JPH04186190A - 湿度測定装置 - Google Patents
湿度測定装置Info
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- JPH04186190A JPH04186190A JP31745390A JP31745390A JPH04186190A JP H04186190 A JPH04186190 A JP H04186190A JP 31745390 A JP31745390 A JP 31745390A JP 31745390 A JP31745390 A JP 31745390A JP H04186190 A JPH04186190 A JP H04186190A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は絶対湿度、相対湿度等を測定する湿度測定装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来の湿度センサとしては、セラミックや有機系のポリ
マーの吸着と脱離反応による抵抗や容量変化を使ったセ
ンシング方式が主であった。また、2つのホット・サー
ミスタの1つのドライ・エアーのケースに入れ、他の1
つを、測定対象雰囲気に置き、その2つのホット・サー
ミスタに電流を流すことで発熱□させ、2つのホット・
サーミスタの温度差を測定し、その温度差を絶対湿度と
する方法も用いられていた。
マーの吸着と脱離反応による抵抗や容量変化を使ったセ
ンシング方式が主であった。また、2つのホット・サー
ミスタの1つのドライ・エアーのケースに入れ、他の1
つを、測定対象雰囲気に置き、その2つのホット・サー
ミスタに電流を流すことで発熱□させ、2つのホット・
サーミスタの温度差を測定し、その温度差を絶対湿度と
する方法も用いられていた。
しかしながら、上記センシング方式は、耐薬品性(メタ
ン、エタン、エチレン、アンモニア、アセトン、アルコ
ール、ホルマリンなど)や結露サイクル、高温高温での
長期安定性に劣り、信頼性が確保できなかった。また、
上記2つのホット・サーミスタを用いる方式は、信頼性
は高いが、0゜1〜0.01°C程度に揃った特性のサ
ーミスタを必要とするという極めて困難な問題かあり、
これを選別などに頼っているため、低価格化が困難であ
る等の問題があった。 この発明は」1記のような課題を解消するためになされ
たもので、高信頼性を有し、かつ低価格で製作すること
のできる湿度測定装置を得ることを目的としている。
ン、エタン、エチレン、アンモニア、アセトン、アルコ
ール、ホルマリンなど)や結露サイクル、高温高温での
長期安定性に劣り、信頼性が確保できなかった。また、
上記2つのホット・サーミスタを用いる方式は、信頼性
は高いが、0゜1〜0.01°C程度に揃った特性のサ
ーミスタを必要とするという極めて困難な問題かあり、
これを選別などに頼っているため、低価格化が困難であ
る等の問題があった。 この発明は」1記のような課題を解消するためになされ
たもので、高信頼性を有し、かつ低価格で製作すること
のできる湿度測定装置を得ることを目的としている。
この発明に係る湿度測定装置は、対象雰囲気中に置かれ
たヒータと、上記ヒータの温度を検出する温度センサと
、上記対象雰囲気の温度を検出する雰囲気温度センサと
、上記対象雰囲気の圧力を検出する気圧センサと、上記
温度センサの検出値に応じて上記ヒータの温度を設定値
に制御する制御信号を作ると共に上記温度センサ、雰囲
気センサ及び気圧センサの各検出値に基づいて所定の演
算を行うことにより上記対象雰囲気の絶対湿度及び/又
は相対湿度を算出する演算装置とを設けたものである。
たヒータと、上記ヒータの温度を検出する温度センサと
、上記対象雰囲気の温度を検出する雰囲気温度センサと
、上記対象雰囲気の圧力を検出する気圧センサと、上記
温度センサの検出値に応じて上記ヒータの温度を設定値
に制御する制御信号を作ると共に上記温度センサ、雰囲
気センサ及び気圧センサの各検出値に基づいて所定の演
算を行うことにより上記対象雰囲気の絶対湿度及び/又
は相対湿度を算出する演算装置とを設けたものである。
