JPH0418452A - エナミン誘導体，その前駆体及びそれらの製造法並びに該エナミン誘導体を含有してなる電子写真感光体 - Google Patents

エナミン誘導体，その前駆体及びそれらの製造法並びに該エナミン誘導体を含有してなる電子写真感光体

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JPH0418452A
JPH0418452A JP2130806A JP13080690A JPH0418452A JP H0418452 A JPH0418452 A JP H0418452A JP 2130806 A JP2130806 A JP 2130806A JP 13080690 A JP13080690 A JP 13080690A JP H0418452 A JPH0418452 A JP H0418452A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エナミン誘導体、その前駆体及びそれらの製
造法並びに該エナミン誘導体を含有してなる電子写真感
光体に関する。
〔従来の技術〕
従来、エナミン誘導体として種々の置換基を有するエナ
ミン誘導体が知られており〔ジャーナルオブ　イメイジ
ング　サイエンス第２９巻第７頁から第１０頁（１９８
５年）、　Ｊ、Ｉ＋＋＋ａｇｉｎｇ　５ｃｉｅｎｃｅ２
９、ｐｐ’７〜１０　（１９８５）、特開昭６２−２３
７４５８号公報、特開昭６２−２４４０６１号公報等〕
、それらの化合物は複写機用及びレーザビームプリンタ
用電子写真感光体の電荷輸送物質として主に電荷輸送層
に利用されている。一般に電荷輸送層は電荷輸送物質、
結合剤及び溶剤を混合溶解して調製した電荷輸送層用塗
布液をアプリケータ等を用いて塗工し、形成される。
実用的な電荷輸送層の膜厚１５μｍ〜２５μｍを得るた
めには、−数的に電荷輸送層用塗布液の全固形分濃度（
電荷輸送物質と結合剤の和）が１５重量％〜２０重量％
程度必要である。さらに優れた電子写真特性を得るため
に、結合剤に対する電荷輸送物質の混合比率を高める方
法が有力である。しかしながら、従来のエナミン誘導体
は溶剤に対する溶解性及び／又は結合剤に対する相溶性
に問題がある。例えば、１．１−ビス（Ｐ−エトキシフ
ェニル）　−２−［Ｎ、Ｎ−ビス（４−メトキシフェニ
ル）アミン］エチレンは従来のエナミン誘導体の中では
溶剤に対する溶解性に比較的優れてはいるが、これを結
合剤であるビスフェノールＡ型ポリカーボネート（ＧＥ
社製、商品名レキサン１４１）に全固形分に対し３５重
量％になるように混合して電荷輸送層用塗布液を調製し
、電荷輸送層を形成すると、外観的には、前述エナミン
化合物がポリカーボネート樹脂に相溶した電荷輸送層が
得られるが、この膜をはく離し、示差熱分析すると後に
記載される第１５図に示すように膜のガラス転移点と結
合剤のガラス転移点が別個に現われ、膜中でポリカーボ
ネート樹脂とエナミン誘導体がミクロ的に相分離し相溶
していないことが示される。このようにミクロ的に相分
離した電荷輸送層を含有してなる電子写真感光体は、電
子写真特性の低下、なかでも残留電位の上昇をもたらす
欠点を有する。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、上で述べた問題点を解決するものであり、溶
剤に対する溶解性及び結合剤に対する相溶性に優れた新
規なフッ素原子を含有する置換基を有するエナミン誘導
体、その前駆体及びその製造法ならびに該エナミン誘導
体を含有してなる優れた電子写真特性を示す電子写真感
光体を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、−数式 で表されるエナミン誘導体に関する。
〔式中、Ｒ□は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）、Ｎ−で表
されるフッ素原子を含有する置換基を示しくここで、Ｒ
ｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリール基又はフ
ルオロアルキル基を表す）、複数個のＲ，は同一でも異
なっていてもよく、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立して置
換基を有してもよい、アルキル基、アリール基、アラル
キル基。
脂肪族環基、複素環基又はＲ２とＲ３とで結合して５員
もしくは６員環を形成するのに必要な残基を示し、Ａｒ
１及びＡｒ”は、それぞれ独立してＲ０以外の置換基を
有してもよいアリール基又はアリーレン基を示し、Ωは
０又は１の整数を示し、ｍ及びｎは、それぞれ独立して
Ｏ〜３の整数を示し、ｍ及びｎが共にＯとなることない
〕また、本発明は、−数式 で表されるエノールエーテル誘導体に関する。
〔式中、Ｒ，、Ａｒ”　、Ａｒ２．Ｉｔ、ｍ及びｎは、
−数式（１）におけると同意義であり、Ｒ４はメチル基
、ｎ−ブチル基、フェニル基は又ｐ−トリル基を示す〕 また、本発明は、−数式 で表されるアセトアルデヒド誘導体に関する。
〔式中、Ｒ１，Ａｒ”　、Ａｒ”　、Ｑ、ｍ及びｎは、
−数式（ｒ）におけると同意義である〕また、本発明は
、−数式 で表されるアクロレイン誘導体に関する。
〔式中、Ｒ１，Ａｒ１．Ａｒ２．ｍ及びｎは、数式（１
）におけると同意義である〕 また、本発明は、−数式 で表されるエチレン誘導体に関する。
〔式中、Ｒ，、Ａｒ１及びＡｒ”は、−数式（Ｉ）にお
けると同意義である〕 また、本発明は、−数式 で表されるアセトアルデヒド誘導体を一般式＼ Ｒ１ で表される第二級アミン化合物を反応させることを特徴
とする一般式 で表されるケトン誘導体に関する。
〔式中、Ｒ１，Ａｒ１及びＡｒ２は、−数式（１）にお
けると同意義である〕 また、本発明は、−数式 で表されるエナミン誘導体の製造法に関する。
〔式中、Ｒ１ＨＲ１ｇ　Ｒ３Ａｒ”　ＨＡｒ２ＨＱ。
ｍ及びｎは、−数式（１）におけると同意義である〕ま
た１本発明は、一般式 で表されるケトン誘導体とフッ素原子を含有するＲｆ基
導入試薬とを反応させる工程、次いで、得られた一般式 で表されるケトン誘導体をアルキリデントリフェニルホ
スホランと反応させる工程１次いで、得られた一般式 で表される化合物を一般式 Ｒ１ で表される第二級アミン化合物と反応させることを特徴
とする一般式 で表される化合物を、酸で加水分解する工程、次いで、
得られた一般式 で表されるエナミン誘導体の製造法に関する。
〔上記一般式（■）、　（ＶＩ）、　（ＩＩＩ−１）、
　（ｎ−１）。
（■）及び（Ｉ−１）中、Ｒは水酸基及び又はアミノ基
を示し、ＲＬ　Ｉ　Ｒ２＋　Ｒ３ｔ　Ｒ４＋　Ａ　ｒｌ
Ａｒ”　　Ｑ、ｍ及びｎは、一般式（１）及び（ｍ）に
おけると同意義である〕 また、本発明は、一般式 と塩化ホスホリルとから調製されるヴイールスマイヤー
試薬と反応させる工程、次いで、得られた一般式 で表される水酸基及び又はアミノ基を有するケトン誘導
体とフッ素原子を含有するＲｆ基導入試薬とを反応させ
る工程、次いで、得られた一般式で表されるアクロレイ
ン誘導体をアルキリデントリフェニルホスホランと反応
させる工程、次いで。
得られた一般式 で表されるケトン誘導体をメチレントリフェニルホルホ
ランと反応させる工程、次いで、得られた一般式 で表される化合物を、酸で加水分解する工程、次いで、
得られた一般式 で表されるエチレン誘導体を、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド（又はＮ−メチルホルムアニリド）で表される化
合物を一般式 ＼ Ｒ１ で表される第二級アミン化合物と反応させることを特徴
とする一般式 で表されるフッ素原子を含有する置換基を有するエナミ
ン誘導体の製造法に関する。
〔上記一般式（■）ｔ　（ＶＩ）、　（Ｖ）、　（ｒＶ
）、　（ＩＩＩ−２）。
（ｎ−２）、（■）及び（１−２）中、Ｒは水酸基及び
又はアミノ基を示し、　Ｒｚ　＊　Ｒ２＋　Ｒａ　ｔ　
Ｒ４゜Ａｒ”、Ａｒ２．ｍ及びｎは、一般式（１）及び
（ｍ）におけると同意義である〕 また、本発明は、一般式 で表されるエナミン誘導体 〔式中、Ｒ１は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）、Ｎ−で表
されるフッ素原子を含有する置換基を示しくここで、Ｒ
ｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリール基又はフ
ルオロアラルキル基を表す）、複数個のＲ□は同一でも
異なっていてもよく、Ｒ２及びＲ１は、それぞれ独立し
て置換基を有してもよい、アルキル基、アリール基、ア
ラルキル基、脂肪族環基、複素環基又はＲ２とＲ３とで
結合して５員もしくは６員環を形成するのに必要な残基
を示し、Ａｒ１及びＡｒ”は、Ｒ１以外の置換基を有し
てもよいアリール基又はアリーレン基を示し、ＤはＯ又
は１の整数を示し、ｍ及びｎは、０〜３の整数を示し、
ｍとｎが共にＯとなることはない〕 を含有してなる電子写真感光体に関する。
以下、本発明について詳述する。
一般式（１）において、Ｒ工が含むＲｆについてのフル
オロアルキル基、フルオロアリール基及びフルオロアラ
ルキル基とは、炭素原子及び水素原子のみからなるアル
キル基；アリール基及びアラルキル基の水素原子が１個
以上のフッ素原子で置換された基（タイプＡの基）、炭
素原子及び水素原子のみからなるアルキル基、アリール
基及びアラルキル基の水素原子がタイプＡの基で置換さ
れた基及びタイプＡの基の水素原子がタイプＡの基で置
換された基である。
炭素原子及び水素原子のみからなるアルキル基としては
、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、　ｔｅｒｔ−
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、
ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシ
ル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル
基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が
あげられる。
炭素原子及び水素原子のみからなるアリール基としては
、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、エチル
フェニル基、ジエチルフェニル基。
ビフェニル基、ナフチルフェニル基、ナフチル基。
メチルナフチル基、フェニルナフチル基、アントリル基
、メチルアントリル基、フェニルアントリル基、ピレニ
ル基、メチルアントリル基、フェニルピレニル基等があ
げられる。
炭素原子及び水素原子のみからなるアラルキル基として
は２例えば、ベンジル基、メチルベンジル基、エチルベ
ンジル基、フェニルエチル基、ナフチルメチル基、ナフ
チルエチル基等があげられる。
Ｒ２及びＲ３についての置換基を有してもよい。
アルキル基、アリール基、アラルキル基、脂肪族環基、
複素環基及びＲ２とＲ３とで結合して５員もしくは６員
環を形成するのに必要な残基とは、前記した炭素原子及
び水素原子のみからなる。アクリル基、アリール基及び
アラルキル基の水素原子を置換基を置換したもの、炭素
原子及び水素原子のみからなる脂肪族環基、複素環基及
びＲ２とＲ１とで結合して５員もしくは６員環を形成す
るのに必要な残基の水素原子を置換基で置換したもので
ある。炭素原子及び水素原子のみからなる脂肪族環基と
しては、例えばシクロペンチル基、メチルシクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ノ
ルボルニル基、メチルノルボルニル基、ビシクロペンテ
ニル基、ビシクロノニル基、トリシクロデシル基等があ
げられる。
複素環基としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、
カルバゾリル基、アクリジニル基、オキサシリル基、フ
リル基、チオフリル基、ピロリル基。
ピラゾリニル基、イミダゾリル基、オキサジアゾリル基
、インドリル基、ピラニル基、チアゾリル基、ピリミジ
ニル基、トリアゾリル基、カルボニル基、フェノチアジ
ニル基、キノキサリル基等があげられる。
Ｒ２とＲ１とで結合して５員もしくは６員環を形成する
のに必要な残基としては、例えば、ＣＨ。
等があげられる。
置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニ
トロ基、アミノ基、メチル基、エチル基。
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基。
ヘプチル基、オクチル基、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、
ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ
基、フェニルオキシ基、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジオ
クチルアミノ基。
ジフェニルアミノ基、ジ（メチルフェニル）アミノ基、
前記したタイプＡの基等があげられる。
Ａｒ”及びＡｒ２についての「Ｒ１以外の置換基」を有
していてもよいアリール基は、炭素原子及び水素原子の
みからなるアリール基（前記したもの）の水素原子をＲ
０以外の置換基で置換したものである。Ｒ１以外の置換
基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、アミノ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、前記したタイプＡの基等があげられる。
−数式（１）で表されるエナミン誘導体は、数式（ＩＩ
）で表されるアセトアルデヒド誘導体と一般式（ＩＩＩ
）で表される第二級アミン化合物とを酸触媒存在下、有
機溶媒中で８０℃〜１６０°Ｃで約３時間還流すること
によって合成することができる。
第二級アミン化合物としては、例えば、ジメチルアミン
、メチルエチルアミン、ジエチルアミン等のジアルキル
アミン、メチルフェニルアミン、エチルフェニルアミン
、ジフェニルアミン、フェニル−１−ナフチルアミン、
フェニル−２−ナフチルアミン、ｍ、ｍ　　−ジトリル
アミン、ＰＤＰ−ジトリルアミン、４，４′−ジメトキ
シジフェニルアミン、３−メチルジフェニルアミン、Ｎ
−フェニルベンジルアミン、ジベンジルアミン、３−メ
ドキシジフエニルアミン、ピペリジン、１−ベンジルピ
ペラジン、１−フェニルピペラジン、１．４−ジホルミ
ルピペラジン、４−ピペリジノピペリジン、４−ベンジ
ルピペリジン、１−フェニルピペリジン、カルバゾール
、インドール、５−ブロモインドール、ピラゾール、４
−ブロモ−３，５−ジメチルピラゾール、９（ＩＯＨ）
−７’７リドン、３−クロロジフェニルアミン、４，４
′−ジクロロジフェニルアミン、４，４′−ジフルオロ
ジフェニルアミン、２−アニノリピリジン等があげられ
る。
酸触媒としては、例えば、塩酸、硫酸、酢酸。
トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等があげら
れる。
有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシ
レン等があげられる。
一般式（Ｉｆ）で表されるアセトアルデヒド誘導体に対
して一般式（■）で表される第二級アミン化合物を０．
８〜１．１倍モルの割合で使用することが好ましい。
有機溶媒の使用量は、一般式（ｎ）で表されるアセトア
ルドヒト誘導体の０．５〜２０重量倍の割合で使用する
ことが好ましい。
酸触媒は、一般式（ＩＩ）で表されるアセトアルドヒト
誘導体に対して０．００１〜０．０５倍モルの割合で使
用することが好ましい。
一般式（１）で表されるエナミン誘導体の具体的な化合
物を次に例示する。
ＣＨ。
一般式（ＩＩ）で表されるアセトアルデヒド誘導体は、
一般式（ｍ）で表されるエノールエーテル誘導体を過塩
素酸、酢酸、硫酸、塩酸等の酸中で６０〜１６０℃で３
０分間〜５時間加熱還流することにより合成できる。酸
の使用量は一般式（ＩＩＩ）で表されるエノールエーテ
ル誘導体の１０〜１００重量倍とすることが好ましい。
一般式（ｍ）で表されるエノールエーテル誘導体は、メ
トキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド、ｎ−
ブトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド、フ
