JPH04187778A - 銅ポリイミド基板の製造方法 - Google Patents
銅ポリイミド基板の製造方法Info
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- JPH04187778A JPH04187778A JP31441990A JP31441990A JPH04187778A JP H04187778 A JPH04187778 A JP H04187778A JP 31441990 A JP31441990 A JP 31441990A JP 31441990 A JP31441990 A JP 31441990A JP H04187778 A JPH04187778 A JP H04187778A
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- polyimide resin
- polyimide
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
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- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、ポリイミド樹脂の全面に銅めっき被膜が形成
された銅ポリイミド基板において高耐熱衝撃性を有する
銅ポリイミド基板の製造方法に関する。
された銅ポリイミド基板において高耐熱衝撃性を有する
銅ポリイミド基板の製造方法に関する。
［従来の技術］
ポリイミド樹脂は優れた耐熱性を有し、また機械的、電
気的、化学的特性も他のプラスチック材料に比べて遜色
が無いので、電気機器等の絶縁材料としてよ（用いられ
る。
気的、化学的特性も他のプラスチック材料に比べて遜色
が無いので、電気機器等の絶縁材料としてよ（用いられ
る。
例えば、プリント配線板（ＰＷＢ） 、フレキシブルプ
リント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング（ＴＡ
Ｂ）テープ等の電子部品はこのポリイミド樹脂に銅被膜
を設けた銅ポリイミド基板を加工して得られている。従
来このようなＰＷＢ。
リント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング（ＴＡ
Ｂ）テープ等の電子部品はこのポリイミド樹脂に銅被膜
を設けた銅ポリイミド基板を加工して得られている。従
来このようなＰＷＢ。
ＦＰＣＳＴＡＢ用の素材となる銅ポリイミド基板は一般
的にはポリイミド樹脂と銅箔とを接着剤で貼合わせるラ
ミネート方が採られていた。、しかしながらこのラミネ
ート法によって得られた基板では接着剤の耐薬品性が未
だ充分でないため、銅被膜のエツチング処理の際に接着
剤にイオン吸着が起こり、形成された回路間隔が特に狭
い場合に絶縁不良を起こす恐れがあった。この欠点を解
消するため樹脂に直接金属層を形成する方法が採用され
ている。
的にはポリイミド樹脂と銅箔とを接着剤で貼合わせるラ
ミネート方が採られていた。、しかしながらこのラミネ
ート法によって得られた基板では接着剤の耐薬品性が未
だ充分でないため、銅被膜のエツチング処理の際に接着
剤にイオン吸着が起こり、形成された回路間隔が特に狭
い場合に絶縁不良を起こす恐れがあった。この欠点を解
消するため樹脂に直接金属層を形成する方法が採用され
ている。
この方法はポリイミド樹脂の表面をエツチング処理によ
り親水化し、次いでＰｄやＡｇ等で触媒付与し、その後
無電解めっき、要すれば引続き電解めっきを行なうもの
である。このようにして得られた基板は熱衝撃性が改良
され、十分実用に耐えるものとされていた。しかし、近
年の高密度化、高集積化によりＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢ
テープの使用環境は大幅に変化し、従来よりはるかに熱
的に苛酷な条件で使用されるようになってきた。この結
果、上記方法で得られた銅ポリイミド基板の耐熱衝撃性
でも不十分となり、更に高耐熱衝撃性の銅ポリイミド基
板が求められるようになってきた。本発明者らはこの要
求に答えるべく、ポリイミド樹脂表面に無電解めっきを
施し、要すれば引続き電気めっきを施した後に１２０〜
４２０°Ｃの温度で該基板を熱処理を施す方法を特願平
１−９６９９５号公報に提案してきている。この方法は
、該無電解めっきの前処理として行われるポリイミド樹
脂の表面のエツチング処理により該表面に形成された耐
熱性、耐薬品性に劣る変質層を熱処理によって熱的、化
学的に安定な構造に改質し、それによりポリイミド樹脂