ヒータ、温度センサ、気圧センサに特に高精度のものを
用いることなく、高信頼性及び高精度を持つ湿度測定装
置が低価格で得られる。
用いることなく、高信頼性及び高精度を持つ湿度測定装
置が低価格で得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図において、1はヒータで、ホット・サーミスタ、
熱線式ヒータ、セラミック・ヒータなどの電流や電圧に
より発熱量がコントロールできる発熱体が用いられる。 2はヒータ1の発熱による温度を測定する温度センサで
、サーミスタ、ザーモカソプル、測温抵抗体、半導体温
度センサ、水晶式温度センサなどの60℃〜300℃程
度の温度を再現性良く測定できる温度センサが用いられ
る。3はセンサ・パッケージで、ヒータ1と、温度セン
サ2とをできる限り近傍に配置し、一つのパッケージ内
に、−20℃〜300℃程度の温度に耐え、また、メタ
ン、エタン、エチレン、アンモニア、アセトン、アルコ
ール、ホルマリンなどの薬品に侵されず、製造工程で簡
華にモールドできる材料、例えば低融点ガラスなどに納
めてなる。 このセンサ・パッケージ3は周囲の風の影響を受けない
ようにフィルタで十分に遮断される。 このフィルタによりセンサ・デバイスとフィルタの間の
ガス部は、自然対流が形成されるように形成されている
。4はヒータ1に通電する定電流回路で、オペアンプ5
及び抵抗R+で構成されている。6はヒータ1の発熱に
よる温度上昇の影響が十分率さい位置に取り付けられ雰
囲気温度(T)を測定する雰囲気温度センサで、センサ
には、サーミスタ、ザーモカップル、測温抵抗体、半導
体温度センサ、水晶式温度などのセンサが用いられる。 7は発振器で、コンデンサCI+ 33.4個のインバ
ータ8.スイッチSWI、SW2.SW3及び抵抗R6
等で構成される。スイッチS W 3は温度センサ2.
雰囲気温度センサ6及び抵抗R6を選択的に切替える。 また、コンデンサS3は容量式圧力センサを用いた気圧
センサの一部を構成するものとする。9は発振器7の発
振周波数を分周するプリスケーラ、10はプリスケーラ
9の出力に基いてヒータ1を設定温度に制御すると共に
、相対湿度、絶対湿度等を算出するマイクロコンピュー
タ等から成る演算装置であり、パルスインターパルタイ
マ11.PWM(パルス幅変調)信号出力ポート12及
びメモリ (図示せず)を有している。13は制御信号
としてのPWM信号を所定のDC定電圧信号に畳重する
DC電圧回路であり、MO3FET14.抵抗R2〜R
s、 R7,ツェナーダイオード15及びオペアンプ1
6等で構成される。 第2図(A)、 (B)は上記センサ・パッケージ部
3の構造を示すもので、上記ヒータ1及び温度センサ2
は薄膜のサーミスタで形成されている。 ヒータ1及び温度センサ2はSS基板17とに設けられ
たSiO□層1日上に設けられている。また、ヒータ1
及び温度センサ2はそれぞれ両端を、SiO□層18上
に設けられた2対の電極19゜20に接続され、各電極
19.20からはリード線21.22が外部に導出され
ている。このセンサ・パッケージ部3はその全体が低融
点ガラス23で被覆されている。 次に動作について説明する。 第1図の回路は、下記の■〜Oまでのループで動作され
る。なお、実際は、処理効率向上のため割り込め処理で
、センサの信号入力処理と演算処理は並列処理している
が、ここでは理解を促すため、割り込み処理を含ます記
載している。 ■、スイッチSWIをオン、スイッチSW2をオフ、ス
イッチSW3を抵抗R6側にセットすると、発振器7は
コンデンサC1とR6とにより発振する。この時の発振
周波数(FO)は(式2)となる。 Tl=C1*S2* (α+β) ・・・(式1)FO
=1/To ・・・(式2)α=1n
((Vd−Vl)/(Vd−F2)) ・= (式3
)β−1n ((F2−Vg)/(Vl−Vg))
・・・(式4)vd:インバータのH1出力電圧 F2:インバータのHIレベルしきい値入力電圧v1:
インバー夕のL Oレベルしきい値入力電圧vg:イン
バー夕のLO出力電圧 ■、スイッチSWIをオン、スイッチSW2をオフ、ス
イッチSW3を雰囲気温度センサ6側にセソ1−すると