エノキシメチルトリノ二二ルホスホニウムクロリド、ｐ
−メチルフェノキシメチルトリフェニルホスホニウムク
ロリド等のホスホニウム塩とｎ−ブチルリチウム、フェ
ニルリチウム、カリウムブトキシド、ナトリウムメトキ
シド、ナトリウムエトキシド、水素化ナトリウム。
ナリトウムトリフェニルメタン等の塩基性化合物との反
応で得られるアルキリデントリフェニルホスホランと、
一般式（Ｖｌ）で表されるケトン誘導体又は一般式（Ｔ
Ｖ）で表されるアクロレイン誘導体とを有機溶媒中で一
５０〜７０℃で３０分間〜５時間反応させる（いわゆる
ウイテイヒ反応）ことにより合成できる。
有機溶媒としては１例えばジエチルエーテル。
テトラヒドロフラン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、
メタノール、エタノール、ｎ−ブタノール、ベンゼン、
キシレン等があげられる。
一般式（ＩＶ）で表されるアクロレイン誘導体は、一般
式（Ｖ）で表されるエチレン誘導体と、ＨｏＬｏｖｅｎ
ｚら〔ヘルベテイカ　キミ力、アクタ第２８巻第６００
頁〜第６１２頁（１９４５年）、　Ｈｅ１ｖ。
Ｃｈｉｍ、Ａｃｔａ、２８．ｐ　ｐ　６００−６１２（
１９４５））に記載される方法に準じてＮ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド（又はＮ−メチルホルムアニリド）及び
塩化ホスホリンから調製されるヴイールスマイヤー試薬
とを反応させること（いわゆるヴイールスマイヤー反応
）により合成することができる。
一般式（Ｖ）で表されるエチレン誘導体は、メチルトリ
フェニルホスホニウムプロミドとｎ−ブチルリチウム、
フェニルリチウム、カリウムブトキシド、ナトリウムメ
トキシド、ナトリウムエトキシド、水素化ナリウム、ナ
トリウムトリフェニルメタン等の塩基性化合物との反応
で得られるメチレントリフェニルホスホランと一般式（
ＶＩ）で表されるケトン誘導体とを有機溶媒中で一２０
〜９０℃、好ましくは室温〜８０℃にオイて３０分間〜
５時間反応させる（いわゆるウイテイヒ反応）ことによ
り合成できる。
一般式（ＶＩ）で表されるケトン誘導体は、有機溶媒中
、塩基性化合物存在下、−７８〜９０℃、好ましくは０
〜５０℃で５分間〜５時間、一般式（■）で表されるケ
トン誘導体にフッ素原子を含有するＲｆ基導入試薬を反
応させることにより合成することができる。ここで、Ｒ
ｆ基は、フルオロアルキル基、フロオロアリール基、フ
ロオロアラルキル基等で代表されるフッ素原子を含有す
る置換基などを表す。
有機溶媒としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、メチ
レンクロリド、アセトニトリル、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ
、Ｎ−ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリッ
クトリアミド、スルホラン等を用いることができる。
反応に用いる塩基性化合物としては、例えば、炭酸ナト
リウム、炭酸水素ナトリウム、水素化ナトリウム、水素
化リチウム、ピリジン、２，６−ジーし一ブチルー４−
メチルピリジン等があげられる。
Ｒｆ基導入試薬としては、例えば（パーフルオロアルキ
ル）フェニルヨウ化トリフルオロメタンスルホナート、
　（１，１−ジヒドロパーフルオロアルキル）フェニル
ヨウ化トリフルメタンスルホナート、トリフルオロメタ
ンスルホン酸フルオロアルキルエステル等のフルオロア
ルキル化剤、ＲｆＸで表される置換基Ｒｆのハロゲン化
物等があげられる。
また、前述のフルオロアルキル化剤は、公知の文献「ジ
ャーナル　オン　フルオレン　ケミストリー第３１巻第
３７頁〜第５６頁（１９８６年）。
Ｊ、Ｆｌｕｏｒｉｎｅ　Ｃｈｅｗ、　３１　、　ｐ　ｐ
　３７〜５６（１９８６）　。
ジャーナル　オン　フローリン　ケミストリー第２８巻
第２３５頁〜第２３９頁（１９８５年）。
Ｊ、Ｆｌｕｏｒｉｎｅ　Ｃｈｅｍ、　２８．　ｐ　ｐ　
２３５〜２３９（１９８５）、テトラヘドロン第２１巻
第１頁〜第４頁（１９６５年）　、　Ｔｅｔｒａｈｅｄ
ｒｏｒ＋、　２　ｌ　ｔ　Ｐ　Ｐ１〜４（１９６５））
の記載に準じて容易に合成することができる。
一般式（■）で表されるケトン誘導中のＲｆ基導入のた
めの官能基の量に対して、Ｒｆ基導入試薬及び塩基性化
合物は、各々、０．８〜１．５倍モルの割合で使用する
ことが好ましい。
有機溶媒の使用量は、一般式（■）で表されるケトン誘
導体に対して０．５〜１０重量倍使用することが好まし
い。
一般式（Ｉ）で表されるエナミン誘導体は、電子写真感
光体に含有させ、電荷輸送物質として機能させることが
できる。電子写真感光体に適用する場合は、一般式（１
）で表されるエナミン誘導体は他の電荷輸送物質、例え
ば高分子化合物のものではポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルピレン、ポリビニルインドロキノキサリン、ポリビ
ニルベンゾチオフェン、ポリビニルアントラセン、ポリ
ビニルアクリジン、ポリビニルピラゾリン等が、低分子
化合物のものではフルオレン、フルオレノン、２，７−
シニトロー９−フルオレノン、２．４．７−ドリニトロ
ー９−フルオレノン、４Ｈ−インデノ（１，２，６）チ
オフェン−４−オン、３，７−ジニトロ−ジベンゾチオ
フェン−５−オキサイド、１−ブロムピレン、２−フェ
ニルピレン、カルバゾール、３−フェニルカルバゾール
、２−フェニルインドール、２−フェニルナフタレン、
オキサジアゾール、トリアゾール、１−フェニル−３−
（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、２−フェニル−４−（４
−ジエチルアミノフェニル）−５−フェニルオキサゾー
ル、トリフェニルアミン、イミダゾール、クリセン、テ
トラフェン、アクリデン、これらの誘導体等と併用する
ことができる。他の電荷輸送物質の配合割合は、一般式
（１）で表されるエナミン誘導体による電子写真特性の
向上を損わないために該誘導体１重量部に対して１重量
部以下が好ましい。特に０．２５重量部以下が好ましい
。
本発明に係る電子写真感光体は、電荷輸送物質と電荷発
生物質とが混在した単一層を導電性支持体の上に光導電
層として構成することができる。
また、電荷発生物質と電荷輸送物質とを別個の層として
形成し、いわゆる２層構造を導電性支持体の上に光導電
層として構成することもできる。
上記の電荷発生物質としてはＳｉ、Ｓｅ。
Ａ、ｓ２Ｓ、、５ｂ２Ｓ、、Ｓｂ、Ｓｅ、、ＣｄＳ。
ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ，ａ型、β型、τ型。
Ｘ型等の各種結晶型の無金属フタロシアニン顔料。
銅フタロシアニン、アルミニウムフタロシアニン。
亜鉛フタロシアニン、チタニルフタロシアニン。
コバル］・フタロシアニン等の金属フタロシアニン及び
ナフタロシアニン顔料、アゾ顔料、アントラキノン顔料
、インジゴイド顔料、キナクリドン顔料、ペリレン顔料
、多環キノン顔料、スクアリック酸メチン顔料、アズレ
ン顔料、ピロロピロール顔料などがあげられる。顔料と
しては、これらの他に例えば、特開昭４７−３７４５３
号公報、特開昭４７−３７５４４号公報、特開昭４７−
１８５４３号公報、特開昭４７−１８５４４号公報、特
開昭４８−４３９４２号公報、特開昭４８−７０５３８
号公報、特開昭４９−１２３１号公報、特開明４９−１
０５５３６号公報、特開昭５０−７５２１４号公報。
特開昭５０−９２７３８号公報、特開昭６１−１６２５
５５号公報等に開示されるものがある。
光導電層には、既知の結合剤、可塑剤、流動性付与剤、
ピンホール抑制剤等の添加剤を使用することができる。
結合剤としては１例えば線状飽和ポリエステル樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、ブチラール樹脂
、ポリケトン樹脂。
ポリウレタン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポ
リ（ｐ−ビニルフェニル）アントラセン。
シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂。