表面の銅被膜にはんだ付は等の熱衝撃に十分耐え得る耐
熱衝撃性を付与しようとするものである。
り親水化し、次いでＰｄやＡｇ等で触媒付与し、その後
無電解めっき、要すれば引続き電解めっきを行なうもの
である。このようにして得られた基板は熱衝撃性が改良
され、十分実用に耐えるものとされていた。しかし、近
年の高密度化、高集積化によりＰＷＢやＦＰＣやＴＡＢ
テープの使用環境は大幅に変化し、従来よりはるかに熱
的に苛酷な条件で使用されるようになってきた。この結
果、上記方法で得られた銅ポリイミド基板の耐熱衝撃性
でも不十分となり、更に高耐熱衝撃性の銅ポリイミド基
板が求められるようになってきた。本発明者らはこの要
求に答えるべく、ポリイミド樹脂表面に無電解めっきを
施し、要すれば引続き電気めっきを施した後に１２０〜
４２０°Ｃの温度で該基板を熱処理を施す方法を特願平
１−９６９９５号公報に提案してきている。この方法は
、該無電解めっきの前処理として行われるポリイミド樹
脂の表面のエツチング処理により該表面に形成された耐
熱性、耐薬品性に劣る変質層を熱処理によって熱的、化
学的に安定な構造に改質し、それによりポリイミド樹脂
表面の銅被膜にはんだ付は等の熱衝撃に十分耐え得る耐
熱衝撃性を付与しようとするものである。
［発明が解決しようとする課題］
一方、電子機器の高密度化にともないＦＰＣやＴＡＢに
も配線の高密度化が要求されるようになり、ポリイミド
樹脂の両面に導通層を形成した両面ＦＰＣや２メタルＴ
ＡＢの需要が高まってきた。
も配線の高密度化が要求されるようになり、ポリイミド
樹脂の両面に導通層を形成した両面ＦＰＣや２メタルＴ
ＡＢの需要が高まってきた。
前記特願平１−９６９９５号公報にはこのような両面Ｆ
ＰＣや２メタルＴＡＢテープの素材となるその全面に無
電解めっき被膜を形成した銅ポリイミド基板の製造にお
いても１２０〜４２０℃の熱処理が有効であることも開
示している。しかし、特願平１−９６９９５号公報の方
法に従い得た全面に銅被膜を備えた銅ポリイミド基板の
銅被膜の密着強度は、ポリイミド樹脂の一部に銅被膜が
形成された場合のＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ ＭｅｔｈｏｄＡ
により求めた９、０ ｌｂ、／ｉｎ、以上という値に対
し、８．０ ｌｂ、／ｉｎ、未満と低いことがわかった
。
ＰＣや２メタルＴＡＢテープの素材となるその全面に無
電解めっき被膜を形成した銅ポリイミド基板の製造にお
いても１２０〜４２０℃の熱処理が有効であることも開
示している。しかし、特願平１−９６９９５号公報の方
法に従い得た全面に銅被膜を備えた銅ポリイミド基板の
銅被膜の密着強度は、ポリイミド樹脂の一部に銅被膜が
形成された場合のＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ ＭｅｔｈｏｄＡ
により求めた９、０ ｌｂ、／ｉｎ、以上という値に対
し、８．０ ｌｂ、／ｉｎ、未満と低いことがわかった
。
この８．０ ｌｂ、／ｉｎ、未満という値は通常の両面
ＦＰＣや２メタルＴＡＢ用の素材としては一応満足する
ものであるが、信頼性の点では不十分であり、汎用品と
して実用化するためには９．０ ｌｂ、／ｉｎ、以上の
密着強度が要求されてる。
ＦＰＣや２メタルＴＡＢ用の素材としては一応満足する
ものであるが、信頼性の点では不十分であり、汎用品と
して実用化するためには９．０ ｌｂ、／ｉｎ、以上の
密着強度が要求されてる。
本発明の目的は、ポリイミド樹脂の全面に銅めっき被膜
を有する銅ポリイミド基板の製造方法において、はんだ
付は等の熱衝撃に充分に耐え、さらに両面ＦＰＣや２メ
タルＴＡＢテープの素材として充分な信頼性を有する該
銅ポリイミド基板の製造方法を提供することにある。
を有する銅ポリイミド基板の製造方法において、はんだ
付は等の熱衝撃に充分に耐え、さらに両面ＦＰＣや２メ
タルＴＡＢテープの素材として充分な信頼性を有する該
銅ポリイミド基板の製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明者らはポリイミド樹脂の全面に無電解めっき被膜
を形成し、要すれば引続き電気銅めっきを施した後、該
基板に１２０℃以上の熱処理を加えることによって得ら
れた銅ポリイミド基板の銅被膜の密着強度が、ポリイミ
ド樹脂表面の一部に同様な方法で形成された銅ポリイミ
ド基板の銅被膜の密着強度に比べ低い原因について種々
研究を行った結果、ポリイミド樹脂の全面に銅被膜を形
成した基板に熱処理を施した場合は熱処理の条件によっ
て銅被膜の密着強度の値が変化することを見いだし本発
明に至った。