、CIと雰囲気温度センサ6の抵抗S2とにより発振す
る。この時の発振周波数(Fl)は(弐6)となる。 Tl=C1*S2* (α+β) ・・・(式5)%式
%(6) ■、スイッチSWIをオン、スイッチSW2をオフ、ス
イッチSW3をヒータ1側にセットすると、C1とヒー
タ1の抵抗S1とにより発振する。この時の発振周波数
(F2)は(弐8)となる。 Tl=C1*S2* (α+β) ・・・(式7)F2
=1/T2 ・・・(式8)■、スイ
ッチSW1をオフ、スイッチSW2をオン、スイッチS
W3をR6側にセットすると、発振器7は上記気圧セン
サのコンデンサS3とR6とにより発振する。この時の
発振周波数(F3)は(式10)となる。 T3=33*R6*(α+β) ・・・(式9)F3=
1/T3 ・・・(式10)■、■〜
■の発振周波数Fl、F2.F3をプリスケーラ9で任
意の値まで分周し、その分周した矩形波信号の1サイク
ルの時間をマイコン内部のパルスインターバルタイマ1
1が外部タイマで測定する。 ■、■〜■の発振周波数を測定した値を使い、演算装置
10においてレシオメトリック変換する。 この変換で、インバータ8に関する全ての誤差がキャン
セルされる。そして、雰囲気温度センサ6の検出値Ct
と温度センサ1の検出値chと、気圧センサの検出値C
pとを(式11−) 。 (式12)、(式13)により算出する。 c t =FO/F 1 =S 2/R6・・・(式1
1)Ch=FO/F2=S1/R6・・・(式12)c
p =FO/F 3 =S 3/CI ・・・(式1
3)■、(式12)の値(Ch)とある温度に相当する
設定値(Cs)との差(Ch−cs)とパルスインター
バルタイマ11の時間データからPID制御演算を行う
。 ■、■の演算により得られた制御量(M)を演算装置1
0のPWM信号出力ボート12から出力し、その制御信
号としてのPWM信号出力を低オン抵抗、高オフ抵抗特
性を持つMO3FET14で受け、PWM信号出力波高
値を所定の電圧に変換する。 ■、■で得られたPWM出力をDC電圧重畳回路13で
DC定電圧信号に重畳させ、PWM出力がデユーティ5
0%でほぼマイコン内部に格納されている固定の設定値
(Cs)に制御されるようにDC定電圧信号値を調整す
る。また、十分な湿度測定におけるダイナミック・レン
ジが取れるように環境変化(絶対湿度変化、環境温度変
化、大気圧変動、ガス成分変動)内でヒータの温度制御
が可能な範囲でPWM信号出力波高値をできる限り狭<
(PWM出力のハイ出力電圧を低く)設定する。 [相]、■のPWM出力をDC定電圧信号に重畳させた
信号でヒータ駆動用の定電流回路4をパルス駆動する。 ■、ヒータ1の熱容量とヒータ駆動電力との関係から、
ヒータ1は、ある定められた時定数値の時間遅れ(ロー
パス・フィルタ)の効果を持つ。 この効果を利用して直接■のパルス信号をヒータlに印
加する。 @、■によりヒータ1の発熱による温度を測定する温度
センサ2の信号出力が変化し、■〜@までの動作が繰り
返され、マイコン内部に格納されている固定の設定値(
Cs)に制御されるように(式12)の値(Ch)との
差<c h −cS)が精度範囲内でゼロ近傍に収束し
た時の制御量(M)を、マイコン内部のメモリ (RA
M)に格納する。 0、気圧センサの出力(Cp)と雰囲気温度センサ6の
出力(Ct)と真の大気圧(P)との3つのパラメータ
から、工場調整時に予め作られた関数(F)を使って演
算し、真の大気圧(P)を求める。 P=F (CpXCt) ・・・ (式14)■、
雰囲気温度センサ6の出力(Ct)と真の雰囲気温度(
T)との2つのパラメータから、工場調整時に予め作ら
れた関数(G)を使って演算し、真の雰囲気温度(T)
を求める。 T=G CCt) ・・・ (式15)[相
]、@でマイコン内部のメモリ (RAM)に格納され
た制御量(M)と[相]の大気圧(P)と■の雰囲気温
度(T)と真の絶対湿度(Ha)との4つのパラメータ
から、工場調整時に予め作られた関数(Q)を使って演
算し、絶対湿度(Ha)を求める。 Ha=Q (M、P、T) ” (式16)[相]
、雰囲気温度(T)と飽和水蒸気圧(Es)との既知の