ポリスチレン樹脂などがあげられる。
結合剤としてまた。熱及び／または光によって架橋する
熱硬化型及び光硬化型樹脂も使用できる。
いずれにしても絶縁性で通常の状態で皮膜形成能を有す
る樹脂及び／または光によって硬化し皮膜を形成する樹
脂であれば特に制限はない。可塑剤としては、例えば、
ハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタレン、ジブチル
フタレート等があげられる。流動性付与剤としては、例
えば、モダフロー（モンサンドケミカル社製）、アクロ
ナール４Ｆ（バスフ社製）等があげられる。ピンホール
抑制剤としては、例えば、ベンゾイン、ジメチルテレフ
タレート等があげられる。これは適宜選択して使用され
、その量も適宜決定されればよい。
単一層構造を採る場合、電荷発生物質に対する前記電荷
輸送物質の配合量は前者１重量部当り、後者１〜１０重
量部が一般的である。好ましくは前者１重量部当り後者
１〜５重量部である６結合剤の使用量は、電荷発生物質
１重量部当り１〜３重量部であり、３重量部を越えると
電子写真特性が低下する傾向がある。その他、上記可塑
剤、添加剤は、電荷発生物質に対して数重量％以下で適
宜使用される。また、光導電体層全体の厚さとしては５
〜１００μｍとするのが一般的である。しかし、最終的
には光感度即ち帯電特性を損わないように配置して決定
するのが望ましい。
一方、２層構造を採る場合、電荷発生層は、上記Ｓｉ、
Ｓｅの場合には、真空蒸着法等で導電性支持体上に厚さ
１〜２０μｍ形成できる。また、Ｓｉ、Ｓｅ以外の無機
物、有機金属顔料又は有機顔料を電荷発生物質として使
用する場合には、膜形成のために上記結合剤を使用する
必要があり、その使用量は、電荷発生物質１重量部当り
通常１〜３重量部であり、３重量部を越えると電子写真
特性が低下する傾向がある。その他、上記可塑型。
添加剤は、電荷発生物質に対して数重量％以下で適宜使
用される。また、電荷輸送層は、−数式（１）で表され
るエナミン誘導体を電荷輸送物質として単独で用いる場
合には、上記の結合剤を電荷輸送物質１重量部当り１〜
３重量部用いるのが一般的であるが、本発明では電荷輸
送物質の結合剤との相溶性が優れるので０．５〜３重量
部用いることができる。また、他の電荷輸送物質を併用
する場合、該電荷輸送物質が高分子化合物のときには、
結合剤を用いなくてもよいが、該高分子化合物１重量部
に対して結合剤を３重量部以下で使用してもよい。３重
量部を越えると電子写真特性が低下する傾向がある。ま
た、上記電荷輸送性物質として低分子化合物を併用する
ときは、結合剤は一般式（１）のエナミン誘導体及び該
低分子化合物の総量１重量部に対して通常０．３〜３重
量部使用される。０．３　重量部未満では電荷輸送層の
形成が困難になることがあり、３重量部を越えると電子
写真特性が低下する傾向がある。その他上記可塑剤、添
加剤は上記電荷輸送性物質１重量部に対して０．０５　
重量部以下で適宜使用される。
電荷発生層の厚さは通常０．０１　〜１０μｍ、好まし
くは０．１〜５μｍとされる。０．０１μｍ未満では、
電荷発生層を均一に形成するのが困難になることがあり
、１０μｍを越えると電子写真特性が低下する傾向があ
る。また、電荷輸送層の厚さは通常５〜５０μｍ、好ま
しくは１０〜２５μｍとされる。５μｍ未満では初期電
位が低下しやすく、５０μｍを越えると感度が低下する
傾向がある。
しかし、いずれの場合も最終的には光感度即ち帯電特性
を損わないように配慮して決定するのが望ましい。光導
電層の厚さがあまり厚くなりすぎると層自体の可撓性が
低下する慣れがあるので注意を要する。
本発明の電子写真感光体を、電荷発生層と電荷輸送層を
もつ二層構造とする場合、導電性支持体の上に電荷発生
層を形成し、その上に電荷輸送層を形成したものが、電
子写真特性上好ましいが、電荷発生層と電荷輸送層が逆
になっていてもよい。
導電性支持体にはアルミニウム、真ちゅう、銅。
金等の金属、金属を蒸着したマイラーフィルムなどが用
いられる。
導電性支持体上に電荷発生物質および電荷輸送物質を含
有する単一層、電荷発生層及び電荷輸送層からなる二層
を形成するには、各層の成分をアセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン系溶剤。
テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、トルエン、キ
シレン等の芳香族系溶剤等の溶剤に均一に溶解または分
散させたのち、導電性支持体上に塗布乾燥することがで
きる。このうち、電荷発生層または電荷輸送層が形成さ
れたのち、その上に電荷輸送層または電荷発生層を同様
に塗布乾燥して二層構造とすることができる。
塗布乾燥は５例えばドクターブレードを用いて所定の膜
厚に塗工し、１５分間自然乾燥させた後、８０〜１５０
℃で６０分間乾燥して行なうことができる。
本発明に係る電子写真感光体は、さらに導電性支持体と
光導電層間に下引き層を有してもよい。
該下引き層には、熱可塑性樹脂を使用することが好まし
い。該熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリアミド樹脂
、ポリウレタン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、メラ
ミン樹脂、カゼイン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−アクリ
ル酸共重合体樹脂などがあげられるが、ポリアミド樹脂
が好ましい。ポリアミド樹脂としては、具体的には、ト
レジンＭＦ３０．トレジンＦ３０．）−レジンＥＦ３０
Ｔ（以下帝国化学産業（株）製ポリアミド樹脂の商品名
）、Ｍ−１２７６（日本リルサン（株）製ポリアミド樹
脂の商品名）等がある。
下引き層に含有されるこれらの樹脂は、単独で又は２種
類以上混合して用いてもよい。
本発明において、ポリアミド樹脂を使用して下引き層を
設ける場合は、熱硬化性樹脂及び硬化剤をポリミド樹脂
と併用することが好ましい。熱硬化性樹脂及び硬化剤の
併用によって下引き層の耐溶剤性及び膜の強度は向上し
、下引き層の上に光導電層を設ける際に光導電層形成用
溶液中の溶媒等によるダメージを受けにくくなる。
熱硬化性樹脂としては、例えば、メラミン樹脂。
ベンゾグアナミン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹
脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、
尿素樹脂等の熱硬化性樹脂が使用でき通常の状態で皮膜
を形成できる熱硬化性樹脂であれば特に制限はない。こ
れらは熱可塑性樹脂に対して３００重量％以下で使用す
るのが好ましい。
硬化剤としては、例えば、トリメリット酸、ピロメリッ
ト酸などのカルボン酸や、カルボン酸を有するアミドの
オリゴマーなどがあげら九るにれらは、前記熱硬化性樹
脂に対して２０重量％以下で使用することが好ましい。
下引き層を形成する方法としては、例えば、熱可塑性樹
脂、必要に応じて使用される、熱硬化性樹脂、硬化剤等
をメタノール、エタノール、イソプロパツールなどのア
ルコール溶剤と塩化メチレン、１，１．２−トリクロロ
エタンなどのハロゲン系溶剤の混合溶剤に均一に溶解し
、これを導電性基体上に浸漬塗工法、スプレー塗工法、
ロール塗工法、アプリケータ塗工法、ワイヤバー塗工法
等の塗工法を用いて塗工し乾燥して形成することができ
る。
下引き層の厚さは、０．０１μｍ〜０．５μｍが好まし
く、特に０．０５　μｍ−２０μｍが好ましい。薄すぎ
ると均一な電荷発生層が形成出来ず黒ポチや白ポチが発
生する傾向がある。文庫すぎると残留電位の蓄積が大き
くなり、印字枚数が増加するに従い印字濃度の低下が発
生する傾向がある。
本発明になる電子写真感光体を用いた複写法は、従来と
同様１表面に帯電、露光を施した後、現像を行ない、普
通紙上に画像を転写し定着すればよい。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例によって説明する。
製造例１ 撹拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた１００
ｍ１２のフラスコを用い、室温において、窒素雰囲気下