を形成し、要すれば引続き電気銅めっきを施した後、該
基板に１２０℃以上の熱処理を加えることによって得ら
れた銅ポリイミド基板の銅被膜の密着強度が、ポリイミ
ド樹脂表面の一部に同様な方法で形成された銅ポリイミ
ド基板の銅被膜の密着強度に比べ低い原因について種々
研究を行った結果、ポリイミド樹脂の全面に銅被膜を形
成した基板に熱処理を施した場合は熱処理の条件によっ
て銅被膜の密着強度の値が変化することを見いだし本発
明に至った。
即ち、上記課題を解決する本発明の方法は、ポリイミド
樹脂の全面に無電解めつき被膜を形成し、要すれば引続
き電気銅めっきを施して基板を得、次いで該基板を５０
〜１２０℃の温度で第１段の熱処理を施し、引続き１２
０〜４２０℃の温度で第２段の熱処理を施すものである
。
樹脂の全面に無電解めつき被膜を形成し、要すれば引続
き電気銅めっきを施して基板を得、次いで該基板を５０
〜１２０℃の温度で第１段の熱処理を施し、引続き１２
０〜４２０℃の温度で第２段の熱処理を施すものである
。
［作用］
無電解めっきのための前処理や無電解めっき処理の過程
ではポリイミド表面に耐熱性、耐薬品性に劣る変質層が
形成されるのみならず、ガスや水がポリイミド樹脂内部
に取り込まれる。ポリイミド樹脂の全面を銅で被覆した
場合には、このガスや水は１２０℃以上に加熱する従来
の方法では必ずしも完全に基板外に放出されず、その結
果密着強度が低下する。本発明の方法では、変質層の改
質を図り、かつポリイミド樹脂に含まれたガスや水を基
板外に放出させることができるため十分な密着強度をも
った銅被膜を得ることができる。
ではポリイミド表面に耐熱性、耐薬品性に劣る変質層が
形成されるのみならず、ガスや水がポリイミド樹脂内部
に取り込まれる。ポリイミド樹脂の全面を銅で被覆した
場合には、このガスや水は１２０℃以上に加熱する従来
の方法では必ずしも完全に基板外に放出されず、その結
果密着強度が低下する。本発明の方法では、変質層の改
質を図り、かつポリイミド樹脂に含まれたガスや水を基
板外に放出させることができるため十分な密着強度をも
った銅被膜を得ることができる。
本発明の方法はポリイミド樹脂の全面に無電解めっきを
施し、必要に応じてこれに引続き銅の電解めっきを施し
て得た基板をまず５０〜１２０℃の温度で熱処理を施す
が、これは該基板の加熱時の重量変化の測定結果によれ
ば、５０〜１２０℃における重量変化が著しく、この温
度範囲でポリイミド樹脂中のガスや水が基板外に多量に
放出されると思われるからである。又、より重量変化の
大きな範囲は８０〜１２０℃であり、よって８０〜１２
０℃で加熱することが好ましい。熱処理温度を１２０°
Ｃ以上とすると、変質層の改質が同時に起こり、ガスや
水分は除去されないままポリイミド樹脂と銅被膜との間
に残留することになる。その結果、本発明者等がすでに
開示した方法以上の効果は得られない。
施し、必要に応じてこれに引続き銅の電解めっきを施し
て得た基板をまず５０〜１２０℃の温度で熱処理を施す
が、これは該基板の加熱時の重量変化の測定結果によれ
ば、５０〜１２０℃における重量変化が著しく、この温
度範囲でポリイミド樹脂中のガスや水が基板外に多量に
放出されると思われるからである。又、より重量変化の
大きな範囲は８０〜１２０℃であり、よって８０〜１２
０℃で加熱することが好ましい。熱処理温度を１２０°
Ｃ以上とすると、変質層の改質が同時に起こり、ガスや
水分は除去されないままポリイミド樹脂と銅被膜との間
に残留することになる。その結果、本発明者等がすでに
開示した方法以上の効果は得られない。
熱処理時間は温度、ポリイミド樹脂中の水分量そして用
いる装置により異なるため予め求めておくことが好まし
い。一般には、例えば、温度が５０〜８０℃の間であれ
ば１時間以上の熱処理を、８０〜１２０℃の間であれば
３０分程度の熱処理を施すことが好ましい。また、該温
度が１２０°Ｃ以上では本発明者等がすでに特願平１−
９６９９５号公報に開示した効果以上のものは得られな
い。
いる装置により異なるため予め求めておくことが好まし
い。一般には、例えば、温度が５０〜８０℃の間であれ
ば１時間以上の熱処理を、８０〜１２０℃の間であれば
３０分程度の熱処理を施すことが好ましい。また、該温
度が１２０°Ｃ以上では本発明者等がすでに特願平１−
９６９９５号公報に開示した効果以上のものは得られな
い。
第２段の熱処理温度を１２０〜４２０℃とするのは、こ
れにより前記変質層を改質するためであり、これにより
銅被膜とポリイミド樹脂の表面との密着強度を増すため
である。また、４２０℃を越える温度で加熱するとポリ
イミド樹脂が熱により劣化し分解するからである。