関係を関数化(U)し、それを演算装置10のメモリ
(マスクROM)に記憶させておく。その関数を測定時
の雰囲気温度(T)から、その温度における飽和水蒸気
圧(Es)を求める。この飽和水蒸気圧(Es)と[相
]で得られた絶対湿度(Ha)と相対湿度(Hr)の既
知の関係を関数化(■)し、それを演算装置10のメモ
リ (マスクROM)に記憶させておく。 その関数を演算し、相対湿度(Hr)を求める。 Es=U(T) ・・・ (式17)Hr=
V (Es、Ha) −(式18)@、露点温度演算
について、 [相]で得られた絶対湿度(Ha)と■の雰囲気温度(
T)から、既知の関数にある測定気体中の水蒸気圧が、
水の飽和水蒸気圧である温度(露 ・点温度:Ts)
を求める関数(W)を創り、それを演算装置10のメモ
リ (マスクROM’)に記憶させておく。その関数を
演算し露点(Ts)を求める。 Ts =W (Ha、T) −(式19)次に、調
整処理アルゴリズムについて説明する。 (1)、工場調整工程(キャラクタライズ)は下記の■
〜■により行われる。 ■、第1図及び第2図のように構成された製品を温度、
湿度、気圧を高精度に発生もしくは測定できる槽に入れ
る。この槽の温度、湿度、気圧を製品の使用範囲内で各
パラメータ毎に最小値と最大値の2点もしくはその間を
多点に分割し発生させる。 ■、気圧センサの圧力(Cp)と雰囲気温度センサ6の
出力(Ct)と発生させた真の大気圧(P)とから、関
数(F)を各製品毎に作成する。 ■雰囲気温度センサ6の出力(Ct)と発生させた真の
雰囲気温度(T)とから、関数(G)を各製品毎に作成
する。 ■、発生させた真の雰゛囲気温度(T)と発生させた真
の大気圧(P)と発生させた真の絶対湿度(Ha)とフ
ィード・バック制御でヒータ1の温度が一定に保たれた
時の制御量(M)とから(Q)の各製品毎に作成する。 ■、相対湿度(Hr)と露点温度(Ts)との関係は既
知であるため、関数を各製品毎に作成するのではなく、
全製品共通の関数となるため、調整工程では関数を作ら
ずマスクROM化される。 (2)、フィールドでの調整(ガス成分の変動による影
響の補正)は次のように行われる。 ■、フィールドで装置に取り付けられた場合、工場調整
工程でのガス成分と異なる場合が考えられる。この方式
は、ガス成分の変動に対して湿度変化より大きな感度を
有するごとがある。しかし、フィールドでガス成分が変
動せず、このガスが湿度0120)と相互作用を持たず
独立に存在する場合、装置の立ち上げ時に1回、測定ガ
スを脱湿剤(P2O3など)で精度範囲内でドライにし
、製品の感湿部に送る。 その時の絶対湿度の表示値もしくは出力値をゼロに調整
し補正する。
熱線式ヒータ、セラミック・ヒータなどの電流や電圧に
より発熱量がコントロールできる発熱体が用いられる。 2はヒータ1の発熱による温度を測定する温度センサで
、サーミスタ、ザーモカソプル、測温抵抗体、半導体温
度センサ、水晶式温度センサなどの60℃〜300℃程
度の温度を再現性良く測定できる温度センサが用いられ
る。3はセンサ・パッケージで、ヒータ1と、温度セン
サ2とをできる限り近傍に配置し、一つのパッケージ内
に、−20℃〜300℃程度の温度に耐え、また、メタ
ン、エタン、エチレン、アンモニア、アセトン、アルコ
ール、ホルマリンなどの薬品に侵されず、製造工程で簡
華にモールドできる材料、例えば低融点ガラスなどに納
めてなる。 このセンサ・パッケージ3は周囲の風の影響を受けない
ようにフィルタで十分に遮断される。 このフィルタによりセンサ・デバイスとフィルタの間の
ガス部は、自然対流が形成されるように形成されている
。4はヒータ1に通電する定電流回路で、オペアンプ5
及び抵抗R+で構成されている。6はヒータ1の発熱に
よる温度上昇の影響が十分率さい位置に取り付けられ雰
囲気温度(T)を測定する雰囲気温度センサで、センサ
には、サーミスタ、ザーモカップル、測温抵抗体、半導
体温度センサ、水晶式温度などのセンサが用いられる。 7は発振器で、コンデンサCI+ 33.4個のインバ
ータ8.スイッチSWI、SW2.SW3及び抵抗R6
等で構成される。スイッチS W 3は温度センサ2.