トリフルオロメタンスルホン酸無水物５０ｍＮ（０，２
９７ｍｏＱ）に２．２．２−トリフルオロエタノール 加えて３０分撹拌、３時間還流した後，蒸留し、２、２
．２−トリフルオロエチルトリフルオロメタンスルホナ
ート５０．３ｇ（収率７３％）を得た。
ＣＦ，ＣＨ２０ＳＯ□ＣＦ，：無色透明液体す．ｐ．ｓ
７〜９２℃ （文献値９０．５〜９１℃） 実施例１ 製造例１と同様の装置（ただし、２００ｍＲのフラスコ
）を用い、室温において、窒素雰囲気下８０％水素化ナ
トリウム（オイルディスバージョン）　６．５　ｇ　（
０．２　１　７ａ＋ｏｆｆ　）の無水ＤＭＦ懸濁液（８
０ｍρ）に、４，４′−ジヒドロキシベンゾフェノン１
　７．６　３　ｇ　（８　２．３ｍｍｏ１２）の無水Ｄ
　Ｍ　Ｆ　８　０　ｍ　Ｑの溶液を徐々に滴下した後、
１．５時間撹拌した。生成した黄白色ケース状物に２。
２、２−トリフルオロエチルトリフルオロメタンスルホ
ナート４７．６ｇ　（０．２０５ｍｏ１２）を約４５分
間かけて滴下した。黄白色ケーキ状物が溶解後，室温で
１．５時間撹拌した。次いで蒸留水１。
５０に注ぎ、５％塩酸で酸性に調製した後、生じた白色
沈殿をろ別して蒸留水で充分洗浄した。乾燥した白色沈
殿をエタノールにより再結晶し，白色針状結晶の４，４
′−ビス（２，２．２−トリフルオロエトキシ）ベンゾ
フェノン２　９．５　ｇ（収率９５％）を得た。
（１）融点　１　２　７．０　〜１　２８．０℃（２）
元素分析値 Ｃ（％）　　　　Ｈ（％） 計算値　５３，９８　　３．２０ 実測値　５３．９７　　３．１０ （３）”Ｆ−ＮＭＲ　（”Ｆ−ＮＭＲＸペクト／Ｌｔ［
１図として示した） ＣＤＣＱ，（ＣＧＦＧ内部標準） δ値　８７．９６（６Ｆ，ｔ，Ｊ　〜８．３０Ｈｚ）（
４）’Ｈ−ＮＭＲ　（１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを第２図
として示した） ＣＤＣＱ３（ＴＭＳ内部標準） δ値　７．８１（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８５Ｈｚ）７、０
２（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８５Ｈｚ）４、４４（４Ｈ，ｑ
，Ｊ＝７．９４Ｈｚ）（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法
）を第３図として示した。
伸縮振動に基づく吸収及び１１６５ａｎ−’付近にＣ−
Ｆの対称伸縮振動に基づく強い吸収が見られた。
以上から目的物の生成が確認された。
実施例２ 製造例１と同様の装置を用いて、窒素雰囲気下、メトキ
シメチルトリフェニルホスホニウムクロリド７、２５ｇ
　（２０．５ｍｍｏｎ）の無水ＴＨＦ懸濁液（３５ｍＱ
）にフェニルリチウム（シクロヘキサン−ジエチルエー
テル溶液２．ＯｍｏＱ／　Ｑ）１０ｍＱを室温に保ちな
がら徐々に滴下した。室温で１０分間攪拌した後、−１
５℃に冷却した。次いで４，４′〜ビス（２，２．２−
）−リフルオロエトキシ）ベンゾフェノン７、５　７　
ｇ　（２　０．０ｍｍｏＱ）の無水ＴＨＦ４０ｍｆｌ溶
液を約２５分間かけて滴下した後、室温にて３時間攪拌
した。次いで蒸留水６００ｍＱに注ぎジエチルエーテル
にて抽出し、乾燥後ジエチルエーテルを留去した。得ら
れたかっ色油状物をアルミナカラム（ベンゼン：シクロ
ヘキサン＝１＝２体積比）にて精製し、無水透明油状の
１．１−ビス（ｐ−２．２．２−トリフルオロエトキシ
フェニル）−メトキシエチレン５．３　５　ｇ（収率６
６％）を得た。
（１）　１Ｈ−ＮＭＲ　（１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを第
４図として示した） ＣＤＣＩ，（ＴＭＳ内部標準） δ値　７．３　６　〜６．８　５（８Ｈ，ｍ）６、３６
（ＬＨ，ｓ） ４、３４（４Ｆ，ｑ，Ｊ＝８．２４Ｈｚ）３．７５（３
Ｈ，ｓ） 以上から、目的物の生成が確認された。
実施例３ 製造例１と同様の装置を用い（ただし３００ｍＱのフラ
スコ）、窒素雰囲気下、酢酸２５０ｍＭと１０％硫酸２
５ｍｕに１，１−ビス（ｐ　−２，２，２−）−リエト
キシフェニル）−メトキシエチレン５．３０ｇ　（１３
，０ｍｍｏＱ）のジエチルエーテル３０ｍＱ溶液を加え
、３．５時間還流した。室温まで冷却後、蒸留水５００
ｍＱに注ぎ炭酸ナトリウム２６５ｇを徐々に加え、アル
カリ性に調製した。次いでジエチルエーテルで抽出し、
飽和食塩水、蒸留水で洗浄した。次いで、乾燥後ジエチ
ルエーテルを留去し、黄色油状の１，１−ビス（ｐ−２
，２，２−トリフルオロエトキシフェニルアセトアルデ
ヒド５．０４ｇ（収率９８％）を得た。
（１）　１Ｈ−ＮＭＲ（１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを第５
図として示した） ＣＤＣＩ！、（ＴＭＳ内部標準） δ値　９．８９（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝２．１３Ｈｚ）７．１
７〜６．９２（８Ｈ，ｍ） ４．８３（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝２．１４Ｈｚ）４．３４（４
Ｈ，ｑ、Ｊ　＝８．２４Ｈｚ）（２）ＩＲスペクトル（
塗布法）を第６図として示した。
約１７２０ａｎ＠’付近にアルデヒドに基づく吸収が見
られた。
以上から、目的物の生成が確認された。
実施例４ 製造例１と同様の装置を用いた（ただし３０ｍρのフラ
スコ）、窒素雰囲気下、１，１−ビス（ｐ−２，２，２
−トリフルオロエトキシフェニル）アセトアルデヒド１
．１４ｇ（２，８９ｍｍｏＱ）の無水トルエン１０ｍＱ
溶液に、ジフェニルアミン０．４９ｇ　（２，９０ｍｍ
ｏＱ）とＰ−トルエンスルホン酸−水和物５ｍｇを加え
、モレキュラーシーブス４Ａで脱水しながら３時間還流
した。室温まで冷却後ろ過し、溶媒を留去した後、残留
物をアルミナカラム（トルエン：シクロヘキサン＝１：
１）にて精製した。得られた黄色油状物をｎ−ペンタン
より再結晶し、白色結晶の１，１−ビス（ｐ−２，２，
２−トリフルオロエトキシフェニル）　−２−（Ｎ、Ｎ
−ジフェニルアミノ）エチレン〔例示化合物（３））１
．０８ｇ（収率６７％）を得た。
（１）融点　９１．０−９３．５℃（ＤＳＣ）（２）元
素分析値 Ｃ（％）　　　　Ｈ（％）　　　Ｎ（％）計算値　６６
．３０　４．２７　２．５８実測値　６６．１７　４，
０７　２．５４（３）　１Ｈ−ＮＭＲ（”Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルを第７図として示した） ＣＤＣＱ、（ＴＭＳ内部標準） δ値　７．２３〜６．８４．６．５８〜６．５４（１８
Ｈ，ｍ） ６．６２（ＬＨ，ｓ） ４．３４（２Ｈ，ｑ、Ｊ＝８．２４Ｈｚ）４．２１（４
Ｈ，ｑ、Ｊ＝８．２４Ｈｚ）（４）工Ｒスペクトル（Ｋ
Ｂｒ法）を第８図とじて示した。
以上から目的物の生成が確認された。
実施例５ 製造例１と同様の装置を用い（ただし３０ｍＱのフラス
コ）、窒素雰囲気下、１，１−ビス（Ｐ−２，２，２−
トリフルオロエトキシフェニル）アセトアルデヒド１．
１１　ｇ　（２，８４ｍｍｏＱ）の無水トルエンｌｏｍ
Ｑ溶液に、４，４′−ジメトキシジフェニルアミン０．
６５ｇ（２，８４ｍｍｏＱ、）とＰ−トルエンスルホン
酸−水和物５ｍｇを加え、モレキュラーシーブス４Ａで
脱水しながら３時間還流した。室温まで冷却後ろ過し、
溶媒を留去した後、残留物をアルミナカラム（トルエン
）にて精製した。得られた白色固体をヘキサンより再結
晶し、白色結晶の１，１−ビス（ｐ−２，２，２−トリ
フルオロエトキシフェニル）−２−（Ｎ。
Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミン〕エチレン［
例示化合物（４）］１１．４６ｇ収率８５％）を得た。
（１）融点　８６．５〜８９．０℃ （２）元素分析値 Ｃ（％）　　　　Ｈ（％）　　　Ｎ（％）計算値　６３
，６８　４．５１　２．３２実測値　６３，５９　４．
３９　２．２６（３）　１Ｈ−ＮＭＲ（１Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルを第９図に示す） ＣＤＣＱ、（ＴＭＳ内部標準） δ値　７．２５〜６．５２（１７Ｈ，ｍ）４．３３（２
