JP H04183467 A JPH04183467 A JP H04183467A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は患者眼を治療するための半導体光凝固装置に係
り、殊に治療に高出力を要する光凝固に好適な装置に関
する。
[従来技術] 従来の光凝固装置はアルゴンレーザ等のイオンレーザを
使用する装置か一般的であった。これらの光凝固装置は
大型であること、水冷式であること、等の欠点を持って
いた。
そこで、小型で、空冷式である半導体レーザを光凝固に
使用する試みがなされている。
しかし、現在のところ半導体レーザの8力はせいぜい1
.5w程度の゛ものしかなく、しかもレーザ出射の拡が
りがイオンレーザ等に比べ大きく、入射させたファイバ
からの出射するレーザパワーにロスが大きいという欠点
を持っている。そこで、レーザパワーの不足を補うため
に、2個のレーザを偏光素子などを用いて合成し、出力
の増大をはかっていた。
近年、半導体レーザ光凝固装置の臨床応用が進むにつれ
て、緑内障治療おける眼圧低下を目的とした、半導体レ
ーザによる経強膜毛様体光凝固(Tunssclera
l Cyclopbotoco!gola+1onjが
試みられるようになってきた。
[発明が解決すべき課題] しかしながら、従来の半導体レーザ光凝固装置は2個の
レーザ光源を用いた装置でも、高々2w程度であり、経
強膜毛様体光凝固に有効な出力を与えることができなか
った。
基本的には、装置内に搭載するレーザ光源の数を増やせ
ば出力は大きくなる筈であるが、レーザ合成の複雑化や
合成の効率の悪さから、小型で有効な出力を得る装置は
得られていない。
本発明の目的は、半導体レーザ光凝固装置の小型レーザ
装置であるとの特徴を生かしつつ、有効な出力を与える
ことができる半導体レーザ光凝固装置を提供することに
ある。
[課題を解決するための手段] 本発明は、上記目的を達成するために、次のような構成
を有している。
第1の発明は、半導体処置用レーザ光を患者眼の眼内に
導き、光凝固手術を行なうレーザ光凝固装置において、
第1の半導体レーザ光源を収納する本体装置と、第2の
半導体レーザ光源を収納する補助装置と、前記本体装置
に収納された半導体レーザ光源からの光を前記補助装置
に導光するファイバと、第1の半導体レーザ光源からの
晃と第2の半導体レーザ光源からの光を合成する前記補
助装置内に配置された合成光学部材と、該合成光学部材
により合成された光を患者眼に導く導光光学系とからな
ることを特徴としている。
第2のものは、第1の半導体レーザ光源と第2の半導体
レーザ光源とは発光する光の波長が同じであることを特
徴としている。
第3のものは、第1の半導体レーザ光源と第2の半導体
レーザ光源とは発光する光の波長が異なることを特徴と
している。
第4のものは、第2または第3の発明であって、第1の
半導体レーザ光源と同期して第2の半導体レーザ光源を
発光する同期手段を有することを特徴としている。
第5のものは、第4の発明であって、第1の半導体レー
ザ光及び第2の半導体レーザ光の出力を独立して調整す
る調整手段を有していることを特徴としている。
第6のものは、第2又は第3の発明であって、第1の半
導体レーザ光源と第2の半導体レーザ光源の発光を同期
し、又は発光する光源を選択する選択スイッチを設けて
いることを特徴としている。
第7のものは、第3の発明の装置であって、合成光学部
材はダイクロイックミラーであることを特徴としている
[作用コ 本体装置に収納された第1の半導体レーザ光源からの光
と、補助装置に収納された第2の半導体レーザ光源から
の光を同期して患者眼に照射することにより、高い8力
が得られるので、経強膜光凝固等も容易に行なうことが
できる。
また、本体装置に収納された第1の半導体レーザ光源か
らの光と、補助装置に収納された第2の半導体レーザ光
源からの光が波長を異にするときは、照射する波長のレ
ーザ光を選択し、又は両者の出力を調整することにより
、種々の治療光を得ることができるので、照射部位等に
応じて適切な治療ができる。
[発明の実施例コ 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は補助装置の光学系配置図である。
1p及びISは補助処置用半導体レーザ光源で、本実施
例ではλ=845 n+nの波長の光が射出されるもの
を使用している。2はコリメータレンズで非点収差を有
する半導体レーザの一方向を平行光束とする。3は偏光
ビームカップラで、2個の補助処置用半導体レーザ光を
合成する。偏光ビームカップラー3はλJ45nmに対
し、P偏光を透過し、S偏光を反射する特性を有してお
り、補助用処置レーザ1pからはP偏光が、1sからは
S偏光が出射するため、2個の補助用処置レーザ光はロ
スなく合成される。
4はファイバ集光レンズ、5はファイバ集光シリンダー
レンズである。ファイバ集光レンズ4、ファイバ集光シ
リンダーレンズ5は、偏光ビームカップラ3により合成