雰囲気温度センサ6及び抵抗R6を選択的に切替える。 また、コンデンサS3は容量式圧力センサを用いた気圧
センサの一部を構成するものとする。9は発振器7の発
振周波数を分周するプリスケーラ、10はプリスケーラ
9の出力に基いてヒータ1を設定温度に制御すると共に
、相対湿度、絶対湿度等を算出するマイクロコンピュー
タ等から成る演算装置であり、パルスインターパルタイ
マ11.PWM(パルス幅変調)信号出力ポート12及
びメモリ (図示せず)を有している。13は制御信号
としてのPWM信号を所定のDC定電圧信号に畳重する
DC電圧回路であり、MO3FET14.抵抗R2〜R
s、 R7,ツェナーダイオード15及びオペアンプ1
6等で構成される。 第2図(A)、 (B)は上記センサ・パッケージ部
3の構造を示すもので、上記ヒータ1及び温度センサ2
は薄膜のサーミスタで形成されている。 ヒータ1及び温度センサ2はSS基板17とに設けられ
たSiO□層1日上に設けられている。また、ヒータ1
及び温度センサ2はそれぞれ両端を、SiO□層18上
に設けられた2対の電極19゜20に接続され、各電極
19.20からはリード線21.22が外部に導出され
ている。このセンサ・パッケージ部3はその全体が低融
点ガラス23で被覆されている。 次に動作について説明する。 第1図の回路は、下記の■〜Oまでのループで動作され
る。なお、実際は、処理効率向上のため割り込め処理で
、センサの信号入力処理と演算処理は並列処理している
が、ここでは理解を促すため、割り込み処理を含ます記
載している。 ■、スイッチSWIをオン、スイッチSW2をオフ、ス
イッチSW3を抵抗R6側にセットすると、発振器7は
コンデンサC1とR6とにより発振する。この時の発振
周波数(FO)は(式2)となる。 Tl=C1*S2* (α+β) ・・・(式1)FO
=1/To ・・・(式2)α=1n
((Vd−Vl)/(Vd−F2)) ・= (式3
)β−1n ((F2−Vg)/(Vl−Vg))
・・・(式4)vd:インバータのH1出力電圧 F2:インバータのHIレベルしきい値入力電圧v1:
インバー夕のL Oレベルしきい値入力電圧vg:イン
バー夕のLO出力電圧 ■、スイッチSWIをオン、スイッチSW2をオフ、ス
イッチSW3を雰囲気温度センサ6側にセソ1−すると
、CIと雰囲気温度センサ6の抵抗S2とにより発振す
る。この時の発振周波数(Fl)は(弐6)となる。 Tl=C1*S2* (α+β) ・・・(式5)%式
%(6) ■、スイッチSWIをオン、スイッチSW2をオフ、ス
イッチSW3をヒータ1側にセットすると、C1とヒー
タ1の抵抗S1とにより発振する。この時の発振周波数
(F2)は(弐8)となる。 Tl=C1*S2* (α+β) ・・・(式7)F2
=1/T2 ・・・(式8)■、スイ
ッチSW1をオフ、スイッチSW2をオン、スイッチS
W3をR6側にセットすると、発振器7は上記気圧セン
サのコンデンサS3とR6とにより発振する。この時の
発振周波数(F3)は(式10)となる。 T3=33*R6*(α+β) ・・・(式9)F3=
1/T3 ・・・(式10)■、■〜
■の発振周波数Fl、F2.F3をプリスケーラ9で任
意の値まで分周し、その分周した矩形波信号の1サイク
ルの時間をマイコン内部のパルスインターバルタイマ1
1が外部タイマで測定する。 ■、■〜■の発振周波数を測定した値を使い、演算装置
10においてレシオメトリック変換する。 この変換で、インバータ8に関する全ての誤差がキャン
セルされる。そして、雰囲気温度センサ6の検出値Ct
と温度センサ1の検出値chと、気圧センサの検出値C
pとを(式11−) 。 (式12)、(式13)により算出する。 c t =FO/F 1 =S 2/R6・・・(式1
1)Ch=FO/F2=S1/R6・・・(式12)c
p =FO/F 3 =S 3/CI ・・・(式1