れにより前記変質層を改質するためであり、これにより
銅被膜とポリイミド樹脂の表面との密着強度を増すため
である。また、４２０℃を越える温度で加熱するとポリ
イミド樹脂が熱により劣化し分解するからである。
本発明の方法においては熱処理雰囲気も特に限定される
ものではない。即ち大気中、不活性ガス中または真空中
のいずれの雰囲気においても同等の成果を得ることがで
きる。しかし大気中における長時間の熱処理は銅層の酸
化を招（ため、無酸素雰囲気化での熱処理が最も推賞さ
れる。
ものではない。即ち大気中、不活性ガス中または真空中
のいずれの雰囲気においても同等の成果を得ることがで
きる。しかし大気中における長時間の熱処理は銅層の酸
化を招（ため、無酸素雰囲気化での熱処理が最も推賞さ
れる。
また、本発明の方法はポリイミド樹脂の全面に無電解め
っきにより銅被膜を析出した場合において著しい効果を
発揮できるが、もちろん被めっき面がポリイミド樹脂の
片面あるいは一部であってもその効果は得られる。
っきにより銅被膜を析出した場合において著しい効果を
発揮できるが、もちろん被めっき面がポリイミド樹脂の
片面あるいは一部であってもその効果は得られる。
［実施例１］
３０ ａｍ Ｘ ３０ ｃｍの大きさの東し・デュポ
ン社製Ｋａｐｔｏｎ ２００ Ｈ型のポリイミド樹脂フ
ィルムを９０重量％の硫酸を含有する水溶液に２５℃で
１分間浸漬し、次いで水洗し、奥野製薬社製ＯＰＣ−８
０キヤタリスト Ｍを使用して２５℃で５分間の触媒付
与を施し、次いで水洗し、奥野製薬社製０ＰＣ−５５５
アクセレーターを使用して２５°Ｃで７分間の促進処理
を行った。その後以下に示す条件で無電解銅めっきを行
った。
ン社製Ｋａｐｔｏｎ ２００ Ｈ型のポリイミド樹脂フ
ィルムを９０重量％の硫酸を含有する水溶液に２５℃で
１分間浸漬し、次いで水洗し、奥野製薬社製ＯＰＣ−８
０キヤタリスト Ｍを使用して２５℃で５分間の触媒付
与を施し、次いで水洗し、奥野製薬社製０ＰＣ−５５５
アクセレーターを使用して２５°Ｃで７分間の促進処理
を行った。その後以下に示す条件で無電解銅めっきを行
った。
（浴組成）
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０： １０ ｇ／ＩＥＤＴＡ
・２Ｎａ ： ３０ ｇ／１３７駕ＨＣＨ
Ｏ： ５ ｍｌ／ＩＰＥＧ＃１０００
： ０．５ ｇ／１２．２°−ヒ゛ピリジ゛ル
： １０ ｍｇ／ｌ（めっき条件） 温度 二６５ ℃ 攪はん ： 空気攪はん 時間 ：１０ 分 ｐＨ： １２．５ 得られた無電解銅めっき被膜の厚みは０．３μｍであっ
た。その後、該基板を真空加熱炉に静置して真空度ＩＱ
−４ｔｏｒｒにおいて昇温速度５℃／ｌ１ｌｉｎ。
・２Ｎａ ： ３０ ｇ／１３７駕ＨＣＨ
Ｏ： ５ ｍｌ／ＩＰＥＧ＃１０００
： ０．５ ｇ／１２．２°−ヒ゛ピリジ゛ル
： １０ ｍｇ／ｌ（めっき条件） 温度 二６５ ℃ 攪はん ： 空気攪はん 時間 ：１０ 分 ｐＨ： １２．５ 得られた無電解銅めっき被膜の厚みは０．３μｍであっ
た。その後、該基板を真空加熱炉に静置して真空度ＩＱ
−４ｔｏｒｒにおいて昇温速度５℃／ｌ１ｌｉｎ。
で昇温し、８０°Ｃで３０分間、第１段の熱処理を施し
た。その後引続き昇温速度１０℃／ｗｉｎ、で昇温し、
４００°Ｃで１時間、第２段の熱処理を施した。
た。その後引続き昇温速度１０℃／ｗｉｎ、で昇温し、
４００°Ｃで１時間、第２段の熱処理を施した。
さらに該基板に以下に示す条件で銅の電気めっきを施し
た。
た。
（浴組成）
ＣｕＳＯ１５Ｈ２０： ８０ ｇ／ｌＨ２ＳＯ４
： １８０ ｇ／ｌ （めっき条件） 温度 ＝２５ ℃ 陰極電流密度 ： ３ Ａ／ｄｍ２攪はん
： 空気攪はん、 及びカソードロッカー 時 間 ＝ １ 時間 得られた基板の銅被膜の厚さは３５μｍであって、その
密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２゜４
．９Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて
平均９．５ ｌｂ、／ｉｎ。
： １８０ ｇ／ｌ （めっき条件） 温度 ＝２５ ℃ 陰極電流密度 ： ３ Ａ／ｄｍ２攪はん
： 空気攪はん、 及びカソードロッカー 時 間 ＝ １ 時間 得られた基板の銅被膜の厚さは３５μｍであって、その
密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２゜４
．９Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて
平均９．５ ｌｂ、／ｉｎ。