されたレーザ光を集光して、患者眼に導くファイバ6に
効率的に入射させる。
経強膜毛様体光凝固は例えばサファイアチップを有する
コンタクトプローブにファイバ6の他端を接続して行な
うこともあるが、エンドフォトプローブ等地のものに代
えて行うこともできる。
7は本体装置とコネクタを介して接続可能なファイバで
あり、本体装置からの主処置用半導体レーザ光(本実施
例ではλ−810nmの半導体レーザ光)及びガイド光
(本実施例ではλ= 632.8u+のfls−Ne 
レーザ光)を出射する。8は投影シリンダレンズ、9は
光の方向を変えるミラーである。投影シリンダレンズ8
は、ファイバ集光シリンダレンズ5が光路にあるために
配置されるものである。
10は投影レンズで、ファイバ7の端面を、投影シリン
ダレンズ8及びファイバ集光シリンダレンズ5と相俟っ
て、ファイバ6の端面に投影し、主処置用半導体レーザ
光及びガイド光をファイバ6に入射させる。
11は主処置用半導体レーザ光、ガイド光、及び補助処
置用半導体レーザ光を合成するダイクロイックミラーで
あり、入射角は20°となるように配置している。
ここで、入射角を小さくしたのは、補助用処置半導体レ
ーザ11)%ISの偏光方向はダイクロイックミラー1
1に対し、それぞれP成分、S成分であり、入射角が大
きくなると、このP、S偏光の透過特性が大きくずれて
くるので、2つの補助用レーザの透過率に差が出てしま
うためである。
入射角は実際の光学設計上できるだけ小さくすることが
望ましい。
ダイクロイックミラー11の特性は第2図に示している
通り、入射角20°においてλ=810 am及びλ=
632.8 nmに対し反射、λ=845 nmで透過
となっている。
第2図の特性を示すグイクロイッミラーは、屈折率1.
5の基盤ガラス上に酸化チタン(T+02 )と二酸化
珪素(Si02 )の25層の交互膜をっけたもので、
赤外色分離フィルタとなっている。ダイクロイックミラ
ー11の特性は、使用する主及び補助の処置用半導体レ
ーザ光、ガイド光の各波長や入射角を考慮しても適切に
選択することが必要である。
このダイクロイックミラー11により主処置用半導体レ
ーザ光及びガイド光は反射され、補助処置用半導体レー
ザ光は透過され、両光束の合成が可能となる。
なお、主処置用半導体レーザ光及び補助処置用半導体レ
ーザ光が同一の波長のときは、ダイクロイックミラー1
1の代りに、軸外にミラーを設けて合成する。
次に、本体側の光学系を第3図に基づいて説明する。
20p及び20sは主処置用半導体レーザ光源で、本実
施例ではλ=810 nmの波長の光が射出される。射
出されたレーザ光は補助処置用半導体レーザ光と同様に
、コリメータレンズ21で非点収差を有する半導体レー
ザの一方向を平行光束にし、偏光ビームカップラ22に
より、2個の主処置用半導体レーザ光を合成する。本実
施例では、さらにシリンドリカルレンズ23を設け、半
導体レーザの非点収差を補正している。
24はダイクロイックミラーで、主処置用半導体レーザ
の光を透過し、1ie−Neレーザ光を反射する特性を
有している。
25はtic−Neレーザ光源、26はミラーである。
主処置用半導体レーザ光とHe−Neレーザ光は、ダイ
クロイックミラー24により合成されるが、Fle−N
eレーザ光は偏心させており、これによりファイバ7か
らの出射時の拡り角を主処置用半導体レーザ光と一致さ
せている。。
27.28は合成された両レーザ光をファイバ7に集光
する集光レンズである。
前述のように、ファイバ7の端部には凸型コネクタが接
続され、本体側には凹型コネクタが取り付けられており
、両者は脱着自在となっている。
コネクタの種類は特に問わないが、クリック機構を使用
するワンタッチ式のものが望ましい。このようにファイ
バ7を本体側と脱着自在としているので、本体側の凹型
コネクタにスリットランプや双眼倒像鏡等からの凸型コ
ネクタを差込むことにより種々の光凝固が可能となる。
ファイバ7の補助装置側を脱着自在としても、同様な効
果を得ることができる。
補助処置用半導体レーザ光源1p、Isは本体装置(補
助装置側に設けることは差支えないが、合理的ではない
)のマイクロコンピュータ(図示せず)の制御により、
主処置用半導体レーザ光源20p、20sと同期させ、
又は単独で発振させることができる。これらの選択は本
体側のスイッチ操作により行なう。
同様に、主処置用半導体レーザ光源20p、20s及び
補助処置用半導体レーザ光源Ip、isの出力は同期し
又は単独で変えることができ、所望の処置光を得ること
ができる。
以上の光学系の構成の実施例において、以下にその動作
を説明する。
主処置用半導体レーザ光源20p、20s及び補助処置
用半導体レーザ光源1p11sの同期発振を例に取り説
明する。
本体装置の操作部のスイッチを操作し、同期モードの選
択、出力調整を行った後、ガイド光としてHe−Neレ
ーザ光源25を発振させ、発振したガイド光はダイクロ
イックミラー24により反射した後、本体側とコネクタ
で接続されたファイバ7にガイド光を集光レンズ27.