3)■、(式12)の値(Ch)とある温度に相当する
設定値(Cs)との差(Ch−cs)とパルスインター
バルタイマ11の時間データからPID制御演算を行う
。 ■、■の演算により得られた制御量(M)を演算装置1
0のPWM信号出力ボート12から出力し、その制御信
号としてのPWM信号出力を低オン抵抗、高オフ抵抗特
性を持つMO3FET14で受け、PWM信号出力波高
値を所定の電圧に変換する。 ■、■で得られたPWM出力をDC電圧重畳回路13で
DC定電圧信号に重畳させ、PWM出力がデユーティ5
0%でほぼマイコン内部に格納されている固定の設定値
(Cs)に制御されるようにDC定電圧信号値を調整す
る。また、十分な湿度測定におけるダイナミック・レン
ジが取れるように環境変化(絶対湿度変化、環境温度変
化、大気圧変動、ガス成分変動)内でヒータの温度制御
が可能な範囲でPWM信号出力波高値をできる限り狭<
(PWM出力のハイ出力電圧を低く)設定する。 [相]、■のPWM出力をDC定電圧信号に重畳させた
信号でヒータ駆動用の定電流回路4をパルス駆動する。 ■、ヒータ1の熱容量とヒータ駆動電力との関係から、
ヒータ1は、ある定められた時定数値の時間遅れ(ロー
パス・フィルタ)の効果を持つ。 この効果を利用して直接■のパルス信号をヒータlに印
加する。 @、■によりヒータ1の発熱による温度を測定する温度
センサ2の信号出力が変化し、■〜@までの動作が繰り
返され、マイコン内部に格納されている固定の設定値(
Cs)に制御されるように(式12)の値(Ch)との
差<c h −cS)が精度範囲内でゼロ近傍に収束し
た時の制御量(M)を、マイコン内部のメモリ (RA
M)に格納する。 0、気圧センサの出力(Cp)と雰囲気温度センサ6の
出力(Ct)と真の大気圧(P)との3つのパラメータ
から、工場調整時に予め作られた関数(F)を使って演
算し、真の大気圧(P)を求める。 P=F (CpXCt) ・・・ (式14)■、
雰囲気温度センサ6の出力(Ct)と真の雰囲気温度(
T)との2つのパラメータから、工場調整時に予め作ら
れた関数(G)を使って演算し、真の雰囲気温度(T)
を求める。 T=G CCt) ・・・ (式15)[相
]、@でマイコン内部のメモリ (RAM)に格納され
た制御量(M)と[相]の大気圧(P)と■の雰囲気温
度(T)と真の絶対湿度(Ha)との4つのパラメータ
から、工場調整時に予め作られた関数(Q)を使って演
算し、絶対湿度(Ha)を求める。 Ha=Q (M、P、T) ” (式16)[相]
、雰囲気温度(T)と飽和水蒸気圧(Es)との既知の
関係を関数化(U)し、それを演算装置10のメモリ
(マスクROM)に記憶させておく。その関数を測定時
の雰囲気温度(T)から、その温度における飽和水蒸気
圧(Es)を求める。この飽和水蒸気圧(Es)と[相
]で得られた絶対湿度(Ha)と相対湿度(Hr)の既
知の関係を関数化(■)し、それを演算装置10のメモ
リ (マスクROM)に記憶させておく。 その関数を演算し、相対湿度(Hr)を求める。 Es=U(T) ・・・ (式17)Hr=
V (Es、Ha) −(式18)@、露点温度演算
について、 [相]で得られた絶対湿度(Ha)と■の雰囲気温度(
T)から、既知の関数にある測定気体中の水蒸気圧が、
水の飽和水蒸気圧である温度(露 ・点温度:Ts)
を求める関数(W)を創り、それを演算装置10のメモ
リ (マスクROM’)に記憶させておく。その関数を
演算し露点(Ts)を求める。 Ts =W (Ha、T) −(式19)次に、調
整処理アルゴリズムについて説明する。 (1)、工場調整工程(キャラクタライズ)は下記の■
〜■により行われる。 ■、第1図及び第2図のように構成された製品を温度、
湿度、気圧を高精度に発生もしくは測定できる槽に入れ
る。この槽の温度、湿度、気圧を製品の使用範囲内で各