Ｈ，ｑ、Ｊ＝８．２４Ｈｚ）４．２１（２Ｈ，ｑ、Ｊ＝
８．２４Ｈｚ）３．７１（６Ｈ，５） （４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１０図として示
した。
以上から目的物の生成が確認された。
実施例６ 製造例１と同様の装置を用いた（ただし３０ｍＱのフラ
スコ）、窒素雰囲気下、１，１−ビス（Ｐ　　２＋　２
＋　２　　トリフルオロエトキシフェニル）アセトアル
デヒド１．１２ｇ（２，８５ｍｍｏＱ）の無水トルエン
１０ｍＱ溶液に、Ｐ＋Ｐ　　−ジトリルアミン０．５６
　ｇ（２，８５ｍｍｏＱ）とＰ−トルエンスルホン酸−
水和物５ｍｇを加え、モレキュラーシーブス４Ａで脱水
しながら３時間還流した。
室温まで冷却後ろ過し、溶媒を留去した後、残留物をア
ルミナカラム（トルエン：シクロヘキサン＝１：２）に
て精製した。得られた淡黄色油状物をヘキサンより再結
晶し、白色結晶の１，１−ビス（ｐ−２，２，２−トリ
フルオロエトキシフェニル）−２−（Ｎ、Ｎ−ビス（ｐ
ｔ　ｐ’　−ジトリル）アミノコエチレン〔例示化合物
（５）３１．２４ｇ（収率７７％）を得た。
（１）融点　１１７．５〜１１９．５℃（２）元素分析
値 Ｃ（％）　　　　Ｈ（％）　　　Ｎ（％）計算値　６７
．２５　４．７６　２．４５実測値　６７．１４　４．
７０　２．３９（３）　１Ｈ−ＮＭＲ（１Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルを第１１図として示す） ＣＤＣＱ３（ＴＭＳ内部標準） δ値　７．２０〜６．５２（１７Ｈ，ｍ）４　、３３　
（２Ｈ、ｑ　、　Ｊ　＝　８　、２４　Ｈｚ　）４．２
１（２Ｈ，ｑ、Ｊ＝８．２４Ｈｚ）２．２１（６Ｈ，５
） （４）ＩＲスペクトル（ＫＢ　ｒ法）を第１２図として
示した。
以上から目的物の生成が確認された。
実施例７ 製造例１と同様の装置を用いた（ただし３０ｍＱのフラ
スコ）、窒素雰囲気下、１，１−ビス（ｐ−２，２，２
−トリフルオロエトキシフェニル）アセトアルデヒド１
，１２ｇ（２，８５ｍｍｏｎ）の無水トルエン１０ｍβ
溶液に、フェニル−２−−ナフチルアミン０．６２ｇ　
（２，８５ｍｍｏｎ）とＰ−トルエンスルホン酸−水和
物５ｍｇを加え、モレキュラーシーブス４Ａで脱水しな
がら３時間還流した。室温まで冷却後ろ過し、溶媒を留
去した後、残留物をアルミナカラム（トルエン：シクロ
ヘキサン＝１　：　１）にて精製した。得られた淡黄色
油状物をヘキサンより再結晶し、黄色結晶の１．１−ビ
ス（ｐ−２，２，２−）−リフルオロエトキシフェニル
）−２−（Ｎ−フェニル−Ｎ−２−ナフチルアミノ）エ
チレン〔例示化合物（６）〕１．３４ｇ（収率７９％）
を得た。
（１）融点　１０２．０〜１０４．０’Ｃ（２）元素分
析値 Ｃ（％）　　　　Ｈ（％）　　　Ｎ（％）計算値　６８
，８０　４．２５　２．３６実測値　６８．８０　４．
１８　２．３０（３）’Ｈ−ＮＭＲ（’）（−ＮＭＲス
ペクトルを第１３図として示す） ＣＤＣＱ□（ＴＭＳ内部標準） δ値　７．６８〜６，８３．６．４５〜６，４１（２０
Ｈ，ｍ） ６．７２（ＩＨ，ｓ） ４．３５（２Ｈ，ｑ、Ｊ＝８．２４Ｈｚ）３．９６（２
Ｈ，ｑ、Ｊ＝８．２４Ｈｚ）（４）ＩＲスペクトル（Ｋ
Ｂｒ法）を第１４図として示した。
以上から目的物の生成が確認された。
実施例８〜１３ τ型無金属フタロシアニン（東洋インキ社製）１重量部
とＫＲ５２４０（シリコーン樹脂、信越化学工業株式会
社製商品名）６．７重量部とをテトラヒドロフランを溶
剤とした５重量％の溶液になるように調製した後、ボー
ルミル（日本化学陶業株式会社製３寸ボットミル）で５
時間混練した。
得られた顔分散液をアプリケータによりアルミニウム板
（厚さ０．１ｍ＋）上に塗工し、９０℃で４０分間乾燥
して膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。
次に、下記第１表に示した一般式（Ｉ）で表されるエナ
ミン誘導体１重量部とレキサン１４１（ポリカーボネー
ト樹脂、ＧＥ社製商品名）３．０重量部を塩化メチレン
と１，２−ジクロロエタンの１：１（重量比）とを混合
溶剤とした１７重量％の溶液とし、上記電荷発生層上に
アプリケータにより塗工し、１００℃で４０分間乾燥し
て厚さ１８μｍの電荷輸送層を形成して電子写真感光体
を得た。
前記実施例で得られた電子写真感光体の電子写真特性を
静電記録試験装置（川口電機株式会社製５Ｐ−４２８）
を用いて測定し、結果を第１表に示した。
なお、表中の電位Ｖ。（−Ｖ）は、ダイナミック測定で
一５ｋＶのコロナを１ｏ秒間放電したときの帯電電位を
示し、暗減衰（ｖｈ　）はその後暗所において３０秒間
放置したときの電位（Ｖ３．）からの電位保持率〔（Ｖ
、。／Ｖ、）Ｘ１００％）を示し、半減露光量（Ｅ、。
）は１０１２ｕｘの白色光で照射し、電位が半分になる
までの光量値を示す。
残留電位ＶＲは１０Ｑｕｘの白色光を３０秒間照射した
後の型面電位を示す。
実施例１４〜１６ 実施例１０のエナミン誘導体１重量部とレキサン１４１
　３．０　重量部との配合化に代えて、第２表に示され
る配合比を用いて、実施例１０と同様にして電子写真感
光体を作製した。得られた電子写真感光体の電子写真特
性の測定結果を第２表に示した。
比較例１〜４ 実施例１０のエナミン誘導体に代わりに、フッ素原子を
すべて水素原子に代えたエナミン誘導体を用いたほかは
、実施例１０および実施例１４〜１６と同様にして電子
写真感光体を作製した。得られた電子写真感光体の電子
写真特性の測定結果相溶性試験 実施例１６及び比較例４で得られた電子写真感光体から
電荷輸送要約８　ｍ　ｇを切り出しその各々を示差熱分
析計（デュポン社製モデル９９００）を用いて熱分析を
行った。その結果実施例１６のものは結合剤とエナミン
誘導体との混合相のガラス転移点（６２℃）のみ観測さ
れ、エナミン誘導体の融点（８６，５〜８９．０℃）及
び結合剤のガラス転移点（１４７℃）は見られなかった
。
電荷輸送層中での電荷輸送物質と結合剤の相分離は起こ
らず、優れた相溶性を示す電荷輸送層の形成が確認され
た。
これに対して比較例４のものは１４７℃に結合剤のガラ
ス転移点（１４７℃）起因するピークが見られ、これと
は別に７５℃にガラス転移点も見られ、エナミン誘導体
と結合剤がミクロ的に相溶せず、ミクロ的に相分離した
電荷輸送層の形成が確認された。
示差熱分析チャートを第１５図（比較例４）及び第１６
図（実施例１６）として示した。
〔発明の効果〕
本発明の製造法により得ることのできる本発明の新規な
エナミン誘１体は、有機溶媒及び／又は結合剤への溶解
性が極めて優れた化合物であり、これを用いた電子写真
感光体は、高感度、低残留電位、高耐久性等の非常に優
れた電子写真特性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、４，４′−ビス（２，２，２−トリフルオロ
エトキシ）ベンゾフェノンの１９Ｆ−ＮＭＲスペクトル
、第２図は、４，４′−ビス（２，２゜２−トリフルオ
ロエトキシ）ベンゾフェノンの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル
、第３図は、４，４′−ビス（２，２，２−）−リフル
オロエトキシ）ベンゾフェノンのＩＲスペクトル、第４
図は、１，１−ビス（ｐ−２，２，２−トリフルオロエ
トキシフェニル）−メトキシエチレンの１８−ＮＭＲス
ペクトル、第５図は、１，１−ビス（ｐ−２，２，２−
トリフルオロエトキシフェニル）アセトアルデヒドの１
Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。第６図は、１．１−ビス
（ｐ−２，２，２−トリフルオロエトキシフェニル）ア
セトアルデヒドのＩＲスペクトル、第７図は、１，１−
ビス（ｐ−２，２，２＝トリフルオロエトキシフエニル
）−２−（Ｎ。 Ｎ−ジフェニルアミノ）エチレンの”Ｈ−ＮＭＲスペク
トル、第８図は、１，１−ビス（ｐ　−２。 ２．２−トリフルオロエトキシフェニル）−２（Ｎ、Ｎ
−ジフェニルアミノ）エチレンのＩＲスペクトルである
。第９図は、１，１−ビス（ｐ　−２，２，２−）−リ
フルオロエトキシフェニル）−２−ＣＮ、Ｎ−ビス（４
−メトキシフェニル）アミノコエチレンの”Ｈ−ＮＭＲ
スペクトル、第１０図は、１，１−ビス（ｐ−２，２，