28の作用により入射させる。
補助装置内でファイバ7から出射したガイド光は、ミラ
ー9及びダイクロイックミラー11で反射し、ファイバ
端投影レンズ群(投影シリンダレンズ8、投影レンズ1
0、ファイバ集光シリンダレンズ5により、ファイバ6
に入射する。ファイバ6に入射したガイド光はファイバ
を通過し、エンドフォトプローブの出射端より出射され
、処置すべき患部を照らす。
ファイバ出射端と患部とが適切な距離となり、照射範囲
が決ったら、主処置用半導体レーザ光源(20p、  
20 s)を発振させる。主処置レーザ光は偏光ビーム
カップラ22により合成され、ダイクロイックミラー2
4を透過した後、ガイド光と同様の経路を通り、ファイ
バ61こ入射する。
主処置レーザ光源(20p、20s)が発振すると同時
に、マイクロコンピュータ(図示せず)の制御により補
助用処置レーザ光源1p11sを発振する。補助用処置
レーザ光はコリメータレンズ2により一方向で平行にさ
れ、偏光ビームカップラ3で合成された後、さらに、ダ
イクロイックミラー11により主処置レーザ光と合成さ
れ、集光レンズ41、集光シリンダレンズ5の作用によ
りファイバ6に入射する。
ファイバ6に入射した主処置レーザ光及び補助用処置レ
ーザ光はファイバ6を通過し、出射端から出射され、患
部に照射される。
治療が終了すると、術者は主処置レーザの出射を止める
が、これと同時に補助処置用レーザ光源1p11Sはマ
イクロコンピュータ(図示せず)の制御で自動的にその
発振を止める。
[発明の効果コ 本発明によれば、十分な出力の半導体レーザ装置を得る
ことができるので、従来では出力が不足し、凝固が不可
能であった光凝固を可能にすることができた。
また、術者は必要に応じて主処置レーザ及びガイド光を
補助装置に接続すればよいので、極めて簡単な操作で多
様に使用できる。
また、波長が主処置レーザ光と補助用処置レーザ光で異
なることから、治療に有効な波長を選択的に使用するこ
とも可能となり、治療効果も増大する。
【図面の簡単な説明】
第1図は補助装置の光学系配置図である。第2図はダイ
クロイックミラー11の特性を示す図である。第3図は
本体側の光学系配置図である。 Ip、1s・・・補助処置用半導体レーザ光源3・・・
偏光ビームカップラ 6.7・・・ファイバ ・ 11・・・ダイクロイックミラー 20p、20s・・・主処置用半導体し−サ光源25・
・・He−Neレーザ光源 特許出願人  株式会社ニデック

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体処置用レーザ光を患者眼の眼内に導き、光
    凝固手術を行なうレーザ光凝固装置において、 第1の半導体レーザ光源を収納する本体装置と、第2の
    半導体レーザ光源を収納する補助装置と、前記本体装置
    に収納された半導体レーザ光源からの光を前記補助装置
    に導光するファイバと、第1の半導体レーザ光源からの
    光と第2の半導体レーザ光源からの光を合成する前記補
    助装置内に配置された合成光学部材と、 該合成光学部材により合成された光を患者眼に導く導光
    光学系と、 からなることを特徴とする光凝固装置。
  2. (2)第1の半導体レーザ光源と第2の半導体レーザ光
    源とは発光する光の波長が同じであることを特徴とする
    請求項1記載の光凝固装置。
  3. (3)第1の半導体レーザ光源と第2の半導体レーザ光
    源とは発光する光の波長が異なることを特徴とする請求
    項1記載の光凝固装置。
  4. (4)第1の半導体レーザ光源と同期して第2の半導体
    レーザ光源を発光する同期手段を有することを特徴とす
    る請求項2又は3記載の光凝固装置。
  5. (5)第1の半導体レーザ光及び第2の半導体レーザ光
    の出力を独立して調整する調整手段を有していることを
    特徴とする請求項4記載の光凝固装置。
  6. (6)請求項2又は3記載の光凝固補助装置において、
    第1の半導体レーザ光源と第2の半導体レーザ光源の発
    光を同期し、又は発光する光源を選択する選択スイッチ
    を設けていることを特徴とする光凝固装置。
  7. (7)請求項3記載の光凝固装置であって、合成光学部
    材はダイクロイックミラーであることを特徴とする光凝
    固装置。
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