であり、また、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２
．４．９ Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃに
おいて平均９．３ ｌｂ、／ｉｎ。
．４．９ Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃに
おいて平均９．３ ｌｂ、／ｉｎ。
であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめっき被膜が形成された。
、はぼ均一なめっき被膜が形成された。
これらの事実はこの基板を両面ＦＰＣや２メタルＴＡＢ
等の電子部品に使用した場合に充分な信頼性を示すもの
である。
等の電子部品に使用した場合に充分な信頼性を示すもの
である。
［実施例２］
第１段の熱処理を窒素雰囲気炉中で１２０’Ｃ１１５分
間行い引続き昇温速度２０°Ｃ／ｗｉｎ、で昇温し、４
２０°Ｃで３０分間、第２段の熱処理を施した以外は実
施例１と同様な手順で銅ポリイミド基板を製造した。
間行い引続き昇温速度２０°Ｃ／ｗｉｎ、で昇温し、４
２０°Ｃで３０分間、第２段の熱処理を施した以外は実
施例１と同様な手順で銅ポリイミド基板を製造した。
得られた基板の銅被膜の厚さは３５μｍであって、その
密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４
．９Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて
平均９．２ ｌｂ、／ｉｎ。
密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４
．９Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて
平均９．２ ｌｂ、／ｉｎ。
であり、また、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２
．４．９ Ａｓｒ：＋ｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃ
において平均９．０ ｌｂ、／ｉｎ。
．４．９ Ａｓｒ：＋ｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃ
において平均９．０ ｌｂ、／ｉｎ。
であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめっき被膜が形成された。
、はぼ均一なめっき被膜が形成された。
これらの事実はこの基板を両面ＦＰＣや２メタルＴＡＢ
等の電子部品に使用した場合に充分な信頼性を示すもの
である。
等の電子部品に使用した場合に充分な信頼性を示すもの
である。
［実施例３コ
第１段の熱処理を５０°Ｃで２時間行った以外は実施例
１と同様な手順で銅ポリイミド基板を製造した。
１と同様な手順で銅ポリイミド基板を製造した。
得られた基板の銅被膜の厚さは３５μｍであって、その
密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４
．９ Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおい
て平均９．０ ｌｂ、／ｉｎ。
密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４
．９ Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおい
て平均９．０ ｌｂ、／ｉｎ。
であり、また、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２
．４．９ Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃに
おいて平均８．７ ｌｂ、／ｉｎ。
．４．９ Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃに
おいて平均８．７ ｌｂ、／ｉｎ。
であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめっき被膜が形成された。
、はぼ均一なめっき被膜が形成された。
これらの事実はこの基板を両面ＦＰＣや２メタルＴＡＢ
等の電子部品に使用した場合に充分な信頼性を示すもの
である、。
等の電子部品に使用した場合に充分な信頼性を示すもの
である、。
［比較例１］
第１段の熱処理を４０°Ｃで５時間行った以外は実施例
１と同様な手順で銅ポリイミド基板を製造しまた。