２−トリフルオロエトキシフェニル）−２−（Ｎ、Ｎ−
ビス（４−メトキシフェニル）アミノコエチレンのＩＲ
スペクトル、第１１図は、１，１−ビス（Ｐ−２，２，
２−トリフルオロエトキシフェニル）−２−（Ｎ、Ｎ−
ビス（ｐ＋　ｐ’−ジトリル）アミン〕エチレンの１Ｈ
−ＮＭＲスペクトル、第１２図は、１，１−ビス（Ｐ−
２，２，２−トリフルオロエトキシフェニル）−２−（
Ｎ、Ｎ−ビス（ｐ、ｐ’−ジトリル）アミノコエチレン
のＩＲスペクトル、第１３図は、１，１−ビス（Ｐ−２
，２，２−）−リフルオロエトキシフェニル）−２−（
Ｎ−フェニル−Ｎ−２−ナフチルアミノ）エチレンの１
８−　Ｎ　Ｍ　Ｒスペクトル、第１４図は、１．１−ビ
ス（ｐ−２，２，２−）−リフルオロエトキシフェニル
）　−２−（Ｎ−フェニル−Ｎ−２ナフチルアミノ）エ
チレンのＩＲスペクトル、第１５図は、フッ素原子を含
有する置換基を含まないエナミン誘導体からなる電荷輸
送層の示差熱分析チャート及び第１６図は、フッ素原子
を含有する置換基を有するエナミン誘導体からなる電荷
輸送層の示差熱分析チャートである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） で表されるエナミン誘導体。 〔式中、Ｒ＿１は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）＿２Ｎ−
    で表されるフッ素原子を含有する置換基を示し（ここで
    、Ｒｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリール基又
    はフルオロアラルキル基を表す）、複数個のＲ＿１は同
    一でも異なつていてもよく、Ｒ＿２及びＲ＿３は、それ
    ぞれ独立して置換基を有してもよい、アルキル基、アリ
    ール基、アラルキル基、脂肪族環基、複素環基又はＲ＿
    ２とＲ＿３とで結合して５員もしくは６員環を形成する
    のに必要な残基を示し、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２は、それ
    ぞれ独立してＲ＿１以外の置換基を有してもよいアリー
    ル基を示し、ｌは、０又は１の整数を示し、ｍ及びｎは
    、それぞれ独立して０〜３の整数を示し、ｍ及びｎが共
    に０となることはない〕 ２、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） で表されるアセトアルデヒド誘導体。 〔式中、Ｒ＿１は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）＿２Ｎ−
    で表されるフッ素原子を含有する置換基を示し（ここで
    、Ｒｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリール基又
    はフルオロアラルキル基を表す）、複数個のＲ＿１は同
    一でも異なつていてもよく、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２は、
    それぞれ独立してＲ＿１以外の置換基を有してもよいア
    リール基又はアリーレン基を示し、ｌは、０又は１の整
    数、ｍ及びｎは、それぞれ独立して０〜３の整数を示し
    、ｍ及びｎが共に０となることはない〕 ３、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） で表されるエノールエーテル誘導体。 〔式中、Ｒ＿１は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）＿２Ｎ−
    で表されるフッ素原子を含有する置換基を示し（ここで
    、Ｒｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリール基又
    はフルオロアラルキル基を表す）、複数個のＲ＿１は同
    一でも異なつていてもよく、Ｒ＿４はメチル基、ｎ−ブ
    チル基、フェニル基又はｐ−トリル基を示し、Ａｒ＾１
    及びＡｒ＾２は、それぞれ独立してＲ＿１以外の置換基
    を有してもよいアリール基又はアリーレン基を示し、ｌ
    は、０又は１の整数、ｍ及びｎは、０〜３の整数を示し
    、ｍ及びｎが共に０となることはない〕 ４、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） で表されるアクロレイン誘導体。 〔式中、Ｒ＿１は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）＿２Ｎ−
    で表されるフッ素原子を含有する置換基を示し（ここで
    、Ｒｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリール基又
    はフルオロアラルキル基を表す）、複数個のＲ＿１は同
    一でも異なつていてもよく、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２は、
    それぞれ独立してＲ＿１以外の置換基を有してもよいア
    リール基又はアリーレン基を示し、ｍ及びｎは、０〜３
    の整数を示し、ｍとｎが共に０となることはない〕 ５、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） で表されるエチレン誘導体。 〔式中、Ｒ＿１は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）＿２Ｎ−
    で表されるフッ素原子を含有する置換基を示し（ここで
    、Ｒｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリール基又
    はフルオロアラルキル基を表す）、複数個のＲ＿１は同
    一でも異なつていてもよく、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２は、
    それぞれ独立してＲ＿１以外の置換基を有してもよいア
    リール基又はアリーレン基を示し、ｍ及びｎは、それぞ
    れ独立して０〜３の整数を示し、ｍとｎが共に０となる
    ことはない〕 ６、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） で表されるケトン誘導体。 〔式中、Ｒ＿１は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）＿２Ｎ−
    で表されるフッ素原子を含有する置換基を示し（ここで
    、Ｒｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリール基又
    はフルオロアラルキル基を表す）、複数個のＲ＿１は同
    一でも異なつていてもよく、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２は、
    それぞれ独立してＲ＿１以外の置換基を有してもよいア
    リール基又はアリーレン基を示し、ｍ及びｎは、０〜３
    の整数を示し、ｍ及びｎが共に０となることはない〕 ７、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） で表されるアセトアルデヒド誘導体を一般式▲数式、化
    学式、表等があります▼（VII） で表される第二級アミン化合物を反応させることを特徴
    とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） で表されるエナミン誘導体の製造法。 〔式中、Ｒ＿１は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）＿２Ｎ−
    で表されるフッ素原子を含有する置換基を示し（ここで
    、Ｒｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリール基又
    はフルオロアラルキル基を表す）、複数個のＲ＿１は同
    一でも異なつていてもよく、Ｒ＿２及びＲ＿３は、それ