パラメータ毎に最小値と最大値の2点もしくはその間を
多点に分割し発生させる。 ■、気圧センサの圧力(Cp)と雰囲気温度センサ6の
出力(Ct)と発生させた真の大気圧(P)とから、関
数(F)を各製品毎に作成する。 ■雰囲気温度センサ6の出力(Ct)と発生させた真の
雰囲気温度(T)とから、関数(G)を各製品毎に作成
する。 ■、発生させた真の雰゛囲気温度(T)と発生させた真
の大気圧(P)と発生させた真の絶対湿度(Ha)とフ
ィード・バック制御でヒータ1の温度が一定に保たれた
時の制御量(M)とから(Q)の各製品毎に作成する。 ■、相対湿度(Hr)と露点温度(Ts)との関係は既
知であるため、関数を各製品毎に作成するのではなく、
全製品共通の関数となるため、調整工程では関数を作ら
ずマスクROM化される。 (2)、フィールドでの調整(ガス成分の変動による影
響の補正)は次のように行われる。 ■、フィールドで装置に取り付けられた場合、工場調整
工程でのガス成分と異なる場合が考えられる。この方式
は、ガス成分の変動に対して湿度変化より大きな感度を
有するごとがある。しかし、フィールドでガス成分が変
動せず、このガスが湿度0120)と相互作用を持たず
独立に存在する場合、装置の立ち上げ時に1回、測定ガ
スを脱湿剤(P2O3など)で精度範囲内でドライにし
、製品の感湿部に送る。 その時の絶対湿度の表示値もしくは出力値をゼロに調整
し補正する。
この発明によれば、対象雰囲気中にヒータを設け、その
温度を検出する温度センサの検出値に応じて上記ヒータ
の温度を設定値に制御すると共に、上記温度センサ、雰
囲気温度センサ及び気圧センサの各検出値に基づいて所
定の演算を行うことにより上記対象雰囲気の絶対湿度及
び/又は相対湿度を算出するように構成したので、次の
効果が得られる。 ■、従来からある、温度センサ、ヒータ、気圧センサに
より構成でき、また、個々のセンサの絶対精度を他の方
法と比較して高精度にする必要かないため個々のセンサ
が低価格となる。 なぜなら、ヒータ1の温度は、ある温度付近に設定され
ていればよく、重要なのは、温度が精度良く一定に保た
れていることである。そのため、ヒータ1の温度を測定
する温度センサ2は、高精度である必要性がない。 また、気圧センサは、熱伝導率が大気圧に影響される効
果を補正するためのセンサであり、元々、影響量が小さ
いために、気圧センサの精度は大きく影響しない。 ■、従来の湿度センサと比較して高信頼性が確保できる
。 なぜなら、センシング方式として吸着、脱離反応を伴わ
ず、ガスが接する部分(ヒータ・パッケージ3)を而」
薬品性のある材料(表面が滑らかなガラスやセラミック
)を使い、ガスが接する部分をヒータ1で加熱するため
結露が起こらない。このため、高信頼性が確保できる。 ■、複合化センサの考えを使うため多機能化が可能とな
る。 なぜなら、3つのセンサを使うことで、この出力の組み
合わせから絶対湿度、相対湿度、露点、温度、大気圧の
5つの測定が可能となる。 ■、■の高信頼性が確保できることから高精度化が可能
となる。
温度を検出する温度センサの検出値に応じて上記ヒータ
の温度を設定値に制御すると共に、上記温度センサ、雰
囲気温度センサ及び気圧センサの各検出値に基づいて所
定の演算を行うことにより上記対象雰囲気の絶対湿度及
び/又は相対湿度を算出するように構成したので、次の
効果が得られる。 ■、従来からある、温度センサ、ヒータ、気圧センサに
より構成でき、また、個々のセンサの絶対精度を他の方
法と比較して高精度にする必要かないため個々のセンサ
が低価格となる。 なぜなら、ヒータ1の温度は、ある温度付近に設定され
ていればよく、重要なのは、温度が精度良く一定に保た
れていることである。そのため、ヒータ1の温度を測定
する温度センサ2は、高精度である必要性がない。 また、気圧センサは、熱伝導率が大気圧に影響される効