１と同様な手順で銅ポリイミド基板を製造しまた。
得られた基板の銅被膜の厚さは３５μｍであって、その
密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４
．９ Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおい
て平均７．９ ｌｂ、／ｉｎ。
密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４
．９ Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおい
て平均７．９ ｌｂ、／ｉｎ。
であり、また、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２
．４．９ Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃに
おいて平均６．５ ｌｂ、／ｉｎ。
．４．９ Ａｓｒｅｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃに
おいて平均６．５ ｌｂ、／ｉｎ。
であり、第１段の熱処理による効果は得られなかった。
［発明の効果］
本発明の方法によれば、ポリイミド樹脂表面に生成した
変質層を改質する前にポリイミド樹脂に取込まれたガス
や水を除去するため、耐熱衝撃性の高いポリイミド樹脂
の全面に無電解めっきを施した基板を得ることができ、
この基板を用いることによｌ′）信頼性の高い両面ＦＰ
Ｃや２メタルＴＡＢを！！ｌｌ造することができる。
変質層を改質する前にポリイミド樹脂に取込まれたガス
や水を除去するため、耐熱衝撃性の高いポリイミド樹脂
の全面に無電解めっきを施した基板を得ることができ、
この基板を用いることによｌ′）信頼性の高い両面ＦＰ
Ｃや２メタルＴＡＢを！！ｌｌ造することができる。
Claims (1)
- ポリイミド樹脂の全面に無電解めっき被膜を形成し、
要すれば引続き電気銅めっきを施して基板を得、得た基
板を５０〜１２０℃の温度で第１段の熱処理を施し、引
続き１２０〜４２０℃の温度で第２段の熱処理を施すこ
とを特徴とする銅ポリイミド基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31441990A JPH04187778A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 銅ポリイミド基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31441990A JPH04187778A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 銅ポリイミド基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04187778A true JPH04187778A (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=18053123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31441990A Pending JPH04187778A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 銅ポリイミド基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04187778A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007164963A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 磁気記録媒体用基板およびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31441990A patent/JPH04187778A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007164963A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 磁気記録媒体用基板およびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
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