    ぞれ独立して置換基を有してもよい、アルキル基、アリ
    ール基、アラルキル基、脂肪族環基、複素環基又はＲ＿
    ２とＲ＿３とで結合して５員または６員環を形成するの
    に必要な残基を示し、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２は、それぞ
    れ独立してＲ＿１以外の置換基を有してもよいアリール
    基又はアリーレン基を示し、ｌは、０又は１の整数、ｍ
    及びｎはそれぞれ独立して０〜３の整数を示し、ｍ及び
    ｎが共に０となることはない〕 ８、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VIII） で表されるケトン誘導体とフッ素原子を含有するＲｆ基
    導入試薬とを反応させる工程、次いで、得られた一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） で表されるケトン誘導体をアルキリデントリフエニルホ
    スホランと反応させる工程、次いで、得られた一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（III−１） で表される化合物を、酸で加水分解する工程、次いで、
    得られた一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II−１） で表される化合物を一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VII） で表される第二級アミン化合物と反応させることを特徴
    とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I −１） で表されるエナミン誘導体の製造法。 〔上記一般式（VIII）、（VI）、（III−１）、（II−
    １）、（VII）及び（ I −１）中、Ｒは水酸基及び又は
    アミノ基を示し、Ｒ＿１は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）
    ＿２Ｎ−で表されるフッ素原子を含有する置換基を示し
    （ここで、Ｒｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリ
    ール基又はフルオロアラルキル基を表す）、複数個のＲ
    ＿１は同一でも異なつていてもよく、Ｒ＿２及びＲ＿３
    は、それぞれ独立して置換基を有してもよい、アルキル
    基、アリール基、アラルキル基、脂肪族環基、複素環基
    又はＲ＿２とＲ＿３とで結合して５員または６員環を形
    成するのに必要な残基を示し、Ｒ＿４は、メチル基、ｎ
    −ブチル基、フェニル基又はｐ−トリル基を示し、Ａｒ
    ＾１及びＡｒ＾２は、それぞれ独立してＲ＿１以外の置
    換基を有してもよいアリール基又はアリーレン基を示し
    、ｍ及びｎは、０〜３の整数を示し、ｍ及びｎが共に０
    となることはない〕 ９、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VIII） で表される水酸基及び又はアミノ基を有するケトン誘導
    体とフッ素原子を含有するＲｆ基導入試薬とを反応させ
    る工程、次いで、得られた一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） で表されるケトン誘導体をメチレントリフエニルホルホ
    ランと反応させる工程、次いで、得られた一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） で表されるエチレン誘導体を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
    アミドと塩化ホスホリルとから調製されたヴイールスマ
    イヤー試薬と反応させる工程、次いで、得られた一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） で表されるアクロレイン誘導体をアルキリデントリフエ
    ニルホスホランと反応させる工程、次いで、得られた一
    般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（III−２） で表される化合物を、酸で加水分解する工程、次いで、
    得られた一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II−２） で表される化合物を一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VII） で表される第二級アミン化合物と反応させることを特徴
    とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I −２） で表されるフッ素原子を含有する置換基を有するエナミ
    ン誘導体の製造法。 〔上記一般式（VIII）、（VI）、（Ｖ）、（IV）、（I
    II−２）、（II−２）、（VII）及び（ I −２）中、Ｒ
    は水酸基及び又はアミノ基を示し、Ｒ＿１は、ＲｆＯ−
    及び又は（Ｒｆ）＿２Ｎ−で表されるフッ素原子を含有
    する置換基を示し（ただし、Ｒｆは、フルオロアルキル
    基、フルオロアリール基又はフルオロアラルキル基を表
    す）、複数個のＲ＿１は同一でも異なつていてもよく、
    Ｒ＿２及びＲ＿３は、それぞれ独立して置換基を有して
    もよい、アルキル基、アリール基、アラルキル基、脂肪
    族環基、複素環基又はＲ＿２とＲ＿３とで結合して５員
    または６員環を形成するのに必要な残基を示し、Ｒ＿４
    は、メチル基、ｎ−ブチル基、フェニル基又はｐ−トリ
    ル基を示し、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２は、それぞれ独立し
    てＲ＿１以外の置換基を有してもよいアリール基又はア
    リレーン基を示し、ｍ及びｎは、０〜３の整数を示し、
    ｍとｎが共に０となることはない〕 １０、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） で表されるエナミン誘導体 〔式中、Ｒ＿１は、ＲｆＯ−及び又は（Ｒｆ）＿２Ｎ−
    で表されるフッ素原子を含有する置換基を示し（ここで
    、Ｒｆは、フルオロアルキル基、フルオロアリール基又
    はフルオロアラルキル基を表す）、複数個のＲ＿１は同
    一でも異なつていてもよく、Ｒ＿２及びＲ＿３は、それ
    ぞれ独立して置換基を有してもよい、アルキル基、アリ
    ール基、アラルキル基、脂肪族環基、複素環基又はＲ＿
    ２とＲ＿３で結合して５員または６員環を形成するのに
    必要な残基を示し、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２は、それぞれ
    独立してＲ＿１以外の置換基を有してもよいアリール基
    又はアリーレン基を示し、ｌは、０又は１の整数を示し
    、ｍ及びｎは、それぞれ独立して０〜３の整数を示し、
    ｍ及びｎが共に０となることはない〕 を含有してなる電子写真感光体。 １１、導電性支持体上に、電荷発生物質及び電荷輸送物
    質を含む光導電層を設けた電子写真感光体であつて、前
    記電荷輸送物質が一般式（ I ）で表されるエナミン誘
    導体である請求項１記載の電子写真感光体。 １２、電荷発生物質及び電荷輸送物質がそれぞれ別個の
    層に含まれる請求項１１記載の電子写真感光体。 １３、導電性支持体と光導電層間に下引き層を設けた請
    求項１１又は１２記載の電子写真感光体。
JP2130806A 1990-03-20 1990-05-21 エナミン誘導体，その前駆体及びそれらの製造法並びに該エナミン誘導体を含有してなる電子写真感光体 Expired - Lifetime JP2973467B2 (ja)

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