果を補正するためのセンサであり、元々、影響量が小さ
いために、気圧センサの精度は大きく影響しない。 ■、従来の湿度センサと比較して高信頼性が確保できる
。 なぜなら、センシング方式として吸着、脱離反応を伴わ
ず、ガスが接する部分(ヒータ・パッケージ3)を而」
薬品性のある材料(表面が滑らかなガラスやセラミック
)を使い、ガスが接する部分をヒータ1で加熱するため
結露が起こらない。このため、高信頼性が確保できる。 ■、複合化センサの考えを使うため多機能化が可能とな
る。 なぜなら、3つのセンサを使うことで、この出力の組み
合わせから絶対湿度、相対湿度、露点、温度、大気圧の
5つの測定が可能となる。 ■、■の高信頼性が確保できることから高精度化が可能
となる。
第1図はこの発明の一実施例による湿度測定装置を示す
構成図、第2図は同装置のヒータ・パッケージを示す平
面図及び断面側面図である。 1はヒータ、2は温度センサ、6は雰囲気温度センサ、
10は演算装置。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 特 許 出 願 人 山武ハネウェル株式会社代理人
弁理士 1) 澤 博 昭(外2名)
構成図、第2図は同装置のヒータ・パッケージを示す平
面図及び断面側面図である。 1はヒータ、2は温度センサ、6は雰囲気温度センサ、
10は演算装置。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 特 許 出 願 人 山武ハネウェル株式会社代理人
弁理士 1) 澤 博 昭(外2名)
Claims (1)
- 対象雰囲気中に置かれたヒータ1と、上記ヒータの温
度を検出する温度センサ2と、上記対象雰囲気の温度を
検出する雰囲気温度センサ6と、上記対象雰囲気の圧力
を検出する気圧センサS_3と、上記温度センサの検出
値に応じて上記ヒータの温度を設定値に制御する制御信
号を作ると共に上記温度センサ、雰囲気温度センサ及び
気圧センサの各検出値に基づいて所定の演算を行うこと
により上記対象雰囲気の絶対湿度及び/又は相対湿度を
算出する演算装置10とを備えた湿度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31745390A JPH04186190A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 湿度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31745390A JPH04186190A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 湿度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186190A true JPH04186190A (ja) | 1992-07-02 |
Family
ID=18088396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31745390A Pending JPH04186190A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 湿度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04186190A (ja) |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31745390A patent/JPH04186190A/ja active Pending
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